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EXPERECIENCIA N°5
RESPUESTA EN ALTA FRECUCENCIA DE UN AMPLIFICADOR DE UNA SOLA
ETAPA
I. INFORME PREVIO
1. Definir rbb’, rb’e, rb’c, rce, Cb’e, Cb’c, gm, f β y fT.
rb’b: Para esta resistencia se toma en cuenta la resistencia de contacto (conexión real
de la base), la del volumen (incluye la resistencia desde el terminal externo hasta la
región activa de los transistores) y la resistencia de propagación de la base(resistencia
real dentro de la base). Su valor está entre 10 y 50 .
rb’e: (Solo cuando el circuito está en la región activa)Resistencia entre los terminales b’
y e.
Ic
gm .
26mV
1
f
2 med re Cb' e Cb' c
f T hfef
1
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Modelo hibrido:
Por definición:
1
𝑓𝛽 =
2𝜋(𝐶 ′ 𝑏𝑒 + 𝐶𝑏 ′ 𝑐)𝑟𝑏′𝑒
𝑔𝑚
𝑓𝑇 =
2𝜋𝐶𝑏′𝑒
De la división tenemos:
𝑓𝛽 𝐶𝑏′𝑒
= ′
𝑓𝑇 (𝐶 𝑏𝑒 + 𝐶𝑏 ′ 𝑐)ℎ𝑓𝑒𝑚𝑒𝑑
2
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3. Encontrar la frecuencia de corte para Ci, C0, Ce, mostrando los circuitos equivalentes.
Determine el nacho de banda del amplificador.
Debemos de usar el teorema de Miller, así hacemos que la capacitancia Cb’c se convierta
en una de entrada y una de salida, pero para esto debemos de hallar la ganancia de
voltaje a frecuencias medias.
𝐼𝐶𝑄 = 1.9
26mV
re 13.13 re 1313.13
Icc
Entonces:
10𝑘 ∥ 1.5𝑘
𝐴𝑉 = − = −99.34
13.13
Entonces tenemos que la capacitancia Miller de entrada y de salida varía entre un rango
de valores debido a que la capacitancia Cb’c está entre un margen de valores, entonces
las capacitancias son:
3
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1 1
0.1𝑝𝐹 (1 − ( )) ≤ 𝐶𝑀𝑂 ≤ 50𝑝𝐹(1 − ( )
−99.34 −99.34
4
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Como
Entonces:
5
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Tenemos que:
Por ultimo tomamos el valor más bajo de los tres valores que es aproximadamente 0.0405 MHz.
II. BIBLIOGRAFIA
Electrónica:
Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos
Robert L. Boylestad Louis Nashelsky.
Octava edición 2003