Diodos de Potência

Nikolas Libert

Aula 2A
Eletrônica de Potência ET53B
Tecnologia em Automação Industrial
Diodos de Potência

Diodos de Potência

 Utilização:
– Retificadores não-controlados.
– Retificadores semi-controlados.
– Caminho de retorno (cargas indutivas).

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Diodos de Potência

 Similares aos diodos comuns:

– Maior capacidade de corrente direta.
– Maior capacidade de tensão reversa.
– Maior queda de tensão direta.

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Características Tensão x Corrente
iF
A K A K
P N
Ânodo Cátodo
+ vF -

IF(A) Se VF>V(T0): Um pequeno acréscimo

de tensão gera um acréscimo grande
Tensão de de corrente.
ruptura reversa
1/rT Se 0>VF>VRRM: Flui uma corrente
VRRM muito baixa (a resistência reversa é
VF(V)
IR V(T0) alta)
Corrente de Se VRRM>VF: A corrente cresce
fuga inversa
Queda de tensão direta abruptamente. Se não houver um
(cerca de 1 V)
resistor limitador, o diodo será
danificado.

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Diodos de Potência

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Diodo Ideal

Diodo diretamente polarizado

IF(A)
iF

Corrente Nula
(desligado) Tensão Nula
+ vF -
(ligado)

VF(V)
Diodo reversamente polarizado

- vF + iF=0

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Tempo de Recuperação Reversa

 Um diodo real não passa instantaneamente do estado

de condução para o corte.

IF
O diodo é inversamente polarizado
Neste instante (ligado para desligado)
Atraso de chaveamento
ligado devido a cargas
Ideal armazenadas na junção
desligado PN.
t
Real
tRR: tempo de recuperação
reversa.
tRR

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Diodo Schottky

 Não é formado por uma junção PN.

 A junção P é substituída por uma camada de metal
(cromo, platina ou tungstênio).
 Tempo de recuperação reversa menor.
– Da ordem de centenas de ns (o tRR dum diodo
convencional é da ordem de μs).
 Menor tensão de polarização (~0,6 V).
 Desvantagens:
– Maior corrente de fuga.
– Menor tensão de ruptura reversa.

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Comparativo prático de tRR

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Perdas no diodo

Perdas no diodo

 As perdas podem ser divididas em 3 componentes:

– Perdas em condução (devido à queda de tensão e à
resistência interna).
– Perdas na polarização reversa (devido à corrente de
fuga reversa).
– Perdas no chaveamento (significativa para frequências
maiores que 40 kHz). P D
ID

VD
t
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Perdas no diodo

 Ache o gráfico VE x IE para o circuito abaixo, para

1,3 V ≤ VE ≤ 2,5 V. I E

100
1,3 V
IE 90
12mΩ
80
VE 70

60
50
40
30

20
10
VE
0,5 1,0 1,5 2,0 2,5

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Perdas no diodo

 Ache o gráfico VE x IE para o circuito abaixo, para

1,3 V ≤ VE ≤ 2,5 V.
1,3 V
IE
12mΩ

VE

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Perdas no diodo

 Perdas na condução
ID 2
rT P=V (T 0)⋅I Dmed +r T⋅I Def
V(T0)

IDmed: corrente média no diodo

IDef: corrente eficaz no diodo

 Perdas na polarização reversa (normalmente

v
desprezível) V ⋅I ⋅T
D

Rmed R off
P=
T
IR: corrente reversa
VRmed
T: período Toff
VRmed: tensão reversa média
Toff: tempo em que diodo permanece bloqueado
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Referências

 AHMED, Ashfaq. Eletrônica de Potência; Editora:

Prentice Hall, 1a edição, 2000.
 BARBI, Ivo. Eletrônica de Potência; 6ª Edição, UFSC,
2006.
 Christian Miesner et al. “thinQ!™ Silicon Carbide
Schottky Diodes: An SMPS Circuit Designer’s Dream
Comes True!” (www.infineon.com).

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