EXPERIMENTO Nº1: DIODO RECTIFICADOR

I. Objetivos:
Utilizar características de operación de los diodos semiconductores.
II. Materiales y equipos:
 Una fuente de corriente continua variable.
 Un multímetro.
 Un miliamperímetro y un microamperímetro.
 Un diodo semiconductor de SI y GE.
 Un voltímetro de cc.
 Resistencia de 100.
 Cables y conectores.

III. FUNDAMENTO TEÓRICO

Un diodo es un elemento de dos terminales cuya característica tensión-
corriente no es lineal. Está formado por un cristal semiconductor dopado de tal
manera que una mitad es tipo "p" y la otra "n", constituyendo una unión “p - n”.
La terminal que corresponde con la parte "p" se llama ánodo y el que coincide
con la "n" es el cátodo. Este diodo está compuesto por un cristal de silicio o de
germanio dopado, es decir, al que se le han incluido impurezas. El dopado del
silicio (o del germanio) se realiza para variar sus propiedades de
semiconductor.
El diodo deja circular corriente a través suyo cuando se conecta el polo positivo
de la batería al ánodo, y el negativo al cátodo, y se opone al paso de la misma
si se realiza la conexión opuesta. Esta interesante propiedad puede utilizarse
para realizar la conversión de corriente alterna en continua, a este
procedimiento se le denomina rectificación.

Son aplicables las

condiciones que se
describen en la figura 1.2.
Prueba estatica para un diodo semiconductor:
La resistencia del diodo en polarización directa debe ser muy baja comprada
con el nivel de polarización inversa. Mientras más alta sea la corriente, menor
será el nivel de resistencia. Para la situación de polarización inversa la lectura
debe ser bastante alta.

IV. Procedimiento:

1. Usando el ohmímetro, medir las resistencias directas en inversas del diodo

de silicio. Registrar los datos en la tabla 1.
2. Armar el circuito de la figura 1.

a) Ajustando el voltaje con el potenciómetro, observar y medir la corriente y el

voltaje directo de diodo, registrar sus datos en la tabla 2.
b) Invertir el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de los instrumentos
como en (a), registrando los datos en la tabla 3.

R directa R inversa

TABLA 1. (SI)
 Vcc(v)
Id(mA) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 10.0 15.0 20.0
Vd(v)
TABLA 2

Vcc(v) 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd(v)
Id(uA)
TABLA 3

3. Usando el ohmímetro, medir las resistencias directa e inversa del diodo de

germanio. Registrar los datos en la tabla 4.
4. Repetir el circuito de la figura 1 para el diodo de germanio de manera similar
al paso 2; proceder a llenar la tabla 5 y 6.

Vcc(v)
Id(mA) 0.0 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd(v)
TABLA 5

R directa R inversa

Vcc(v) 0.0 1.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 18.0 20.0
Vd(v)
Id(uA)
TABLA 6
 V. Cuestionario Final:

a) Construir el gráfico Id=F(Vd) con los datos de la tabla 2 y 3 (SI) calcular la

resistencia dinámica del diodo.

b) Construir el gráfico Id=F(Vd) con los datos 5 y 6 (Ge) resistencia dinámica

del diodo.

c) Interpretar los datos obtenidos en las tablas.

d) Exponer sus conclusiones en el experimento.

 Lo que podemos concluir acerca del diodo semiconductor es que este

dispositivo en de tipo unidireccional, es decir la corriente que circulara a
través de él si es que esta en polarización directa realizara un corto
circuito, mientras que estando en polarización inversa la corriente no lo
hará (idealmente) ya que sería un circuito abierto.
 Sobre la corriente de polarización inversa o de fuga se puede decir que
idealmente es nula, pero en casos reales se ha comprobado que esta
corriente es del orden de los microamperios (µA).
 Cuando usamos el multímetro teníamos que cambiar sus polaridades.