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Caracterización del mosfet.

Ana Bastidas
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica.
Práctica Nº 5
Quito, Ecuador
ana.bastidas@epn.edu.ec

 conmutación. Y se debe cumplir que: [1]

Resumen—Este documento detalla las características de un
mosfet , además del circuito que permite dispararlo, como este es
un dispositivo semiconductor que puede trabajar a frecuencias más 𝑉𝑔𝑠 > 𝑉𝑡 (1)
altas, entonces se utiliza como circuito de aislamiento una optonand
la cual no necesita alimentación y tiene una respuesta mucho más
𝑉𝑑𝑠 < 𝑉𝑔𝑠 − 𝑉𝑡 (2)
rápida.

3. Zona saturación: permite un flujo de corriente entre

I. INTRODUCCIÓN
E L mosfet es un semiconductor controlado por señales de
voltaje, muy útil por su notable rapidez de conmutación en
comparación con tbjs. El manejo de potencias es bajo, sin
embargo, puede manejar corrientes muy grandes. Como ventaja
se puede mencionar que las perdidas por conmutación son bajas.
II. TRABAJO PREPARATORIO
.
A. Consultar la curva característica de funcionamiento de un
MOSFET y en base a esta determinar las zonas de operación en
aplicaciones de electrónica de potencia. Indique las condiciones
para el encendido (Vth) y el apagado del MOSFET.
drenaje-fuente, en esta zona el mosfet amplifica la
señal. Debe cumplir que: [1]
𝑉𝑔𝑠 > 𝑉𝑡 (3)
𝑉𝑑𝑠 ≥ 𝑉𝑔𝑠 − 𝑉𝑡 (4)
B. Explique la importancia de la resistencia conectada en la
base del MOSFET. ¿En qué rango debe estar la misma y por
qué?
Como el MOSFET tiene activación por voltaje se necesita un
pequeño flujo de corriente por la puerta (G) para su operación,
entonces, la impedancia de entrada vara de acuerdo al voltaje de
activación si este es grande como la corriente es baja entonces
la resistencia deberá tomar valores en el rango de las unidades
de kilo ohmios, mientras que, si son voltajes de activación
regulares, entonces la resistencia deberá ser menor a 1 kilo
ohmios. [2]

C. Diseñar y simular los circuitos de control PWM para

frecuencias cercanas o iguales a 1 [KHz], 10 [KHz], 30[KHz],
además debe poder variar la relación de trabajo entre 0.1
<δ<0.9.
1. Para 1KHz:
𝐶𝑜𝑚𝑜 ∶ 𝑡𝑎𝑙𝑡𝑜 = 0, 695 𝑅. 𝐴. 𝐶 (5)
𝐴𝑑𝑒𝑚á𝑠 ∶ 𝑡𝑏𝑎𝑗𝑜 = 0, 695 (𝑅𝐵 + 𝑃𝑜𝑡). 𝐶 (6)
0,695(𝑅𝐴 + 𝑅𝐵 + 𝑃𝑜𝑡). 𝐶 = 𝑇 (7)
1
𝑇= (8)
1𝑘𝐻𝑧
Fig. 1. Característica de salida del MOSFET. [1] 𝑇 = 1𝑚𝑠 (9)
𝑆𝑖𝑒𝑛𝑑𝑜 𝐶 = 0,1𝑢𝐹 (10)
1. Zona de corte: en esta zona no existe un flujo de
𝑡𝑎𝑙𝑡𝑜𝑚𝑖𝑛𝑖𝑚𝑜 = 0, 2𝑚𝑠 (11)
corriente entre el drenaje y la fuente, además, el voltaje
𝑃𝑜𝑟 𝑙𝑜 𝑡𝑎𝑛𝑡𝑜 ∶ 𝑅𝐴 = 10 [𝑘] (12)
puerta-fuente debe ser menor que el voltaje umbral (Vt)
𝑅𝐵 = 1.8[𝑘] (13)
del MOSFET. [1]
𝑡𝑏𝑎𝑗𝑜 = 0, 8𝑚𝑠 (14)
2. Zona lineal: existe un flujo de corriente entre el 0,695(𝑅𝐵 + 𝑃𝑜𝑡). 𝐶 = 0,8𝑚𝑠 (15)
drenaje y la fuente. En esta se realiza la tarea de 𝑃𝑜𝑡 = 10[𝑘] (16)
 2

Fig.4. Circuito de generación de PWM a 10 KHz.

Fig. 2. Circuito de generación de PWM a 1 KHz.

Fig. 3. Forma de onda a 1KHz.

2. Para 10 KHz:

𝐶𝑜𝑚𝑜 ∶ 𝑡𝑎𝑙𝑡𝑜 = 0, 695 𝑅. 𝐴. 𝐶 (17) Fig. 5. Forma de onda a 10 KHz.

𝐴𝑑𝑒𝑚á𝑠 ∶ 𝑡𝑏𝑎𝑗𝑜 = 0, 695 (𝑅𝐵 + 𝑃𝑜𝑡). 𝐶 (18)
0,695(𝑅𝐴 + 𝑅𝐵 + 𝑃𝑜𝑡). 𝐶 = 𝑇 (19)
1 3. Para 30 KHz:
𝑇= (20)
10𝑘𝐻𝑧 𝐶𝑜𝑚𝑜 ∶ 𝑡𝑎𝑙𝑡𝑜 = 0, 695 𝑅. 𝐴. 𝐶 (29)
𝑇 = 0.1𝑚𝑠 (21) 𝐴𝑑𝑒𝑚á𝑠 ∶ 𝑡𝑏𝑎𝑗𝑜 = 0, 695 (𝑅𝐵 + 𝑃𝑜𝑡). 𝐶 (30)
𝑆𝑖𝑒𝑛𝑑𝑜 𝐶 = 0,1𝑢𝐹 (22) 0,695(𝑅𝐴 + 𝑅𝐵 + 𝑃𝑜𝑡). 𝐶 = 𝑇 (31)
𝑡𝑎𝑙𝑡𝑜𝑚𝑖𝑛𝑖𝑚𝑜 = 0, 2𝑚𝑠 (23) 1
𝑃𝑜𝑟 𝑙𝑜 𝑡𝑎𝑛𝑡𝑜 ∶ 𝑅𝐴 = 10[𝑘] (24) 𝑇= (32)
30𝑘𝐻𝑧
𝑅𝐵 = 1.8[𝑘] (25) 𝑇 = 33.33𝑢𝑠 (33)
𝑡𝑏𝑎𝑗𝑜 = 0, 8𝑚𝑠 (26) 𝑆𝑖𝑒𝑛𝑑𝑜 𝐶 = 0,001𝑢𝐹 (34)
0,695(𝑅𝐵 + 𝑃𝑜𝑡). 𝐶 = 0,8𝑚𝑠 (27) 𝑡𝑎𝑙𝑡𝑜𝑚𝑖𝑛𝑖𝑚𝑜 = 66.66𝑚𝑠 (35)
𝑃𝑜𝑡 = 10[𝑘] (28) 𝑃𝑜𝑟 𝑙𝑜 𝑡𝑎𝑛𝑡𝑜 ∶ 𝑅𝐴 = 33[𝑘] (36)
𝑅𝐵 = 4,7[𝑘] (37)
𝑡𝑏𝑎𝑗𝑜 = 240𝑚𝑠 (38)
0,695(𝑅𝐵 + 𝑃𝑜𝑡). 𝐶 = 240𝑚𝑠 (39)
𝑃𝑜𝑡 = 30[𝑘] (40)
 3

Se aproxima a un valor de R1 = 1K Ω.
Para hallar R2 se hace una malla desde VCC (12V) hasta
tierra, entonces:

𝑉𝐶𝐶 12𝑉
𝑅2 = = = 800 Ω (45)
𝐼𝐵 15[𝑚𝐴]
Luego aproximando el valor al inmediato superior, se toma a
R2 = 1 [KΩ].

Fig.6. Circuito de generación de PWM a 10 KHz

Fig.8. Circuito de potencia disparo MOSFET.

Fig. 7. Forma de onda a 30 KHz.

D. Dimensionar todos los elementos y simular el circuito de la

figura 4 (potencia y control), para un valor de voltaje de 40
VDC y la resistencia de carga es un foco de 120 V/100W. tomar
en cuneta que el Vth de estos elementos es mayor de 5V.

Para una carga de 100 W/120, se tiene:

𝑉2
𝑃= = 100 𝑊 (41)
𝑅
Entonces, R = 144 Ω, luego la corriente en la carga será:
𝑉 40 𝑉
𝐼𝐷𝑠𝑎𝑡 = = = 0.28 [𝐴] (42) Fig. 9. Señal de voltaje obtenida en el foco.
𝑅 144Ω
Luego, según descripciones del datasheet se escoge un TO REFERENCIAS
220 FP, el cual permite voltaje D-S hasta 60[V], y corriente de
drenaje máxima a 11[A]. [3]
[1] Electrónica de Potencia. Vuhammad H. Rashid. Tercera edición.
[2]Trasformador de pulsos para control de compuerta. [En línea]. Disponible en:
Para hallar la RG, con ID = 120 [mA] http://www.ledoelectronics.com/Descargas/gate_transformer.pdf
𝑉 12 𝑉 [3] Datasheet TO 220FP. [En línea]. Disponible en:
𝑅𝐺 = = = 100 Ω (43) http://www.st.com/content/ccc/resource/technical/document/datasheet/f3/e2/b6
𝐼𝐺 120[𝑚𝐴] /5c/fc/9c/41/16/CD00002501.pdf/files/CD00002501.pdf/jcr:content/translation
Para hallar R1, con I para optoacoplador según datasheet entre s/en.CD00002501.pdf
(10-20) [mA] valores permitidos, se toma 15 [mA], se calcula
un valor estándar
𝑉𝑎𝑟𝑑𝑢𝑖𝑛𝑜 5𝑉
𝑅1 = = = 500 Ω (44)
𝐼𝐵 10[𝑚𝐴]