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CARACTERÍSTICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR

1.0 OBJETIVOS
Una vez completado esta actividad, usted debe estar capacitado para:
1. Recordar la diferencia entre los transistores PNP y NPN.
2. Bosquejar el modelo de diodo de un transistor.
3. Dibujar el circuito de emisor común que contiene dos fuentes de tensión.
4. Recordar el método usado para polarizar el lazo base - emisor de entrada.
5. Recordar el método usado para controlar la corriente de base.
6. Recordar el método usado para polarizar el colector en el circuito de emisor común.
7. Calcular la ganancia de corriente (o β) del transistor ideal que esta conectado al emisor común.
8. Calcular la corriente de colector del transistor ideal a partir de los valores conocidos de la
corriente de base.
9. Determinar el β de los transistores reales.
10. Recordar la relación entre la corriente del colector y la tensión de colector a emisor.

2.0 EXPLICACIÓN
Los transistores, al igual que los diodos semiconductores, están hechos de cristales de germanio o silicio. En
guías anteriores se aprendido que los diodos poseen una juntura PN. Los transistores, sin embargo, poseen
dos junturas PN, como se muestra en la Figura 1a. Los dos tipos de transistores son NPN y PNP, como se
muestra en las Figuras 1a y 1b.

a) Transistor NPN b) Transistor PNP

Figura 1.
También se muestran los símbolos para los dos tipos de transistor en las dos figuras. Note la diferencia
en el sentido de las puntas de la flecha en los dos símbolos. Estas puntas de flecha apuntan en el
sentido de la corriente CONVENCIONAL. Los alambres de conexión en el cristal son denominados
EMISOR, BASE y COLECTOR.

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Debido a que el transistor tiene dos junturas PN, puede ser representado por dos diodos conectados
como se muestra en la Figura 2a.

a) Junturas del transistor b) Modelo NPN c) Modelo PNP

Figura 2

En la Figura 2b se muestra el modelo de diodo para el transistor NPN. En este diagrama, así como en el
diodo, el ánodo es material tipo P, y el cátodo es material tipo N. La punta de flecha en el símbolo del
diodo apunta desde el material tipo P hacia el material tipo N.

CIRCUITO EMISOR COMUN

El transistor de la Figura 3a está conectado como EMISOR COMUN, el cual es a menudo denominado
“circuito CE”. Esto significa que el emisor está conectado al alambre a lo largo de la parte inferior del
circuito, que es parte de la ENTRADA en la izquierda y de la SALIDA en la derecha. Este alambre común
a lo largo de la parte inferior del circuito esta menudo conectado a tierra para formar el circuito emisor a
tierra.

FIGURA 3(a): FIGURA 3(b):

Circuito emisor común Lazo emisor de base

CARACERISTICAS DE ENTRADA
En la Figura 3a, el lazo base-emisor está destacado con trazo grueso. En la Figura 3b se muestra
solamente esta parte destacada del circuito. La juntura PN entre la base y el emisor es como un diodo
de juntura PN. Para que el transistor opere de manera normal, esta juntura PN debe tener polarización

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DIRECTA. Para producir polarización directa, la fuente de tensión (VBB) debe tener su terminal positivo
conectado a la base y el terminal negativo conectado al emisor. La juntura base a emisor posee las
características de un diodo de juntura PN.

En la Figura 4 se muestra la curva característica de un diodo de juntura PN. Esta es también la curva
característica de entrada para un transistor que está conectado al emisor común. Los valores utilizados
para graficar esta curva son determinados midiendo la corriente de base cuando cambia la tensión de
polarización VBB.

FIGURA 4: Curva característica de entrada

CONTROLANDO LA CORRIENTE DE BASE

La corriente en el lazo base-emisor de la Figura 3b es controlada por el resistor de polarización
denominado RB. A partir de lo estudiado acerca de los diodos de juntura PN de silicio, sabemos que la
caída de tensión a través de la juntura PN es de cerca de 0,6 voltios cuando la polarización es directa.
Usando la ley de las tensiones de Kirchhoff, la ecuación para este lazo es:

V(fuente) = V(resistor de polarización) + V(juntura PN)

o:
VBB = I(base) ×R B + 0,6V
Esta ecuación se utiliza por lo general para determinar el valor de la resistencia necesaria para proveer
un valor requerido de la corriente de base. La ecuación es redispuesta de manera de obtener:

VBB - 0,6V
RB =
I(base)
Si desea cambiar el valor de la corriente de base, debe cambiar el valor de la resistencia de base.

POLARIZACION DEL COLECTOR

En la Figura 5a el lazo colector a emisor del circuito completo está destacado con trazo grueso. La
juntura PN mostrada debe estar polarizada inversamente para que el cristal NPN actúe como un
transistor. Para que esta juntura PN esta polarizada inversamente, la fuente de tensión (VCC) debe estar
conectada con su terminal positivo conectado al material tipo N, que es el colector. En la Figura 5b se

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muestra el diagrama esquemático del transistor NPN con la polarización apropiada, y en la Figura 5c se
muestra el diagrama esquemático del transistor PNP con la polarización apropiada.

FIGURA 5a: Colector con polarización inversa

FIGURA 5b: Transistor NPN

FIGURA 5c: Transistor PNP

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CONTROLANDO LA CORRIENTE DEL COLECTOR

Cuando la corriente de base es cambiada por el resistor RB, la corriente del colector también cambia.
La corriente de base CONTROLA a la corriente del colector: un muy pequeño cambio en la corriente de
base, tal como 200 microamperios, puede cambiar la corriente del colector en un valor muchísimo
mayor, tal como 30.000 microamperios. Este es un cambio igual a 150 veces el cambio en la corriente
de base, a menudo se lo denomina GANANCIA DE CORRIENTE, también conocido como el BETA de
un transistor. “Beta” (β) es una letra griega usada para representar la ganancia de corriente de un
transistor. La fórmula es:

Cambio en la Corriente de Colector

Ganancia de Corriente = Beta =
Cambio en la Corriente de Base
En este ejemplo, el valor de beta para esté transistor es:
30.000μA
β=  150
200μA
La beta de CC de un transistor se obtiene eliminando la parte del “cambio” de la fórmula, lo que
produce:
IC
β=
IB
Para determinar el valor actual de la beta de CC, se miden en la Figura 6a los valores de la corriente de
base y colector. Los valores son entonces substituidos dentro de la fórmula. El valor de beta para el
transistor ideal no cambia, pero el valor cambia para el transistor real.

EL TRANSISTOR IDEAL
El TRANSISTOR IDEAL posee el beta determinado por la formula anterior. Ésta puede ser cambiada a la
forma siguiente, la cual es muy útil cuando se desea determinar el valor de la corriente del colector.

IC = β  I B
El valor de la corriente del colector depende del valor de β y de IB, y no del valor de VCC o del resistor
en el lazo del colector (RC). Esto significa que para el transistor ideal, la corriente del colector no cambia
cuando es cambiada la fuente de tensión en el lazo del colector. Por ejemplo, si un transistor tiene un β
de 150 y su corriente de base es de 200uA, la corriente del colector es:

IC = β  IB  150×200μA ó IC = 30mA

El valor de la fuente de tensión (VCC) en la Figura 6a puede ser cambiado a 2, 4, 6, 8 o 10 voltios, y la

corriente permanecer en 30mA. Estos valores aparecen en la tabla de la Figura 6b, y están graficados en
la Figura 6c. Note que la corriente no cambia. El lazo del colector del transistor actúa como una FUENTE
DE CORRIENTE CONSTANTE.

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FIGURA 6a : Circuito de prueba

IB (μA) 150 150 150 150 150 150

VCE (voltios) 0 2 4 6 8 10

IC (mA) 0 30 30 30 30 30
FIGURA 6b: Tabla de prueba

FIGURA 6(c): Curva ideal

Los transistores verdaderos no tienen una relación tan exacta. La corriente cambia una pequeña
cantidad cuando el valor de la tensión VCC cambia de la manera mostrada en la tabla de la Figura 7a.

Estos valores son graficados en la Figura 7b. Estos valores de corriente de colector son para un solo
valor de corriente de base, el cual en este ejemplo es de 150uA. Cuando la corriente de base cambia a
un valor diferente, tal corno 100uA, se obtiene otro juego de valores, como se muestra en el gráfico de la
Figura 7b. Esto se denomina una FAMILIA de curvas para un transistor real. Note que cada curva está
graficada para un valor diferente de la corriente de base.

IB (μA) 150 150 150 150 150 150

VCE (voltios) 0 2 4 6 8 10

IC (mA) 0 26 28 30 32 34

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FIGURA 7a, Curva del transistor real

FIGURA 7b: Salida de una familia de curvas

REGIONES OPERATIVAS DEL TRANSISIOR

Las regiones operativas del transistor están comúnmente divididas en tres regiones separadas:

a. Región activa
b. Región de corte
c. Región de saturación

Estas tres regiones están marcadas en las características de salida del transistor, mostradas en la
Figura 8.

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REGIÓN ACTIVA
Como puede verse en la Figura 8, la región activa del transistor es aquélla parte de la gráfica
característica donde la corriente de la base es mayor que cero (IB>O), y la tensión de colector-emisor
es mayor que varias decenas de voltios.

FIGURA 8: Regiones operativas del transistor

El transistor estará en la región activa siempre que su juntura base-emisor sea polarizada en forma
directa y su juntura colector- base sea polarizada en forma inversa. En esta región la corriente de salida
depende principalmente de la corriente de base, mientras que su dependencia de la tensión colector-
emisor (VCE) es mínima.

Si desearnos construir un amplificador lineal sin distorsión, el transistor debe operar en esta región.
Podemos aproximarnos al comportamiento del transistor mediante la siguiente ecuación:

IC  βIB

REGION DE CORTE
El corte del transistor en la configuración de emisor común es definido como el estado en el cual la
corriente del colector iguala a la corriente de fuga ICO, con la corriente del emisor igual a cero (IE = 0).

Para que el transistor se encuentre en la región de corte se requiere que:

IB = - IC = - ICO

ICO es la corriente de fuga del colector que muchas veces puede ser desestimada.

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REGION DE SATURACION
En la región de saturación las dos junturas del transistor, base-emisor y base-colector, son polarizadas
en forma directa. En este estado la tensión de salida (VCE) es muy pequeña (aproximadamente 0,3
voltios).

En la saturación, la corriente de salida es casi totalmente independiente del transistor y de la corriente de

entrada IB, y es determinada por la tensión de alimentación VCC y la carga RL.
Por lo tanto, en el circuito mostrado en la Figura 4b, la corriente de salida (IC) en saturación será:

VCC
IC 
RL

Desarrollado por:
Andrey Julián Rentería Scarpetta

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