LABORATORIO 8

Transistor MOSFET

8.1.- Objetivo.-

 Activar un relay mediante un MOSFET de canal N.

8.2.- Marco Teórico.-

 Los circuitos con MOSFET son altamente inmunes al ruido consumen muy poca
potencia y son muy flexible.

 Los MOSFET son excelente para controlar redes de altos voltajes altas corrientes sin
absorber corriente o potencia del circuito de control. La alta impedancia de entrada
de los FET aísla en esencia las dos partes de la red sin necesitar enlaces ópticos o
electromagnéticos

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8.3.- Cálculos y diseño del circuito.-

 Para que el mosfet entre en saturación es necesario que en la compuerta exista 10V
ya que es el voltaje de saturación del mosfet IRF830 el cual estamos usando, y de
esta manera confirmamos que el mosfet entrar en saturación.

 La polarización del MOSFET es por división de tensión por lo tanto para el cálculo
solo es un divisor de tensión basta que garanticemos que en la compuerta del
MOSFET exista VGS mayor a VGF de saturación aproximadamente 10V y una
corriente de 1mA.

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 LISTA DE MATERIALES
ITEM DESCCRIPCION UNIDAD CANTIDAD
1 FUENTE VARIABLE 1.2 a 12V, 1A PZA 1
2 RESISTENCIA 1/2W 2 kOHM PZA 1
3 RESISTENCIA 1/2W 10kOHM PZA 1
4 TRANSISTOR MOSFET IRF830 PZA 1
5 RELAY ELECTRONICO DE 12V, 5A PZA 1
6 DIODO RECTIFICADOR 1A PZA 1
7 SWITCH (INTERRUPTOR) PZA 1

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