FUENTES REGULADAS IC Y DRIVERS DE CORRIENTE

Huamaccto Mendoza Agustín Tito,

León Quiroga Carlos
Rojas Camarena Yordan Emer,
Rojas Solano Nicols Martin,
Perez Casas Walter Augusto.

Escuela Profesional de Ingeniería de Telecomunicaciones

Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Universidad Nacional de Ingeniería
Titomendoza251@gmail.com leonquiroga_23@hotmail.com ciber.jho@gmail.com
nicolsrojas12356@gmail.com wperezc@uni.pe

Resumen- Análizar y experimentar los diversos reguladores de

voltaje; efectuando mediciones del voltaje de entrada y salida, Resistencia OFF (corte) Alta Alta
además análizar los márgenes del voltaje de rizado en
Voltaje aplicable Alto (1000 V) Alto (1200 V)
reguladores serie.Introducciónb
Máxima temperatura de
I. INFORME PREVIO Alta (200ºC) Media (150ºC)
operación
1. Obtenga de los manuales, información de los transistores
Alta (100-500 Baja (10-80
de potencia usados en reguladores de voltaje. Frecuencia de trabajo
Khz) Khz)
2. Análice el circuito básico del regulador serie.
3. Análice el circuito Regulador serie con Operacional. Coste Alto Medio
4. Simule en computadora cada uno de los circuitos.
Equipos y Materiales El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de entrada MOS, más la
1 Osciloscopio capacidad de carga en corriente de los transistores bipolares:
1 Multímetro • Trabaja con tensión.
1 Fuente DC • Tiempos de conmutación bajos.
Resistencias : • Disipación mucho mayor (como los bipolares).
390 Ohm(2W) ; 1K ; 2K ; 20K ; 100K (1/4W). Nos interesa que el transistor se parezca, lo más posible, a un
01 Diodo Zener de 8V. elemento ideal:
01 Transistor de Potencia NPN. • Pequeñas fugas.
01 Amplificador Operacional 741 • Alta potencia.
Conductores para conexiones. • Bajos tiempos de respuesta (ton , toff), para
conseguir una alta frecuencia de funcionamiento.
II. PROCEDIMIENTO • Alta concentración de intensidad por unidad de
1. Obtenga de los manuales, información de los transistores superficie del semiconductor.
de potencia usados en reguladores de voltaje • Que el efecto avalancha se produzca a un valor
elevado ( VCE máxima elevada).
Principios generales: • Que no se produzcan puntos calientes (grandes di/dt
El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia ).
es idéntico al de los transistores normales, teniendo como Una limitación importante de todos los dispositivos de
características especiales las altas tensiones e intensidades que potencia y concretamente de los transistores bipolares, es que
tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar. el paso de bloqueo a conducción y viceversa no se hace
Existen tres tipos de transistores de potencia: instantáneamente, sino que siempre hay un retardo (ton , toff).
• bipolar. Las causas fundamentales de estos retardos son las
• unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo). capacidades asociadas a las uniones colector - base y base -
• IGBT. emisor y los tiempos de difusión y recombinación de los
portadores.
Parámetros MOS Bipolar
Principios básicos de funcionamiento:
Alta (1010 Media (104
Impedancia de entrada La diferencia entre un transistor bipolar y un transistor
ohmios) ohmios)
unipolar o FET es el modo de actuación sobre el terminal de
Ganancia en corriente Alta (107) Media (10-100) control. En el transistor bipolar hay que inyectar una corriente
de base para regular la corriente de colector, mientras que en
Resistencia ON (saturación) Media / alta Baja el FET el control se hace mediante la aplicación de una
tensión entre puerta y fuente. Esta difrencia vienen
determinada por la estructura interna de ambos dispositivos, • Los tiempos de encendido (ton) y apagado (toff)
que son substancialmente distintas. limitan la frecuencia máxima a la cual puede
Es una característica común, sin embargo, el hecho de que la conmutar el transistor:
potencia que consume el terminal de control (base o puerta)
es siempre más pequeña que la potencia manejada en los otros
dos terminales.
En resumen, destacamos tres cosas fundamentales:
• En un transistor bipolar IB controla la magnitud de
IC.
• En un FET, la tensión VGS controla la corriente ID.
• En ambos casos, con una potencia pequeña puede
controlarse otra bastante mayor.

Cuando el transistor está en saturación o en corte las pérdidas

son despreciables. Pero si tenemos en cuenta los efectos de
retardo de conmutación, al cambiar de un estado a otro se
produce un pico de potencia disipada, ya que en esos instantes
el producto IC x VCE va a tener un valor apreciable, por lo que
la potencia media de pérdidas en el transistor va a ser mayor.
Estas pérdidas aumentan con la frecuencia de trabajo, debido
a que al aumentar ésta, también lo hace el número de veces
que se produce el paso de un estado a otro.
• Podremos distinguir entre tiempo de excitación o 2. Análice el circuito básico del regulador serie.
encendido (ton) y tiempo de apagado (toff). A su
vez, cada uno de estos tiempos se puede dividir en
otros dos.
• Tiempo de retardo (Delay Time, td): Es el tiempo
que transcurre desde el instante en que se aplica la
señal de entrada en el dispositivo conmutador, hasta
que la señal de salida alcanza el 10% de su valor
final.
• Tiempo de subida (Rise time, tr): Tiempo que emplea
la señal de salida en evolucionar entre el 10% y el
90% de su valor final.
• Tiempo de almacenamiento (Storage time, ts):
Tiempo que transcurre desde que se quita la
excitación de entrada y el instante en que la señal de
salida baja al 90% de su valor final.
El circuito de la figura “a” es un sencillo regulador de
• Tiempo de caída (Fall time, tf): Tiempo que emplea tensiónconstruido mediante un transistor bipolar, como
la señal de salida en evolucionar entre el 90% y el elemento de control, y una referencia de tensión que
10% de su valor final. proporciona latensión de referencia y controlaa ese transistor.
• Por tanto, se pueden definir las siguientes relaciones El funcionamiento de este circuito es el siguiente: si
: la tensión de salida (Vo) decrece, aumenta la tensión VBE del
transistor e incrementa su corriente lo que permite restaurar la
tensión de salida.
• Por el contrario, si Vo aumenta, la disminución en la tensión
• VBE hace disminuir a su vez la corriente del transistor cuyo
Es de hacer notar el hecho de que el tiempo de efecto es intentar reducir la tensión de salida hasta restaurar
apagado (toff) será siempre mayor que el tiempo de Vo al valor deseado.
encendido (ton).
 3. Análice el circuito Regulador serie con Operacional. Para 11 V

Q1
B D 135 4
Vin 6 V2
R1
1k Ω 2
8 R4
10 V R3 1k Ω
7 1 5 U1 100k Ω
5
V1 3 3 R2
10 V 6 1 20k Ω
741
2 R5
1N 4738A V3
2k Ω
4
D1 7
10 V
0

Grafica Vout vs Vin

4.60V
Para 16V

4.55V

4.50V

4.45V
10V 12V 14V 16V 18V 20V 22V 24V
V(R5:2)
V_Vi2

4. Simule en computadora cada uno de los circuitos.

Figura1.
Dónde: línea amarilla es la señal de salida
Línea celeste es la señal de entrada

Figura 2.

Para 10 V
Calcule el voltaje de salida Vo del circuito de la fig Para un voltaje de
entrada Vi=10V, el voltaje de salida V0=7V

Var´ıe el voltaje de entrada Vi desde 10V a 24V. Mida Vo.

III. BIBLIOGRAFÍA

[1] Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky, Electroni devices and

circuit theory, 10th edition.
[2] Charles K. Alexander and Matthew N. O. ……
……………………….
[3] Fuente del navegador
http://www.electronicafacil.net/tutoriales/Fuentes-
alimentacion.php…………

[4] Fuente del navegador

http://www.unicrom.com/Tut_regulacion_voltaje_serie.asp