Universidad Autónoma

Metropolitana
Unidad Iztapalapa
División de Ciencias Básicas e
Ingeniería

PRÁCTICA No 2

CRUZ ESCOBAR LUIS ANGEL

HERNÁNDEZ RODRÍGUEZ JOSÉ EDUARDO

ELECTRÓNICA DE POTENCIA

Profesor:
Donaciano Jiménez Vázquez
 Caracterización de transistores MOSFET
En esta segunda práctica se utilizó como material un transistor IRF840, un transistor IRFP460,
cuatro resistencias de 10 ohms a 10 watts un transformador de 12V a 5A.

El procedimiento que se siguió fue armar el circuito mostrado en la figura 1, esto para ambos
transistores y se fue aumentando el voltaje de entrada en “Gate”, midiendo a la salida el voltaje
Vds, Vgs y la corriente Id que circulaba por ambos transistores, poniendo mucha atención al
momento y al valor del voltaje Vgs al cual cada transistor empezaba a conducir corriente ya que
este voltaje corresponden al Vgs(th).

Figura 1.
En la siguiente tabla se muestran los resultados obtenidos para el transistor IRF840.

IRF480
Vi (V) ID(A) VDS (V) VGS (V)
1 0 36.7 1.012
1.5 0 36.4 1.527
2 0 36.7 2.038
2.5 0 36.8 2.507
3 0 36.6 3.079
3.5 0.4 36.5 3.54
4 0.38 33.3 3.911
4.5 0.91 27.9 4.223
5 2.32 20 4.524
5.5 4.12 8.4 4.864
6 4.8 6.3 5.476
6.5 4.91 4.4 5.892
7 4.91 4.3 6.484
Tabla 1.

A continuación se muestran las gráficas obtenidas de los datos experimentales.

ID vs. VDS
6

4
ID (Amp)

0
0 5 10 15 20 25 30 35 40
-1
VDS (V)

Gráfica 1.
 ID vs. VGS
6

4
ID (Amp)

0
0 1 2 3 4 5 6 7
-1
VGS (V)

Gráfica 2.

En la tabla anterior se puede observar la casilla resaltada con amarillo, el valor que contiene dicha
casilla es el valor conocido como Vgs(th)=3.54V, que es el valor del voltaje al cual el transistor
empieza a conducir corriente.

De igual manera se muestra la tabla de resultados del transistor IRFP460.

IRFP460
Vi (V) ID(A) VDS (V) VGS (V)
1 0 36.7 0.5
1.5 0 36.7 1.52
2 0 36.9 2.01
2.5 0 37.1 2.53
3 0 37 2.9
3.5 0.2 36.4 3.3
4 0.23 34.4 4.03
4.5 0.67 30.8 4.469
5 1.76 24.2 5.039
5.5 3.26 15 5.472
6 4.63 7.2 5.966
6.5 4.71 3.6 6.479
7 4.79 2.1 6.978
Tabla 2.
También se realizó el trazado de gráficas resultando lo siguiente.

ID vs. VDS
6

4
ID (Amp)

0
0 5 10 15 20 25 30 35 40
-1
VDS (V)

Grafica 3.

ID vs VGS
6

4
ID (Amp)

0
0 1 2 3 4 5 6 7 8
-1
VGS (V)

Gráfica 4.

Para este transistor en específico se obtuvo un voltaje Vgs(th)=3.3V, también indicado con
amarrillo en la tabla 2.
Conclusiones:

Durante esta parte de la segunda práctica se observó un efecto inesperado, este efecto
fue que mientras se realizaban las mediciones en el multímetro se observaron lecturas
algo fuera de lo esperado, dando lecturas de voltaje muy alto, este voltaje, se nos explicó,
que es efecto de una capacitancia parasita que se encuentra entre las terminales de drene
y fuente, esta capacitancia parasita es grande y se queda cargada durante un tiempo y por
eso obteníamos una lecturas de voltaje “raros”. La solución a este tipo de efecto es
cortocircuitar las terminales del transistor para así descargar la capacitancia parasita y
realizar las mediciones sin ningún problema. Si se desea se puede hacer la verificación del
funcionamiento del transistor con el multímetro. El voltaje umbral de ambos transistores
puede verse en las tablas 1 y 2, a partir de 3.54 y 3.3 volts respectivamente empiezan a
conducir corriente por el dren, y como era de esperarse entre mayor sea V GS mayor
corriente fluye a través de ambos dispositivos.

INVERSOR, CONVERTIDOR DE CD – CA
En esta práctica, se obtuvo corriente alterna a partir de corriente directa. Para lo cual se
ocuparon 2 transistores MOSFET IRFP460, 2 resistencias de 10 ohms a medio watt, un
circuito integrado ICL7667, un inversor CMOS CD4069 o CD4049 y el transformador de 5 A
y 24 volts de manera invertida. Además un generador de funciones con el cuál se generó
una señal cuadrada de 4.5 V con un offset a manera de quitarle la parte negativa de la
señal con una frecuencia de 60 Hz, ya que esta es la frecuencia que manejamos en
México.

El circuito que se armo es el siguiente:

Para probar que efectivamente se genera un voltaje a la salida de 120 V RMS, se conectó un
foco de 60 watts de manera que este ilumine adecuadamente.

En la siguiente imagen se muestran los resultados obtenidos:

Figura 1.

En la imagen anterior se puede observar que el foco enciende y este ilumina bastante
bien, en la parte superior de la imagen se puede observar el voltaje RMS medido en las
terminales del foco y este nos dio un valor de 140V RMS con una corriente de dren de 5 A.
Conclusiones:

Con esta práctica se pudo observar las aplicaciones que pueden tener los MOSFETs de
potencia, así como también las consideraciones que se deben tomar para construir un
circuito inversor. Se notó que durante el experimento del inversor de CD-CA cuanto más
se aumentaba el voltaje de polarización de los circuitos ICL7676 y CD4049 la corriente que
consumía el transistor era mayor.