UNIVERSIDAD

TECNOLÓGICA DE PANAMÁ

Sede – Azuero

Facultad de Ingeniería Eléctrica

Ingeniería Electromecánica

I Semestre

Grupo 7IE131

Informe # 3
“TRANSISTOR BJT”

Integrantes:

Luis Núñez 7-703-2027

Jesus Abrego 7-710-107
Facilitador:

2018
 INTRODUCCIÓN

Los transistores en general son componentes diseñados primariamente para ser

utilizados como amplificadores, es decir para controlar corriente grandes a partir de
corrientes o voltajes pequeños. Esta operación se denomina amplificación. También se
utilizan como interruptores electrónicos, es decir para permitir o bloquear el paso de
corriente sin acciones mecánicas.

Los transistores, inventados en 1948, son los dispositivos electrónicos más importantes en
la actualidad y los que iniciaron en firme la revolución electrónica de la cuál somos testigos
y desde ahora partícipes. Pueden venir con componentes sueltos o discretos o estar
incorporados en circuitos integrados, los cuales pueden llegar a contener varios cientos de
miles de ellos en un espacio muy reducido. Los transistores pueden ser básicamente de dos
tipos: bipolares o de unión y unipolares o de efecto de campo. En el siguiente informe nos
ocuparemos de los transistores bipolares o de unión (BJT). Los mismos fueron
desarrollados en los años 60 y fue el primer dispositivo utilizado para amplificar señales.
Estos consisten en un cristal de silicio(o germanio) al cual se le han agregado impurezas, de
modo tal que queda intercalada una capa de silicio tipo p (o tipo n) entre dos capas de
silicio tipo n (o tipo p); en pocas palabras están físicamente formados por 3 capas
alternadas de silicio tipos P y N y poseen externamente 3 terminales de conexión llamados
emisor (E), base (B) y colector (C). La base actúa como terminal de control. Dependiendo
de la forma como se alternen las capas P y N, pueden ser de dos tipos, llamados
transistores NPN y transistores PNP. Se le llama bipolar porque la carga en el dispositivo
es transportada por dos portadores de diferente polaridad (huecos y electrones).

El transistor debe polarizarse para iniciar apropiadamente el flujo de corriente.

También el transistor puede describirse mediante dos características: una de entrada y una
de salida.
 OBJETIVOS

 Identificar al transistor como un dispositivo semiconductor, cuyo funcionamiento depende

del tipo de configuración de polarización en que se conecte

Objetivos particulares

 Identificar las terminales del transistor bipolar (Emisor, Colector y Base)

 Analizar el funcionamiento del transistor en configuración base común.

Materiales

 Transistor
 Multímetro
 Multisim
EXPERIMENTO 1

Con el multímetro identifique las terminales y el tipo de transistor de los solicitados en la

práctica, posteriormente dibuje cada terminal como lo muestra la figura 1.
EXPERIMENTO 2

TRANSISTOR REGIÓN CORTE Y SATURACIÓN

vcc
10V

R1
4kΩ

R2 Q1
2N2222
220KΩ
V1
8V

Figura 1.
a) Construya el circuito de la figura 1.
b) Con el Multímetro mida el valor del voltaje VBE, el valor del voltaje de salida
VCE, el voltaje VBC y las corrientes IB e IC.

c) Realice los cálculos en punto de de corte y punto de saturación para cada malla,
encuentre Icq e Vceq y grafique.

Cálculos

Región Corte

10 V
∑𝑇 = 0
−10 𝑉 + 𝑉𝐶𝐸 = 0
𝑉𝐶𝐸 = 10 𝑉

VCE
 Saturación

10 V
10 𝑉
𝐼𝐶𝑀𝐴𝑋 =
4 𝐾Ω
𝐼𝐶𝑀𝐴𝑋 = 2.5 𝑚𝐴

Malla en la Base

IB

−8 + 220 𝐾Ω ∗ IB + 0.70 = 0
𝐼𝐵 = 33.2 𝜇𝐴

𝐼𝑐
𝛽=
𝐼𝐵

2.5 𝑚𝐴
𝛽=
33.2 𝜇𝐴

𝛽 = 75
 Gráfica

d) Anote sus lecturas y haga sus observaciones.

Los datos medidos en el simulador para la ICMAX , IB y el VCE concuerda con los cálculos
matemáticos para las mismas variables utilizando la ley de tensión de Kircchhoff para mallas,
además a pesar que el simulador nos dice que la ganancia máxima del transistor usado es 200 al
calcular la misma matemáticamente con la formula de ganancia nos damos cuenta que no está
utilizando todo la ganancia que dice el simulador .
También se puede observar que la corriente de base es mucha mas pequeña que la corriente del
colector.
EXPERIMENTO 3

VCC
10V
R1
1kΩ

LED1

S1
R2 Q1
Key = A 2N2222A
4kΩ
XFG1
COM

R3
220Ω

figura 2
a) Construye el circuito que se muestra en la figura 2.

b) Calcule el valor de las resistencias de polarización RC y RB.

c) Alimente el circuito con el generador de señales ajustándolo a una onda tipo cuadrada de
3 Hz de frecuencia y un valor de amplitud de 7 volts pico a pico.
d) Partiendo de la frecuencia de 3 Hz realice incrementos en el orden de 10 Hz hasta un
valor de 100 Hz.
e) Con el osciloscopio, para cada incremento de la frecuencia, observe y mida el voltaje de
salida colector emisor, observe el comportamiento del LED y explique lo que sucede.
f) Con el Multímetro mida los voltajes VBE, Vc y las corrientes IB e IC para cada
incremento de frecuencia.

CUESTIONARIO

1. Indique en que sección de las curvas de operación del transistor se encuentran las
zonas de saturación y de corte.

2. Explique porque en cada una de las curvas de operación del transistor existe una
relación de voltaje con respecto a la corriente.

3. Indique cuales son los parámetros que se deben considerar para variar la región de
trabajo en un transistor.
Respuesta: para variar la región de trabajo en un transistor podemos mencionar que
la recta de carga va a depender del voltaje y las resistencia, también se debe
considerar el valor de la resistencia de base ya que de ella depende la corriente de
base.
4. Explique a que se le denomina corriente de fuga en un transistor.
Respuesta: es una pequeña corriente que tienen entre colector y emisor sin poner
señal en la base, normalmente es pequeñísima.

5. De las corrientes que circulan a través del transistor, ¿Cuál es la mayor, cual es la menor
y cuales son relativamente cercanas en magnitud?
Respuesta: la corriente mayor es la corriente del emisor pues es la suma de la
corriente de base y de la corriente del colector, luego le sigue la corriente de
colector y la menor corriente es la de base.

6. Explique cuál es la utilidad de conocer los puntos de operación del transistor.

Respuesta: la utilidad de conocer el punto de operación del transistor es que esta una
propiedad muy importante y fundamental utilizada para el diseño de transistores.

7. Explique en que consiste polarizar correctamente al transistor y mencione cuantas

configuraciones de polarización se pueden realizar.