MANUAL TEORICO Y PRACTICO DE LA

ASIGNATURA:
“ELECTRÓNICA ANALÓGICA”

NOMBRE DEL ALUMNO: ____________________________

GRUPO: _________

TSU EN MANTENIMIENTO ÁREA: ____________________

DOCENTE:
ING. LUIS DANIEL REYES ENCARNACIÓN

1
 Introducción al curso
1. Nombre de la asignatura
2. Competencias
3. Objetivo de la Asignatura
ELECTRÓNICA ANALÓGICA
Gestionar las actividades de mantenimiento mediante
la integración del plan maestro, para garantizar la
operación y contribuir a la productividad de la
organización
El alumno aplicará los dispositivos electrónicos
analógicos básicos, de uso general en equipos
industriales y comerciales, para conservar la operación
de los procesos.

Horas
Unidades de Aprendizaje
Prácticas Teóricas Totales
Diodos 8 4 12
Transistores 10 6 16
Tiristores 8 4 12
Amplificadores operacionales 16 4 20
Totales 42 18 60

Criterios de evaluación %
Asistencia 10%
Respeto, puntualidad y disciplina 10%
Prácticas en equipo
Trabajos de investigación 20%
Prácticas en individuales
Desarrollo de prácticas de laboratorio 40%
Evaluación de conocimientos 20%
Total 100%

2
Reglas Asistencia

 Los estudiantes deberán asistir puntualmente a clase y solo tiene 10 minutos tolerancia para entrar a
clase.
 Deben cumplir con un mínimo del 85% de asistencia para ser evaluados para cada parcial.
 En la toma de asistencia no se consideran los retardos, por cada falta se descuentan dos puntos en
ese criterio.

Reglas de las prácticas individuales

 Los estudiantes deberán entregar los trabajos individuales con excelente calidad en el mismo día de
su realización en el cuadernillo de prácticas con todos los puntos que se piden para ser revisados.
 En caso de que se justifique se pueden entregar un día hábil después en base a la calificación de 80.

Reglas de las prácticas equipo

 El número máximo de los integrantes en el equipo será de 4.

 Los equipos deberán entregar los trabajos en mismo día de su realización con todos los puntos que
se piden en el cuadernillo de prácticas, con excelente calidad para ser revisados.
 En caso de que se justifique se pueden entregar un día hábil después en base a la calificación de 80.

Reglas de los trabajos de investigación

 Los estudiantes deberán entregar las tareas en el cuadernillo de prácticas con excelente calidad para
la fecha establecida con todos los temas que se piden indicando definiciones, esquemas o gráficos y
aplicaciones en mínimo de 2 cuartillas para ser revisados.
 En caso de que se justifique se pueden entregar un día hábil después en base a la calificación de 80.

Reglas de las evaluaciones

 Las evaluaciones se aplicaran solo en las fechas programadas.

 Todos los celulares apagados, se le retirará el examen al que haga uso de el.
 Para las operaciones traer su calculadora científica.
 En caso de que se justifique se puede aplicar una evaluación un día hábil después en base a la
calificación de 80.

Reglas del desarrollo de prácticas en el laboratorio

 El número máximo de los integrantes en el equipo será de 4.

 Los alumnos deberán entregar el reporte de manera individual en el cuadernillo de prácticas el mismo
día de su realización con todos los puntos que se piden con excelente calidad para ser revisados.
 Todo alumno está obligado y es su responsabilidad, conocer el reglamento del laboratorio, la
ignorancia del mismo no justifica su incumplimiento.

Reglas del salón

Todo alumno está obligado y es su responsabilidad, conocer el reglamento académico de los estudiantes, el
desconocimiento del mismo no justifica su incumplimiento y se podrán aplicar sanciones según sea el caso y
a gravedad de la falta, entre los puntos más importantes el salón de clases:

 Cumplir con el horario de asistencia.

 Presentar buena conducta y sin faltas a la disciplina.
 No faltar el respeto a profesores y empleados de la universidad.
 No se permite consumo de alimentos en el aula.
 No se permite portación de aparatos eléctricos que interrumpan y no se requieran en las clases
(celulares, radios, computadoras) y los cuales podrán ser retirados por el profesor.

3
 Material para prácticas de la materia de Electrónica
Analógica (por equipo de 3 alumnos mínimo y 4 alumnos
máximo)
4 diodos 1N4007
1 puente de diodos de 1A, 400V
4 transistores 2N22221
2 SCR’s MCR100-6 o similar
1 regulador de voltaje 7805
1 regulador de voltaje 7812
1 regulador de voltaje 7912
1 regulador de voltaje LM317
2 Amplificadores operacionales 741
1 Potenciómetro de 1MΩ
1 Potenciómetro de 10KΩ
10 R de 330 Ω
10 R de 1 KΩ
10 R de 10 KΩ
10 leds
2 tablillas perforadas para soldar, tamaño mediano tipo protoboard
40 Cables dupon para protoboard M-M
2 Capacitores de 470 microfaradios
2 Capacitores de 100 microfaradios
2 relevadores compacto de 1 polo, 2 tiros y bobina de 5Vdc.
1 Arduino UNO con su clave USB

También se utilizará el material para prácticas de la materia de Sistemas Eléctricos de tetramestre

anterior

1 Multímetro digital
1 protoboard (tablilla de conexiones)
1 pinza de corte y punta.
1 cautín económico de lápiz de 30W o 35W.
1 tubo plástico de 20 gramos de soldadura composición 60/40.

2m de alambre AWG color rojo para conexiones calibre 22

2m de alambre AWG color negro para conexiones calibre 22
1 juego de 10 cables con caimanes.
1 cinta de aislar.

2 resistencias de 1W o 1/2Wde los siguientes valores:1Ω, 10Ω,33Ω, 47Ω, 100Ω, 220Ω, 330Ω, 470Ω,
1KΩ, 1.8KΩ, 2.2KΩ, 3.3KΩ, 4.7KΩ, 6.8KΩ, 10KΩ, 22KΩ, 33KΩ, 47KΩ, 68KΩ, 100KΩ, 220KΩ,
1MΩ.

Capacitores cerámicos o poliéster metalizados: 0.01µF, 400V; 0.1µF, 400V; 0.22µF, 400V, 0.47µF,
400V, 1µF, 250V; 2.2µF, 250V.
Capacitores electrolíticos 1µF, 100V; 10µF, 63V; 22µF, 63V; 100µF, 40V.
4
Conceptos básicos
Para el correcto conocimiento de la electrónica es necesario saber algunas leyes y teoremas
fundamentales como la Ley de Ohm, las Leyes de Kirchhoff, y otros teoremas de circuitos.

Ley de Ohm I=V/R , V=I*R ó R=V/I.

Cuando una resistencia es atravesada por una corriente se cumple que:

 Donde V es la tensión que se mide en voltios (V).

 Donde I es la intensidad de la corriente que atraviesa la resistencia, y que se mide en
 Amperes (A).
 Donde R es la resistencia que se mide en Ohmios.

Leyes de Kirchhoff

 Ley de Kirchhoff de tensiones

 La suma de las caídas de tensiones de todos los componentes de una malla cerrada debe ser
igual a cero.

Ley de Kirchhoff de Corrientes

La suma de corrientes entrantes en un nodo es igual a la suma de corrientes salientes del nodo.

5
Resistencias en serie

Dos o más resistencias en serie (que les atraviesa la misma intensidad) es equivalente
a una única resistencia cuyo valor es igual a la suma de las resistencias.

Resistencias en paralelo

Cuando tenemos dos o más resistencias en paralelo (que soportan la misma tensión),
pueden ser sustituidas por una resistencia equivalente, como se ve en el dibujo:

El valor de esa resistencia equivalente (RT) lo conseguimos mediante esta expresión:

6
T1.1 Resolver los siguientes ejercicios.

1.- Dado el circuito de la siguiente figura, calcule todas las magnitudes eléctricas del
mismo.

Calcular la:

1. Resistencia total del circuito,

simplificando varios circuitos y
dibujándolos en el cuaderno de
prácticas.
2. Calcular la Corriente total.
3. Calcular el voltaje R4.
4. Calcular la potencia total del
circuito.
5. Calcular la potencia consumida
por R5.
6. Calcular la corriente que pasa por
R6.

Nota: los cálculos y anotaciones se realizaran en un cuaderno para la materia.

2.- Dado el circuito de la siguiente figura, calcule todas las magnitudes eléctricas del
mismo.

Calcular la:

1. Resistencia total del

circuito, simplificando
varios circuitos y
dibujándolos en el
cuaderno de prácticas.
2. Calcular la Corriente
total.
3. Calcular el voltaje R4.
4. Calcular la potencia
total del circuito.
5. Calcular la potencia
consumida por R5 y R7.
6. Calcular la corriente que
pasa por R6 y R8.

7
 UNIDAD 1 SEMICONDUCTORES

Antes de ver el funcionamiento de Diodos, Transistores y circuitos integrados,

estudiaremos los materiales Semiconductores. Estos, que no son ni conductores ni
aislantes, tienen electrones libres, pero lo que les caracteriza especialmente son los
huecos.

En este tema, veremos los conceptos y propiedades más importantes de los

Semiconductores.

Los objetivos de este tema son:

 Conocer las características de los semiconductores y conductores a nivel atómico.
 Ser capaz de describir la estructura de un cristal de Silicio.
 Saber cuáles son y cómo se comportan los dos tipos de portadores y sus
impurezas.
 Ser capaz de explicar las condiciones que se dan en la unión pn sin polarizar,
polarizada en directa y polarizada en inversa.
 Conocer los dos tipos de corrientes de ruptura provocados por la aplicación sobre
un diodo de gran voltaje en inversa.

Un conductor es un material que, en mayor o menor medida, conduce el calor y la

electricidad. Son buenos conductores los metales y malos, el vidrio, la madera, la lana y
el aire.

NOTA: Definimos la unidad de carga +1 como +1,6·10-19 culombios. Así un electrón

tiene una carga -1 equivalente a -1,6·10-19 culombios.

El conductor más utilizado y el que ahora analizaremos es el Cobre (valencia 1), que es
un buen conductor. Su estructura atómica la vemos en la siguiente figura.

8
Su número atómico es 29. Esto significa que en el núcleo hay 29 protones (cargas
positivas) y girando alrededor de él hay 29 electrones girando en diferentes órbitas.

En cada órbita caben 2n2 siendo n un número entero n = 1, 2, 3, ... Así en la primera
órbita (n = 1) caben 212 = 2 electrones. En la segunda órbita 2·22 = 8 electrones. En la
tercera órbita 2·32 = 18 electrones. Y la cuarta órbita solo tiene 1 electrón aunque en
ella caben 2·42 = 32 electrones.

Lo que interesa en electrónica es la órbita exterior, que es la que determina las

propiedades del átomo. Como hay + 29 y - 28, queda con + 1.

Por ello vamos a agrupar el núcleo y las órbitas internas, y le llamaremos parte interna.
En el átomo de cobre la parte interna es el núcleo (+ 29) y las tres primeras órbitas (-
28), con lo que nos queda la parte interna con una carga neta de +1.

Como el electrón de valencia es atraído muy débilmente por la parte interna, una fuerza
externa puede liberarlo fácilmente, por eso es un buen Conductor. Nos referiremos a ese
electrón de valencia, como electrón libre.

Lo que define a un buen conductor es el hecho de tener un solo electrón en la órbita de

valencia (valencia 1).

9
Los Semiconductores: Son elementos, como el germanio y el silicio, que a bajas
temperaturas son aislantes. Pero a medida que se eleva la temperatura o bien por la
adicción de determinadas impurezas resulta posible su conducción. Su importancia en
electrónica es inmensa en la fabricación de transistores, circuitos integrados, etc...

Los semiconductores tienen valencia 4, esto es 4 electrones en órbita exterior ó de

valencia. Los conductores tienen 1 electrón de valencia, los semiconductores 4 y los
aislantes 8 electrones de valencia.

Los 2 semiconductores que veremos serán el Silicio y el Germanio:

Cristales de Silicio

Al combinarse los átomos de Silicio para formar un sólido, lo hacen formando una
estructura ordenada llamada cristal. Esto se debe a los "Enlaces Covalentes", que son las
uniones entre átomos que se hacen compartiendo electrones adyacentes de tal forma que
se crea un equilibrio de fuerzas que mantiene unidos los átomos de Silicio.

Veamos la representación de un cristal de silicio:

10
Semiconductores extrínsecos

Si a un semiconductor intrínseco, como el anterior, se le añade un pequeño porcentaje de

impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina
extrínseco, y se dice que está dopado. Evidentemente, las impurezas deberán formar parte de
la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente átomo de silicio. Los materiales
semiconductores están compuestos por dos tipos de impurezas:

11
En el circuito hay también un flujo de portadores minoritarios. Los electrones libres dentro del
semiconductor circulan de derecha a izquierda. Como hay muy pocos portadores minoritarios,
su efecto es casi despreciable en este circuito.

12
Cristal o elemento N (negativo)

Es un material semiconductor combinado con impurezas negativas. Su composición se forma

con los elementos semiconductores Germanio o Silicio y con elementos de impurezas como lo
son el Arsénico, Antimonio o Fósforo.

Existen impurezas de valencia 5 como el Arsénico, el Antimonio y el Fósforo.

Como los electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo n, reciben el nombre de
"portadores mayoritarios", mientras que a los huecos se les denomina "portadores minoritarios".

Los electrones libres de la figura circulan hacia el extremo izquierdo del cristal, donde entran al
conductor y fluyen hacia el positivo de la batería.

13
EL DIODO
Un diodo es un componente electrónico semiconductor de dos terminales que permite la
circulación de la corriente eléctrica a través de él en un solo sentido, bloqueando el paso si la
corriente circula en sentido contrario. Esto hace que el diodo tenga dos posibles posiciones: una
a favor de la corriente (polarización directa) y otra en contra de la corriente (polarización inversa).

14
Polarización directa de un
diodo

En este caso, la batería disminuye

la barrera de potencial de la zona
de carga espacial, permitiendo el
paso de la corriente de electrones
a través de la unión; es decir, el
diodo polarizado directamente
conduce la electricidad.

Para que un diodo esté polarizado

directamente, se debe conectar el
polo positivo de la batería al
ánodo del diodo y el polo negativo
al cátodo. En estas condiciones
podemos observar que:

El polo negativo de la batería

repele los electrones libres del
cristal n, con lo que estos
electrones se dirigen hacia la
unión p-n.
El polo positivo de la batería atrae a los electrones de
valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que
empuja a los huecos hacia la unión p-n.
Polarización inversa de un
diodo

En este caso, el polo negativo de

la batería se conecta a la zona p y
el polo positivo a la zona n, lo que
hace aumentar la zona de carga
espacial, y la tensión en dicha
zona hasta que se alcanza el valor
de la tensión de la batería, tal y
como se explica a continuación:

El polo positivo de la batería atrae

a los electrones libres de la zona
n, los cuales salen del cristal n y
se introducen en el conductor
dentro del cual se desplazan
hasta llegar a la batería. A medida
que los electrones libres
abandonan la zona n, los átomos
pentavalentes que antes eran
neutros, al verse desprendidos de
15
su electrón en el orbital de
conducción, adquieren estabilidad
(8 electrones en la capa de
valencia, ver semiconductor y
átomo) y una carga eléctrica neta
de +1, con lo que se convierten en
iones positivos.
El polo negativo de la batería cede electrones libres a
los átomos trivalentes de la zona p. Recordemos que
estos átomos sólo tienen 3 electrones de valencia, con
lo que una vez que han formado los enlaces covalentes
con los átomos de silicio, tienen solamente 7 electrones
de valencia, siendo el electrón que falta el denominado
hueco. El caso es que cuando los electrones libres
cedidos por la batería entran en la zona p, caen dentro
de estos huecos con lo que los átomos trivalentes
adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de
valencia) y una carga eléctrica neta de -1,
convirtiéndose así en iones negativos.

CURVA DEL DIODO

 Tensión umbral, de codo o de partida (Vγ ).

La tensión umbral (también llamada barrera de potencial) de polarización directa
coincide en valor con la tensión de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al
polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo,
incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1 % de la nominal. Sin embargo,
cuando la tensión externa supera la tensión umbral, la barrera de potencial desaparece,
de forma que para pequeños incrementos de tensión se producen grandes variaciones
de la intensidad de corriente.
 Corriente máxima (Imax ).
Es la intensidad de corriente máxima que puede conducir el diodo sin fundirse por
el efecto Joule. Dado que es función de la cantidad de calor que puede disipar el diodo,
depende sobre todo del diseño del mismo.
 Corriente inversa de saturación (Is ).
Es la pequeña corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la
formación de pares electrón-hueco debido a la temperatura, admitiéndose que se
duplica por cada incremento de 10 °C en la temperatura.

16
 Corriente superficial de fugas.
Es la pequeña corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarización inversa),
esta corriente es función de la tensión aplicada al diodo, con lo que al aumentar la
tensión, aumenta la corriente superficial de fugas.
 Tensión de ruptura (Vr ).
Es la tensión inversa máxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto
avalancha.

Teóricamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducirá la corriente inversa de

saturación; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensión, en el diodo normal
o de unión abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante hay otro tipo de
diodos, como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos efectos:

 Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarización inversa se generan pares

electrón-hueco que provocan la corriente inversa de saturación; si la tensión inversa es
elevada los electrones se aceleran incrementando su energía cinética de forma que al
chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conducción.
Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensión, chocando
con más electrones de valencia y liberándolos a su vez. El resultado es
una avalancha de electrones que provoca una corriente grande. Este fenómeno se
produce para valores de la tensión superiores a 6 V.
 Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto más dopado está el material, menor es la
anchura de la zona de carga. Puesto que el campo eléctrico E puede expresarse como
cociente de la tensión V entre la distancia d; cuando el diodo esté muy dopado, y por
tanto d sea pequeño, el campo eléctrico será grande, del orden de 3·10 5 V/cm. En estas
condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia
incrementándose la corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o menores.
Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los Zener,
se puede producir por ambos efectos.

Existen varios tipos de diodos, que pueden diferir en su aspecto físico, impurezas, uso
de electrodos, que tienen características eléctricas particulares usados para una
aplicación especial en un circuito. El funcionamiento de estos diodos es fundamentado
por principios de la mecánica cuántica y teoría de bandas (teoría de cuerdas).

T1.2 Realizar la siguiente investigación de conceptos, con imágenes, una cuartilla

mínimo. Tipos de diodo semiconductor

Diodo avalancha (TVS), Diodo de Silicio, diodo de cristal, diodo de corriente constante,
diodo túnel, diodo zener, diodo láser, diodo LED, foto diodo, diodo Schottky y diodo
varicap.

T1.3 principios de la mecánica cuántica y teoría de bandas (teoría de cuerdas).

17
EL RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA

Es un circuito empleado para eliminar la parte negativa o positiva de una señal de

corriente alterna de lleno conducen cuando se polarizan inversamente. Además su
voltaje es positivo.

Los parámetros fundamentales que caracterizan al circuito rectificador de media onda son:
 Voltaje continuo o promedio de salida VDC:
 VDC= Vm/π donde : Vm=√2Veff
 Corriente continua de salida IDC:
 IDC= VDC/RL
 Corriente máxima de salida Imax:
 Im= Vm/RL
 Donde:
 Veff=Voltaje eficaz o RMS del voltaje CA
 Vm=Voltaje máximo del voltaje de CA
18
Ejemplo:
Un rectificador de media onda tiene resistencia de carga de 1KΩ y se le aplican 10V voltaje de
entrada. Calcular el voltaje promedio, la corriente promedio, la corriente máxima de salida y dibujar
las formas de onda de entrada y salida indicando sus parámetros.

 Vm=√2Veff= √2(10V)= 14.14V

 VDC= Vm/π=14.14V/3.1416=4.5V
 IDC= VDC/RL=4.5V/1000Ω =4.5mA
 Im= Vm/RL=14.14V/1000Ω =14.14mA

EL RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA

Es un circuito empleado para convertir una señal de corriente alterna de entrada (Vi) en
corriente de salida (Vo) pulsante. A diferencia del rectificador de media onda, en este
caso, la parte negativa de la señal se convierte en positiva o bien la parte positiva de la
señal se convertirá en negativa, según se necesite una señal positiva o negativa de
corriente continua.

19
Los parámetros fundamentales que caracterizan al circuito rectificador onda completa son:

 Voltaje continuo o promedio de salida VDC:

 VDC= 2Vm/π donde : Vm=√2Veff
 Corriente continua de salida IDC:
 IDC= VDC/RL
 Corriente máxima de salida Imax:
 Im= Vm/RL
 Donde:
 Veff=Voltaje eficaz o RMS del voltaje CA
 Vm=Voltaje máximo del voltaje de CA

Ejemplo:

Un rectificador de onda completa tiene resistencia de carga de 1KΩ y se le aplican 10V voltaje de
entrada. Calcular el voltaje promedio, la corriente promedio, la corriente máxima de salida y dibujar
las formas de onda de entrada y salida indicando sus parámetros.

 Vm=√2Veff= √2(10V)= 14.14V

 VDC=2Vm/π=2(14.14V)/3.1416=9V
 IDC= VDC/RL=9V/1000Ω =9mA
 Im= Vm/RL=14.14V/1000Ω =14.14mA

T1.4 Resolver los siguientes ejercicios

1. Un rectificador de media onda tiene resistencia de carga de 2.2KΩ y se le

aplican 12V voltaje de entrada. Calcular el voltaje promedio, la corriente
promedio, la corriente máxima de salida y dibujar las formas de onda de entrada
y salida indicando sus parámetros.

2. Un rectificador de onda completa tiene resistencia de carga de 2.2 KΩ y se le

aplican 12V voltaje de entrada. Calcular el voltaje promedio, la corriente
promedio, la corriente máxima de salida y dibujar las formas de onda de entrada
y salida indicando sus parámetros.

20
REGULADORES DE VOLTAJE DE CIRCUITO INTEGRADO

Los reguladores de voltaje comprenden una clase de circuitos integrados ampliamente usados. El
dispositivo de control y la protección de sobrecarga, todo en un solo circuito integrado. Los reguladores
integrados ofrecen regulación para un voltaje positivo fijo, un voltaje negativo fijo o un voltaje
ajustable.

La siguiente figura muestra la conexión básica de un circuito integrado regulador de voltaje de 3

terminales con una carga. El regulador de voltaje fijo tiene un voltaje de entrada de DC sin regular
(Vi) aplicado a una terminal de entrada, un voltaje de DC de salida regulado (Vo) en la segunda
terminal y la tercera terminal conectada a tierra.

Reguladores de voltaje de circuito integrado de tres terminales

Circuitos integrados reguladores de voltaje serie 78XX

positivos y voltaje negativo 79XX
Número de parte Voltaje Vent
de CI regulado mínimo (V)
positivo (V)
7805 +5 7.3
7806 +6 8.35
7808 +8 10.5
7810 +10 12.5
7812 +12 14.6
7905 -5 -7.3
7912 -12 -14.6
7915 -15 -17.1
Reguladores de voltaje ajustable
Los reguladores de voltaje ajustable también se
encuentran disponibles en configuraciones de
circuito que permiten que el usuario ponga el
voltaje de salida al valor regulado deseado. El
LM317, por ejemplo puede operar con el voltaje de
salida regulado a cualquier valor dentro del rango
de voltaje de 1.2 volts a 37 volts.
La figura siguiente muestra una conexión típica que
incluye el circuito integrado LM317.

La selección de los resistores R1 y R2 permite

ajustar la salida a cualquier voltaje deseado dentro
del intervalo de ajuste (1.2 a 37V) y puede
calcularse mediante:

Ejemplo: Determine el voltaje de salida regulado a través de un LM317, como el de la

figura anterior con R1 = 240Ω y R2 = 2.4kΩ Solución: Con la ecuación, se obtiene:

21
P1.1 Realizar las siguientes mediciones. En su cuaderno de prácticas anexar fotos de las
prácticas y la tabla con los cálculos.

Ohms Id Vd
R1
20k
50k
890k
220 k
500k
750k

P1.2 Realizar una fuente de media onda. Dibujar el diagrama, en su cuaderno de

prácticas y anexar fotos de las prácticas.

P1.3 Realizar una fuente con puente de diodos. En su cuaderno de prácticas anexar fotos
de las prácticas y la tabla con los cálculos.

P1.4 Realizar una fuente de 5vdc usando el 7805, de +12 y -12vdc con los CI’s 78 y 79
12. Soldada en una tablillas perforada.

22
 UNIDAD 2 EL TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR BJT
El transistor está compuesto por tres zonas de
dopado, como se ve en la figura:

La zona superior es el "Colector", la zona

central es la "Base" y la zona inferior es el
"Emisor". El Emisor está muy impurificado, la
Base tiene una impurificación muy baja,
mientras que el Colector posee una
impurificación intermedia.

En este ejemplo concreto el transistor es un

dispositivo npn, aunque también podría ser un
pnp.

En principio es similar a dos diodos.

Un transistor es similar a dos diodos, el

transistor tiene dos uniones: una entre el emisor
y la base y la otra entre la base y el colector. El
emisor y la base forman uno de los diodos,
mientras que el colector y la base forman el otro.
Estos diodos son denominados: "Diodo de
emisor" (el de la izquierda en este caso) y
"Diodo de colector" (el de la derecha en este
caso).

Antes y después de la difusión.

Vamos a hacer un estudio del transistor npn,

primeramente cuando está sin polarizar (sin pilas y en circuito abierto) se produce una "Difusión"
(como un gas en una botella), donde los electrones cruzan de la zona n a la zona p, se difunden,
encuentran un hueco y se recombinan. Esto hace que en las uniones entre las zonas n y p se creen iones
positivos y negativos.

23
Esta difusión y recombinación se da hasta llegar al equilibrio, hasta conseguir una barrera de potencial
de 0,7 V (para el Si). Se crean 2 z.c.e., una en la unión E-B (WE) y otra en la unión C-B.

El transistor polarizado

Si se conectan fuentes de tensión externas para polarizar al transistor, se obtienen resultados nuevos e
inesperados. Hay 3 configuraciones:

 Base común (BC).

 Emisor común (EC).
 Colector común (CC).

Esta configuración es la más utilizada la de EC. Como en la configuración en BC solo analizaremos la

zona activa.

Como en el caso anterior solo el 1 % se recombina y el 99 % no se recombina. La dirección de IE la

cambiamos como en la configuración anterior. Ganancia de corriente cc: A veces (casi siempre) se
desprecia la IB, por ser muy pequeña, en comparación con la IC.

24
25
26
Escribir en la tabla las fórmulas para el cálculo del circuito de EC.
IB IC ICsat VCE IE

T2.1 Realizar los siguientes cálculos, en el cuaderno de prácticas que incluya las
operaciones.

VFB VCC GANANCIA RB IB IC ICsat VCE IE

12 23 300 140000
24 43 123 300000
64 54 234 500000
33 45 99 700000
12 15 160 450000

T2.2 Realizar en Excel una tabla, que calcule los valores de la formulas y que sea en
forma automática, solo con los valores de la ganancia del transistor, resistencia de base,
resistencia de colector, fuente de la base, fuente del colector, corriente de emisor y
voltaje de base-emisor.

T2.3 Realizar una graficas como la línea de carga, con el ejercicio anterior.

27
Esquema de un circuito regulador de tención con diodo zener y un transistor.

T2.4 Explicar el funcionamiento del circuito regulador de tención con diodo zener y un
transistor, en una cuartilla del cuaderno de prácticas.

28
Esquema de un amplificador de audio.

T2.5 Explicar el funcionamiento del amplificador de audio en una cuartilla del cuaderno
de prácticas.

29
30
31
POTENCIA DE DISIPACIÓN ESTÁTICA MÁXIMA (PCMAX)

Un transistor de unión polarizado tiene unas tensiones y corrientes en sus terminales que
le hacen disipar energía. Esta potencia de disipación se puede obtener aplicando la
definición de potencia absorbida por un elemento tri-terminal, que en caso del transistor,
se expresa como:

Debido a que generalmente la IB <<< IC y la VBE << VCE, el primer término de esta
ecuación es despreciable frente al segundo, resultando que Pc igual o parecido a Ic*Vce.

Esta ecuación representa a una hipérbola en el plano (VCE, IC) de las curvas
características del transistor. El fabricante proporciona como dato la potencia de
disipación máxima de un transistor; como ejemplo, el BC547 tiene una PCMAX = 500
32
mW. En la figura 1.8.b se representa la hipérbola de potencia máxima de un transistor.
Es preciso que el punto del trabajo Q esté por debajo de esa curva ya que sino el transistor
se dañaría por efecto Joule.

T2.6 Investigar el efecto Joule agregar imágenes y en que elemento comerciales se

aplica su funcionamiento.

T2.7 Realizar los cálculos para el siguiente circuito, y calcular Icsat.

33
P2.1 Realizar un circuito de emisor-común EC con el transistor 2N2222, calcularlo y
medirlo, comparar resultados calculado con los medidos agregar fotos del armado.

P2.2 Armar un circuito de estabilizador de emisor y medirlo, con el transistor 2N2222,

calcularlo y medirlo, comparar resultados calculado con los medidos agregar fotos del
armado.

P2.3 Armar un circuito temporizador con un transistor y un capacitor, que active una
carga de corriente alterna.
34
P2.4 Armar un circuito de control de cargas de corriente alterna, como se muestra en el
siguiente circuito. (Hacerlo para una carga).

Observamos que en el C1 se controla la conmutación del rele mediante un optotransistor

y en C2 es directo, el circuito C1 tiene mayor protección para el microcontrolador
Arduino que el C2, de cualquier forma los dos funcionan.

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 UNIDAD 3 TIRISTORES

Definición y características generales

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Aplicaciones del SCR

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Características generales y aplicaciones del TRIAC

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52
Características generales y aplicaciones del DIAC

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54
T3.5 Investigarlos principales datos técnicos del SCR MCR100-6.

T3.6 Investigarlos las principales características, funcionamiento y aplicaciones

de los diacs, mínimo una cuartilla.

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Optoacopladores

Un optoacoplador, también llamado optoaislador o aislador acoplado ópticamente, es un dispositivo de

emisión y recepción que funciona como un interruptor activado mediante la luz emitida por un diodo
LED que satura un componente optoelectrónico, normalmente en forma de fototransistor o fototriac.
De este modo se combinan en un solo dispositivo semiconductor, un fotoemisor y un fotorreceptor
cuya conexión entre ambos es óptica. Estos elementos se encuentran dentro de un encapsulado que por
lo general es del tipo DIP. Se suelen utilizar para aislar eléctricamente a dispositivos muy sensibles.

56
T3.7 Investigar que es un relevador de estado sólido, una cuartilla y con imágenes
de relevadores de estado sólido industriales.

P3.1 Armar y medir las formas de onda del siguiente circuito del dimmer que a
continuación se muestra, colocar fotos en su reporte en el cuaderno de prácticas.

Control de fase con tiristor: Se usa principalmente para controlar la potencia que
se entrega a una carga. (en el caso de la figura es un bombillo o foco). La fuente
de voltaje puede ser de c.a., 120Vca, etc. La potencia suministrada a la carga se
controla variando el ángulo de conducción. El circuito RC produce un corrimiento
de la fase entre la tensión de entrada y la tensión en el condensador que es la que
suministra la corriente a la compuerta del tiristor.

57
Formas de onda de la señal de entrada y en la carga para diferentes corrimientos de fase.

 El 1er diagrama muestra la onda de entrada.

Observar los ptos. 0°, 180° y 360°.
 El 2do diagrama muestra la señal aplicada a la
carga cuando el disparo es a los 45°
 El 3er diagrama muestra la señal aplicada a la
carga cuando el disparo es a los 150°.

En el segundo y tercer diagrama se ve que la semionda

negativa ha desaparecido, y esto es debido a que el tiristor
se comporta, cuando está conduciendo, como un diodo.
El área bajo la curva en el segundo y tercer diagrama
representa la energía transferida a la carga. El segundo
diagrama tiene un área bajo la curva mayor, entonces
indica que, en este caso, hay más energía entregada al
bombillo que en el tercer diagrama.

El máximo corrimiento de fase se logra cuando el potenciómetro tiene su mayor valor y el mínimo
cuando este tiene su valor más pequeño. Ver que cuando R = 0 (valor mínimo del potenciómetro) el
capacitor está en paralelo con el tiristor y éste se comporta prácticamente como un diodo, pues se
dispara casi inmediatamente que la señal de entrada es 0°.

P3.2 Armar los siguientes circuitos, copiar el diagrama en su cuaderno, fotos del
reporte del armado físico del circuito y explicar el funcionamiento del circuito.

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P3.3 Armar y programar un equipo que detecte el conteo de pulsos mediante un
sensor, óptico o infrarrojo, para controlar el ángulo de posición de un motor de
dc.

P3.4 Armar un circuito de control de cargas montado en una placa perforada

(dos cargas de ca).

59
 UNIDAD 4 AMPLIFICADORES OPERACIONALES

El amplificador operacional (Op-amp) se ha convertido en un importante elemento

funcional en todos los géneros de áreas de aplicación. El término amplificador
operacional se refiere normalmente a un amplificador de voltaje de alta ganancia, con
acoplamiento directo y una entrada diferencial (dos terminales de entrada, ninguna de
las cuales está puesta a tierra).

Un amplificador operacional tiene una alta ganancia diferencial con una alta impedancia
(típicamente unos cuantos MΩ) y una baja impedancia de salida (menos de 100 Ω).

Note que el amplificador operacional tiene dos terminales de entradas y de una salida, y
también sus dos respetivos voltajes de alimentación (positiva-negativa).

El amplificador operacional tiene una muy alta ganancia. Los amplificadores

operacionales pueden ser conectados en lazo abierto o lazo cerrado.

 Lazo abierto se refiere a una configuración donde no hay retroalimentación de la

salida a la entrada. La configuración de lazo abierto la ganancia puede exceder a
10 000.
 La configuración de lazo cerrado reduce la ganancia. En orden de controlar la
ganancia de un Op-Amp este debe ser retroalimentado. Esta retroalimentación es
negativa la cual reduce la ganancia y mejora muchas características del Op-Amp.

60
Amplificador operacional inversor

 La señal de entrada es aplicada a la entrada inversora (-).

 La entrada no inversora (+) es conectada a tierra.
 La resistencia Rf es la resistencia de retroalimentación, la cual es conectada de la salida a la
entrada negativa (inversora), esta es una retroalimentación negativa.

La ganancia puede ser determinada de la resistencia externa: Rf y R1

La ganancia unitaria de voltaje es 1.

La señal negativa denota un desfasamiento de 180º entre la entrada y la salida.

La ganancia constante donde Rf es un múltiplo de R1.

Tierra virtual

Un concepto desconcertante es la tierra virtual de la forma que un amplificador operacional opera.

La terminal de entrada no inversora es conectada a tierra y la terminal de entrada inversora es también

cero volts de una señal de AC.

El Op-Amp tiene tal impedancia de entrada que aun con la alta ganancia no hay corriente en la terminal
de la entrada no inversora, así que no está un voltaje de la terminal de entrada a tierra todo el flujo de
corriente circula hacia Rf.

61
P4.1 Armar el siguiente circuito del amplificador inversor en el protoboard y realzar un
reporte.

62
P4.2 Armar el siguiente circuito del amplificador no inversor en el protoboard y realizar
un reporte.

T4.1 Investigar sobre los circuitos sumadores no inversores y sumador inversor, del
amplificador operacional.

T4.2 Investigar sobre el circuito diferencial e integrador, con los amplificadores

operacionales.

T4.3 investigar sobre los usos y aplicaciones del control PID (proporcional-integral-
derivativo) con los amplificadores operacionales.

P4.3 Armar el control de posición de un servomecanismo de corriente directa (cd) y

construirlo empleando amplificadores operacionales y elementos electrónicos,
presentarlo en la clase.

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FUENTES BIBLIOGRÁFICAS

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