Amplificadores Diferenciais II

AMPLIFICADORES DIFERENCIAIS
O par diferencial BJT
Na Fig. 12 temos uma configuração básica de um par diferencial BJT. O seu aspecto é
bastante similar ao circuito com MOSFETs e consiste em dois transístores iguais (Q1 e
Q2) cujos emissores estão ligados entre si e polarizados com uma fonte de corrente
constante I. A ligação dos colectores através de RC pode não ser necessária para o
correcto funcionamento do par diferencial, ou seja, em algumas aplicações os dois
colectores podem estar ligados a outros transístores é não a cargas resistivas. É no
entanto essencial garantir que Q1 e Q2 não entrem na saturação.
Fig. 12
Departamento de Engenharia Electrotécnica e de Computadores 33

Funcionamento básico
Para verificar o funcionamento do par diferencial BJT vamos considerar inicialmente

as duas bases ligadas entre si a uma tensão de modo comum vCM como se vê na Fig.
13(a) (vB1=vB2=vCM).
Como Q1 e Q2 são iguais e assumindo que a fonte de

corrente I tem resistência de saída infinita, a corrente de
saída permanecerá constante e pela simetria será dividida
igualmente pelos dois dispositivos. Logo iE1=iE2=I/2 e a
tensão nos emissores será vCM-VBE (VBE=0,7V). A tensão
nos colectores será VCC-1/2(αIRC) e a diferença entre as
tensões de colectores será nula.
Variando a tensão vCM, enquanto Q1 e Q2 se mantiverem na

zona activa, a corrente I será dividida igualmente por Q1 e Q2 e
as tensões nos colectores não variam. Logo, o par diferencial
não responde (rejeita) sinais de modo comum.
Fig. 13
Vamos agora aplicar uma tensão constante à base de Q1 (vB1=1V) e ligar a base de Q2
à massa (vB2=0V) (Fig. 13(b)). Nesta situação é razoável dizer que Q1 estará ON
(conduzindo toda a corrente I) e Q2 estará OFF.
Para Q1 estar ON (vBE1 =0,7V) o

emissor está aproximadamente com
0,3V, que mantém a junção EB de Q2
inversamente polarizada. As tensões de
colector serão vC1=VCC-αIRC e vC2=VCC.
Se alterarmos agora vB1 para -1V (Fig.

13(c)) Q1 ficará OFF e Q2 ON, conduzindo
toda a corrente. O emissor estará com -0,7
V, ou seja a junção EB de Q1 estará
inversamente polarizada. As tensões de
colector serão vC1=VCC e vC2=VCC- αIRC.
Fig. 13

Com o par diferencial podemos através de pequenas tensões diferenciais fazer com
que toda a corrente seja conduzida alternadamente por cada um dos ramos.
Para usar o par diferencial BJT como um

amplificador diferencial vamos aplicar uma
tensão diferencial muito pequena (alguns
milivolts), que origina que um transístor conduza
uma corrente I/2+∆I e uma corrente no outro
transístor de I/2-∆I, sendo ∆I proporcional à
tensão diferencial (Fig. 13(d)). A tensão de saída
entre os dois colectores é 2α∆IRC, que é
proporcional à entrada diferencial vi.
Fig. 13

Operação básicapara grandes sinais
Funcionamento
Vamos agora apresentar uma análise genérica do par diferencial BJT da Fig. 12. A
tensão no emissor vE pode ser dada como uma relação exponencial aplicada a cada um
dos transístores
(56) (57)
Usando (56) e (57) podemos obter as seguintes relações
(58)

Como o circuito impõe (59)
Usando (59) e (58) e substituindo vB1-vB2=vid vamos obter
(60)
As correntes de colector iC1 e iC2 podem ser obtidas pela multiplicação das
correntes de emissor (60) por α.
O funcionamento do amplificador diferencial é ilustrado pelas eq. (60). De notar que

o amplificador diferencial responde apenas à tensão diferencial vid. Ou seja, para
vB1=vB2=vCM a corrente I vai ser dividida de forma igual entre os dois transístores
independentemente do valor de vCM. Esta é a característica essencial do amplificador
diferencial que dá origem ao seu nome.

Outra importante característica é a relativamente pequena tensão vid que faz com
que toda a corrente circule através de um dos transístores. Na Fig. 14 é mostrado o
comportamento das correntes de colector (α=1) em função da tensão diferencial de
entrada. Este traçado normalizado pode ser usado em qualquer situação.
De notar que uma pequena variação de

vid de cerca de 4VT (≅100mV) é o suficiente
para fazer a comutação da totalidade da
corrente entre os dois ramos do circuito.
Este valor é bastante inferior ao seu

correspondente para o par diferencial MOS
( 2VOV ).
Devido ao facto de um pequeno sinal poder

comutar a corrente de um ramo do par diferencial
para o outro, indica que este circuito pode ser Fig. 14
usado como um comutador de alta velocidade.

Outra razão que permite o funcionamento do par diferencial BJT como comutador de
alta velocidade é o facto de não necessitar que nenhum dos transístores sature. De
recordar, que para o funcionamento de um transístor como comutador, tínhamos visto
que ele funcionava ao corte e à saturação, sendo necessário remover as cargas
armazenadas na base antes de comutar para OFF, o que geralmente é um processo
lento. A ausência de saturação no par BJT faz com ele seja indicado para circuitos de
alta velocidade.
Seguidamente vamos analisar o par BJT como amplificador de pequenos sinais, logo
a Fig. 14 não vai ser utilizada. Nessa situação a entrada diferencial vai ser limitada a
menos de VT/2 de forma ao circuito funcionar na zona linear perto do ponto x.
Para finalizar a análise do par BJT para grandes sinais, vamos ver uma técnica
utilizada frequentemente para alargar a zona linear de funcionamento. Este técnica
consiste na inclusão de duas resistências iguais Re em série com os emissores de Q1 e
Q2, como se pode ver na Fig. 15(a).

As características de transferencia são apresentadas na Fig. 15(b).

A extensão da zona linear de funcionamento à custa da redução de gm (que é o declive
da curva de transferencia em vid=0) e consequentemente do ganho.
O efeito de Re neste circuito é idêntico ao efeito da resistência de

emissor no circuito amplificador de emissor comum com resistência
de degeneração.
Esta técnica de
linearização para o caso
do par MOS é
implementada à custa da
variação de VOV através
da alteração de W/L.
Fig. 15
Funcionamento para pequenos sinais
Para analisar o funcionamento do par diferencial BJT como amplificador para

pequenos sinais vamos observar a Fig. 16 onde temos aplicado um sinal diferencial de
tensão vid entre as duas bases.
Está implícito que existe um sinal

DC na entrada (tensão de modo
comum).
Fig. 16

Corrente do colector aplicando vid
Para o circuito da Fig. 16 podemos (61)

usar as eq. (60) para escrever
Multiplicando o numerador e o denominador

v
(62)
id
do membro direito da 1ª eq. (61) por 2VT
e
± vid
Assumindo que vid<<2VT, podemos expandir a exponencial e 2VT
em série e considerar
apenas os primeiros dois termos
(63)
Da mesma forma podemos obter iC2 (64)

As eq. (63) e (64) indicam que quando vid=0 a corrente de polarização I se divide de
forma igual entre os dois transístores, logo cada transístor está polarizado com uma
corrente de emissor de I/2.
Quando um pequeno sinal vid é aplicado de modo diferencial, a corrente de colector de

Q1 aumenta ic e a de Q2 diminui do mesmo valor. Isto garante que a soma das duas
correntes se mantenha constante, como é imposto pela fonte de corrente. O incremento
de corrente, que na prática corresponde à corrente de sinal ic é dado por
(65)
A eq. (65) tem uma interpretação simples. Devido à simetria do circuito a tensão
diferencial vid deve ser dividida de forma igual entre as junções BE dos dois
transístores, logo a tensão total entre a base e o emissor é dada por

A tensão VBE é a tensão DC na junção BE que corresponde à corrente de emissor I/2.

Logo a corrente de colector de Q1 irá aumentar gmvid/2 e a corrente de colector de Q2 irá
diminuir gmvid/2. Sendo gm a transcondutância de Q1 e Q2, dada por
(66)
vid
A eq. (65) pode então ser dada simplesmente por ic = g m (67)
2
Análise alternativa
Existe uma interpretação alternativa dos resultados anteriores, que pode ser bastante
útil. Assumindo que a fonte de corrente I é ideal (resistência interna infinita), a tensão
vid aparece aos terminais da uma resistência total 2re, sendo
Recordar o significado de re no modelo

(68)
equivalente T

Correspondentemente existe uma corrente de (69)

sinal ie, conforme ilustrado na Fig. 17 dada por
No colector de Q1 vamos ter um aumento de

corrente ic e no colector de Q2 uma diminuição de
corrente ic, com
(70)
Recordar que re = α
gm
De notar que na Fig. 17 apenas são mostradas

grandezas de sinal. Está implícito que cada Fig. 17
transístor está polarizado com uma corrente de
emissor de I/2.

O método anterior é particularmente

útil quando são incluídas resistências
nos emissores como é mostrado na Fig.
18.
Neste caso vamos ter
(71)
Fig. 18

Resistência diferencial de entrada
Contrariamente ao amplificador diferencial MOS, que tem uma resistência de entrada

infinita, o amplificador diferencial BJT tem uma resistência de entrada finita, como
consequência de β ser finito.
A resistência diferencial de entrada é a resistência vista entre as duas bases, ou seja,

a resistência vista pela entrada diferencial vid. Para os amplificadores diferenciais nas
Fig. 16 e 17 podemos verificar que a corrente de base de Q1 tem um aumento de ib e a
corrente de base de Q2 uma igual diminuição
(72)
A resistência diferencial de entrada é então dada por (73)
Este resultado é a confirmação da regra da reflexão da resistência (resistence-reflection

rule), que indica que a resistência vista entre as duas bases é igual à resistência total no
circuito do emissor, multiplicada por (β+1). Aplicando à Fig. 18 temos
(74)

Ganho de tensão diferencial
Foi estabelecido anteriormente que para pequenas

tensões diferenciais de entrada (vid<<2VT; ou seja vid (75)
menor que 20 mV) as correntes de colector são dadas por
(Com )
(76)
As tensões totais nos colectores são
Os termos entre parêntesis são as tensões DC em cada um dos colectores.
Tal como nos circuito MOS, o sinal de saída do par diferencial BJT pode
ser obtido de forma diferencial (entre os dois colectores) ou referenciada à
massa (entre um colector e a massa).

Se a saída é obtida de modo diferencial o ganho diferencial é dado por
(77)
Por outro lado se a saída é obtida em relação à massa (entre o colector de Q1 e a

massa), o ganho diferencial é dado por
(78)
Para o amplificador diferencial com resistências nos ramos dos colectores (Fig.
18) o ganho diferencial obtido com a saída em modo diferencial é dado por
(79)
Esta eq. indica que o ganho de tensão é dado pela relação entre a resistência
total no colector (2RC) e a resistência total no emissor (2re+2Re).

Equivalência entre o amplificador diferencial e amplificador de emissor comum
A análise e os resultados anteriores são bastante similares aos obtidos para o

amplificador de emissor comum. Este facto está ilustrado na Fig. 19.
A Fig 19(a) mostra um amplificador diferencial ao

qual é fornecido um sinal diferencial de forma
complementar, ou seja, enquanto na base de Q1 existe
um aumento de tensão de vid/2 na base de Q2 existe
uma diminuição de tensão de vid/2. Está também
incluída a resistência da fonte de corrente REE.
Por simetria a tensão de sinal nos

emissores é nula.
Fig. 19

O circuito pode ser apresentado como dois circuitos em emissor comum

representados na Fig. 19(b), estando cada um dos transístores polarizado com uma
corrente de emissor de I/2.
A resistência finita de saída da fonte de corrente REE

não vai ter influencia no funcionamento. De notar que
este circuito apenas é válido para funcionamento
diferencial.
Em algumas aplicações não é fornecido ao amplificador

um sinal diferencial de forma complementar, podendo o
sinal ser aplicado a um dos terminais de entrada,
enquanto o outro terminal é ligado à massa, como é
mostrado na Fig. 20. Fig. 19

Nesta situação a tensão de sinal nos emissores não é nula, havendo agora influência
de REE no funcionamento do circuito. No entanto como REE>>re (REE aparece em
paralelo com re de Q2 no modelo equivalente (verificar!)), a tensão vid irá ser dividida de
forma aproximadamente igual entre as duas junções como se mostra na Fig.20.
O funcionamento do amplificador diferencial é

nesta situação similar à situação em que temos
aplicado o sinal de entrada de forma simétrica,
podendo ser usado os equivalentes em emissor
comum.
Como vc2=-vc1 os dois transístores em emissor

comum dão origem a resultados similares ao
amplificador diferencial. Logo apenas um deles é
necessário para analisar o funcionamento para
pequenos sinais, sendo designado como meio-
circuito diferencial (differential half-circuit).
Fig. 20

Se considerarmos o transístor em
emissor comum alimentado com +vid/2
como o meio-circuito diferencial e
substituirmos o transístor pelo seu
modelo equivalente para baixas
frequências, vamos obter o circuito da
Fig. 21. Fig. 21
Ao calcularmos os parâmetros do modelo rπ, gm e ro temos que ter em conta que o

meio-circuito é polarizado com I/2 . O ganho de tensão do amplificador diferencial
(com a saída obtida de modo diferencial) é igual ao ganho de tensão do meio-circuito,
que é vc1/(vid/2)=-gmRC.
A inclusão de ro vai alterar a eq. (77) (80)
A resistência diferencial de entrada do amplificador diferencial é dupla do meio-

circuito, ou seja 2rπ.

Ganho em modo comum e CMRR
A Fig. 22(a) mostra um amplificador diferencial ao qual é aplicado um sinal em modo

comum. REE é a resistência de saída da fonte de corrente.
Por razões de simetria o circuito é

equivalente ao representado na Fig.
22(b), estando Q1 e Q2 polarizados
com uma corrente I/2 e com uma
resistência 2REE no emissor. A
tensão de saída de modo comum vc1
é dada por
(81)
I I
(vc1 = vc 2 = − αRC ) (vicm = ( Re + 2 RSS ) )
2 2 Fig. 22
No outro colector temos vc1 (82)

Se a saída for obtida de forma diferencial, a saída de modo comum v0=vc1-vc2 será
nula e o ganho em modo comum também será nulo. Por outro lado, para uma saída
referenciada à massa o ganho em modo comum é finito e dado por
(83)
Como neste caso o ganho diferencial é dado por (84)
O CMRR é dado pela seguinte expressão (85)
Sendo normalmente expresso em decibeis (86)
Cada um dos circuitos da Fig. 22(b) é designado como meio-circuito de modo comum
(common-mode half-circuit).

A análise anterior assume que o circuito é perfeitamente simétrico. No entanto, na

prática esta simetria perfeita não existe, resultando que o ganho em modo comum
deixa de ser nulo, mesmo com a saída obtida de modo diferencial.
Para ilustrar esta situação vamos considerar que existe uma pequena diferença ∆RC
nas resistências de colector. Ou seja, Q1 tem uma resistência de carga RC e Q2 tem
uma resistência de carga RC+ ∆RC. As tensões nos colectores são dadas por
O ganho de modo comum será
Que pode ser rescrito como (87)

Comparando a eq. anterior do ganho de modo comum obtida com a saída em modo
diferencial (87), com a eq. (83) obtida para uma saída referenciada à massa, verifica-se
que o ganho é muito mais baixo no caso da saída diferencial.
Por exemplo para um amplificador operacional é preferível que a saída seja obtida de
modo diferencial, pois isso permite um ganho de modo comum mais baixo, ou seja,
um CMRR mais elevado.
Os sinais de entrada v1 e v2 de um amplificador diferencial (88)

geralmente tem uma componente de modo comum, vicm
E uma componente diferencial vid (89)
De uma forma geral o sinal de (90)

saída é dado por

Exemplo 1
O amplificador diferencial da Fig. 23 usa transístores
com β=100. Determine:
a) A resistência diferencial de entrada Rid;
b) O ganho diferencial total de tensão (v0/vsig) desprezando
o efeito de r0.
c) O ganho de modo comum na situação mais
desfavorável caso as resistências de colector tenham
uma tolerância de +/-1%.
d) O CMRR em dB/s.
a) Cada transístor está polarizado com

uma corrente de emissor de 0,5 mA, logo
A resistência de entrada diferencial é então dada por
Fig. 23

b) O ganho de tensão da fonte de sinal em relação às bases de Q1 e Q2 é
O ganho de tensão das bases em relação à saída é

dado pelo cociente entre a resistência total
nos colectores e a resistência total nos emissores
O ganho de tensão diferencial total é então
c) Usando (87) Com ∆RC=0,02RC na pior situação, obtemos

d)
Exercício 6
Para o amplificador diferencial da Fig. 13 (a) temos: I=1 mA, VCC=5V, vCM=-2V, RC=3kΩ e
β=100. Admitindo que o BJT tem vBE=0,7 V para ic=1 mA, determine a tensão nos emissores e
nas saídas.
Exercício 7
Para o circuito da Fig. 13 (b) temos uma entrada de +1V como indicado, I=1mA, VCC=5 V,
RC=3kΩ e β=100. Determine as tensão nos emissores e nas saídas. Admitindo que o BJT tem
vBE=0,7 V para ic=1 mA.

Exercício 8
Um amplificador diferencial BJT é polarizado com uma fonte de corrente constante de 2 mA e
inclui uma resistência de 100Ω em cada um dos emissores. Os colectores estão ligados a VCC
por resistências de 5kΩ. Entre as bases é aplicada uma tensão diferencial de 0,1V.
a) Determine a corrente de sinal nos emissores (ie) e a tensão de sinal vbe para cada BJT.
b) Qual a a corrente total de emissor em cada BJT?
c) Qual a tensão de sinal em cada colector? Assumir que α=1.
d) Qual o ganho de tensão quando a saída é obtida entre os dois colectores?
Exercício 9
Considere um amplificador diferencial básico com BJTs que tem a seguintes características:
I=0,5 mA, VA=200V, REE=1MΩ, RC=20kΩ e β=200. Determine:
a) O ganho diferencial para uma saída referenciada à massa.
b) O ganho diferencial para uma saída diferencial.
c) A resistência de entrada diferencial.
d) O ganho em modo comum para uma saída referenciada à massa.
e) O ganho em modo comum para uma saída diferencial.

Outras características não ideais do amplificador diferencial
Tensão de offset na entrada do par diferencial MOS
Na Fig. 24(a) temos um amplificador diferencial MOS básico. Se os dois ramos do

amplificador são exactamente iguais (Q1=Q2 e RD1=RD2=RD), então a corrente I divide-
se de forma idêntica entre Q1 e Q2 e V0 será nula.
Os circuitos práticos não são perfeitamente simétricos,

dando origem a uma tensão DC na saída V0, mesmo com
ambas as entradas ligadas à massa.
A essa tensão V0 é chamada tensão de offset na saída.

Dividindo essa tensão pelo ganho diferencial Ad vamos
obter a chamada tensão de offset na entrada, Vos,
(91)
Fig. 24

Se for aplicada uma tensão –Vos na entrada, a tensão de saída será reduzida a zero
(Fig. 24(b)), dando este facto origem à definição típica de tensão de offset. De notar do
entanto que à priori não é conhecida a polaridade de Vos, pois ela depende de
diferenças entre dispositivos.
Três factores contribuem para o aparecimento de Vos:

diferenças entre as resistências de carga, diferenças entre
W/L e diferenças entre Vt.
Vamos inicialmente considerar para o par diferencial da Fig.

24(a) que Q1 e Q2 são exactamente iguais, mas existe uma
pequena discrepância entre RD1 e RD2, ∆RD.
(92)
Fig. 24

Como Q1 e Q2 são iguais a corrente I ser dividida de forma idêntica entre os dois
ramos. No entanto devido às diferenças das resistências tensões de saída são
(93)
Sendo a tensão diferencial V0 dada por

(94)
A correspondente tensão de offset na entrada é obtida dividindo V0 pelo ganho gmRD

e substituindo gm por (29) (gm=I/VOV)
(95)

A tensão de offset é então directamente proporcional a VOV e, claro, a ∆RD/RD.
Vamos considerar por exemplo para um amplificador diferencial com dois

transístores a funcionar com uma tensão de overdrive de 0,2V e cujas resistências de
dreno tem uma precisão de +/-1%. Para a situação mais desfavorável temos
Vamos analisar agora os efeitos devidos a diferenças em W/L dados como
(96)
Esta discrepância vai dar origem a que I deixe de ser dividida de forma semelhante
entre Q1 e Q2. Neste caso verifica-se que as correntes I1 e I2 são dadas por

(97)
Dividindo o incremento de corrente
por gm, dá origem a metade da tensão (98)

de offset na entrada, então
Finalmente vamos verificar o efeito de discrepâncias ∆Vt, entre as tensões de limiar
(99)

A corrente I1 vai ser dada por
Esta expressão para ∆Vt<<2(VGS-Vt) (ou seja ∆Vt<<2VOV) pode ser aproximada por
De forma análoga
Dado que a corrente sem o efeito da variação Vt é
o incremento (diminuição) de corrente em Q1(Q2) é dado por

Dividindo ∆I por gm é obtida metade da (100)

tensão de offset (devido a ∆Vt), logo
Para tecnologia MOS actual ∆Vt pode ter cerca de 2 mV.
Como as três potenciais fontes da tensão de offset não estão correlacionadas, uma
estimativa da tensão de offset total pode ser obtida através da seguinte expressão
(101)

Tensão de offset na entrada do par diferencial BJT
A tensão de offset do par diferencial BJT mostrado na Fig. 25 pode ser determinada
de forma análoga ao par MOS. Neste caso, no entanto, não existe analogia em relação
ao parâmetro Vt dos transístores MOS. A tensão de offset resulta de diferenças entre
as resistências de carga RC1 e RC2, da área da junção, do ganho β e de outras
diferenças entre Q1 e Q2.
Vamos inicialmente considerar o efeito da

diferenças nas cargas
(102)
Assumindo que Q1=Q2, a

corrente I vai dividir-se
igualmente entre os
transístores, dando origem a Fig. 25
A tensão de saída é então dada por
(103)
A tensão de offset na entrada é dada por
(104)
Substituindo Ad=gmRC com
Uma ponto importante é a comparação com a expressão correspondente para o par

MOS (eq. (95)). Enquanto para o par BJT a tensão de offset é proporcional a VT, para o
par MOS é proporcional a VOV/2. Como VT vale 25mV e é cerca de 4 a 10 vezes inferior a
VOV/2, o par BJT tem uma tensão de offset inferior à do par MOS.
Vamos analisar um exemplo em

Dando origem a uma
que as resistências de colector
tensão de offset
têm uma tolerância de +/-1%. Na
situação mais desfavorável temos

Vamos agora considerar diferenças

entre as áreas das junções EB de Q1 e (105)
Q2. As diferenças nessas áreas são
proporcionais à corrente de saturação IS
Tendo em conta a Fig. 25(a) e que VBE1=VBE2, a

corrente I vai se dividir entre Q1 e Q2 (106)
proporcionalmente aos seus valores de IS, resultando
(107)
A tensão de offset na saída é então
Sendo a correspondente tensão de offset na entrada dada por (108)

Como exemplo, uma diferença de 4% nas áreas das junções dá origem a ∆IS/IS=0,04 e
uma tensão de offset na entrada de 1 mV. Novamente verificamos que a tensão de
offset é proporcional a VT, enquanto para o par MOS é proporcional a VOV para uma
diferença em ∆(W/L).
Como estas duas contribuições para a tensão de offset na entrada não estão
correlacionadas, uma estimativa para a tensão de offset total é dada por
(109)
Existem ainda outras potenciais fonte para o aparecimento da tensão de offset, tais
como diferenças em β ou em r0.
Existe uma forma de compensar a anular a tensão de offset, através de introdução de
uma resistência adicional que dá origem a uma tensão nula na saída com as entradas
ligadas à massa (Ex: Amp. Op. 741).

Corrente de polarização de entrada e de offset para o par diferencial BJT
Para um par diferencial perfeitamente simétrico nos dois terminais de entrada

circula a mesma corrente DC (corrente de polarização de entrada)
(110)
Diferenças no circuito de amplificação, sendo uma das mais importante as

diferenças em β, dão origem a correntes de entrada DC diferentes. A essa diferença
chama-se corrente de offset na entrada, IOS, dada por
(111)
Vamos admitir que os parâmetros β de

cada um dos transístores são dados por

Temos então
(*)
(112)
Formalmente a corrente de polarização é dada por (113)
(114)
Logo a corrente de offset na entrada é
Por exemplo uma variação de 10% em β dé origem a uma variação de um décimo da

corrente de polarização na entrada.
A grande vantagem dos circuitos MOS é não terem este problema da corrente de
entrada não nula.

(*) f ' (0) f '' (0) 2

Série de MacLaurin f ( x) = f (0) + x+ x + ...
1! 2!
1 1 1
= ∆β
∆β β +1 ⎛ ∆β ⎞ Como << 1
β +1+ ⎜⎜1 + ⎟⎟ 2(β + 1)
2 ⎝ 2(β + 1) ⎠
Podemos fazer o desenvolvimento em série,
obtendo a aproximação
1 ∆β ∆β
≅ 1− ≅ 1−
⎛ ∆β ⎞ 2(β + 1) 2β
⎜⎜1 + ⎟⎟
⎝ 2(β + 1) ⎠

Exercício 10
Considere um amplificador diferencial NMOS a funcionar com uma corrente de polarização
I=100µA cujos transístores têm k´n=100mA/V2 e W/L=20, com Vt=0,8V. Determine a influência
na tensão de offset na entrada devido às seguintes variações: ∆R/R=5%, ∆(W/L)/(W/L)=5% e
Vt=5mV. Qual a tensão de offset na entrada na situação mais desfavorável? Se os diferentes
fenómenos forem independentes qual será o valor da tensão de offset?
Exercício 11
Um amplificador diferencial usa uma fonte de corrente de polarização nos emissores com
600µA sendo os transístores perfeitamente iguais. Se existir uma diferença de 10% nas
resistências de colector qual será a tensão de offset necessária na entrada para anular a
tensão de offset da saída?

Exercício 12
A correcção do offset pode ser efectuada através do ajuste dos
valores das resistências RC1 e RC2 de forma a que a tensão
diferencial na saída seja nula quando ambas as entradas estão
ligadas à massa. Este processo de correcção (compensação) da
tensão de offset pode ser efectuado através do circuito da Fig.
25. O valor de x é uma fracção do potenciómetro representado.
Determine x de forma a que a tensão de offset na saída seja
nula, nas seguintes situações:
a) RC1 é 5% mais elevada e RC2 é 5% mais baixa inferior
relativamente ao valor nominal;
b) Q1 tem uma área 10% maior do que Q2.
Fig. 25

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O par diferencial BJT

Departamento de Engenharia Electrotécnica e de Computadores 33

 Para verificar o funcionamento do par diferencial BJT vamos considerar inicialmente

 Como Q1 e Q2 são iguais e assumindo que a fonte de

 Variando a tensão vCM, enquanto Q1 e Q2 se mantiverem na

 Para Q1 estar ON (vBE1 =0,7V) o

 Se alterarmos agora vB1 para -1V (Fig.

Departamento de Engenharia Electrotécnica e de Computadores 35

 Para usar o par diferencial BJT como um

Departamento de Engenharia Electrotécnica e de Computadores 36

 Usando (56) e (57) podemos obter as seguintes relações

Departamento de Engenharia Electrotécnica e de Computadores 37

 Como o circuito impõe (59)

 Usando (59) e (58) e substituindo vB1-vB2=vid vamos obter

 O funcionamento do amplificador diferencial é ilustrado pelas eq. (60). De notar que

Departamento de Engenharia Electrotécnica e de Computadores 38

 De notar que uma pequena variação de

 Este valor é bastante inferior ao seu

 Devido ao facto de um pequeno sinal poder

Departamento de Engenharia Electrotécnica e de Computadores 39

Departamento de Engenharia Electrotécnica e de Computadores 40

 As características de transferencia são apresentadas na Fig. 15(b).

 O efeito de Re neste circuito é idêntico ao efeito da resistência de

 Para analisar o funcionamento do par diferencial BJT como amplificador para

 Está implícito que existe um sinal

Departamento de Engenharia Electrotécnica e de Computadores 42

 Para o circuito da Fig. 16 podemos (61)

 Multiplicando o numerador e o denominador

 Da mesma forma podemos obter iC2 (64)

Departamento de Engenharia Electrotécnica e de Computadores 43

 Quando um pequeno sinal vid é aplicado de modo diferencial, a corrente de colector de

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 A tensão VBE é a tensão DC na junção BE que corresponde à corrente de emissor I/2.

Recordar o significado de re no modelo

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 Correspondentemente existe uma corrente de (69)

 No colector de Q1 vamos ter um aumento de

 De notar que na Fig. 17 apenas são mostradas

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 O método anterior é particularmente

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 Contrariamente ao amplificador diferencial MOS, que tem uma resistência de entrada

 A resistência diferencial de entrada é a resistência vista entre as duas bases, ou seja,

 A resistência diferencial de entrada é então dada por (73)

 Este resultado é a confirmação da regra da reflexão da resistência (resistence-reflection

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 Foi estabelecido anteriormente que para pequenas

 Os termos entre parêntesis são as tensões DC em cada um dos colectores.

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 Se a saída é obtida de modo diferencial o ganho diferencial é dado por

 Por outro lado se a saída é obtida em relação à massa (entre o colector de Q1 e a

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Equivalência entre o amplificador diferencial e amplificador de emissor comum

 A análise e os resultados anteriores são bastante similares aos obtidos para o

 A Fig 19(a) mostra um amplificador diferencial ao

 Por simetria a tensão de sinal nos

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 O circuito pode ser apresentado como dois circuitos em emissor comum

 A resistência finita de saída da fonte de corrente REE

 Em algumas aplicações não é fornecido ao amplificador

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 O funcionamento do amplificador diferencial é

 Como vc2=-vc1 os dois transístores em emissor

Para verificar o funcionamento do par diferencial BJT vamos considerar inicialmente

Como Q1 e Q2 são iguais e assumindo que a fonte de

Variando a tensão vCM, enquanto Q1 e Q2 se mantiverem na

Para Q1 estar ON (vBE1 =0,7V) o

Se alterarmos agora vB1 para -1V (Fig.

Para usar o par diferencial BJT como um

Usando (56) e (57) podemos obter as seguintes relações

Como o circuito impõe (59)

Usando (59) e (58) e substituindo vB1-vB2=vid vamos obter

O funcionamento do amplificador diferencial é ilustrado pelas eq. (60). De notar que

De notar que uma pequena variação de

Este valor é bastante inferior ao seu

Devido ao facto de um pequeno sinal poder

As características de transferencia são apresentadas na Fig. 15(b).

O efeito de Re neste circuito é idêntico ao efeito da resistência de

Para analisar o funcionamento do par diferencial BJT como amplificador para

Está implícito que existe um sinal

Para o circuito da Fig. 16 podemos (61)

Multiplicando o numerador e o denominador

Da mesma forma podemos obter iC2 (64)

Quando um pequeno sinal vid é aplicado de modo diferencial, a corrente de colector de

A tensão VBE é a tensão DC na junção BE que corresponde à corrente de emissor I/2.

Correspondentemente existe uma corrente de (69)

No colector de Q1 vamos ter um aumento de

De notar que na Fig. 17 apenas são mostradas

O método anterior é particularmente

Contrariamente ao amplificador diferencial MOS, que tem uma resistência de entrada

A resistência diferencial de entrada é a resistência vista entre as duas bases, ou seja,

A resistência diferencial de entrada é então dada por (73)

Este resultado é a confirmação da regra da reflexão da resistência (resistence-reflection

Foi estabelecido anteriormente que para pequenas

Os termos entre parêntesis são as tensões DC em cada um dos colectores.

Se a saída é obtida de modo diferencial o ganho diferencial é dado por

Por outro lado se a saída é obtida em relação à massa (entre o colector de Q1 e a

A análise e os resultados anteriores são bastante similares aos obtidos para o

A Fig 19(a) mostra um amplificador diferencial ao

Por simetria a tensão de sinal nos

O circuito pode ser apresentado como dois circuitos em emissor comum

A resistência finita de saída da fonte de corrente REE

Em algumas aplicações não é fornecido ao amplificador

O funcionamento do amplificador diferencial é

Como vc2=-vc1 os dois transístores em emissor

Ao calcularmos os parâmetros do modelo rπ, gm e ro temos que ter em conta que o

A inclusão de ro vai alterar a eq. (77) (80)

A resistência diferencial de entrada do amplificador diferencial é dupla do meio-

A Fig. 22(a) mostra um amplificador diferencial ao qual é aplicado um sinal em modo

Por razões de simetria o circuito é

No outro colector temos vc1 (82)

Como neste caso o ganho diferencial é dado por (84)

O CMRR é dado pela seguinte expressão (85)

Sendo normalmente expresso em decibeis (86)

A análise anterior assume que o circuito é perfeitamente simétrico. No entanto, na

O ganho de modo comum será

Que pode ser rescrito como (87)

Os sinais de entrada v1 e v2 de um amplificador diferencial (88)

E uma componente diferencial vid (89)

De uma forma geral o sinal de (90)

Na Fig. 24(a) temos um amplificador diferencial MOS básico. Se os dois ramos do

Os circuitos práticos não são perfeitamente simétricos,

A essa tensão V0 é chamada tensão de offset na saída.

Três factores contribuem para o aparecimento de Vos:

Vamos inicialmente considerar para o par diferencial da Fig.

Sendo a tensão diferencial V0 dada por

A correspondente tensão de offset na entrada é obtida dividindo V0 pelo ganho gmRD

A tensão de offset é então directamente proporcional a VOV e, claro, a ∆RD/RD.

Vamos considerar por exemplo para um amplificador diferencial com dois

Vamos analisar agora os efeitos devidos a diferenças em W/L dados como

Dividindo o incremento de corrente

Finalmente vamos verificar o efeito de discrepâncias ∆Vt, entre as tensões de limiar

A corrente I1 vai ser dada por

Dado que a corrente sem o efeito da variação Vt é

Dividindo ∆I por gm é obtida metade da (100)

Para tecnologia MOS actual ∆Vt pode ter cerca de 2 mV.

Vamos inicialmente considerar o efeito da

Assumindo que Q1=Q2, a

A tensão de saída é então dada por

Uma ponto importante é a comparação com a expressão correspondente para o par

Vamos analisar um exemplo em

Vamos agora considerar diferenças

Tendo em conta a Fig. 25(a) e que VBE1=VBE2, a