Documenti di Didattica
Documenti di Professioni
Documenti di Cultura
SOLA ETAPA
I. OBJETIVOS
Estudiar el comportamiento en altas frecuencias de un amplificador de audio
II. MARCO TEÓRICO
La Respuesta en alta frecuencia de circuitos con transistores está fijada por los
condensadores internos y las constantes de tiempo asociadas.
Dónde:
Ci son cada uno de los condensadores que actúan en alta frecuencia: Condensadores
intrínsecos a los dispositivos (circuito equivalente), o condensadores pequeños de
característica paso-bajo introducidos para controlar la respuesta en frecuencia del
circuito.
R0i es la impedancia que ve cada uno de los condensadores con el resto EN CIRCUITO
ABIERTO
Para reproducir el ancho de banda audible se debe utilizar tres parlantes ya que un
solo parlante no puede emitir las frecuencias todo el ancho de banda audible. Para
esto se suele utilizar divisores de frecuencias o crossover
Muchos fabricantes, en lugar de usar sólo las audiofrecuencias, para proteger a los
amplificadores de perturbaciones supra sónicas o subsónicas, lo que hacen es medir
la respuesta en frecuencia para una banda de frecuencias superior (generalmente de
12 a 40.000 Hz). En este caso una respuesta en frecuencia óptima debe estar en torno
a 3 dB por encima (+ 3 dB) o por abajo (- 3 dB).
Consideramos a los condensadores de acoplamiento, C1 y C2, y desacoplo CE en
cortocircuito.
III. PROCEDIMIENTO
1. Implementa el circuito de la figura 5
cb´e y cb´c; son las capacitancias parasitas del transistor. cb´c es la capacitancia
de la unión colector-base a pesar de que es una capacitancia variable, suele
considerarse constante en una región de operación particular del transistor. La
capacitancia cb´e, la cual es capacitor base- emisor. El valor de este capacitor
aparece en las hojas de datos como Cib´. Esta capacitancia es la suma de la
capacitancia de difusión del emisor y la capacitancia de la unión del emisor.
Debido a que el primer capacitor es el más grande de los dos, cb´e es
aproximadamente iguala la capacitancia de difusión (conocida también como
capacitancia de carga de la base).
56kΩ 1.5kΩ
C4
22µF
R4 C3
V1
1kΩ 12 V
22µF
XFG1 C1
100µF 10kΩ
12kΩ 0.68kΩ
Modelo Hibrido
rb´b Cb´c
gmVb´e
rce
rb´e Cb´e
𝐼𝑐 −ℎ𝑓𝑒𝐼𝑏´𝑒
𝐴𝑖 = =
𝐼𝑏 𝐼𝑏´𝑒(1 + 𝑗𝑤𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐)
−ℎ𝑓𝑒
𝐴𝑖(𝑗𝑤) =
(1 + 𝑗𝑤𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐))
1
→ Frecuencia de corte: 𝑊𝐵 = 𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒+𝐶𝑏´𝑐)
ℎ𝑓𝑒
|𝐴𝑖| =
(1 + 𝑤 2 (𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐)2 )
ℎ𝑓𝑒
|𝐴𝑖| =
𝑤𝑇 2
√(1 + )
𝑤𝐵 2
Por tanto:
√ℎ𝑓𝑒 − 1
𝑤𝑇 =
(𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐) )
√ℎ𝑓𝑒 − 1
𝑓𝑇 =
2𝜋(𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐) )
Pero hfe2>>1
ℎ𝑓𝑒
𝑓𝑇 =
2𝜋(𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐) )
De esta ecuación y también de:
1
𝑊𝐵 =
𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐)
Tenemos:
𝑓𝐵 1
=
𝑓𝑇 ℎ𝑓𝑒
26mB
rb´e = = 1306.53Ω
1.99m A
Ri//Rin = 535.7
RL//RC 1304.34
Av = = = 99.87
rb´e/B 13.06
1
f=
2π(Ri//Rin)cb´c(1 + 99.87)
VI. BIBLIOGRAFÍA
o http://146.83.206.1/~jhuircan/PDF_ELECTRONICA/Rf01b.pdf
o https://www.fceia.unr.edu.ar/enica3/rtafrec.pdf