Documenti di Didattica
Documenti di Professioni
Documenti di Cultura
Objetivo...........................................................................................................................02
Introdução........................................................................................................................03
Tipos de memórias...........................................................................................................04
Memória Rom..................................................................................................................07
Cãs e Rãs.........................................................................................................................11
Outros parâmetros............................................................................................................14
Voltagem.........................................................................................................................15
SPD..................................................................................................................................15
Detecção de erros.............................................................................................................16
Tipos de encapsulamentos...............................................................................................17
Conclusão........................................................................................................................24
1
Objetivo
2
Introdução
Há, duas categorias de memórias: ROM (Read-Only Memory), que permite apenas a
leitura dos dados não perde informação na ausência de energia; e RAM (Random-
Access Memory), que permite ao processador tanto a leitura quanto a gravação de dados
3
TIPOS DE MEMÓRIAS
Memórias voláteis
São as que requerem energia para manter a informação armazenada. São fabricadas
Memória dinâmica
computadores e são aquelas que foram popularizadas como memórias RAM. Este
atributo vem do nome inglês Randomic Acess Memory (memória de acesso aleatório),
que significa que os dados nela armazenados podem ser acessados a partir de qualquer
que qualquer acesso seja feito a iniciar pelo primeiro endereço e, seqüencialmente, vai
de acesso aleatório nos computadores, inclusive não voláteis, portanto, é importante ter
to da execução.
4
O nome dinâmica é referente à tecnologia utilizada para armazenar programas e dados e
não à forma de acessá-los. De modo simplista ela funciona como uma bateria que deve
ser recarregada sempre que apresentar carga insuficiente para alimentar o equipamento.
Todas as vezes que a CPU for acessar a memória, para escrita ou para leitura, de cada
célula dessa memória é atualizada. Se ela tem 1 lógico armazenado, sua “bateria” será
São aquelas que guardam todas as informações mesmo quando não estiverem a receber
disquetes. As memórias somente para leitura, do tipo ROM (sigla de Read Only
Memory), permitem o acesso aleatório e são conhecidas pelo fato de o usuário não
poder alterar o seu conteúdo. Para gravar uma memória deste tipo são necessários
5
Pode ser gravada ou regravada por meio de um
equipamento que fornece as voltagens adequadas em cada
Erasable Programable Read Only
pino. Para apagar os dados nela contidos, basta iluminar o
EPROM Memory (memória programável e
chip com raios ultravioleta. Isto pode ser feito através de
apagável somente de leitura)
uma pequena janela de cristal presente no circuito
integrado.
A Flash é anterior a FeRAM, mas é uma variação do tipo Eprom. Tornaram-se muito
Sua gravação é feita em geral através da porta USB que fornece 5 Volts para
alimentação.
seu tamanho reduzido a cada dia. O disco rígido é o meio mais comum neste tipo de
memória, mas os disquetes ainda ocupam uma pequena parcela do mercado. Não é tão
Memória ROM
nome porque os dados são gravados nelas apenas uma vez. Depois disso, essas
informações não podem ser apagadas ou alteradas, apenas lidas pelo computador,
6
exceto por meio de procedimentos especiais. Outra característica das memórias ROM é
que elas são do tipo não voláteis, isto é, os dados gravados não são perdidos na ausência
Uma grande perspectiva para as Flash Rom é a possibilidade de um dia esta memória
poder substituir de vez os tão usados discos rígidos, mas isto ainda não é possível, pois
as memórias flash embora possam comportar diversos dados, ainda possuem capacidade
A memória rom de seu micro é responsável pela a BIOS sistema que é responsável por
"acordar" todos seus componentes e também pelo auto-teste responsável por fazer testes
memória ROM. A gravação de dados neste tipo é realizada por meio de aparelhos que
trabalham através de uma reação física com elementos elétricos. Uma vez que isso
ocorre, os dados gravados na memória PROM não podem ser apagados ou alterados;
dispositivo. Isso é feito com o auxílio de um componente que emite luz ultravioleta.
Nesse processo, os dados gravados precisam ser apagados por completo. Somente
acontece com as memórias EPROM, os processos para apagar e gravar dados são feitos
eletricamente, fazendo com que não seja necessário mover o dispositivo de seu lugar
7
EAROM (Electrically-Alterable Programmable Read-Only Memory): essas memórias
podem ser vistas como um tipo de EEPROM. Sua principal característica é o fato de
que os dados gravados podem ser alterados aos poucos, razão pela qual esse tipo é
Flash essas memórias também podem ser vistas como um tipo de EEPROM, no
memórias Flash são mais duráveis e podem guardar um volume elevado de dados. É
possível saber mais sobre esse tipo de memória no artigo Cartões de memória Flash.
CD-ROM, DVD-ROM e afins: essa é uma categoria de discos ópticos onde os dados
são gravados apenas uma vez, seja de fábrica, como os CDs de músicas, ou com dados
próprios do usuário, quando o próprio efetua a gravação. Há também uma categoria que
pode ser comparada ao tipo EEPROM, pois permite a regravação de dados: CD-RW e
DVD-RW e afins.
A memória ROM está presente em qualquer dispositivo digital, como por exemplo um
em algum lugar para carregar suas funções básicas e/ou principais de uma forma que
8
O uso da memória ROM vêm aumentando conforme surgem novas tecnologias, além de
serem portadores de firmwares, hoje utilizam-se memórias flash (que também são
Memórias RAM
constituem uma das partes mais importantes dos computadores, pois são nelas que o
processador armazena os dados com os quais está lidando. Esse tipo de memória tem
memória volátil.
Há dois tipos de tecnologia de memória RAM que são muitos utilizados: estático e
SRAM (Static Random-Access Memory - RAM Estática): esse tipo é muito mais rápido
que as memórias DRAM, porém armazena menos dados e possui preço elevado se
considerarmos o custo por megabyte. Memórias SRAM costumam ser utilizadas como
cachê.
entanto, o acesso a essas informações costuma ser mais lento que o acesso às memórias
estáticas. Esse tipo também costuma ter preço bem menor quando comparado ao tipo
estático;
memória MRAM vem sendo estudada há tempos, mas somente nos últimos anos é que
9
as primeiras unidades surgiram. Trata-se de um tipo de memória até certo ponto
semelhante à DRAM, mas que utiliza células magnéticas. Graças a isso, essas memórias
consomem menor quantidade de energia, são mais rápidas e armazenam dados por um
longo tempo, mesmo na ausência de energia elétrica. O problema das memórias MRAM
é que elas armazenam pouca quantidade de dados e são muito caras, portanto, pouco
As memórias DRAM são formadas por chips que contém uma quantidade elevadíssima
uma célula de memória. O primeiro tem a função de armazenar corrente elétrica por um
regravar o conteúdo da célula de tempos em tempos. Note que esse processo é realizado
A memória SRAM, por sua vez, é bastante diferente da DRAM e o principal motivo
para isso é o fato de que utiliza seis transistores (ou quatro transistores e dois resistores)
para formar uma célula de memória. Na verdade, dois transistores ficam responsáveis
pela tarefa de controle, enquanto que os demais ficam responsáveis pelo armazenamento
10
A vantagem desse esquema é que o refere acaba não sendo necessário, fazendo com que
a memória SRAM seja mais rápida e consuma menos energia. Por outro lado, como sua
fabricação é mais complexa e requer mais componentes, o seu custo acaba sendo
baseado somente nesse tipo. É por isso que sua utilização mais comum é como casch,
Como as memórias DRAM são mais comuns, eles serão o foco deste texto a partir deste
ponto.
CAS e RAS
portanto, a todo momento, operações de gravação, eliminação e acesso aos dados são
uma espécie de matriz, ou seja, são orientadas em um esquema que lembra linhas e
obtém o seu valor de coluna, ou seja, o valor RAS (Row Address Strobe) e o seu valor
11
Temporização e latência das memórias
memória gasta com as operações de leitura e escrita. Em geral, quanto menor esse
Para que você possa entender, tomemos como exemplo um módulo de memória que
informa os seguintes valores em relação à latência: 5-4-4-15-1T. Esse valor está escrito
significa:
tCL (CAS Latency): quando uma operação de leitura de memória é iniciada, sinais são
se a operação é de leitura ou escrita (CS - Chip Select) e assim por diante. O parâmetro
CAS Latency indica, em ciclos de clock (saiba mais sobre clock nesta matéria sobre
um dado pelo processador e a entrega deste pela memória. Assim, no caso do nosso
tRCD (RAS to CAS Delay): esse parâmetro indica, também em ciclos de clock, o
12
tRP (RAS Precharge): intervalo em clocks que informa o tempo gasto entre desativar o
acesso a uma linha e ativar o acesso a outra. Em nosso exemplo, esse valor é de 4 ciclos;
clocks, necessário entre um comando de ativar linha e a próxima ação do mesmo tipo.
acesso das memórias. Note que, quando falamos disso, nos referimos ao
tempo que a memória leva para fornecer os dados requisitados. O que não
foi dito acima é que esse tempo é medido em nanossegundos (ns), isto é, 1
Assim, para se ter uma noção de qual é a frequência máxima utilizada pela
1000/15=66.
13
O que cada um significa:
- tRC (Row Cycle): consiste no tempo necessário para que se complete um ciclo de
- tRFC (Row Refresh Cycle): consiste no tempo necessário para a execução dos ciclos
de refresh da memória;
- tRRD (Row To Row Delay): semelhante ao tRP, mas considera o tempo que o
controlador necesita esperar após uma nova linha ter sido ativada;
memória comece a efetuar uma operação de escrita após realizar uma operação do
mesmo tipo;
- tWTR (Write to Read Delay): consiste no tempo necessário para que o controlador de
memória comece a executar operações de leitura após efetuar uma operação de escrita;
- tRTP (Read to Precharge Delay): indica o tempo necessário entre uma operação de
Outros parâmetros
Algumas placas-mãe atuais ou direcionadas ao público que faz overclock (em poucas
palavras, prática onde dispositivos de hardware são ajustados para que trabalhem além
14
acima. Geralmente, estes parâmetros adicionais são informados da seguinte forma: tRC-
ciclos de clock.
Voltagem
(tecnologia que ainda será abordada neste texto), em geral, exigem entre 1,8 V e 2,5 V.
É possível encontrar pentes de memória DDR3 (padrão que também será abordado
neste artigo) cuja exigência é de 1,5 V. Módulos de memória antigos exigiam cerca de 5
V.
memórias aumentando sua voltagem. Com esse ajuste, quando dentro de certos limites,
etc.
15
Chip SPD
Muitas placas-mãe contam com um setup de BIOS que permite uma série de ajustes de
memória, no entanto, quem não quiser ter esse trabalho, pode manter a configuração
padrão. Algumas vezes, essa configuração é indicada por algo relacionado ao SPD,
Detecção de erros
falhas essas que podem ter várias causas. Esses recursos são especialmente úteis em
Um desses mecanismos é a paridade, capaz apenas de ajudar a detectar erros, mas não
1 byte corresponde a 8 bits). Esse bit assume o valor 1 se a quantidade de bits 1 do byte
for par e assume o valor 0 (zero) se a referida quantidade por ímpar (o contrário também
pode acontecer: 1 para ímpar e 0 para par). Quando a leitura de dados for feita, um
16
A paridade, no entanto, pode não ser tão precisa, pois um erro em dois bits, por
exemplo, pode fazer com que o bit de paridade corresponda à quantidade par ou ímpar
de bits 1 do byte. Assim, para aplicações que exigem alta precisão dos dados, pode-se
contar com memórias que tenham ECC (Error Checking and Correction), um
Eis uma breve descrição dos tipos de encapsulamento mais utilizados pela indústria:
memórias, sendo especialmente popular nas épocas dos computadores XT e 286. Como
sua colagem através de solda em placas pode ser feita facilmente de forma manual;
Encapsulamento DIP
SOJ (Small Outline J-Lead): esse encapsulamento recebe este nome porque seus
terminais de contato lembram a letra 'J'. Foi bastante utilizado em módulos SIMM
17
(vistos mais à frente) e sua forma de fixação em placas é feita através de solda, não
Encapsulamento SOJ
TSOP (Thin Small Outline Package): tipo de encapsulamento cuja espessura é bastante
reduzida em relação aos padrões citados anteriormente (cerca de 1/3 menor que o SOJ).
Por conta disso, seus terminais de contato são menores, além de mais finos, diminuindo
memória SDRAM e DDR (que serão abordados adiante). Há uma variação desse
encapsulamento chamado STSOP (Shrink Thin Small Outline Package) que é ainda
mais fino;
Encapsulamento TSOP
CSP (Chip Scale Package): mais recente, o encapsulamento CSP se destaca por ser
"fino" e por não utilizar pinos de contato que lembram as tradicionais "perninhas". Ao
invés disso, utiliza um tipo de encaixe chamado BGA (Ball Grid Array). Esse tipo é
18
Encapsulamento CSP
Módulos de memória
Entendemos como módulo ou, ainda, pente, uma pequena placa onde são instalados os
encaixes (slots) específicos para isso. Eis uma breve descrição dos tipos mais comuns
de módulos:
SIPP (Single In-Line Pins Package): é um dos primeiros tipos de módulos que chegaram
ao mercado. É formato por chips com encapsulamento DIP. Em geral, esses módulos
SIMM (Single In-Line Memory Module): módulos deste tipo não eram soldados, mas
de 30 vias) e era formada por um conjunto de 8 chips (ou 9, para paridade). Com isso,
podiam transferir um byte por ciclo de clock. Posteriormente surgiu uma versão com 72
pinos (SIMM de 72 vias), portanto, maior e capaz de transferir 32 bits por vez. Módulos
SIMM de 30 vias podiam ser encontrados com capacidades que iam de 1 MB a 16 MB.
Módulos SIMM de 72 vias, por sua vez, eram comumente encontrados com capacidades
19
DIMM (Double In-Line Memory Module): os módulos DIMM levam esse nome por
bits por vez. A primeira versão - aplicada em memória SDR SDRAM - tinha 168 pinos.
módulos de 240 vias, utilizados em módulos DDR2 e DDR3. Existe um padrão DIMM
de tamanho reduzido chamado SODIMM (Small Outline DIMM), que são utilizados
RIMM (Rambus In-Line Memory Module): formado por 168 vias, esse módulo é
utilizado pelas memórias Rambus, que serão abordadas ainda neste artigo. Um fato
RIMM).
Tecnologias de memórias
Várias tecnologias de memórias foram (e são) criadas com o passar do tempo. É graças
a isso que, periodicamente, encontramos memórias mais rápidas, com maior capacidade
e até memórias que exigem cada vez menos energia. Eis uma breve descrição dos
20
FPM (Fast-Page Mode): uma das primeiras tecnologias de memória RAM. Com o FPM,
a primeira leitura da memória tem um tempo de acesso maior que as leituras seguintes.
Isso porque são feitos, na verdade, quatro operações de leitura seguidas, ao invés de
primeira leitura acaba sendo mais demorada, mas as três seguintes são mais rápidas.
Isso porque o controlador de memória trabalha apenas uma vez com o endereço de uma
linha (RAS) e, em seguida, trabalha com uma sequência de quatro colunas (CAS), ao
invés de trabalhar com um sinal de RAS e um de CAS para cada bit. Memórias FPM
EDO (Extended Data Output): a sucessora da tecnologia FPM é a EDO, que possui
mesmo tempo em que uma solicitação anterior ainda está em andamento. Esse tipo foi
módulos DIMM de 168 vias. Houve também uma tecnologia semelhante, chamada
BEDO (Burst EDO), que trabalhava mais rapidamente por ter tempo de acesso menor,
mas quase não foi utilizada, pois tinha custo maior por ser de propriedade da empresa
são assíncronas, o que significa que não trabalham de forma sincronizada com o
processador. O problema é que, com processadores cada vez mais rápidos, isso
começou a se tornar um problema, pois muitas vezes o processador tinha que esperar
21
demais para ter acesso aos dados da memória. As memórias SDRAM, por sua vez,
trabalha para medida de velocidade. Surgiam então as memórias SDR SDRAM (Single
Data Rate SDRAM), que podiam trabalhar com 66 MHz, 100 MHz e 133 MHz
referem a essa memória apenas como "memórias SDRAM" ou, ainda, como "memórias
DIMM", por causa de seu módulo. No entanto, a denominação SDR é a mais adequada;
DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM): as memórias DDR apresentam evolução
significativa em relação ao padrão SDR, isso porque elas são capazes de lidar com o
dobro de dados em cada ciclo de clock (memórias SDR trabalham apenas com uma
operação por ciclo). Assim, uma memória DDR que trabalha à frequência de 100 MHz,
por exemplo, acaba dobrando seu desempenho, como se trabalhasse à taxa de 200 MHz.
este último contém duas divisões na parte inferior, onde estão seus contatos, enquanto
DDR2 SDRAM: como o nome indica, as memórias DDR2 são uma evolução das
operações por ciclo de clock, portanto, o dobro do padrão anterior. Os módulos DDR2
22
também contam com apenas uma divisão em sua parte inferior, no entanto, essa abertura
Memória DDR2 acima e DDR abaixo note que a posição da divisão entre os terminais
de contato é diferente.
DDR3 SDRAM: as memórias DDR3 são, obviamente, uma evolução das memórias
DDR2. Novamente, aqui dobra-se a quantidade de operações por ciclo de clock, desta
vez, de oito. Na época de fechamento deste artigo, as memórias DDR3 ainda não eram
muito populares.
Rambus (Rambus DRAM): as memórias Rambus recebem esse nome por serem uma
criação da empresa Rambus Inc. e chegaram ao mercado com o apoio da Intel. Elas são
diferentes do padrão SDRAM, pois trabalham apenas com 16 bits por vez. Em
compensação, memórias Rambus trabalham com frequência de 400 MHz e com duas
operações por ciclo de clock. Tinham como desvantagens, no entanto, taxas de latência
muito altas, aquecimento elevado e maior custo. Memórias Rambus nunca tiveram
grande aceitação no mercado, mas também não foram um total fiasco: foram utilizadas,
trabalham em pares com "módulos vazios" ou "pentes cegos". Isso significa que, para
cada módulo Rambus instalado, um "módulo vazio" tem que ser instalado em outro slot.
23
Conclusão:
Pode-se concluir que com o passar do tempo, a evolução das tecnologias de memórias
não somente as tornam mais rápidas e eficiente, mas também faz com que passem a
contar com maior capacidade de armazenamento de dados. Memórias ROM do tipo
Flash, por exemplo, podem armazenar vários gigabytes. No que se refere às memórias
RAM, o mesmo ocorre. Por conta disso, é saber como e quando utiliza-las.
Essa questão depende de uma série de fatores, no entanto, a indústria não para de
trabalhar para aumentar ainda mais a velocidade e sua capacidade, reduzindo também
em seu tamanho. Sendo utilizadas até em nano eletrônica.
Alguns tipos de memórias e finalidades, SRAM são memórias do tipo estático. São
muito mais rápidas que as memórias DRAM, porém armazenam menos dados e
possuem preço elevado, as SRAM costumam ser usadas em chips de cache.
EDO é um tipo de memória que possui como característica essencial a capacidade de
permitir ao processador acessar um endereço da memória ao mesmo tempo em que esta
ainda estava fornecendo dados de uma solicitação anterior. Esse método permite um
aumento considerável no desempenho da memória RAM.
Memória SDRAM um tipo de memória que permite a leitura ou o armazenamento de
dois dados por vez (ao invés de um por vez, como na tecnologia anterior). Além disso, a
memória SDRAM opera em freqüências mais altas, variando de 66 MHz a 133 MHz. A
memória SDRAM utiliza o encapsulamento DIMM.
Ainda ouviram falar de novas tecnologias de memórias que poderão se tornar um novo
padrão de mercado.
Bibliografia:
www.infowester.com/memoria.php
pt.wikipedia.org/wiki/Memória
http://www.well.com/user/memory/memtypes.htm#UKM
24