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UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ - UFC

CENTRO DE TECNOLOGIA - CT
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA – DEE
LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA ANALÓGICA

Relatório da Prática 04
CURVAS CARACTERÍSTICAS DO TBJ

Aluno: Ronald Emanuel Rocha da Fonseca - 404974

Turma: 02A (Quinta-Feira, 14h-16h)

Fortaleza
(09/05/2017)
Sumário

1. Objetivos.......................................................................................................... 3
2. Lista de material usado e circuito montado. ....................................................... 4
4. Questionário .................................................................................................... 7
5. Conclusões ..................................................................................................... 12
Referências Bibliográficas ..................................................................................... 13

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1. Objetivos

Esta prática tem como objetivo principal levantar e traçar as curvas características de
um transistor de TBJ na configuração emissor-comum mediante simulação e
experimentação.

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2. Lista de material usado e circuito montado.

2.1.Lista de Especificações e Materiais.

 Vcc = 0 a 15 [V] [Tensão contínua aplicada ao circuito de saída];


Para o projeto devem ser tratadas as seguintes considerações:
 Ibb = 20 a 80 [uA] [Corrente de base contínua aplicada a o circuito de entrada];
 Q1 BC546 [Transistor NPN utilizado].
Os instrumentos e os equipamentos utilizados nesta prática são listados a seguir:
 Voltímetro (1);
 Amperímetro (2);
 Fonte de tensão CC (2).

2.2.Circuito Montado.

Esquemático do Circuito

Figura 1 – Circuito a ser analisado.

Fonte: Obtido pelo autor no ORCAD

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3. Resultados de simulação e experimentais.

Os resistores utilizados na montagem foram de 100KΩ e 100Ω.


O Circuito da figura 01 foi simulado no ORCAD afim de encontrar os valores
necessários para preencher a tabela 01.

Tabela 01 – Corrente Ic da Simulação.

Corrente no coletor medida Ic (mA)

Ibb(uA)

20 40 60 80
0,5 4,32 7,84 12,00 14,30

1 4,93 7,98 12,50 14,50

3 5,00 8,20 13,40 14,70


Vce(V)
5 5,20 8,30 13,62 14,80

10 5,22 8,40 13,87 15,40

15 5,33 8,90 13,99 15,60

Fonte: Dados obtidos pelo autor.

Após a simulação e análise dos dados foi realizada a montagem do circuito na


protoboard para o procedimento experimental, durante o procedimento foi fixado
primeiramente o valor de Ibb de acordo com a tabela variando a fonte Vbb, após configurada
a corrente de base do TBJ passou-se a variar a fonte Vcc para que a tenção entre o coletor e
emissor do TBJ fosse o valor pedido na tabela, desta forma foi possível preencher a tabela
02.

Vale ressaltar que as medidas de corrente foram realizadas de forma indireta, com o
auxílio do voltímetro, pois o amperímetro disponível não possui capacidade de medir tal
escala.

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Tabela 02 – Corrente Ic Experimental.

Corrente no coletor medida Ic (mA)

Ibb(uA)

20 40 60 80
0,5 4,4 8,9 12,2 16,0

1 4,8 8,9 13,7 18,5

3 4,9 9,2 14,3 19,5


Vce(V)
5 5,1 9,4 15,0 20,3

10 5,3 10,0 16,6 22,8

15 5,7 11,0 18,2 25,4

Fonte: Dados obtidos pelo autor.

Ao comparar os valores obtidos na simulação e no experimento nota-se uma


discrepância entre os valores, essas diferenças podem ter ocorrido pois o dispositivo
utilizado no experimento não é ideal, outro fator que influencia o funcionamento destes
dispositivos é a temperatura, sua variação pode causar variações significativas nos valores
de correntes que circulam no TBJ.

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4. Questionário
a) Traçar a curva de saída Ic = f(Vce) de um TBJ: experimental e simulada .

Figura 2 – Grafico Ic por Vcc Experimental.

30

25

20
Corrente no Coletor (mA)

20uA
15
40uA
60uA
10
80uA

0
0 2 4 6 8 10 12 14 16
Tensão Coletor-Emissor (V)

Fonte: Elaborada pelo autor.

Figura 3 – Grafico Ic por Vcc Simulação.

18

16

14
Corrente no Coletor (mA)

12

10 20uA

8 40uA
60uA
6
80uA
4

0
0 2 4 6 8 10 12 14 16
Tensão Coletor-Emissor (V)

Fonte: Elaborada pelo autor.

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b) Determine o ganho de corrente (β) para as curvas traçadas em (a) item (7).

Como o valor de β não é constante ao longo do traço foi calculado o valor médio
dos ganhos experimentais e simulados.
Experimental: β = 324

Simulado: β = 215

c) Comente detalhadamente a respeito das curvas traçadas em (a) item (7)


explorando os seguintes tópicos: funcionamento na configuração emissor
comum, curvas de característica de entrada e saída, ganho de corrente e limites
de operação.

Figura 4 – Configuração Emissor comum

Tem-se que a configuração emissor


comum é caracterizada pela conexão direta do
emissor do TBJ ao terra.

Fonte: Google Imagens.

Através das ondas de caracterização do TBJ é possível determinar o ponto de


operação do dispositivo. Para determinar este ponto deve ser sobreposta sobre as
curvas do TBJ a reta de carga.

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Figura 5 – Analise com sobreposição da reta de carga

Fonte: Google Imagens.

Sobrepondo as linhas se encontra o ponto de operação, este ponto é


determinado pela interseção da linha de carga com a linha de caracterização.

Tem-se ainda que o limite de operação pode ser encontrado através da análise
do gráfico da potência máxima de funcionamento, da corrente máxima no coletor e
da diferença de potencial máxima entre coletor e emissor do TBJ.

Figura 6 – Analise com sobreposição da reta de carga e curva de potencia maxima

Fonte: Google Imagens.

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d) Consultando a folha de dados do TBJ adotado durante a prática, comente a
respeito das principais características de operação, bem como as limitações de
operação.

Fonte: Datasheetcatalog.com.

A partir dos trechos acimas retirados do datasheet do dispositivo TBJ


BC546B, tem que ficar claro a importância de observar a corrente continua do coletor,
a diferença de potencial entre coletor e emissor e a potência dissipada no dispositivo

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pois são esses os valores que determinam os limites de operação deste TBJ, desta
forma prevenindo o desgaste ou até mesmo a inutilização do dispositivo.
Para o funcionamento do dispositivo na região de operação deve ser analisado
também as características como o ganho β (ℎ𝑓𝑒 ), tensão de saturação coletor-emissor
e a corrente de corte.

e) Pesquise a respeito: transistores de carboneto de silício e suas aplicações.

Os transistores de carboneto de silício, também conhecidos por transistores


SiC, são dispositivos desenvolvidos para os transistores de silício tradicionais, sua
característica principal é o seu funcionamento em altíssimas temperaturas, outras
característica importantes de serem destacadas seriam: menor tamanho e peso em
relação aos transistores tradicionais, possuem uma maior eficiência e funcionam em
altas frequências.

Suas aplicações são diversas, entre elas está a utilização deste dispositivo em
equipamentos subaquáticos a sim de possibilitar que estes equipamentos possam
submergir a profundidades maiores, uma aplicação nas energias renováveis é a
utilização dele para aumentar o a eficiências de painéis solares ou ainda no
melhoramento da energia geotermal.

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5. Conclusões

Tendo em vista os objetivos programados para esta prática, pode-se dizer que
foi possível perceber o funcionamento do transistor proposto, porem ao comparar os
dados simulados e experimentais notou-se uma discrepância, isto ocorre devido a
divergências entre o modelo do simulador e o real, tendo em vista que a temperatura é
um dos fatores de forte influência para causar essas divergências.
Ficou evidente também que antes de utilizar este dispositivo devem ser
analisadas suas características que são apresentadas em sua folha de dados, como a
corrente continua do coletor, a diferença de potencial entre coletor e emissor e a
potência dissipada no dispositivo afim de utilizar o dispositivo de maneira correta.

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Referências Bibliográficas

[1] OLIVEIRA, D.S; BASCOPÉ, R. P. T. Roteiro de Aulas Práticas Nº 04 – Curvas


Característica do Transistor TBJ. Fortaleza: DEE-UFC, 2017.

[2] BOYLESTAD, R. L; NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos.


Editora: Pearson-Prentice Hall, 2004. 8ª Edição.

[3] Datasheetcatalog.com, BC546B. Disponível em: <


http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/B/C/5/4/BC546B.shtml >. Acesso em: 09
de maio de 2017.

4] Grupo De Novos Materiais E Dispositivos, Dispositivos Semicondutores. Disponível


em: < http://gnmd.webgrupos.com.br/linha-de-pesquisa.php?linha_id=3>. Acesso em: 09 de
maio de 2017.

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