UNIVERSIDAD NACIONAL

MAYOR DE SAN MARCOS.

FACULTAD DE SISTEMAS E
INFORMATICA

CURSO : SISTEMAS DIGITALES

PROFESOR : SANTIAGO MORI

TEMA : LABORATORIO DE
MEMORIAS RAM
CIRCUITO 1 Y 2

LIMA – PERU.
2008
 MEMORIA RAM

La memoria de acceso aleatorio, o memoria de acceso directo (en inglés:

Random Access Memory, cuyo acrónimo es RAM), o más conocida como
memoria RAM, se compone de uno o más chips y se utiliza como memoria de
trabajo para programas y datos.Es un tipo de memoria temporal que pierde sus
datos cuando se queda sin energía (por ejemplo, al apagar la computadora),
por lo cual es una memoria volátil. Esto es cierto desde el punto de vista
teórico: Científicos de la Universidad de Princeton han descubierto que existe
una destrucción gradual de los datos almacenados en la memoria RAM que
oscila entre unos segundos y varios minutos, siendo inversamente proporcional
a la temperatura. Esto puede significar una brecha en la seguridad en tanto que
las claves de acceso de cifradores de informacion como BitLocker quedan
almacenadas en la memoria RAM.

La denominación surgió antiguamente para diferenciarlas de las memorias de

acceso secuencial. Debido a que en los comienzos de la computación las
memorias principales (o primarias) de las computadoras eran siempre de tipo
RAM y las memorias secundarias (o masivas) eran de acceso secuencial
(cintas o tarjetas perforadas), es frecuente que se hable de memoria RAM para
hacer referencia a la memoria principal de una computadora, pero actualmente
la denominación no es demasiado acertada.

Se trata de una memoria de semiconductor en la que se puede tanto leer como

escribir información. Se utiliza normalmente como memoria temporal para
almacenar resultados intermedios y datos similares no permanentes. Se dicen
"de acceso aleatorio" o "de acceso directo" porque los diferentes accesos son
independientes entre sí (no obstante, el resto de memorias ROM, ROM
borrables y Flash, también son de acceso aleatorio). Por ejemplo, si un disco
rígido debe hacer dos accesos consecutivos a sectores alejados físicamente
entre sí, se pierde un tiempo en mover la cabeza lecto-grabadora hasta la pista
deseada (o esperar que el sector pase por debajo, si ambos están en la misma
pista), tiempo que no se pierde en la RAM. Sin embargo, las memorias que se
encuentran en la computadora, son volátiles, es decir, pierde su contenido al
desconectar la energía eléctrica ; pero hay memorias (como la memoria RAM
flash), que no lo son porque almacenan datos.
En general, las RAMs se dividen en estáticas y dinámicas. Una memoria RAM
estática mantiene su contenido inalterado mientras esté alimentada. En cambio
en una memoria RAM dinámica la lectura es destructiva, es decir que la
información se pierde al leerla, para evitarlo hay que restaurar la información
contenida en sus celdas, operación denominada refresco.

Además, las memorias se agrupan en módulos, que se conectan a la placa

base de la computadora. Según los tipos de conectores que lleven los módulos,
se clasifican en módulos SIMM (Single In-line Memory Module), con 30 ó 72
contactos, módulos DIMM (Dual In-line Memory Module), con 168 contactos y
módulos RIMM (RAMBUS In-line Memory Module) con 184 contactos.

TIPOS DE MEMORIA RAM

TIPOS DE RAM ESTÁTICA

Es un tipo de memoria más rápida y confiable que la DRAM. El término estática

se debe a que necesita ser refrescada menos veces que la DRAM.
Tienen un tiempo de acceso del orden de 10 a 30 nanosegundos. Un bit
deRAM estática se construye con un circuito flip-flop que permite que la
corriente fluya de un lado a otro basándose en cual de los dos transistores es
activado. Estas memorias no precisan no precisan de los complejos circuitos de
refrescamiento como sucede con las RAMs dinámicas, pero usan mucha más
energía y espacio. La misma es usada como memoria caché.

SYNC SRAM
Synchronous Static Random Access Memory –Es también un tipo de memoria
caché. La RAM sincronizada a ráfagas ofrece datos de modo sincronizado con
lo que no hay retraso en los ciclos de lectura a ráfagas, con tiempo 2-1-1-1
ciclos de reloj. El problema está en velocidades de reloj superiores a los 66
mhz, puesto que los ciclos de reloj pasan a ser de 3-2-2-2 lo que es
significativamente más lento que la memoria PB SRAM la cual TIene un tiempo
de acceso de 3-1-1-1 ciclos. Estos módulos están en desuso porque su precio
es realmente elevado y sus prestaciones frente a la PB SRAM no son buenas
por lo que se fabrican en pocas cantidades.

PB SRAM
Pipeline Burst Static Random Access Memory – Es un tipo de memoria estática
pero que funciona a ráfagas mediante el uso de registros de entrada y salida, lo
que permite solapar los accesos de lectura a memoria. Es usada como caché
al igual que la SRAM, y la más rápida de la actualidad con soporte para buses
de 75 mhz ó superiores. Su velocidad de acceso suele ser de 4 a 8
nanosegundos.

TIPOS DE RAM DINÁMICA

DRAM
Dynamic Random Access Memory – Memoria dinámica de acceso aleatorio.
Usada en PC como el 386 su velocidad de refrescamiento típica es de 80 ó 70
nanosegundos. Físicamente aparece en forma de DIMMs o de SIMMs. Opera
de la siguiente manera, las posiciones de memoria están organizadas en filas y
columnas. Cuando accedemos a la memoria empezamos especificando la fila,
después la columna y por último decimos si deseamos escribir o leer en esa
posición. En ese momento la memoria coloca los datos de esa posición en la
salida si el acceso es de lectura o toma los datos y los almacena en la posición
seleccionada si el acceso es de escritura.

FPM
Fast Page Memory - Memoria en modo paginado. También es llamada FPM
RAM, FPM DRAM ó DRAM puesto que evoluciona directamente de ella es algo
más rápida ya que su velocidad es de 70 ó 60 nanosegundos. Físicamente
aparece como SIMMs de 30 ó 72 contactos. Con el modo pagina, la fila se
selecciona una sola vez para todas las columnas dentro de la fila, dando así un
rápido acceso. Usada en sistemas con velocidades de bus de 66 mhz,
generalmente equipos con procesadores Pentium de 100 a 200 mhz y en
algunos 486.

EDO RAM
Extended Data Output Random Access Memory – Memoria de acceso aleatorio
extendida de salida de datos.Evoluciona de la Fast Page Memory mejorando el
rendimiento en un 10% aproximadamente. Con un refrescamiento de 70, 60 ó
50 nanosegundos. Se instala sobre todo en SIMMs de 72 contactos, aunque
también se puede encontrar en forma de DIMMs de 168 contactos. El secreto
de la memoria EDO radica en una serie de latchs que se colocan a la salida de
la memoria para almacenar los datos en ellos hasta que el bus de datos queda
libre y pueden trasladarse a la CPU, o sea mientras la FPM puede acceder a
un único byte la EDO permite mover un bloque completo de memoria. Muy
común en los Pentium, Pentium Pro, AMD K6 y los primeros Pentium II.

SDRAM
Synchronous Dynamic Random Access Memory – Memoria de acceso aleatoria
sincronizado. Es casi un 20 % más rápida que le EDO RAM. La SDRAM
entrelaza dos o más matrices de memoria interna de tal forma que mientras se
está accediendo a una matriz, la siguiente se está preparando para el acceso,
es capaz de sincronizar todas las señales de entrada y salida con la velocidad
del reloj de sistema. Es capaz de soportar velocidades de bus de 100 mhz por
lo que su refrescamiento debe ser mucho más rápido alcanzando el mismo
velocidades de 10 nanosegundos. Se encuentra físicamente en módulos DIMM
de 168 contactos. Este tipo de memoria es usada generalmente en los Pentium
II de menos de 350 mhz y en los Celeron. PC100 o SDRAM de 100 mhz
Teóricamente es un tipo de memoria SDRAM que cumple unas estrictas
normas referentes a la calidad de los chips y diseño de los circuitos impresos
establecidos por Intel para el correcto funcionamiento de la memoria, o sea
para que realmente funcionen a esos 100 mhz. Es usada en los AMD K6-
2,Pentium II a 350 mhz y micros aún más modernos. La memoria PC100 es la
más usada en la actualidad. Hay todavía realmente una gran confusión con
respecto al módulo PC100, no se sabe de que consta. Hay varios módulos que
se venden hoy como PC100 pero desgraciadamente, todavía no se opera
fiablemente a los 100 mhz. BEDO RAM Burst Extended Data Ouput Memory
Random Access – Es una evolución de la EDO RAM la cual compite con la
SDRAM. Lee los datos en ráfagas, lo que significa que una vez que se accede
a un dato de una posición determinada de memoria se leen los tres siguientes
datos en un solo ciclo de reloj por cada uno de ellos, reduciendo los tiempos de
espera del procesador En la actualidad es soportada por los chipsets VIA
580VP, 590VP y 680VP. Al igual que la EDO RAM la limitación de la BEDO
RAM es que no puede funcionar por encima de los 66 mhz. De esta
clasificacion los mas resaltantes son las siguientes:

SRAM

La memoria SRAM es muy cara, por lo que se suele usar con más frecuencia la
memoria DRAM la cual es más barata y más pequeña, pero también más lenta,
además necesita periódicas señales de refresco para que no pierda su
contenido. La SRAM por su parte no necesita ser refrescada. Ambas memorias
son volátiles, queriendo decir con esto, que cuando se corta el suministro de
corriente, los datos almacenados se pierden.

Debido al alto coste de fabricación de la SRAM y a su alta velocidad, su uso

más común está en la memoria caché de los ordenadores.

"Acceso aleatorio" significa que la localización de las posiciones en la memoria

donde los datos será leídos o escritos, no sigue ningún orden. Cada bit en una
SRAM es almacenado en cuatro transistores que forman un biestable. Esta
célula de almacenaje tiene dos estados estables, los cuales se utilizan para
denotar 0 ó 1. Dos transistores adicionales sirven para controlar el acceso a la
célula de almacenaje durante las operaciones de lectura o escritura.

Otra diferencia con la DRAM que contribuye a hacer SRAM más rápido es que
los chips comerciales aceptan todos los bits de dirección a la vez. El tamaño de
la SRAM con m líneas de dirección y n líneas de datos es 2m palabras, o 2m*n
bits.

Tipos de memoria SRAM

Así, y atendiendo a la utilización de la SRAM como memoria caché de nuestros

sistemas informáticos, tenemos tres tipos:

• Async SRAM: memoria asíncrona y con tiempos de acceso entre 20 y 12

nanosegundos, utilizada como caché de los antiguos i386, i486 y
primeros Pentium,

• Sync SRAM:memoria síncrona y con un tiempo de acceso entre 12 y 8,5

nanosegundos. Muy utilizada en sistemas a 66 MHz de bus.

• Pipelined SRAM: memoria síncrona con tiempos de acceso entre 8 y 4,5

nanosegundos. Tarda más que la anterior en cargar los datos, pero una
vez cargados, accede a ellos con mayor rapidez.
Memoria Tag RAM

Este tipo de memoria almacena las direcciones de memoria de cada uno de los
datos de la DRAM almacenados en la memoria caché del sistema. Así, si el
procesador requiere un dato y encuentra su dirección en la Tag RAM, va a
buscarlo inmediatamente a la caché, lo que agiliza el proceso.

Memoria VRAM

Este tipo de memoria fue utilizada en las tarjetas gráficas (controladores

gráficos) para poder manejar toda la información visual que le manda la CPU
del sistema, y podría ser incluida dentro de la categoría de Peripheral RAM. La
principal característica de esta clase de memoria es que es accesible de forma
simultánea por dos dispositivos. De esta manera, es posible que la CPU grabe
información en ella, mientras se leen los datos que serán visualizados en el
monitor en cada momento. Por esta razón también se clasifica como Dual-
Ported. No obstante, fue sustituida inicialmente por la SDRAM (más rápida y
barata) y posteriormente por la DDR, DDR2, DDR3 y DDR4 (también
denominada GDDR4: Graphics DDR4), más rápidas y eficientes. Se están
frabicando para 2009 DDR5 con características similares a la DDR.

Memoria FRAM

La memoria FRAM (RAM Ferroeléctrica) es una memoria de estado sólido,

similar a la memoria RAM, pero que contiene un funcionamiento más parecido
a las antiguas memorias de ferrite. Esta memoria, en lugar de preservar la
carga de un microscópico condensador, contiene dentro moléculas que
preservan la información por medio de un efecto ferroeléctrico.

Características:

• Tiempo de acceso corto: debido a su funcionamiento, tienen velocidades

(del orden de la centena de nanosegundos) que las habilitan para
trabajar como memoria principal con la mayoría de los
microcontroladores.
• Lectura destructiva: como todas las memorias ferroeléctricas, la lectura
es destructiva. Esto no representa un problema ya que el chip se
encarga de reescribir los datos luego de una lectura.
• No volátiles: su funcionamiento hace prescindibles los refrescos y la
alimentación para la retención de datos.
• Encapsulados: se consiguen hoy en día tanto en variedades para trabajo
en paralelo (para conectar a un bus de datos) como en serie (como
memoria de apoyo).
Tipos de módulos

Tipos de módulos de arriba abajo (los dos primeros soldados directamente en

placa): DIP, DIP switch, SIMM 30 contactos, SIMM 72 contactos, DIMM 168
contactos, DIMM 184 contactos

• Módulo de memoria SIMM de 30 pines: SIMM es un acrónimo del idioma

ingles que expresa Single in Line Memory Module o modulo de memoria
de una sola línea, es decir, un modulo de memoria SIMM es un conjunto
de chips, generalmente DIPs integrados a una tarjeta electrónica. Este
modulo normalmente trabaja con una capacidad para el almacenamiento
y lectura de datos de 8 bits.

• Módulo de memoria SIMM de 72 pines con tecnología EDO RAM: Este

módulo de memoria es superior en tamaño al SIMM de 30 pines.
Normalmente trabaja con una capacidad para el almacenamiento y
lectura de datos de 32 bits.

• Módulo de memoria DIMM de 168 pines con tecnología SDR SDRAM:

DIMM es un acrónimo inglés que expresa Dual in Line Memory Module o
módulo de memoria de doble línea. Este módulo generalmente trabaja
con una capacidad para el almacenamiento y lectura de datos de 64 bits.

• Módulo de memoria DIMM de 184 pines con tecnología DDR SDRAM:

Este tipo de módulo de memoria trabaja con chips de memoria DDR
SDRAM, con un bus de datos de 64 bits y posee 184 pines (lo que evita
confundirlo con el de 168 pines y conectarlo en placas que no lo
soporten).

• Módulo de memoria RIMM de 184 pines con tecnología RDRAM: Este

tipo de módulo de memoria trabaja con chips de memoria RDRAM, por
lo que deben instalarse siempre de dos en dos y en módulos
 específicos. Suelen tener una protección metálica que favorece la
disipación térmica.

Memoria DRAM (Dynamic RAM)

La memoria DRAM (Dynamic Random Access Memory) es una memoria RAM

electrónica construida mediante condensadores. Los condensadores son
capaces de almacenar un bit de información almacenando una carga, por lo
que necesita refrescarse cada cierto tiempo: el refresco de una memoria RAM
consiste en recargar los condensadores que tienen almacenado un uno para
evitar que la información se pierda por culpa de las fugas (de ahí lo de
"Dynamic"). La memoria DRAM es más lenta que la memoria SRAM, pero por
el contrario es mucho más barata de fabricar y por ello es el tipo de memoria
RAM más comúnmente utilizada como memoria principal.

También se denomina DRAM a la memoria asíncrona de los primeros IBM-PC,

su tiempo de refresco era de 80 ó 70 ns (nanosegundos). Se utilizó en la época
de los i386, en forma de módulos SIMM o DIMM

Tipos de DRAM

FPM-RAM (Fast Page Mode RAM)

Memoria asíncrona, más rápida que la anterior (modo de Página Rápida) y con
tiempos de acceso de 70 ó 60 ns. Esta memoria se encuentra instalada en
muchos sistemas de la primera generación de Pentium. Incorpora un sistema
de paginado debido a que considera probable que el proximo dato a acceder
este en la misma columna, ganando tiempo en caso afirmativo.

Memoria asíncrona, esta memoria permite a la CPU acceder más rápido

porque envía bloques enteros de datos; con tiempos de acceso de 40 ó 30
ns.es decor modo of zaid

BEDO-RAM (Burst Extended Data Output RAM)

Memoria asíncrona, variante de la anterior, es sensiblemente más rápida

debido a que manda los datos en ráfagas (burst).

Memoria síncrona (misma velocidad que el sistema), con tiempos de acceso de

entre 25 y 10 ns y que se presentan en módulos DIMM de 168 contactos. Fue
utilizada en los Pentium 2, así como en los AMD K7. Dependiendo de la
frecuencia de trabajo se dividen en:

• PC-66: la velocidad de bus de memoria es de 66 MHz, temporización de

15 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 533 MiB/s.
• PC-100: la velocidad de bus de memoria es de 125 MHz, temporización
de 8 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 800 MiB/s.
• PC-133: la velocidad de bus de memoria es de 133 MHz, temporización
de 7,5 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 1.066 MiB/s.
SDR SDRAM (Single Data Rate Synchronous Dynamic Random Access
Memory)

Memoria SDRAM

Memoria RAM dinámica de acceso síncrono de tasa de datos simple. Se

comercializó en módulos de 64, 128, 256 y 512 MiB, y con frecuencias de reloj
que oscilaban entre los 66 y los 133 MHz. Se popularizaron con el nombre de
SDRAM (muy poca gente sabía entonces que lo 'correcto' era decir SDR), de
modo que cuando aparecieron las DDR SDRAM, los nombres 'populares' de
los dos tipos de tecnologías fueron SDRAM y DDR, aunque las memorias DDR
también son SDRAM.

La diferencia principal radica en que este tipo de memoria se conecta al reloj

del sistema y está diseñada para ser capaz de leer o escribir a un ciclo de reloj
por acceso, es decir, sin estados de espera intermedios. Este tipo de memoria
incluye tecnología InterLeaving, que permite que la mitad del módulo empiece
un acceso mientras la otra mitad está terminando el anterior.

Cuenta con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se presentan en

módulos DIMM de 168 contactos en ordenadores de sobremesa y en módulos
SO-DIMM de 72, 100, 144, o 200 contactos en el caso de los ordenadores
portátiles.

Dependiendo de la frecuencia de trabajo se dividen en:

• PC-66: la velocidad de bus de memoria es de 66 MHz, temporización de

15 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 533 MB/s.
• PC-100: la velocidad de bus de memoria es de 125 MHz, temporización
de 8 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 800 MB/s.
• PC-133: la velocidad de bus de memoria es de 133 MHz, temporización
de 7,5 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 1066 MB/s.

Está muy extendida la creencia de que se llama SDRAM a secas, y que la

denominación SDR SDRAM es para diferenciarla de la memoria DDR, pero no
es así, simplemente se extendió muy rápido la denominación incorrecta. El
nombre correcto es SDR SDRAM ya que ambas (tanto la SDR como la DDR)
son Memorias Sincronas Dinamicas.

Para funcionar a toda su velocidad, una memoria SDR requiere un caché con
velocidad suficiente como para no desperdiciar su potencial.
DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM)

Módulo de memoria DDR.

Memoria síncrona, envía los datos dos veces por cada ciclo de reloj. modo
trabaja al doble de velocidad del bus del sistema, sin necesidad de aumentar la
frecuencia de reloj. Se presenta en módulos DIMM de 184 contactos. Del
mismo modo que la SDR SDRAM, en función de la frecuencia del sistema se
clasifican en (según JEDEC):

RDRAM (Rambus DRAM)

Módulo de memoria Rambus

Memoria de gama alta basada en un protocolo propietario creado por la

empresa Rambus, lo cual obliga a sus compradores a pagar royalties en
concepto de uso. Esto ha hecho que el mercado se decante por la memoria
DDR de uso libre, excepto algunos servidores de grandes prestaciones (Cray) y
la famosa PlayStation 2. Se clasifica en:

•
o Rambus PC-600: se caracteriza por utilizar dos canales en vez de
uno y ofrece unas tasas de transferencia de 1,06 GiB/s por canal
=> 2,12 GiB/s a una frecuencia de 266 MHz.
o Rambus PC-700: igual que el anterior, trabaja a una frecuencia de
356 MHz y ofrece unas tasas de transferencia de 1,42 GiB/s por
canal => 2,84 GiB/s.
o Rambus PC-800: del mismo modo, trabaja a 400 MHz y ofrece
unas tasas de transferencia de 1,6 GiB/s por canal => 3,2 GiB/s.

ESDRAM (Enhanced SDRAM)

Esta memoria incluye una pequeña memoria estática en el interior del chip
SDRAM. Con ello, las peticiones de ciertos ser resueltas por esta rápida
memoria, aumentando las prestaciones. Se basa en un principio muy similar al
de la memoria caché utilizada en los procesadores actuales.

Las memorias mas recientes

ESDRAM
Enhanced SDRAM – Para superar algunos de los problemas de latencia
inherentes con los módulos de memoria DRAM standar, varios fabricantes han
incluido una cantidad pequeña de SRAM directamente en el chip, eficazmente
creando un caché en el chip. Permite tiempos de latencia más bajos y
funcionamientos de 200 mhz. La SDRAM oficia como un caché dentro de la
memoria. Existe actualmente un chipset que soporta este tipo de memoria, un
chipset de socket 7.Una de las desventajas de estas memorias es que su valor
es 4 veces mayor al de la memoria DRAM.

SLDRAM

Sysnclink DRAM - La SLDRAM es una DRAM fruto de un desarrollo conjunto y,

en cuanto a la velocidad, puede representar la competencia más cercana de
Rambus. Su desarrollo se lleva a cabo por un grupo de 12 compañías
fabricantes de memoria. La SLDRAM es una extensión más rápida y mejorada
de la arquitectura SDRAM que amplía el actual diseño de 4 bancos a 16
bancos. La SLDRAM se encuentra actualmente en fase de desarrollo y se
prevé que entre en fase de producción en el 2000. El ancho de banda de
SLDRAM es de los más altos 3.2GB/s y su costo no seria tan elevado.

RDRAM

La tecnología RDRAM de Rambus ofrece un diseño de interface chip a chip de

sistema que permite un paso de datos hasta 10 veces más rápido que la DRAM
estándar, a través de un bus simplificado. Se la encuentra en módulos RIMM
los que conforman el estándar de formato DIMM pero sus pines no son
compatibles. Su arquitectura está basada en los requerimientos eléctricos del
Canal RAMBUS, un bus de alta velocidad que opera a una tasa de reloj de 400
MHz el cual habilita una tasa de datos de 800MHz. Por motivos comerciales se
la denomina PC600, PC700 y PC800 siendo sus capacidades de transferencia
las siguientes:
Rambus PC600: 2x2 bytes/ciclo x 300 Mhz = 1,20 Gb/s
Rambus PC700: 2x2 bytes/ciclo x 356 Mhz = 1,42 Gb/s
Rambus PC800: 2x2 bytes/ciclo x 400 Mhz = 1,60 Gb/s
El bus usa características de líneas de transmisión para mantener unaalta
intregridad en la señal. El control de la temperatura se hace a través de un
disipador y un elastómero térmicamente conductor.

Se pueden usar hasta tres módulos RIMM en una placa base de un PCde
escritorio, como se muestra en la imagen. Aquí el canal Rambus se extiende
desde el controlador a través de cada módulo RIMM usado de una forma
continua hasta que se alcanza la terminación del canal. Los módulos de
continuidad de bajo costo se usan para mantener la integración del canal en
sistemas que tengan menos de tres módulos RIMM.Un chip en placa SPD
(Serial Presence Detect) PROM se usa para permitir la inicialización de la
información al procesador del sistema en el encendido. Esta técnica asegura
la compatibilidad de todos los fabricantes de RDRAM Direct Rambus que
producen dispositivos DRAM de varias densidades.
La creciente lista de fabricantes de Rambus que producen los módulos RIMM
incluyen los más importantes fabricantes de módulos de memoria. Se planea
una variante de los módulos RIMM para los PCs portátiles. La tecnología Direct
Rambus también se desarrolla para servidores de gran escala, estaciones de
trabajo y aplicaciones de comunicaciones.
A nivel de sistema, los fabricantes que lideran la industria se han asociado en
torno al Rambus para desarrollar los componentes de la infraestructura
estandarizada de Direct Rambus incluyendo dispositivos de memoria RDRAM,
controladores de memoria, chips de reloj y conectores

MEMORIA RAM 7489

La memoria RAM 7489 está organizada en 16 palabras de 4 bits. Por tanto, se

necesitarán 4 bits para definir las direcciones de las posiciones de memoria.

Para ello pueden usarse cuatro conmutadores manuales o bien un contador, y

para observar la dirección escogida se usarán cuatro leds. Debe tenerse en

cuenta que la RAM 7489 es de colector abierto y por consiguiente al conectar

los leds de visualización debe usarse una resistencia de apoyo a la fuente.

Modo de escritura: Una vez fijada la dirección se coloca el conmutador de

lectura/escritura en la posición W. Seguidamente se elige un dato cualquiera de

entrada y se introduce a través de D0, D1, D2 y D3. Se repite el proceso para

cada una de las posiciones de memoria tomando nota de los datos que se han

grabado para la posterior comprobación en el modo de lectura. Obviamente

para pasar de una dirección a la siguiente deberemos cambiar los

conmutadores manuales de dirección (o introducir un nuevo pulso en el

contador).

Modo de lectura: Colocanco el conmutador R/W en R, se observan en leds

conectados a las salidas Q0, Q1, Q2 y Q3 los datos almacenados en la

dirección de memoria elegida (el método de direccionamiento es, lógicamente,

el explicado anteriormente.
El código siguiente presenta la codificación de la memoria RAM 7489, una
memoria de
16 direcciones y un bus de 4 bits, que se muestra en la figura 3.

PRUEBA DEL 2DO LABORATORIO

HACER QUE SE PRENDAN LOS LEDS 1 PAR SI UN PAR NO

De acuerdo a lo establecido el circuito debe guardar los siguientes
datos y luego mostrarlos:
1 2 5 6 9 10 13 14
Siendo el funcionamiento como sigue:
Se tiene un contador ascendente de modulo 16 (0-15), representado
mediante leds, luego en cada pulso del contador se deberá guardar los
datos ya mencionados, estos se elegirán a través del dipswitch de
datos, luego de lo cual se presionará el pulsador para activar el modo
de escritura y así poder guardar el dato en la posición respectiva.
Luego cuando el contador vuelva a cero y estando en modo de lectura,
se mostrará los datos guardados mediante leds (16).

El circuito antes descrito se resume en la siguiente tabla:

Dirección en que se guarda Dato que se guarda #Led que se enciende

Contador Ascendente Dato leído

0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 0 1 0 0 0 1 1
0 0 1 0 0 1 0 0 4
0 0 1 1 0 1 0 1 5
0 1 0 0 0 1 0 0 8
0 1 0 1 0 1 0 1 9
0 1 1 0 1 1 0 0 12
0 1 1 1 1 1 0 1 13
1 0 0 0 1 1 0 1 0
1 0 0 1 1 1 0 1 1
1 0 1 0 1 1 0 1 4
1 0 1 1 1 1 0 1 5
1 1 0 0 1 1 0 1 8
1 1 0 1 1 1 0 1 9
1 1 1 0 1 1 0 1 12
1 1 1 1 1 1 0 1 13