Práctica I - Fundamentos del Tiristor, TRIAC y

MOSFET de Potencia
Laboratorio de Electrónica Industrial, IE-533 – Instructor: Miguel Eduardo Rivera

Heber Isaac Cerrato Lagos
Ciudad Universitaria (UNAH)
Departamento de Ingenierı́a Eléctrica
20151001825
hicerrato@unah.hn
Hermen Octavio Alvarenga Pérez
Ciudad Universitaria (UNAH)
Departamento de Ingenierı́a Eléctrica
20151002700
hermenoctavio.ap@gmail.com
Nelson Alexander Reyes Laı́nez
Ciudad Universitaria (UNAH)
Departamento de Ingenierı́a Eléctrica
20151002327
nreyes@ieee.org

Resumen—En el siguiente informe se presenta el análisis III. M ATERIALES Y EQUIPO

correspondiente a la práctica de laboratorio enfocada a compo-
nentes electrónicos de potencia, se realizaron, mediante un tablero
Resistencia (470 Ω)
Electrónico, las conexiones del circuitos propuestos por el material Tiristor BT169
de laboratorio tomando en cuenta las especificaciones de conexión Triodo 2N6073BG
que estos presentan, ası́ mismo se realizaron mediciones gráficas LED
para observar el comportamiento de los dispositivos, se presentan MOSFET BS170
tablas de datos y el análisis correspondiente a cada una.
Jumpers
Palabras Clave—Controladores, disparo, semiconductor, con- Table Electrónico ELVIS
mutación, activación. IV. M ARCO TE ÓRICO
Los dispositivos de semiconductores de potencia disponibles
I. I NTRODUCCI ÓN se clasifican en tres grupos, de acuerdo con su grado de
controlabilidad:
La ingenierı́a electrónica es una rama de la ingenierı́a, a. Diodos
basada en la ingenierı́a eléctrica, que se encarga de resolver b. Tiristores
problemas de la ingenierı́a tales como el control de procesos c. Interruptores controlables
industriales, sistemas electrónicos de potencia, instrumenta-
ción y control, ası́ como la transformación de electricidad A. Tiristores (SCR)
para el funcionamiento de diversos aparatos eléctricos, tiene El sı́mbolo de circuito y su caracterı́stica de i-v se muestran
aplicación en la industria, telecomunicaciones, en el diseño en las figuras 1 y 2. La corriente principal fluye desde el
y análisis de instrumentación electrónica, microcontroladores ánodo (A) al cátodo (K). En su estado inactivo, el tiristor
y microprocesadores. La electrónica Industrial se utiliza para puede bloquear una tensión de polaridad directa y no conducir,
configurar y operar sistemas electrónicos de automatización, como se muestra en la figura 2 por la parte inactiva de la
destaca en todos los campos de la producción manejando caracterı́stica de i-v.
equipos industriales de alto rendimiento utilizados por las
empresas. Integra conocimientos y tecnologı́as de electrónica
e informática.

II. O BJETIVOS

a) Verificar el comportamiento de los dispositivos electrónicos

de potencia haciendo pruebas mediante un circuito y un
tablero electrónico.

b) Determinar los valores para los cuales los dispositivos de

potencia estudiados comienzan a trabajar. Figura 1: Sı́mbolo del tiristor

c) Estudiar las ventajas y limitaciones de estos dispositivos El tiristor puede dispararse para entrar en el estado activo
para identificar en qué tipo de circuito se deben de utilizar. por medio de la aplicación de un pulso de corriente de puerta
positiva durante un periodo breve, en tanto que el dispositivo
esté en estado de bloqueo directo. La relación de i-v resultante
se ilustra por la parte activa de las caracterı́sticas que se
muestran en la figura 2. La caı́da de tensión directa en el estado
activo sólo es de unos cuantos voltios (por lo general 1-3 V,
según la magnitud de bloqueo de voltaje del dispositivo).
Figura 2: Caracterı́sticas de i-v
Una vez que el dispositivo empieza a conducir, se enclava
(conduce) y la corriente de puerta puede eliminarse. El tiristor
no puede apagarse por la puerta, y el tiristor conduce como
un diodo. Sólo cuando la corriente del ánodo intenta volverse
negativa (por influencia del circuito en el que el tiristor está
conectado) se apaga el tiristor y la corriente va a cero. Esto
permite que la puerta recupere el control, a fin de encender
el dispositivo en algún momento controlable después de que
nuevamente haya entrado en el estado de bloqueo directo.
En polarización inversa y con tensiones debajo del voltaje de
ruptura inversa, sólo una corriente de fuga muy insignificante
fluye en el tiristor, como se muestra en la figura 2. Nor-
malmente las corrientes nominales de tiristores para voltajes
de bloqueo directo e inverso son las mismas. Las corrientes
nominales del tiristor se especifican en términos de los rms
(de root-mean-square) máximos y las corrientes medias que
fuese capaz de conducir. [1]
Figura 3: Caracterı́sticas idealizadas
Con los mismos argumentos que se emplearon para los
diodos, el tiristor puede representarse por las caracterı́sticas
idealizadas que se muestran en la figura 3 para el análisis de
topologı́as de convertidores.
En una aplicación como el circuito sencillo que se muestra
en la figura 4, el control se ejerce sobre el instante de la
conducción de corriente durante el semiciclo positivo de la
tensión del generador. Cuando la corriente del tiristor trata
de invertirse, cuando la tensión del generador se vuelve
negativa, el tiristor idealizado tendrı́a su corriente en cero
inmediatamente después de t = 1/2, tal como se muestra en
la forma de onda en la figura 5.
Figura 4: Circuito con tiristor
Figura 5: Formas de onda
Sin embargo, como se especifica en las hojas de datos de
tiristores y se ilustra por las formas de onda en la figura 6,
la corriente del tiristor se invierte antes de llegar a cero. El
parámetro importante no es el tiempo que transcurre para que
la corriente se vuelva cero desde su valor negativo, sino el
intervalo de apagado tq definido en la figura 6 desde el paso
de enlace cero de la corriente hasta el paso de enlace cero de
la tensión a través del tiristor. Durante tq se debe mantener
una tensión inversa a través del tiristor, y sólo después de
este tiempo el dispositivo es capaz de bloquear una tensión
directa sin entrar en su estado activo. Si se aplica una tensión
directa al tiristor antes de que haya pasado este intervalo,
puede que el dispositivo se encienda en forma permanente,
lo que podrá infligir un daño al dispositivo y/o circuito. Las
hojas de datos de tiristores especifican tq con un voltaje inverso
especificado que se aplica durante este intervalo, ası́ como una
magnitud especificada de aumento de la tensión más allá de
este intervalo. Este intervalo tq se denomina a veces el tiempo
de recuperación del tiristor conmutado por el circuito.
 C. MOSFET

Un MOSFET es un dispositivo semiconductor utilizado

para la conmutación y amplificación de señales. El nom-
bre completo, Transistor de Efecto de Campo de Metal-
Óxido-Semiconductor (Metal Oxide Semiconductor Field Ef-
fect Transistor, MOSFET) se debe a la constitución del propio
transistor. Los MOSFET poseen también 3 terminales: Gate,
Drain y Source (compuerta, drenaje y fuente). A su vez, se
subdividen en 2 tipos, los MOSFET canal N y los canal P.
Figura 6: Intervalo de desconexión tq

B. TRIAC
El triac es fundamentalmente un diodo de corriente alterna
con una terminal de compuerta para controlar las condiciones
de encendido del dispositivo bilateral en cualquiera de las dos
direcciones. En otras palabras, para cualquier dirección la co-
rriente de compuerta puede controlar la acción del dispositivo
de una manera muy parecida a la demostrada para un SCR.
Sin embargo, las caracterı́sticas del triac en el primero y tercer
cuadrantes son algo diferentes de las del diac, como se muestra
en la figura 7c. Observe que la corriente de mantenimiento en
cada dirección no aparece en las caracterı́sticas del diac. [2] Figura 8: MOSFET canal N y canal P

Existen diferentes tipos de MOSFET, dependiendo de la

forma cómo están construidos internamente. Ası́, tenemos
MOSFET de enriquecimiento y MOSFET de empobrecimien-
to, cada uno con su sı́mbolo caracterı́stico. Sin embargo,
simplemente consideraremos que los MOSFET de enriqueci-
miento, utilizando la simbologı́a antes presentada.

c. MOSFET tipo enriquecimiento: Los MOSFET de en-

riquecimiento se basan en la creación de un canal entre el
drenador y la fuente, al aplicar una tensión en la puerta. La
(a) Sı́mbolo (b) Caracterı́sticas tensión de la puerta atrae portadores minoritarios hacia el
canal, de manera que se forma una región de inversión, es
decir, una región con dopado opuesto al que tenı́a el sustrato
originalmente. El término enriquecimiento hace referencia al
incremento de la conductividad eléctrica debido a un aumento
de la cantidad de portadores de carga en la región correspon-
diente al canal. El canal puede formarse con un incremento en
la concentración de electrones (en un nMOSFET o NMOS),
o huecos (en un pMOSFET o PMOS). De este modo un
transistor NMOS se construye con un sustrato tipo p y tiene un
canal de tipo n, mientras que un transistor PMOS se construye
con un sustrato tipo n y tiene un canal de tipo p. [4] Este tipo
de MOSFET está diseñado de tal manera que sólo admite la
(c) Aspecto fı́sico forma de trabajo en modo de enriquecimiento. La aplicación
fundamental de este transistor se realiza en circuitos digitales,
Figura 7: TRIAC microprocesadores, etc.
 V. P ROCEDIMIENTO B. Disparo del TRIAC

A. Disparo del tiristor

Figura 11: Circuito de disparo del TRIAC

Figura 9: Circuito de disparo del tiristor • Construya el circuito de la figura 11 en un proto-

board. El conmutador puede ser un simple jumper
con el que puede ser accionado haciendo contacto
Construya el circuito de la figura 9 en un protoboard. El
con la fuente. ¿Existe paso de corriente hacia el
conmutador puede ser un simple jumper con el que puede
LED? De no existir, ¿a qué se debe esto?
ser accionado haciendo contacto con la fuente. ¿Existe
No existe ya que el TRIAC no ha sido activado por
paso de corriente hacia el LED? De no existir, ¿a qué se
medio de su terminal de control.
debe esto?
• Accione el conmutador S1 para entregar un voltaje
No existe paso de corriente hacia el LED debido a que el
a la compuerta y vuélvalo a accionar para que quede
tiristor necesita ser activado por medio de una corriente
abierto. Espere aproximadamente 6s y desenergice el
de control a su compuerta.
circuito. ¿Se ha encendido el LED? ¿se ha apagado
Accione el conmutador S1 para entregar un voltaje a la
cuando retiró el voltaje en la compuerta?
compuerta y vuélvalo a accionar para que quede abierto.
Sı́, se encendió y se mantuvo ası́.
Espere aproximadamente 6s y desenergice el circuito (si
los componentes son de baja potencia). ¿Se ha encendido
• Invierta la dirección del TRIAC y repita el paso
el LED? ¿Se ha apagado cuando retiró el voltaje en la
anterior. ¿Se ha encendido el LED?
compuerta?
Sı́, se ha encendido ya que este conduce en ambas
Sı́, el LED se ha encendido y se ha mantenido ası́ aun
direcciones y se mantendrá ası́ a no ser que se
retirando el voltaje ya que este tiene un funcionamiento
desenergice el circuito de control.
biestable.
Invierta la dirección del tiristor y repita el paso anterior.
• En Multisim, construya el circuito de la fig 11.
¿Se ha encendido el LED?
Grafique la respuesta del tiristor (Fig. 12).
No, no se ha encendido ya que este solo conduce en una
dirección.
En Multisim, construya el circuito de la fig 9. Grafique
la respuesta del tiristor (Fig. 10).

Figura 12: Disparo del TRIAC

C. Transistor MOSFET tipo enriquecimiento

Figura 10: Disparo del tiristor Estado y parámetros principales:
 ◦ Coloque el MOSFET en el protoboard adecuada- Grafique la curva de transferencia del MOSFET (ver Fig.
mente. 15a).
◦ Busque en la hoja de datos el diagrama de las Modifique los valores del transistor en sus parámetros
terminales del MOSFET y mida la resistencia VTO=3 y KP=2. Repita los dos pasos anteriores y
entre las terminales fuente y drenador. Valores al- grafique (ver Fig. 14b y 15b).
tos indican un mal funcionamiento del MOSFET.
Anote este valor en la Tabla I.
TABLA I: Resistencia del canal del MOSFET tipo enriqueci-
miento
RSD(of f ) (Ω) RSD(on) (Ω)
7.08k 5

◦ Con la punta negativa en el drenador, toque la

compuerta con la punta positiva del multı́metro
y vuelva a tocar con la punta positiva la fuente
(a) VGS(th) y k sin modificar
para medir de nuevo la resistencia del canal. Con
esto el canal se ha creado y la resistencia debe ser
mucho menor. Anote el valor en la Tabla I.
◦ Construya el circuito de la Fig. 13 en un proto-
board.
◦ Varı́e el voltaje VGS desde 0 y mida la corriente
de drenador como lo indica la Tabla II. Cuando
ID comienza a aumentar drásticamente: VGS =
VGS(th) .

(b) VGS(th) y k modificados

Figura 14: Caracterı́sticas de drenaje para el MOSFET tipo

enriquecimiento

Figura 13: Circuito para medir las caracterı́sticas del MOSFET

tipo enriquecimiento

(a) VGS(th) y k sin modificar

TABLA II: Parámetros del MOSFET tipo enriquecimiento
VGS (V ) ID (mA)
0 0
0.5 0
1 0
1.3 0
1.6 0
1.8 1.6
2 5.7
VGS(th) (V )
1.8

(b) VGS(th) y k modificados

Curvas caracterı́sticas y de transferencia:
En Multisim, construya el circuito de la Fig. 13. Figura 15: Curva de transferencia del MOSFET
Grafique las caracterı́sticas del transistor MOSFET (ver
Fig. 14a). De las Fig. 14 y 15 identifique el valor de VGS(th) y
 TABLA III: Parámetros del MOSFET BS170 en Multisim
Parámetros sin modificar Parámetros modificados
   
VGS(th) (V ) k VA2 VGS(th) (V ) k VA2
2.5 0.0385 3.1 0.1118
calcule la constante de construcción k y complete la Tabla
III. Para los parámetros sin modificar, compare VGS(th)
con el rango de valores proporcionados en la hoja de
datos. ¿Está VGS(th) dentro del rango?
c. Cálculos realizados:
IDS(on)
k= (1)
(VGS(on) − VGS(th) )2
1,25
k1 = ≈ 0,0385 (2)
(8,2 − 2,5)2
1,7
k2 = ≈ 0,1118 (3)
(7 − 3,1)2
VI. A N ÁLISIS DE RESULTADOS
Al analizar el comportamiento del tiristor, se pudo
observar en laboratorio, que el tiristor BT169 cumplı́a con
su funcionamiento, donde teóricamente, el tiristor o SCR, no
debe conducir aún si está polarizado directamente si no se ha
activado la compuerta con una pequeña señal en forma de
corriente el la compuerta del SCR; pero observando la curva
de transferencia DC, se puede percibir que no con cualquier
voltaje en la compuerta, produce una activación completa
en el SCR, por lo tanto, es necesario cierto voltaje para que
conduzca nominalmente. Analizando la Figura 10, se puede
ver que que hay dos voltajes de activación, Al acercarce a 2
voltios, el SCR empieza a conducir, pero con una pequeña
corriente de 5mA, luego llegando a los 5v, existe otra especie
de activació, pero esta vez, es una activación completa, donde
el SCR deja pasar toda la corriente que el circuito exige a la
fuente de poder.
Para el TRIAC , la situación es bastante similar, la diferencia
es que es bidirecional, lo que significa que éste conducirá
independientemente de la posición en que se conecte, algo
que se comprobó en laboratorio, además se puede ver en la
Figura 12 que el disparo es más eficiente, ya que el TRIAC
empieza a conducir justo cuado se aplica el voltaje necesario
en la compuerta, algo que no ocurre con el tiristor, que
vacila un poco en la conducción antes de llegar al voltaje de
activación nominal.
También como conmutador, se utiliza el MOSFET, que
también puede ser utilizados en circuitos de potencia, esto
según las caracterı́sticas que muestre el datasheet. Los valores
V GSth y k, modificarán la forma de operación del MOSFET
ante la corriente y el voltaje. Variando V GSth se modifica el
voltaje necesario aplicado en la compuerta para que conduzca,
además se puede podificar k, para modificar la razón de
cambio de corriente de drenaje según se le aplica voltaje de
drenaje a fuente.
VII. C UESTIONARIO
1. ¿Es adecuado utilizar la misma tensión de entrada (en el
ánodo) para activar la compuerta de tiristores? ¿Y en los
Triacs? Explique.
En los tiristores se necesita una pequeña corriente
en la compuerta para actı́varlos cuando estos ya están
en polarización directa, esta corriente de activación es
muy pequeña, pero dependiendo de la magnitud de la
tensión de entrada está corriente puede tomar valores muy
grandes, capaces de dañar el dispositivo, en dado caso se
deberı́a de utilizar una resistencia en la compuerta y ası́
limitar esa corriente.
En un Triac se presenta el mismo caso, ya que esté
a diferencia del tiristor conduce tanto en polarización
directa como inversa, pero siempre necesita una corriente
de activación, la cual debe de ser limitada para evitar
dañar el dispositivo.
2. ¿Por qué el Triac es bidireccional (deja pasar corriente en
ambas direcciones) cuando el tiristor solo puede en una
dirección? Explique.
Un Triac o triodo para corriente alterna, puede ser
modelado como dos tiristores conectados en antiparalelo,
los cuales al estar en presencia de una fuente alternante,
tomarán el siguiente comportamiento, uno se polarizará
directamente y el otro inversamente, este proceso se
repetirá una y otra vez, cabe mencionar que el Triac
conducirá si ya se expuesto la compuerta del dispositivo
a una corriente de activación.
3. Trabajando a altos voltajes ¿es posible desactivar el
tiristor/triac, es decir, hacer que deje de conducir
mandando un pulso a la compuerta? Explique
Estos dispositivos son diseñados principalmente para
potencias relativamente altas, ya que son empleados
principalmente con fines industriales, por lo tanto
manejan voltajes altos, pero siguen manteniendo sus
caracterı́sticas, es decir al enviar otro pulso a la
compuerta no dejarán de conducir, se logrará que dejen
de conducir si se hace que la corriente que fluya por el
dispositivo sea menor que la corriente de mantenimiento,
esto se logra poniendo en corto el dispositivo o quitando
la fuente de alimentación a la cual esta conectado.
4. Determine el rango de los siguientes parámetros más
importantes en el tiristor BT169 que se encuentran en su
hoja de datos.
Voltaje de compuerta necesario para la activación
VGT = 0,5V
 Voltaje máximo de ánodo a cátodo embargo, una desventaja de este -para ciertas aplicaciones-
es que presenta un funcionamiento monoestable ya que
VDRM = 400V una vez activándolo, se quedará permanentemente ası́ hasta
desenergizar el circuito.
Corriente máxima de ánodo a cátodo
Heber Cerrato
ITSM = 8A b) Los dispositivos estudiados en el laboratorio son utilizados
en sistemas industriales de potencia, ya sea para el control
5. Determine el rango de los siguientes parámetros más im- de máquinas o para cualquier tarea relacionada con la
portantes en el TRIAC que se encuentran en la hoja de automatización, por lo tanto es muy importante conocer
datos. el funcionamiento que estos tienen, ya que, acompañados
Voltaje de compuerta necesario para la activación de sus hoja de especificaciones y conocimiento electrónico
pueden realizar funciones de vital importancia industrial, en
VGD = 0,2V la práctica se logró determinar la relación entre un Triac y
un Tiristor, se llegó a la conclusión de que un Triac puede
(Esto significa que es necesario un voltaje mayor a ser modelado como dos Tiristores en antiparalelo.
0.2V para activarlo)
Hermen Alvarenga
Voltaje máximo de ánodo a cátodo
c) Se puede ver que cada componente electrónico de potencia
VDSM = +100V vistos en esta práctica contienen caracteristicas que los
hacen útiles, eficientes e ideales para ciertas aplicaciones,
Corriente máxima de ánodo a cátodo pero ası́ mismo carecen de otras caracterı́sticas por ejem-
plo: El MOSFET puede ser muy buen conmutador por su
IT SM = 260A (a 60Hz) velocidad, pero Solo pueden manejar corrientes pequeñas a
6. Determine el rango de los siguientes parámetros más grandes voltajes, o voltajes pequeños a grandes corrientes.
importantes en un MOSFET de potencia que se encuentra Lo mismo pasa con el TRIAC, que es muy útil para trabjar
en el datasheet de IRF840. con altas potencias, pero su velocidad de conmutación es
demasiado pobre.
Voltaje de encendido: Nelson Reyes
Entre 2v y 4v R EFERENCIAS
[1] Mohan, N., Undeland, T. M., & Robbins, W. P. (2009). Electronica
Voltaje VDS máximo que soporta el MOSFET: de potenciaconvertidores, aplicaciones y diseno (No. 621.317). e-libro,
500v Corp..
[2] Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky, Electrónica: Teorı́a de Circuitos
y Dispositivos Electrónicos, Décima edición, 2009, Pearson Educación.
Corriente ID máxima: [3] Millman, Jacob (1979). Microelectronics: Digital and Analog Circuits
8 A a temperatura ambiente y 5.1 A a 100 grados and Systems. McGraw-Hill.
celsius. [4] González, A. G. (4 de enero de 2016). PANAMAHITEK. Obtenido de
http://panamahitek.com/que-es-y-como-funciona-un-mosfet/

Potencia Máxima:
14ns de subida y 49ns de bajada.

7. Haga una Tabla comparativa que muestre las caracterı́sticas

principales de lso MOSFET, TRIAC y Tiristores como
conmutadores.

MOSFET TRIAC Tiristores

Potencia Baja Baja Alta
Frecuencia Alta Baja Baja
Tensión Media-Baja Media-Baja Alta
Corriente Media-Baja Baja Alta
VIII. C ONCLUSIONES
a) Se comprobó el funcionamiento del TRIAC ya que este ne-
cesita de una pequeña corriente de excitación sobre su com-
puerta para ası́ llevarlo a la región de saturación y hacerlo
funcionar como un cortocircuito (interruptor activable) que
permitirá flujo de corriente en ambas direcciones. Sin