Informe de proyecto del curso ELMAOP

Sistema de medición de resistividad eléctrica en altas temperaturas

(Nombre de la Institución y Área)

UNIVERSIDAD PRIVADA DEL NORTE – CIENCIAS

(Título en Castellano)

SISTEMA DE MEDICIÓN DE RESISTIVIDAD ELÉCTRICA EN ALTAS

TEMPERATURAS

(Título en Inglés)

ELECTRICAL RESISTIVITY MEASUREMENT SYSTEM AT HIGH

TEMPERATURE.

Filiación: se escribe el primer nombre, primer apellido y primera letra del segundo
apellido
Fabian Nima R. (1) y Jose Antonio S. (2)

(1)
Docente tiempo completo de la Universidad Privada del Norte (UPN)

(2)
Investigador de la Universidade Federal do ABC – São Paulo – Brasil (UFABC).

(Nombre del Docente)

Docente: Fabian Enrique Nima Ramirez

(Lugar y Fecha)

Breña, Lima, Perú

Enero – 2018

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Sistema de medición de resistividad eléctrica en altas temperaturas

AGRADECIMIENTOS

El estudiante es libre de agradecer a quien desee. Generalmente, se agradece a

personas que de alguna u otra forma hayan influido durante la realización y/o
culminación del proyecto de investigación.

El presente proyecto de investigación fue realizado bajo la supervisión del docente

Fabian E. Nima Ramirez, a quien le expresamos nuestro más profundo agradecimiento,
por hacer posible la realización de este trabajo. Además, de agradecer su paciencia,
tiempo y dedicación para que este proyecto pueda terminaste de manera satisfactoria.

Mis sinceros agradecimientos a la UPN por proporcionar el espacio y condiciones

necesarias para el desenvolvimiento de los experimentos que ayudaron a culminar el
presente trabajo.

Agradezco también a todos mis amigos que, de alguna forma, ayudaron a concluir
este trabajo. A mi familia por el apoyo moral e incentivo en los momentos difíciles.

Aquellos que no cité y que hicieron parte, directa o indirectamente, de esta parte
de mi vida.

MUCHAS GRACIAS!!

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RESUMEN

El propósito del resumen es describir brevemente los objetivos, métodos, resultados y

conclusiones del proyecto. Debe sintetizar de manera precisa, concisa, coherente y
comprensible el contenido del trabajo. Se debe estructurar de forma que exprese una
idea clara del asunto que aborda el trabajo de investigación. Debe ser hecho en
máximo una página. En general, debe responder a las siguientes preguntas: ¿Qué se
realizó?, ¿Cómo se realizó?, ¿Qué se encontró? Y ¿A qué conclusión se llegó?
Importante: En un resumen NUNCA se colocan figuras y/o fotos. En un resumen NUNCA
se incluyen referencias bibliográficas.

En el presente trabajo, se diseñó e implementó un sistema capaz de medir la

resistividad eléctrica de diversos óxidos de metales de transición en un rango de
temperatura de 300 K < T < 1000 K. Con este sistema, es posible medir la resistividad
eléctrica de muestras con una amplia gama de formas, tales como bulk, barras o discos.
Para las conexiones se usaron cables de nikrotal y alambres de platina con el objetivo de
eliminar algunas posibles fuentes de errores de contacto y/o diseño. Para la visualización
y control en tiempo real de las mediciones, fue desarrollado un programa usando el
software LABVIEW. En todos los casos, las mediciones de resistividad eléctrica en
función de la temperatura fueron obtenidas usando el método de cuatro puntas. Una
corriente eléctrica continua fue aplicada en los contactos más externos. El voltaje
producido en la muestra es medido en los contactos más internos. Posteriormente, ese
voltaje es transformado en resistividad eléctrica usando la ley de Ohm.
Con el objetivo de verificar la eficiencia del sistema construido, diversos óxidos
de metales de transición fueron utilizados como muestras de prueba. La influencia de
desorden químico sobre las propiedades de transporte eléctrico del compuesto Bi2Fe4O9
fue investigada. El desorden químico fue introducido mediante la sustitución parcial de
iones de Fe por iones de Mn [Bi2Fe4-xMnxO9+δ, con x = 0, 1.0, 2.0, 3.0 e 4.0]. Los
resultados muestran que el desorden químico causa una disminución en el valor de la
resistividad eléctrica para la muestra con x = 0.3. Se observó también que el mecanismo
de transporte eléctrico en todas las muestras obedece el régimen adiabático del modelo
de hopping de pequeños polarons. La energía de activación de algunas muestras exhibe
una alteración en altas temperaturas. Se sugiere que tales alteraciones son debido a
variaciones en las posiciones de equilibrio de los iones de oxígeno dentro de la estructura
cristalográfica del compuesto Bi2Fe4O9. El error total de los resultados experimentales de
las medidas de resistividad eléctrica fue estimado para ser menor que 1%.
Los resultados de este proyecto de investigación fueron positivos verificándose el
correcto funcionamiento del sistema construido. Se considera que este instrumento de
medida para altas temperaturas, proporcionará un avance significativo en el estudio de las
propiedades de transporte eléctrico en óxidos de metales de transición con posibles
aplicaciones tecnológicas.

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Sistema de medición de resistividad eléctrica en altas temperaturas

ABSTRACT

Es la traducción al idioma inglés del resumen

In this work, a home-made system for electrical resistivity measurements of

several transition metal oxides over a temperature range of 300-1000 K was designed and
implemented. A broad range of physical types and shapes of samples, such as bulk, bar
or disc, can be measured with this system. In order to eliminate some possible source of
contact and design errors, nikrotal cables and platinum wires were used for the
connections. For real-time visualization and control of measurements, we have developed
a program using the LABVIEW software. In all cases, the electrical resistivity as a
function of temperature was measured by using the four-probe method. A dc electrical
current is applied to the most external contacts. The voltage produced in the sample is
measured at the most internal contacts. Subsequently, the electrical resistivity is obtained
from this voltage using the Ohm's law.

In order to verify the efficiency of our system, several transition metal oxides were
used as sample probes. We have investigated; the influence of chemical disorder on
electrical transport properties of the compound Bi2Fe4O9. The chemical disorder was
introduced by partial substitution of Fe by Mn ions [Bi2Fe4-xMnxO9+δ, with x = 0, 1.0, 2.0,
3.0 e 4.0]. The results show that chemical disorder causes a decrease in the electrical
resistivity value for sample with x = 0.3. It was also observed that the electrical transport
mechanism of all samples obeys the adiabatic regime of the small polaron model. The
activation energy of some samples exhibits an alteration at high temperatures regime. We
have suggested that these alterations are due to variations in the equilibrium positions of
oxygen ions within the Bi2Fe4O9 crystallographic structure. The total data error for
electrical resistivity measurements is estimated to be less than 1%.

The results of this research project were positive and the functionality of our
system was verified. We believe that this instrument for high temperature measurements
will provide an important improvement in the study of electrical transport mechanism of
transition metal oxides with possible technological applications.

Palabras Claves: Brindan información significativa acerca del tema que aborda el
trabajo de investigación. Deben ser elegidas de forma que identifiquen el área de
aplicación del trabajo.

Sistema de medición, resistividad eléctrica, altas temperaturas, materiales magnéticos,

memoria magnética.

KEYWORD:

Traducción al idioma inglés de las palabras claves

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Sistema de medición de resistividad eléctrica en altas temperaturas

Measurement system, electrical resistivity, high temperatures, magnetic materials,

magnetic memory.

1. INTRODUCCIÓN

Descripción General. Se incluirá una descripción general del problema a resolver o

necesidad por atender. Se requiere de la descripción de los acontecimientos, hechos y
causas relacionadas que dieron origen al problema a resolver y a la creación del
proyecto. Se reportará información acerca del lugar en donde se presenta el problema,
desde dónde se conoce.

Descripción de la Metodología Realizada. En este apartado se describirá el plan de

trabajo propuesto que sirvió para llevar a cabo el proyecto, la enumeración de las
etapas a seguir, su duración aproximada y las áreas de la empresa que intervinieron en
la puesta en práctica del proyecto.

Objetivos. Los objetivos del proyecto se refieren a las tareas planeadas por realizar. Se
debe comenzar con un objetivo general que indique de forma macroscópica las tareas
planteadas. Posteriormente se debe indica uno o más objetivos específicos (máximo
tres). Generalmente, los objetivos específicos expresan los pasos necesarios que servirán
para alcanzar el objetivo general planteado. Siempre deben comenzar con un verbo.

Debe incluir los ítems descritos arriba sin abrir sub-títulos (“de forma hablada”).
Generalmente, la parte de alcance y limitaciones NO es considerada para un informe
final de proyecto. Esta es incluida en el anteproyecto inicial.

Actualmente, óxidos de metales de transición dopados, con propiedades físicas

fuertemente correlacionadas, están entre los materiales más interesantes en el área de
física del estado sólido. El entendimiento de estas propiedades físicas, además, de las
correlaciones entre los grados de libertad es importante para posibles aplicaciones
tecnológicas. Una de las “familias” más interesantes que pertenecen a esta clase de
materiales son los compuestos multiferróicos debido a que exhiben coexistencia de
ordenamiento magnético y eléctrico. El posible acoplamiento entre las propiedades
eléctricas y magnéticas que presentan estos materiales permite el potencial
desenvolvimiento de nuevos dispositivos donde los parámetros de orden pueden ser
mutuamente controlados. Desde el punto de vista tecnológico, el control mutuo de las
propiedades eléctricas y magnéticas genera diversas posibilidades de aplicaciones. Por
ejemplo, la existencia del efecto magnetoeléctrico formaría la base de un nuevo tipo de
dispositivo para el almacenamiento de datos con memorias magnéticas controladas por
campos eléctricos. Sin embargo, una aplicación tecnológica de estos materiales aún no ha
sido alcanzada debido, principalmente, a la presencia de corrientes de fuga en algunos
materiales. Tales corrientes de fuga aparecen con más frecuencia en medidas de transporte
eléctrico en altas temperaturas, causando una disminución en el valor de la resistividad
eléctrica. Esta dificultad requiere de equipos experimentales con un alto grado de
precisión, los cuales son escasos, de forma a disminuir la contribución de tales corrientes
de fugas.

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El principal objetivo de este trabajo fue la construcción de un sistema de medición

de resistividad eléctrica en altas temperaturas. Para la visualización y control en tiempo
real de las mediciones, fue desarrollado un programa usando el software LABVIEW. La
resistividad eléctrica de la serie multiferroica Bi2Fe4-xMnxO9+δ, con x = 0, 1.0, 2.0, 3.0 e
4.0, fue medida utilizando nuestro sistema de medición en el rango de temperatura de 300
K < T < 1000 K. Los resultados fueron obtenidos con un alto grado de precisión donde el
error total fue aproximadamente < 1%.

2. REVISIÓN BIBLIOGRÁFICA:

En este apartado se describe de manera detallada los conceptos, principios o leyes

físicas en las que se basa su proyecto. Hay que tener presente que éstos deben estar
necesariamente relacionados con el sílabo del curso.

En esta sección, se presenta una revisión bibliográfica de las propiedades

estructurales, magnéticas y eléctricas de la serie Bi2Fe4-xMnxO9+δ, con x = 0, 1.0, 2.0, 3.0
e 4.0. Los miembros extremos de esa serie (Bi2Fe4O9 y Bi2Mn4O10) se cristalizan en una
estructura de tipo mullite. Ambos compuestos tienen el mismo grupo espacial de simetría
(Pbam) y se diferencian únicamente por un oxígeno.[1,2] El compuesto Bi2Mn4O10 tiene
sitios de Mn con valencia mixta (Mn3+/Mn4+), donde el íon Mn4+ es rodeado por seis
oxígenos formando un octaedro y el íon Mn3+ es rodeado por cinco oxígenos formando
una pirámide tetragonal. En el compuesto Bi2Fe4O9, el íon magnético posee una única
valencia Fe3+. En la figura 2.1 son mostradas estas dos estructuras cristalina.

Fig. 2.1 Estructura cristalina de los compuestos Bi2Mn4O10 y Bi2Fe4O9, respectivamente. Figura
reproducida de la referencia.[3]

El compuesto Bi2Fe4O9 exhibe una transición antiferromagnética con una

temperatura de Neel de aproximadamente TN = 260 K,[4] la cual es mucho mayor que
aquella del compuesto Bi2Mn4O10. La estructura magnética de este compuesto fue
encontrada por E. Ressouche et. al.[5] usando la técnica de difracción de neutrones. Los
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autores identificaron cinco interacciones magnéticas de super intercambio las cuales

fueron nombradas como J1, J2, J3, J4 y J5. Este conjunto de interacciones conduce a una
estructura magnética frustrada, las cual es causada principalmente por la estructura
cristalina compleja de este compuesto.[5] Estas interacciones son mostradas en la figura
2.2.

Fig. 2.2 Estructura cristalina del compuesto Bi2Fe4O9, mostrando las cinco principales
interacciones J1, J2, J3, J4 y J5. (izquierda) proyección de la estructura en el plano xz. (derecha)
poryección de la estructura en el plano xy. Figura reproducida de la referencia.[5]

Por otro lado, el compuesto Bi2Mn4O10 exhibe una transición antiferromagnética

(AFM) con una temperatura de Neel TN = 39 K.[6] La estructura magnética es
conmesurada en relación a la celda unitária con una vector de propagación k = (1/2, 0,
1/2).[6] Está estructura permanece estable en temperaturas muy bajas como T = 1,6 K. A.
Muñoz et. al.[6] obtuvo la estructura magnética de este compuesto usando la técnica de
difracción de neutrones de alta resolución. Los autores mostraron que los momentos
magnéticos están ordenados en el plano ab, como mostrado en figura 2.3.

Fig. 2.3 Diseño esquemático del compuesto Bi2Mn4O10 en el plano ab, a lo largo de planos
sucesivos en la dirección c. Círculos abiertos y cerrados representan los iones de Mn3+ y Mn4+.
Figura reproducida de la referencia.[6]

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Por otro lado, el compuesto Bi2Fe4O9 presenta una transición ferroeléctrica en

aproximadamente T = 250 K.[7] Un estudio reciente, realizado por J. K. Xin et. al., [8]
sugiere que el mecanismo de transporte eléctrico de una película delgada crecida sobre
un substrato de silicio es descrito adecuadamente por el régimen adiabático del modelo
de hopping de polarons pequeños en el intervalo de temperatura 210 K < T < 300 K. En
este caso, el mecanismo de conducción es realizado mediante hopping de los portadores
de carga entre los iones de Fe3+ y Fe2+.

3. METODOLOGÍA

En este apartado se describe de manera detallada cómo se llevó a cabo el trabajo o

proyecto, es decir, el camino que se siguió para lograr el objetivo del mismo. Es una
descripción de las actividades realizadas, incluyendo información acerca de los
recursos utilizados. También, se especifica información sobre los sujetos participantes
(características y selección) y de los instrumentos y procedimientos empleados

3.1. Equipos y Materiales

Para la realización y construcción del sistema de medición de resistividad eléctrica

se tomó en cuenta los siguientes materiales:

 Material cerámico para construcción de porta-muestras.

 Software LabView.
 02 sourcemeter Keithley 2400 (SKI).
 Termopar tipo K.
 01 placa GPIB.
 Horno tubular Lindberg Blue M.
 Tubo de quartzo.
 Alambres de platina y tinta plata para realización de contactos eléctricos.
 Alambre de Nikrotal 80.
 04 Cables machos.
 Soldador de Estaño.

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3.2. Procedimiento Experimental y Obtención de Resultados.

Importante: En esta sub-sección debe estar incluido de forma implícita (sin abrir sub-
títulos) el diseño del prototipo construido.

En primera instancia, se construyó el portamuestra íntegramente de material

cerámico debido a que es un aislador eléctrico y resiste altas temperaturas. Una fotografía
de dicho porta-muestra se muestra en figura 3.2.1. En esta fotografía, también se puede
observar que dentro del portamuestra son inseridos cuatro alambres de nikrotal 80, los
cuales son conectados mediante un flange a cuatro cables machos. En la parte inferior
derecha se muestra los contactos eléctricos realizados en la muestra usando alambres de
platina y tinta plata. Estos cuatro contactos serán soldados con estaño a los cuatro
alambres de nikrotal 80. Esta pieza es colocada dentro de un tubo de quartzo, el cual es
inserido en un horno tubular. Una corriente eléctrica continua es aplicada en los contactos
más externos. El voltaje producido es medido en los contactos más externos internos de
la muestra. Posteriormente, este voltaje es transformado en resistividad eléctrica usando
la ley de Ohm. Para la aplicación de corriente eléctrica y medición de voltaje en la muestra
fue usado un sourcemeter Keithley 2400 (SK1).

Fig. 3.2.1 Portamuestra construido íntegramente de cerámica. La imagen insertada en la parte

superior derecha muestra la plataforma donde se coloca la muestra y los cuatro alambres de
nikrotal 80. En el otro lado de la pieza, los cuatro hilos de nikrotal 80 son conectados con cuatro
contactos mediante un flange. La imagen insertada en la parte inferior derecha muestra los
contactos eléctricos realizados en la muestra usando alambres de platina y tinta plata. Figura
reproducida de la referencia [3].

En el otro lado del horno, fue colocado una termopar tipo K que sirve para medir
la temperatura. El voltaje en el termopar es medido usando otro sorucemeter keithley
2400 (SKII). Posteriormente, este voltaje es convertido en temperatura. Para realizar la
interface entre los instrumento (SK1 y SK2) se utilizó una placa GPIB. Una
representación esquemática de este procedimiento es mostrada en la figura 3.2.2.

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Fig. 3.2.2 Diseño esquemático de la estación construida para la realización de medidas de

resistividad eléctrica en altas temperaturas. Figura reproducida de la referencia [3].

Finalmente, la preparación de muestras es un aspecto muy importante en la

obtención de medidas de resistividad eléctrica. Con el objetivo de obtener pastillas en
forma de paralelepípedos, las muestras fueron prensadas en alta presión y sintetizadas en
atmosfera inerte. Todas las medidas fueron realizadas usando el método de cuatro puntas
en diferentes rangos de temperatura.

3.3. Programación/Cálculos

Para la visualización y control de las mediciones fue desarrollado un programa

especial usando el software LabView. El panel de control de dicho programa es mostrado
en la figura 3.3.1. Este panel fue diseñado para visualizar los datos de entrada, de salida
y el gráfico mostrando la variación de la resistividad en función de la temperatura. Los
principales datos de entrada requeridos para compilar el programa son: método de medida
(dos o cuatro puntas), corriente suministrada a la muestra, intervalo de medida (es decir,
cada cuanto tiempo será almacenado un dato), “camino” del archivo donde los datos serán
almacenados y tipo de termopar. Por otro lado, los datos de salida consisten en: voltaje
medido en el termopar, temperatura estimada en el termopar, voltaje medido en la muestra
y resistividad estimada en la muestra.

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Fig. 3.3.1 Panel de control del programa diseñado en el software LabView para obtener las
medidas de resistividad eléctrica en función de la temperatura. Figura reproducida de la referencia
[3]

Las partes más importantes del diagrama de bloques del programa diseñado son
mostradas en la figura 3.3.2. El lado izquierdo es el mismo en los tres paneles y sirve para
introducir las configuraciones iniciales de las dos sourcemeter Keithley 2400 usados en
el experimento. De esta forma, el instrumento SK1 es configurado para que funciones
como fuente de corriente y medidor de voltaje mientras que el instrumento SK2 es
configurado para que funciones apenas como medidor de voltaje. Además, otros
parámetros importantes de las fuentes sourcemeter Keithley 2440 también son
introducidos. Los más importantes son: valor de compliance, escala de corriente, escala
de voltaje, etc. El lado derecho del panel es diferente e indica una función específica en
el programa. En el diagrama de bloques se define la corriente eléctrica inserida en el panel
de control que deberá pasar por la muestra usando el instrumento SK1.
Subsecuentemente, se mide el voltaje en la muestra con el mismo instrumento SK1 y se
obtiene la resistividad eléctrica. También se necesita configurar el instrumento SK2 que
deberá medir el voltaje en el termopar. Además, un sub VI que sirve para convertir el
voltaje medido en el termopar en temperatura es usado en el programa. Este sub VI utiliza
un polinomio correspondiente al tipo de termopar utilizado en las mediciones.

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Fig. 3.3.2 Parte del diagrama de bloques del programa diseñado en el software LabView para
obtener las medidas de resistividad eléctrica en función de la temperatura. Figura reproducida de
la referencia [3]

4. RESULTADOS Y DISCUSIÓN

Esta sección contendrá la presentación de los resultados obtenidos experimentalmente.

Se debe discutir e interpretar estos resultados, en el orden que se mencionan. Deben ser
contrastados con los resultados esperados por el modelo teórico correspondiente.

Como resultado del proyecto se ha obtenido un sistema que sirve para obtener
medidas de resistividad eléctrica en altas temperaturas y en tiempo real, el cual es
mostrado en la figura 4.1.

Fig. 4.1 Equipos e instrumentos utilizados para obtener las medidas de resistividad eléctrica en
función de la temperatura. Figura reproducida de la referencia [3].
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Con el objetivo de verificar el funcionamiento adecuado del dispositivo

construido, el mecanismo de transporte de la serie Bi2Fe4-xMnxO9+δ, con x = 0, 1.0, 2.0,
3.0 e 4.0 fue estudiado a través de medidas de resistividad eléctrica (ρ) en función de la
temperatura de 300 K hasta 800 K en atmosfera ambiente. Estas mediciones fueron
obtenidas calentando y enfriando la muestra. La tasa de calentamiento fue de 0,5 K/min
mientras que la tasa de enfriamiento fue de 0,1 K/min. En la figura 4.2(a) se muestran dos
medidas (x = 0A y x = 0B) de resistividad eléctrica en función de la temperatura para el
compuesto Bi2Fe4O9. La curva x = 0B fue obtenida inmediatamente después de terminar
la medida x = 0A. Note también que las curvas correspondientes a los regímenes de
calentamiento y enfriamiento son indicadas por las flechas. Se observa que la curva x =
0A, obtenida calentando la muestra, exhibe un comportamiento anómalo. En el rango de
temperatura 300 K < T < 430 K, el valor de la resistividad eléctrica aumenta ligeramente
con la temperatura. Este comportamiento es seguido por una disminución abrupta hasta
450 K. En el intervalo 450 K < T < 530 K, la disminución de la resistividad se torna más
lenta, exhibiendo un comportamiento no lineal. Arriba de 530 K, un comportamiento
aproximadamente lineal fue observado. Por otro lado, en la curva x = 0A, obtenida
enfriando la muestra, la resistividad eléctrica se comporta mejor, presentando un
mecanismo de transporte térmicamente activado. Sin embargo, su valor disminuye
drásticamente. Por ejemplo, T = 350 K, el valor de ρ enfriando la muestra es dos órdenes
de magnitud menor que aquel obtenido en la curva enfriando la muestra. Se observó
también que ambas curvas (calentando y enfriando) de la medida x = 0B, exhibe un
comportamiento muy similar aquel observado en la curva enfriando de x = 0A. La posible
formación de fases espurias fue descartada mediante experimentos de difracción de rayos
x. Estos experimentos muestran que la muestra continua siendo de fase única descartando
el crecimiento de alguna impureza debido al tratamiento térmico.

Fig. 4.2 Medidas de resistividad eléctrica en función de la temperatura para las muestras con x =
0; 0,1; 0,3 y 04, obtenidas usando el aparato experimental construido en la UFABC. Figura
reproducida de la referencia [3].
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Se sabe que el compuesto Bi2Fe4O9 exhibe propiedades de sensor de gas. Estas

propiedades son causadas por la interacción de la superficie de la muestra con las especies
de átomos presentes en el ambiente local. De esta forma, adsorción de moléculas de vapor
de agua y/o oxigeno puede ocurrir en temperatura ambiente. En particular, la adsorción
química/física de esas moléculas de agua introduce portadores de carga protónicos (H+)
en el sistema induciendo una disminución de la resistividad eléctrica. Por otro lado, la
adsorción de iones de oxigeno O2- disminuye la cantidad de vacancias presentes en el
sistema, causando un aumento de la resistividad eléctrica. Esto puede causar el enorme
valor de la resistividad eléctrica medido en temperatura ambiente. Con el aumento de la
temperatura, desorción de moléculas de vapor de agua (u oxigeno) puede ocurrir,
conduciendo a un aumento (disminución) de la resistividad eléctrica. Se sugiere que el
comportamiento complejo observado en la curva calentando de x = 0A está asociada con
la desorción de esta especies de átomos inicialmente adsorbidos. Note que el proceso de
desorción es irreversible conduciendo a un comportamiento bien más estable de la curva
enfriando de x = 0A. Esto es verificado por la medida x = 0B, la cual reproduce el
comportamiento estable de la curva enfriando de x = 0A. De esta forma, todo el análisis
sobre el mecanismo de transporte eléctrico de esta muestra fueron realizados en la medida
x = 0B.

Figura 4.2 muestra también la resistividad eléctrica en función de la temperatura

para las muestras dopadas con x = 1,0; 2,0; 3.0 y 4.0. Note que ambas curvas (calentando
y enfriando) tienen un comportamiento muy similar en cada medida. Estas medidas
fueron repetidas hasta tres veces. En las cuatro medidas, se observó la reproductibilidad
de las medidas. Figura 4.2(b) se observa que todas las cuatro muestras exhiben un
mecanismo de transporte térmicamente activado del tipo semiconductor, es decir, cuando
la temperatura aumenta, la resistividad disminuye.

Un análisis más profundo se realizó utilizando los modelos de Arrhenius y

hopping de pequeños polarons, como mostrado en la figura 4.3. Se encontró que el
mecanismo de transporte eléctrico de todas las muestras obedece el régimen adiabático
del modelo de hopping de polarons pequeños (S = 1). También se observó que la energía
de activación aumenta ligeramente con el aumento de dopaje en las muestras.
Interesantemente, la dependencia de frecuencia de hopping es más pronunciada
presentando un aumento con la cantidad de dopaje en las muestras.

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Fig. 4.3 Valores de Ea y obtenidos de un ajuste lineal usando los modelos de Arrhenius (S = 0) y
de hopping de polarons pequeños – régimen adiabático (S= 1) y régimen no adiabático (S =3/2),
respectivamente. Figura reproducida de la referencia [3].

5. CONCLUSIONES

Se presenta un resumen completo y coherente de la discusión de resultados,

enfatizando en la contribución del autor y dando respuesta a los objetivos, hipótesis y
problema.

Las propiedades de transporte eléctrico del compuesto Bi2Fe4O9 dopado fueron

estudiadas a través de medidas de resistividad eléctrica en función de la temperatura
obtenidas con el sistema construido. Los resultados mostraron que el compuesto Bi2Fe4O9
presenta un comportamiento complejo mientras que las muestras dopadas con iones de
Mn exhiben un comportamiento activado térmicamente bien comportado. Un análisis
sistemático de estas propiedades permitió observar que el mecanismo de conducción de
los portadores de carga de todas las muestras es descrito de forma correcta por el régimen
adiabático del modelo de hopping de polarons pequeños. Se observó que la energía de
activación y la frecuencia de hopping del mecanismo de transporte eléctrico en las
muestras con x = 0, 1, 2 y 4 no son constantes. La temperatura donde ocurre la alteración
de la energía de activación depende de la cantidad de dopaje (x) en la muestra.

La construcción del sistema de medición de resistividad eléctrica en altas

temperatura proporciona una alternativa interesante en el estudio del mecanismo de
transporte eléctrico de diversos óxidos de metales de transición. Esto debido a la excelente
precisión que presentaron las medidas experimentales.

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6. Consideraciones Finales y Perspectivas Futuras (En esta sección se deben

proponer algunas actividades, las cuales se deben realizar en un mediano plazo por otro
grupo de estudiantes, para optimizar y/o mejorar el funcionamiento del prototipo
construido.)

El prototipo, mediante modificaciones y mejoras, puede ser adaptado para la

obtención de mediciones de forma portátil en establecimientos educativos donde se
realice investigación científica. Una optimización del funcionamiento del sistema
construido se puede alcanzar alterando la programación en LabView. Se puede introducir
algunos SUB-VIs, los cuales permitan el control del horno tubular introducido. Esto
mejorará la automatización de nuestro sistema.

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7. REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS

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