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𝑣𝐵𝐸
𝑛𝑝 0 = 𝑛𝑝0 𝑒 𝑉𝑇
𝑖𝐶 𝐼𝑆 𝑣𝑉𝐵𝐸
𝑖𝐵 = = 𝑒 𝑇
𝛽 𝛽
Operação do npn no Modo Ativo
No entanto, em qualquer dispositivo eletrônico,
podemos escrever que a soma de todas as correntes que
entram é igual a soma de todas as correntes que saem.
Logo:
𝑖𝐸 = 𝑖 𝐶 + 𝑖𝐵
Então:
𝛽+1 𝛽 + 1 𝑣𝑉𝐵𝐸
𝑖𝐸 = 𝑖𝐶 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑇
𝛽 𝛽
Operação do npn no Modo Ativo
Resumindo:
𝑣𝐵𝐸
𝑖𝐶
𝑖𝐶 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑉𝑇 𝑖𝐵 = 𝑖𝐸 = 𝑖𝐶 + 𝑖𝐵
𝛽
𝛽+1 𝛽
𝑖𝐸 = 𝑖 𝑖𝐶 = 𝛼𝑖𝐸 𝛼=
𝛽 𝐶 𝛽+1
Circuitos Equivalentes
Exercícios
1. Considere um transistor npn com 𝑣𝐵𝐸 = 0,7 𝑉 e 𝑖𝐶 =
1 𝑚𝐴. Calcule 𝑣𝐵𝐸 para 𝑖𝐶 = 0,1 𝑚𝐴 e 10 𝑚𝐴.
SATURAÇÃO
CORTE
Configuração Base Comum
Configuração Base Comum
• Polarização DC
Configuração Base Comum
Configuração Base Comum
• Considere um transistor em base-comum já polarizado
𝑉𝐿
(análise dc). Qual o ganho de tensão desse circuito?
𝑉𝑖
Configuração Emissor Comum
• Configuração mais comum
Configuração Emissor Comum
Determinação de βAC
• Em folha de dados de transistores, o ganho de
corrente de um transistor é normalmente chamado de
ℎ𝐹𝐸 . Matematicamente:
∆𝐼𝐶
𝛽𝐴𝐶 = ℎ𝐹𝐸 = 𝑐𝑜𝑚 𝑉𝐶𝐸 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒
∆𝐼𝐵
Determinação de βAC
𝐼𝐶2 − 𝐼𝐶1
𝛽𝐴𝐶 =
𝐼𝐵2 − 𝐼𝐵1
3,2 𝑚𝐴−2,2 𝑚𝐴
𝛽𝐴𝐶 =
30 𝑢𝐴 −20 𝑢𝐴
𝛽𝐴𝐶 = 100
Configuração Coletor Comum
• Mais usada para casamento de impedância.
Emissor comum.
Limites de Operação
Exemplo: 𝐼𝐶𝑚á𝑥 = 50 𝑚𝐴, 𝑉𝐶𝐸𝑂 = 20 𝑉 𝑒 𝑃𝐶𝑚á𝑥 = 300𝑚𝑊
Limites de Operação
Emissor Comum ou Coletor Comum:
𝐼𝐶𝐸0 ≤ 𝐼𝐶 ≤ 𝐼𝐶𝑚á𝑥
𝑉𝐶𝐸 𝐼𝐶 ≤ 𝑃𝐶𝑚á𝑥
Observe o termo
: