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ELETRÔNICA BÁSICA I

TRANSISTORES DE EFEITO DE
CAMPO DE JUNÇÃO - JFET

Profa. Rosimeire Aparecida Jerônimo

2018/1
INTRODUÇÃO

▪ O transistor de efeito de campo (FET, field effect transistor) é um


dispositivo que controla o fluxo de corrente por meio da tensão
aplicada em um de seus terminais.

▪ Diferentemente do transistor bipolar (TBJ, ou em inglês BJT,


bipolar function transistor), em que o fluxo de corrente depende
da corrente aplicada em seus terminais.

▪ Um dispositivo controlado por corrente é aquele no qual uma


corrente define as condições de operação do dispositivo.

▪ Um dispositivo controlado por tensão é aquele no qual uma


tensão específica define as condições de operação.
2
INTRODUÇÃO

▪ Embora o conceito básico do FET tenha sido conhecido desde


1930, o dispositivo tornou-se uma realidade prática apenas na
década de 1960.

▪ Desde o final de 1970, um tipo particular de FET, o transistor


de efeito de campo tipo metal-óxido-semicondutor (MOSFET),
tornou-se extremamente popular.

▪ A maioria dos circuitos integrados é feita atualmente


usando-se a tecnologia MOS.

3
COMPARAÇÃO ENTRE
O TBJ E O FET
SEMELHANÇAS – TBJ x FET

▪ São utilizados em circuitos amplificadores.

▪ Funcionam como chaves.

▪ Utilizados em circuitos de casamento de impedâncias.

4
COMPARAÇÃO ENTRE
O TBJ E O FET
DIFERENÇAS – TBJ x FET
▪ Existem muitas diferenças entre o transistor efeito de
campo e o transistor bipolar, as principais são:
➢ Controle do fluxo de corrente: no FET é por tensão e no
TBJ por corrente.

Figura 1 - Amplificadores: (a) controlados por corrente e (b) controlados


5
por tensão.
COMPARAÇÃO ENTRE
O TBJ E O FET
➢ Impedância de entrada: no FET é muito alta (> 1 M) e no
TBJ baixa (por causa da junção pn polarizada
diretamente).

➢ Tipo de portador: no FET é um elétron livre ou lacuna e


no TBJ são elétron livre e lacuna.

➢ Ganho de Tensão: no FET é menor do que no TBJ.

➢ Os FETs são mais estáveis, em termos de temperatura, e


normalmente são menores do que os TBJs, o que os torna
particularmente úteis na construção de chips de circuitos
integrados (CIs).
6
COMPARAÇÃO ENTRE O
TBJ E O FET
➢ TBJs são dispositivos bipolares, enquanto FETs são
unipolares.

➢ Funções lógicas digitais e memórias podem ser


implementadas com circuitos que utilizam exclusivamente
FETs (isto é, não há necessidade de resistores ou diodos).

➢ Comparado aos TBJs, os transistores FET podem ser feitos


com dimensões muito pequenas (isto é, ocupando uma
pequena área de silício na pastilha do CI), e seu processo de
fabricação é relativamente simples.

7
COMPARAÇÃO ENTRE
O TBJ E O FET
TBJ x FET

CARACTERÍSTICAS TBJ FET

Impedância de entrada < >


Sensibilidade à temperatura > <
Controle de corrente de > <
saída
Ganho de tensão > <
Estabilidade < >
Tamanho > <
8
CONSTRUÇÃO
▪ Dispositivo de três terminais.

▪ Aplicado em circuitos muito semelhantes aos que utilizam o


TBJ.

▪ TBJ controlado por corrente


(IC = f(IB))

▪ FET controlado por tensão


(ID = f(VGS))

9
CONSTRUÇÃO
▪ Existem dois tipos de JFET:

➢ Canal N
➢ Canal P

▪ O de canal N é o mais
utilizado.

O dispositivo possui 3 terminais:

- O Dreno (D) e a Fonte (S) são


conectados ao canal N;
- A Porta (G) é conectada ao
material tipo P. Figura 2 - JFET
10
PRINCÍPIO DE
OPERAÇÃO
▪ A operação de um transistor JFET
pode ser comparada a uma torneira de água.
A fonte de pressão da água é o
acúmulo de elétrons no polo negativo
da tensão fonte-dreno.

O dreno da água é a deficiência de


elétrons (ou buracos) no polo positivo
da tensão aplicada.

O controle do fluxo de água é a tensão


Figura 3 – Analogia do fluxo de
no porta, que controla a largura do
água para o mecanismo de
canal N e, portanto, o fluxo de cargas
controle do JFET.
da fonte para o dreno.

11
CARACTERÍSTICAS
DE OPERAÇÃO

Existem 3 condições básicas de operação para um JFET:

• VGS = 0, VDS aumentando até um valor positivo;

• VGS < 0, VDS em um valor positivo;

• Resistor controlado por tensão.

12
CARACTERÍSTICAS
DE OPERAÇÃO
VGS = 0 V
Três coisas acontecem quando VGS = 0 e VDS
é elevado de 0 a um valor mais positivo:

• A região de depleção entre a porta P e


o canal N aumenta, devido à
combinação entre os elétrons do
canal N e os buracos da porta P;

• O aumento da região de depleção,


diminui o tamanho do canal N que,
por sua vez, aumenta a resistência do Figura 4 –JFET com VGS = 0 V e
canal N; VDS > 0 V.

13
CARACTERÍSTICAS
DE OPERAÇÃO
VGS = 0 V

• Mesmo com o aumento da


resistência, a corrente (ID) da fonte
para o dreno, através do canal N, é
elevada. Isto é devido ao aumento de
VDS.

Figura 4 – JFET com VGS = 0 V e


VDS > 0 V.

14
CARACTERÍSTICAS
DE OPERAÇÃO
JFET (canal N com Polarização)

VD > VS, VGS = 0 V, VDS > 0 V,


ID = IS  0 A
• O fluxo de carga entre fonte e dreno é
relativamente irrestrito e limitado
somente pela resistência do canal N.

• A região de depleção é mais larga


próximo do dreno, pois a polarização Figura 4 –JFET com VGS = 0 V e
reversa dreno/porta é maior que a VDS > 0 V.
polarização reversa porta/fonte
15
CARACTERÍSTICAS
DE OPERAÇÃO
• Admitindo uma resistência uniforme
do canal N, a variação dos potenciais
reversos podem ser observados na
Figura 5.

• Próximo à fonte, a queda de tensão é


menor (menor resistência) e próximo
do dreno, a queda de tensão é maior
(maior resistência).

• Como a junção PN está sempre


polarizada reversamente, a corrente
de porta IG é sempre zero (IG = 0 A). Figura 5 – Variação dos potenciais
reversos de polarização através
da junção p-n de um JFET de canal
n. 16
CARACTERÍSTICAS
DE OPERAÇÃO
Estrangulamento (Pinch-Off)
• Se VGS = 0 e VDS é elevado para uma
tensão muito positiva, então a região
de depleção se torna tão larga que o
canal N é estrangulado;

• Isto sugere que a corrente no canal N


(ID) cairia a 0A, mas ocorre
justamente o oposto – com o
aumento de VDS a corrente ID
também aumenta.
Se VDS for elevado a um valor em que as duas
regiões de depleção parecem se “tocar”, como Figura 6 – Pinch-off (VGS = 0 V e
ilustra a Figura 6, surgirá a condição de pinch-off VDS = VP).
(estrangulamento). O valor de VDS que estabelece
17
essa condição é chamado de tensão de pinch-off (VP).
CARACTERÍSTICAS
DE OPERAÇÃO
Estrangulamento (Pinch-Off)
▪ Apesar do estrangulamento, ID ≠0 A. Os
portadores passam através da região de
depleção. Nesta condição, IDS passa a
ser constante (IDS = cte na saturação).

VDS  → Rch  → IDS = cte


característica de uma fonte de corrente

Figura 6 – Pinch-off (VGS = 0 V e


VDS = VP).

Obs.: IDSS é a corrente máxima de ID, definida na condição de VGS = 0V e VDS > Vp. 18
CARACTERÍSTICAS
DE OPERAÇÃO
Saturação

No ponto de estrangulamento:

• Nenhum aumento em VDS além


desse ponto produz um
aumento em ID. VDS no
estrangulamento é chamado de
VP;

• ID está na saturação ou ponto de


máximo valor. Ele é referenciado
por IDSS;
Figura 7 – ID versus VDS para VGS = 0V.
• O valor ôhmico do canal é
máximo. 19
CARACTERÍSTICAS
DE OPERAÇÃO

▪ Quando VGS torna-se mais


negativo, a região de
depleção aumenta.

▪ O valor de VGS que resulta em


ID = 0 A é definido como Vp
(VGS = Vp).

Figura 8 – Aplicação de uma tensão negativa no


20
terminal de porta de um JFET.
CARACTERÍSTICAS
DE OPERAÇÃO
Com a diminuição de IDSS = 8 mA
VGS (VGS < 0):

VP = -4 V
• O estrangulamento do
JFET ocorre em uma
tensão mais baixa (VP);

• ID diminui (ID < IDSS)


mesmo com o aumento
de VDS;

• Eventualmente, ID torna-
se 0A. VGS nesse ponto é Figura 9 – Curvas características do JFET de canal
chamdo de VP ou VGS(off). N com IDSS = 8 mA e VP = -4 V
21
CARACTERÍSTICAS
DE OPERAÇÃO
A região à esquerda do
IDSS = 8 mA
ponto de estrangulamento
é chamada de região
ôhmica.
VP = -4 V
O JFET pode ser utilizado
como um resistor variável,
onde VGS controla a
resistência dreno-fonte (rd).
Com a diminuição de VGS, a
resistência rd aumenta.
ro
rd =
2
 V 
 1 − GS 
 VP  Figura 9 – Curvas características do JFET
de canal N com IDSS = 8 mA e VP = -4 V
ro = resistência com VGS = 0 V
22
rd = resistência específica para um certo VGS
O JFET COM CANAL P

O tranistor JFET de canal P se


comporta da mesma forma
que o JFET canal N, exceto
pela polaridade das tensões e
a direção da corrente, que
são reversas.

Figura 10 – JFET de canal P.


23
O JFET COM CANAL P
Com o aumento de VGS:

• A região de depleção aumenta;

• ID diminui (ID < IDSS);

• Eventualmente ID = 0A.

Figura 11 – Curvas características do JFET


de canal P com IDSS = 6 mA e VP = +6 V.

24
SÍMBOLOS

Figura 12 – Símbolos do JFET: (a) canal N; (b) canal P.

25
SÍNTESE - JFET

▪ O JFET pode realmente ser utilizado como um resistor


controlado por tensão devido a uma sensibilidade específica
da impedância dreno-fonte à tensão porta-fonte .

▪ A corrente máxima para um JFET é chamada de IDSS e ocorre


quando VGS = 0 V.

▪ A corrente mínima para um JFET ocorre na tensão de pinch-


off (estrangulamento) definida por VGS = VP.

26
SÍNTESE - JFET

Figura 13 – (a) VGS = 0 V, ID = IDSS; (b) corte (ID = 0 A) VGS menor do que o valor de pinch-off
(estrangulamento), (c) ID varia entre 0 A e IDSS para VGS ≤ 0 V maior do que o valor de pinch-
27
off (estrangulamento).
SÍNTESE - JFET
▪ A corrente máxima é definida por IDSS e ocorre quando VGS = 0 V
e VDS ≥ |VP|, como mostra a Figura 13(a).

▪ Para tensões VGS entre porta e fonte menores do que (mais


negativos do que) o valor de pinch-off (estrangulamento), a
corrente de dreno é de 0 A (ID = 0 A), como aparece na Figura
13(b).

▪ Para todos os valores de VGS entre 0 V e o valor de pinch-off


(estrangulamento), a corrente ID variará entre IDSS e 0 A,
respectivamente como indica a Figura 13(b).

▪ Para os JFETs de canal P, pode ser desenvolvida uma lista


28
semelhante.
EQUACIONAMENTO

▪ A relação entre a corrente de dreno e a tensão porta-fonte


de um JFET é não linear e definida pela equação de
Shockley. À medida que o valor da corrente se aproxima
de IDSS, a sensibilidade de ID a variações de VGS aumenta
significativamente.

Variável de controle

2
 
 VGS 
Equação de Shockley I D = I DSS 1−  (1)
 V 
 P  29
Constantes
CURVA CARACTERÍSTICA DE
TRANSFERÊNCIA DO JFET

▪ TBJ: controlado por corrente

30
CURVA CARACTERÍSTICA DE
TRANSFERÊNCIA DO JFET

▪ JFET: controlado por tensão

2
 
 VGS 
I D = I DSS 1− 
 V 
 P 

Equação de Shockley
31
CURVA CARACTERÍSTICA DE
TRANSFERÊNCIA DO JFET

▪ Quando VGS = 0 V, ID = IDSS

▪ Quando VGS = VP ID = 0 mA

Curva de Transferência

ID = f(VGS)

Figura 14 – Obtenção da curva de transferência a partir das curvas características de dreno.


32
CURVA CARACTERÍSTICA DE
TRANSFERÊNCIA DO JFET
Aplicação da Equação de Shockley
2
 
 V  Originar figura de transferência
I D = I DSS 1− GS 
 VP 
 

IDSS e VP (folha de dados do fabricante)

𝑰𝑫
𝑽𝑮𝑺 = 𝑽𝑷 𝟏− (2)
𝑰𝑫𝑺𝑺 33
CURVA CARACTERÍSTICA DE
TRANSFERÊNCIA DO JFET
Método Simplificado

Tabela 1– VGS versus ID utilizando a equação de


Shockley.

VGS ID
0 IDSS
0,3VP IDSS/2
0,5VP IDSS/4
VP 0 mA

34
CURVA CARACTERÍSTICA DE
TRANSFERÊNCIA DO JFET
Método Simplificado

▪ Exemplo 1:

Esboce a curva de transferência definida por IDSS = 12 mA e


VP = -6 V.

35
CURVA CARACTERÍSTICA DE
TRANSFERÊNCIA DO JFET
Método Simplificado
▪ Solução:
Recorrendo à Tabela 1, obtemos a
solução pela Tabela 2.
Obs.: Pelo valor de VP, observa-se
que o dispositivo é de canal N.
Tabela 2 – VGS versus ID utilizando a equação de
Shockley (Dados Tabela 1) para o Exemplo 1.

VGS (V) ID (mA)


0 12
-1,8 6
-3 3 Figura 15 - Curva de transferência para o
Exemplo 1. 36
-6 0
CURVA CARACTERÍSTICA DE
TRANSFERÊNCIA DO JFET
Método Simplificado

▪ Para os dispositivos de canal P, a equação de Shockley (1)


ainda pode ser aplicada exatamente como mostrado.

▪ Nesse caso, tanto VP quanto VGS serão positivos, e a curva de


transferência refletida do dispositivo de canal N, com os
mesmos valores limitantes.

37
CURVA CARACTERÍSTICA DE
TRANSFERÊNCIA DO JFET
Método Simplificado

▪ Exemplo 2:

Esboce a curva de transferência de um dispositivo de canal P,


com IDSS = 4 mA e VP = 3 V.

38
CURVA CARACTERÍSTICA DE
TRANSFERÊNCIA DO JFET
Método Simplificado

▪ Solução:
Recorrendo à Tabela 1, obtemos a
solução pela Tabela 3.

Tabela 3 – VGS versus ID utilizando a equação de


Shockley (Dados Tabela 1) para o Exemplo 2.

VGS (V) ID (mA)


0 4
0,9 2
1,5 1 Figura 16 - Curva de transferência para o
Exemplo 2. 39
3 0
REGIÃO DE OPERAÇÃO

▪ A região ôhmica define os valores


mínimos permitidos de VDS para
cada valor de VGS, e VDSmáx
especifica o valor máximo desse
parâmetro.

▪ A corrente de saturação IDSS, que é


a corrente máxima de dreno, e o
valor máximo de dissipação de
potência definem a curva
desenhada do mesmo modo para
os transistores TBJ.

▪ A região sombreada resultante é


a região de operação normalmente
utilizada em um projeto de um Figura 17 – Região de operação normal para um
amplificador. projeto de um amplificador linear. 40
RELAÇÕES IMPORTANTES

(a) (b)

Figura 18 – (a) JFET versus (b) TBJ 41


RELAÇÕES IMPORTANTES

Tabela 4 – Relações importantes: JFET versus TBJ

JFET TBJ

42
POLARIZAÇÃO DO JFET

Equações Básicas

(3)

(4)

2
 
 VGS 
I D = I DSS 1− 
 V 
 P  43
POLARIZAÇÃO DO JFET – CONFIGURAÇÃO
COM POLARIZAÇÃO FIXA

CONFIGURAÇÃO COM POLARIZAÇÃO FIXA

▪ C1 e C2 : Capacitores de acoplamento.

▪ Capacitores de acoplamento são


“circuitos abertos” para análise CC
e baixas impedâncias (consideradas
curtos-circuitos) para análise CA.

▪ RG: Garantir que Vi apareça na


entrada do amplificador FET na
análise CA.

44
Figura 19 – Configuração com polarização fixa.
POLARIZAÇÃO DO JFET – CONFIGURAÇÃO
COM POLARIZAÇÃO FIXA

Circuito Equivalente CC

▪ Como IG = 0 A, VRG = 0 V, ou
seja, RG pode ser substituída
por um curto-circuito.

(5)
45
Figura 20 – Circuito para análise CC.
POLARIZAÇÃO DO JFET – CONFIGURAÇÃO
COM POLARIZAÇÃO FIXA

Circuito Equivalente CC

▪ Como IG = 0 A, VRG = 0 V, ou
seja, RG pode ser substituída
por um curto-circuito. (6)

▪ Os subscritos de uma única


letra indicam uma tensão
medida em um ponto em
relação ao terra.

▪ Logo:

(7)
46
Figura 20 – Circuito para análise CC.
POLARIZAÇÃO DO JFET – CONFIGURAÇÃO
COM POLARIZAÇÃO FIXA

Circuito Equivalente CC
▪ Utilizando a notação com
▪ Como IG = 0 A, VRG = 0 V, ou duplo subscrito, temos:
seja, RG pode ser substituída
por um curto-circuito.

ou

(8)

47
Figura 20 – Circuito para análise CC.
POLARIZAÇÃO DO JFET – CONFIGURAÇÃO
COM POLARIZAÇÃO FIXA

Circuito Equivalente CC

▪ Como IG = 0 A, VRG = 0 V, ou
seja, RG pode ser substituída
ou
por um curto-circuito.

(9)

48
Figura 20 – Circuito para análise CC.
POLARIZAÇÃO DO JFET – CONFIGURAÇÃO
COM POLARIZAÇÃO FIXA

Solução Gráfica
1º. Passo: Traçar a curva de transferência

2
 
 VGS 
I D = I DSS 1− 
 V 
 P 
VGS ID

0 IDSS
0,3VP IDSS/2
0,5VP IDSS/4
VP 0 mA 49
Figura 21 – Gráfico da equação de Shockley.
POLARIZAÇÃO DO JFET – CONFIGURAÇÃO
COM POLARIZAÇÃO FIXA

Solução Gráfica

Solução

Figura 22 – Solução para a configuração com polarização fixa. 50


POLARIZAÇÃO DO JFET

Medidas dos Pontos Quiescentes

51
Figura 23 - Medição dos valores quiescentes de ID e VGS.
POLARIZAÇÃO DO JFET – CONFIGURAÇÃO
COM POLARIZAÇÃO FIXA

▪ Exemplo 3:

Determine os seguintes parâmetros para o circuito da Figura


24, usando método matemático e método gráfico.

a) VGSQ d) VD
b) IDQ e) VG
c) VDS f) VS

52
POLARIZAÇÃO DO JFET – CONFIGURAÇÃO
COM POLARIZAÇÃO FIXA

▪ Solução:
➢ Método matemático
▪ Fazendo-se as substituições nas equações
definidas anteriormente, temos:
a)

Figura 24 - Exemplo 3: Polarização fixa.


Circuito para análise CC. 53
POLARIZAÇÃO DO JFET – CONFIGURAÇÃO
COM POLARIZAÇÃO FIXA

b)

Figura 24 - Exemplo 3: Polarização fixa. 54


Circuito para análise CC.
POLARIZAÇÃO DO JFET – CONFIGURAÇÃO
COM POLARIZAÇÃO FIXA

c)

Obs.: Substituir 𝑰𝑫 por 𝑰𝑫𝑸

Figura 24 - Exemplo 3: Polarização fixa. 55


Circuito para análise CC.
POLARIZAÇÃO DO JFET – CONFIGURAÇÃO
COM POLARIZAÇÃO FIXA

d)

Figura 24 - Exemplo 3: Polarização fixa. 56


Circuito para análise CC.
POLARIZAÇÃO DO JFET – CONFIGURAÇÃO
COM POLARIZAÇÃO FIXA

e)

Figura 24 - Exemplo 3: Polarização fixa. 57


Circuito para análise CC.
POLARIZAÇÃO DO JFET – CONFIGURAÇÃO
COM POLARIZAÇÃO FIXA

f)

Figura 24 - Exemplo 3: Polarização fixa. 58


Circuito para análise CC.
POLARIZAÇÃO DO JFET – CONFIGURAÇÃO
COM POLARIZAÇÃO FIXA

▪ Solução:
➢ Método Gráfico
1º. Passo: Traçar a curva de transferência.

▪ Esta curva é obtida através da equação de Shockley (1) e


fazendo-se uso da Tabela 1. Desta forma, obtemos a
Tabela 5 para o exemplo proposto, bem como o gráfico
dado na Figura 25 .

59
POLARIZAÇÃO DO JFET – CONFIGURAÇÃO
COM POLARIZAÇÃO FIXA

▪ Solução:
2º. Passo:
➢ Método Gráfico
- Após traçar a curva de
Tabela 5 - VGS versus ID utilizando a transferência, traça-se uma reta
equação de Shockley (Dados Tabela 1) vertical em VGSQ = - VGG = -2 V.
para o Exemplo 3.

VGS (V) ID (mA) - O ponto em que a reta


0 10 “tocar” à curva, encontra-se o
-2,4 5 valor correspondente de ID.
-4 2,5
-8 0 - Este “ponto” será o ponto
quiescente Q, correspondente à
corrente IDQ. 60
POLARIZAÇÃO DO JFET – CONFIGURAÇÃO
COM POLARIZAÇÃO FIXA

▪ Solução:
➢ Método gráfico

61
Figura 25 - Solução gráfica para o circuito da Figura 24.
POLARIZAÇÃO DO JFET – CONFIGURAÇÃO
COM POLARIZAÇÃO FIXA

▪ Solução:

➢ Método gráfico

▪ A curva resultante da equação de Shockley (1) e a


reta em VGS = -2 V são fornecidas na Figura 25.

62
POLARIZAÇÃO DO JFET – CONFIGURAÇÃO
COM POLARIZAÇÃO FIXA

▪ Solução:

➢ Método gráfico

▪ É certamente difícil obter uma precisão além da segunda


casa decimal sem aumentar significativamente o tamanho
da figura, mas uma solução de 5,6 mA do gráfico da Figura
25 é um valor bastante aceitável.

63
POLARIZAÇÃO DO JFET – CONFIGURAÇÃO
COM POLARIZAÇÃO FIXA

▪ Solução:

➢ Método gráfico
a) Portanto, 𝑽𝑮𝑺 = -𝑽𝑮𝑮

𝑽𝑮𝑺𝑸 = - 𝑽𝑮𝑮

𝑽𝑮𝑺𝑸 = -2 V

b) Obtendo-se 𝑰𝑫𝑸 pelo gráfico da Figura 25, temos:

𝑰𝑫𝑸 = 5,6 mA
64
POLARIZAÇÃO DO JFET – CONFIGURAÇÃO
COM POLARIZAÇÃO FIXA

▪ Solução:

➢ Método gráfico

c) Obs.: Substituir 𝑰𝑫 por 𝑰𝑫𝑸

65
POLARIZAÇÃO DO JFET – CONFIGURAÇÃO
COM POLARIZAÇÃO FIXA

▪ Solução:

➢ Método gráfico

d)

e) 𝑽𝑮 = 𝑽𝑮𝑺

𝑽𝑮 = -2 V
66
POLARIZAÇÃO DO JFET – CONFIGURAÇÃO
COM POLARIZAÇÃO FIXA

f) 𝑽𝑺 = 0 V

▪ Os resultados confirmam que os métodos gráfico e


matemático geram resultados bem parecidos.

67
POLARIZAÇÃO DO JFET – CONFIGURAÇÃO
COM AUTOPOLARIZAÇÃO

CONFIGURAÇÃO COM AUTOPOLARIZAÇÃO

▪ A configuração com autopolarização


elimina a necessidade de termos duas
fontes CC.

▪ A tensão de controle porta-fonte passa


a ser determinada pela tensão através
do resistor RS colocado no terminal de
fonte do JFET, como ilustrado na
Figura 26.

Figura 26 – Configuração de JFET com 68


autopolarização.
POLARIZAÇÃO DO JFET – CONFIGURAÇÃO
COM AUTOPOLARIZAÇÃO

CONFIGURAÇÃO COM AUTOPOLARIZAÇÃO

▪ Para a análise CC, novamente os


capacitores podem ser substituídos
por “circuitos abertos” e o resistor
RG pode ser substituído por um curto-
circuito equivalente, já que IG = 0 A.

▪ O resultado é o circuito da Figura 27


para a importante análise CC.

Figura 26 – Configuração de JFET com 69


autopolarização.
POLARIZAÇÃO DO JFET – CONFIGURAÇÃO
COM AUTOPOLARIZAÇÃO

Circuito Equivalente CC

▪ Para a malha fechada indicada na


Figura 27, temos:
−𝑽𝑮𝑺 − 𝑽𝑹𝑺 = 0
−𝑽𝑮𝑺 = 𝑽𝑹𝑺
ou
(10)
Figura 27 – Configuração de JFET com 70
autopolarização.
POLARIZAÇÃO DO JFET – CONFIGURAÇÃO
COM AUTOPOLARIZAÇÃO

Circuito Equivalente CC
▪ Observe, nesse caso, que 𝑽𝑮𝑺 é
função da corrente de saída 𝑰𝑫 e não
tem mais amplitude constante como
ocorria para a configuração com
polarização fixa.
▪ Para a obtenção do método gráfico,
requer que primeiro se estabeleça a
curva de transferência do dispositivo,
como que aparece na Figura 28.

▪ Para a equação (10), um ponto de


reta é definido por 𝑰𝑫 = 0 e 𝑽𝑮𝑺 = 0 V,
Figura 27 – Configuração de JFET com como mostra a Figura 28. 71
autopolarização.
POLARIZAÇÃO DO JFET – CONFIGURAÇÃO
COM AUTOPOLARIZAÇÃO

Circuito Equivalente CC

Figura 27 – Configuração de JFET com Figura 28 – Definição de um ponto 72


autopolarização. na reta de autopolarização.
POLARIZAÇÃO DO JFET – CONFIGURAÇÃO
COM AUTOPOLARIZAÇÃO

Circuito Equivalente CC

▪ O segundo ponto para a equação


(10) requer que seja selecionado
um valor de 𝑽𝑮𝑺 ou de 𝑰𝑫 e que o
valor correspondente da outra
variável seja determinado pela
equação (10).
▪ Os valores correspondentes de 𝑰𝑫 e
𝑽𝑮𝑺 definirão outro ponto da reta
que permitirão o seu traçado.
▪ Suponhamos, por exemplo, que 𝑰𝑫
seja à metade do nível de
Figura 27 – Configuração de JFET com saturação, isto é: 73
autopolarização.
POLARIZAÇÃO DO JFET – CONFIGURAÇÃO
COM AUTOPOLARIZAÇÃO

Circuito Equivalente CC
𝑰𝑫𝑺𝑺
𝑰𝑫 =
𝟐
▪ Então, substituindo-se a equação de 𝑰𝑫
dada anteriormente, na equação (10),
temos que:

Figura 27 – Configuração de JFET com 74


autopolarização.
POLARIZAÇÃO DO JFET – CONFIGURAÇÃO
COM AUTOPOLARIZAÇÃO

Circuito Equivalente CC
▪ O resultado é o segundo ponto na
reta traçada da Figura 28. A linha
reta definida pela equação (10) é
traçada e o ponto quiescente é
obtido pela interseção da reta com a
curva característica do dispositivo.

▪ Os valores quiescentes de 𝑰𝑫 e 𝑽𝑮𝑺


podem, então, ser determinados e
utilizados para que sejam
encontrados outros parâmetros que
interessam. A Figura 29, ilustra a
Figura 27 – Configuração de JFET marcação do ponto quiescente no
75
com autopolarização. gráfico.
POLARIZAÇÃO DO JFET – CONFIGURAÇÃO
COM AUTOPOLARIZAÇÃO

Circuito Equivalente CC
Solução Gráfica:
2
 
 VGS 
I D = I DSS 1− 
 V 
 P 

Figura 29 – Esboço da reta de


autopolarização.
Figura 27 – Configuração de JFET com
76
autopolarização.
POLARIZAÇÃO DO JFET – CONFIGURAÇÃO
COM AUTOPOLARIZAÇÃO

Circuito Equivalente CC

Figura 27 – Configuração de JFET com


autopolarização. (11) 77
POLARIZAÇÃO DO JFET – CONFIGURAÇÃO
COM AUTOPOLARIZAÇÃO

Circuito Equivalente CC
▪ Além disso, temos que:

(12)

(13)

(14)

Figura 27 – Configuração de JFET com


78
autopolarização.
POLARIZAÇÃO DO JFET – CONFIGURAÇÃO
COM AUTOPOLARIZAÇÃO

▪ Exemplo 4:
Determinemos seguintes parâmetros para o
Circuito da Figura 30:

a) VGSQ
b) IDQ
c) VDS
d) VS
e) VG
f) VD

Figura 30 – Exemplo 4: Análise CC da


configuração com autopolarização. 79
POLARIZAÇÃO DO JFET – CONFIGURAÇÃO
COM AUTOPOLARIZAÇÃO

▪ Exemplo 4:
Solução:

- Traçar a curva de transferência

Tabela 6 - VGS versus ID utilizando a


equação de Shockley (parâmetros da
Tabela 1) para o Exemplo 4.

VGS (V) ID (mA) VGS (V) ID (mA)


0 8 0 0
-1,8 4 -4 4
-3 2 -6 6
-6 0 -8 8 80
POLARIZAÇÃO DO JFET – CONFIGURAÇÃO
COM AUTOPOLARIZAÇÃO

▪ Exemplo 4:
Solução:

- Com os dados obtidos na tabela 6 e 7,


teremos respectivamente o gráfico da
curva de transferência e a reta para
determinação dos pontos quiescentes,
VGSQ e IDQ, conforme Figura 31.

a) VGSQ = -2,6 V

b) IDQ = 2,6 mA Figura 31 – Determinação do ponto


Q para o circuito do exemplo 4.
81
POLARIZAÇÃO DO JFET – CONFIGURAÇÃO
COM AUTOPOLARIZAÇÃO

▪ Exemplo 4:
Solução:

c) VDS = VDD – ID (RS + RD) Obs.: Substituir 𝑰𝑫 por 𝑰𝑫𝑸

VDS = 20 – (2,6 x 10-3)(1000 + 3300)

VDS = 20 – 11,18

VDS = 8,82 V

82
POLARIZAÇÃO DO JFET – CONFIGURAÇÃO
COM AUTOPOLARIZAÇÃO

▪ Exemplo 4:
Solução:

d) VS = ID RS Obs.: Substituir 𝑰𝑫 por 𝑰𝑫𝑸

VS = (2,6 x 10-3)(1000)

VS = 2,6 V

e) VG = 0 V

83
POLARIZAÇÃO DO JFET – CONFIGURAÇÃO
COM AUTOPOLARIZAÇÃO

▪ Exemplo 4:
Solução:

f) VD = VDS + VS

VD = 8,82 + 2,6

VD = 11,42 V

84
POLARIZAÇÃO DO JFET – POLARIZAÇÃO
POR DIVISOR DE TENSÃO

POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO

▪ A polarização por divisor de


tensão aplicada aos
amplificadores com TBJ,
também é aplicada aos
amplificadores com FET, com a
diferença do valor de IB (IG no
caso dos FETs) não influencia no
cálculo da tensão na porta. O
circuito da Figura 32 mostra
esse tipo de configuração.

Figura 32 – Configuração da polarização de


85
tensão.
POLARIZAÇÃO DO JFET – POLARIZAÇÃO
POR DIVISOR DE TENSÃO

Circuito Equivalente CC
▪ Observe que todos os capacitores
foram substituídos por um
“circuito aberto” equivalente.
Além disso, a fonte VDD foi
separada em duas fontes
equivalentes para permitir a
distinção entre a malha de entrada
e a de saída do circuito. Uma vez
que IG = 0 A, a lei das correntes de
Kirchhoff permite afirmar que
IR1= IR2 e o circuito equivalente-
série pode ser utilizado para
determinar VG, que é igual à
Figura 33 – Circuito redesenhado da tensão através de R2, determinada
86
Figura 32 para análise CC. por:
POLARIZAÇÃO DO JFET – POLARIZAÇÃO
POR DIVISOR DE TENSÃO

Circuito Equivalente CC

(15)

▪ Aplicando a Lei de Kirchhoff no


sentido horário na malha indicada
na Figura 33, temos:

Figura 33 – Circuito redesenhado da


87
Figura 32 para análise CC.
POLARIZAÇÃO DO JFET – POLARIZAÇÃO
POR DIVISOR DE TENSÃO

Circuito Equivalente CC
▪ Substituindo 𝑽𝑹𝑺 = 𝑰𝑺 𝑹𝑺 = 𝑰𝑫 𝑹𝑺 ,
temos:
(16)

(17)

(18)

Figura 33 – Circuito redesenhado da (19) 88


Figura 32 para análise CC.
POLARIZAÇÃO DO JFET – POLARIZAÇÃO
POR DIVISOR DE TENSÃO

Circuito Equivalente CC

(20)

Figura 33 – Circuito redesenhado da


89
Figura 32 para análise CC.
POLARIZAÇÃO DO JFET – POLARIZAÇÃO
POR DIVISOR DE TENSÃO

Solução Gráfica
▪ Os pontos da reta são
obtidos através das
equações (17) e (18).

Figura 34 – Esboço da equação do circuito para a


configuração com divisor de tensão.
90
POLARIZAÇÃO DO JFET – POLARIZAÇÃO
POR DIVISOR DE TENSÃO

Solução Gráfica
▪ Visto que a interseção no eixo vertical é
determinada por ID = VG /RS e que VG é
fixo devido ao circuito de entrada,
valores crescentes de RS reduzem o valor
de ID na interseção, como mostrado na
Figura 35. Essa Figura deixa claro que:

Valores crescentes de RS, resultam em


menores valores quiescentes de ID e em
valores mais negativos de VGS.

Figura 35 – Efeito de RS no ponto Q resultante.


91
POLARIZAÇÃO DO JFET – POLARIZAÇÃO
POR DIVISOR DE TENSÃO

▪ Exemplo 5:
Determinemos seguintes parâmetros para
o circuito da Figura 26:

a) IDQ e VGSQ
b) VD
c) VS
d) VDS
e) VDG

Figura 36 – Exemplo 5: Configuração da


polarização por divisor de tensão. 92
POLARIZAÇÃO DO JFET – POLARIZAÇÃO
POR DIVISOR DE TENSÃO

▪ Exemplo 5:

Solução:

- Traçar a curva de transferência

Tabela 8 - VGS versus ID utilizando a


equação de Shockley (parâmetros da (𝟐𝟕𝟎.𝟎𝟎𝟎)×(𝟏𝟔)
Tabela 1) para o Exemplo 5.
𝑽𝑮 =
(𝟐.𝟏𝟎𝟎.𝟎𝟎𝟎+𝟐𝟕𝟎.𝟎𝟎𝟎)

VGS (V) ID (mA)


0 8
-1,2 4
-2 2
-4 0 93
POLARIZAÇÃO DO JFET – POLARIZAÇÃO
POR DIVISOR DE TENSÃO

Solução:

94
POLARIZAÇÃO DO JFET – POLARIZAÇÃO
POR DIVISOR DE TENSÃO

▪ Exemplo 5:

Solução:

- Com os dados da Tabela 8, levantamos a curva de transferência


e com os pontos de VGS e ID, traçamos a reta que interceptará a
curva de transferência para a obtenção dos pontos quiescentes.

- Desta forma a Figura 37 ilustra o gráfico da curva de


transferência e da reta obtida para a determinação dos pontos
95
quiescentes.
POLARIZAÇÃO DO JFET – POLARIZAÇÃO
POR DIVISOR DE TENSÃO

Solução:

a) Logo, através do gráfico


da Figura 37, temos:

Figura 37 – Determinação do ponto Q


para o circuito do exemplo 5. 96
POLARIZAÇÃO DO JFET – POLARIZAÇÃO
POR DIVISOR DE TENSÃO

▪ Exemplo 5:

Solução:

Obs.: Substituir 𝑰𝑫 por 𝑰𝑫𝑸


b)

97
POLARIZAÇÃO DO JFET – POLARIZAÇÃO
POR DIVISOR DE TENSÃO

▪ Exemplo 5:

Solução:

c)
Obs.: Substituir 𝑰𝑫 por 𝑰𝑫𝑸

d)

𝑽𝑫𝑺 = 𝟔, 𝟔𝟒 V 98
POLARIZAÇÃO DO JFET – POLARIZAÇÃO
POR DIVISOR DE TENSÃO

▪ Exemplo 5:

Solução:

e)

𝑽𝑫𝑮 = 𝟖, 𝟒𝟐 𝐕 99
REFERÊNCIA
BIBLIOGRÁFICA

- Dispositivos eletrônicos e teoria de


circuitos.
R. L. Boylestad, L. Nashelsky.
11a. ed. Editora Pearson Prentice Hall.

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