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Ilustración 1
Ilustración 3
Ilustración 4
Ilustración 5
En 1929 por mediación de Joseph A. Becker entró a trabajar en los Bell
Laboratories de Nueva York, participando con este en el estudio de la emisión
termoiónica y en problemas relacionados con rectificadores de óxido de cobre.
Durante la II Guerra Mundial participó en varios programas militares, entre ellos
en uno de detección submarina, y después de esta, volvió a su anterior
ocupación, uniéndose a un grupo de investigación liderado por William B.
Shockley, de cuyo trabajo surgió en 1947 la invención del transistor.
Brattain colaboró estrechamente con John Bardeen y ambos obtuvieron en
1950 la patente US2524035 sobre el transistor de punta de contacto (point
contact transistor).
Ilustración 6
Es de destacar también el trabajo que llevó a cabo por esta época sobre el
efecto fotovoltaico en los semiconductores, del que obtuvo tres patentes.
Brattain siguió investigando, en los siguientes años sobre semiconductores
para los laboratorios Bell, colaborando de una manera especial con Charles G.
B. Garrett, con el que obtuvo varias patentes.
Por sus trabajos sobre el transistor recibió en 1956 el Premio Nobel de Física,
compartido con Bardeen y Shockley.
En 1967 después de retirarse de los laboratorios Bell volvió al Whitman College
como profesor e investigador en el campo de la biofísica.
Brattain falleció en 1987 después de cuatro años de lucha contra el Alzheimer.
FUENTES
William Bradford Shockley
https://www.ecured.cu/William_Bradford_Shockley
https://es.wikipedia.org/wiki/William_Bradford_Shockley
https://www.bbvaopenmind.com/william-shockley-y-la-invencion-del-transistor/
https://www.biografiasyvidas.com/biografia/s/shockley.htm
John Bardeen
https://www.bbvaopenmind.com/john-bardeen-2-nobel-de-fisica-y-1-transistor/
https://es.wikipedia.org/wiki/John_Bardeen