UNIVERSIDADE FEDERAL DE SÃO CARLOS – CCET

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UNIVERSIDADE FEDERAL DE SÃO CARLOS.

Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia
Departamento de Engenharia Elétrica.

Laboratório de Circuitos Eletrônicos 2

Prática 1 – Levantamento das curvas características do JFET

Professor: Carlos Alberto de Francisco

Integrantes do grupo:
Alessandro Felistoque: 625523
Filipe Sávio da Silva: 626040
Guilherme Soares Nominato: 625710

São Carlos
21 de Março de 2018

Circuitos Eletrônicos 2 REV.2018/1

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1. INTRODUÇÃO TEÓRICA

Transistores JFET são fontes de corrente controladas por tensão, nas quais
seus três terminais são denominados de: porta, fonte e dreno. Tendo o potencial
da porta zerado, aplica-se uma tensão entre o dreno e a fonte, fazendo surgir uma
corrente[1]. Pode-se observar os terminais do transistor na figura 1.

Figura 1 - Transistor JFET BF245 cujos terminais da esquerda pra direita são respectivamente
porta, fonte e dreno

Pode-se apontar como características principais deste tipo de transistor: o

baixo ruído, a alta impedância de entrada, maior estabilidade térmica e a
fabricação simples[2].
O comportamento pode ser descrito a partir da curva característica
mostrada na figura 2.

Figura 2 - Curvas características do JFET BF245

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2. OBJETIVOS
Analisar e compreender o funcionamento dos transistores JFET,
observando e entendendo a influência da temperatura, as suas curvas
características, os sinais de saída, e a curva de transferência, a partir de coleta de
dados e análise de um circuito.
Observar, também, o funcionamento do dispositivo como resistência
variável e seu comportamento no circuito.

3. PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL

Materiais Utilizados

- Fonte de tensão Regulável

- Potenciômetro 10k ohms
- Transistor BF245
- 2 Multímetros
- Proto-board e fios para conexão

Montagem

Após um estudo do datasheet do transistor BF245 foi montado o circuito da

figura 3. No circuito utilizamos o transistor em questão, multímetros, fonte e
potenciômetro.

Figura 3 - Circuito com resistência variável

A partir disto, aumentou-se o valor de VGG (em módulo) a partir de 0V, e

fixou-se VDD em 20V, afim de obter-se o valor de tensão Vp, que ocorre quando a
corrente de dreno Id é 0A.

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Para começar a efetuar as medidas, utilizou-se um voltímetro para

confirmar a tensão reversa VGS, e após isso, manteve-se fixo um voltímetro
medindo a tensão entre o dreno e a fonte, VDS, e um amperímetro medindo a
corrente de dreno Id. Vale salientar que a resistência do potenciômetro foi mantida
em 10KΩ, sendo alterada apenas para ajustar a tensão de dreno.
Com o objetivo de montar uma tabela, e posteriormente um gráfico de Id
(mA) X VDS (V), foi necessário escolher valores de VGS para que o gráfico
apresentasse uma boa visualização.

4. Análise dos resultados

VDS(V) VGS = 0 VGS = -1 VGS = -2 VGS = -4
Id(mA) Id(mA) Id(mA) Id(mA)
0,2 1,69 1,33 1,09 0,42
0,4 3,21 2,48 2,02 0,73
0,6 4,73 3,64 2,85 0,97
0,8 6,1 4,71 3,66 1,17
1 7,42 5,71 4,33 1,31
1,2 8,43 6,57 4,92 1,41
1,4 9,55 7,4 5,49 1,5
1,6 10,47 8,07 5,97 1,54
1,8 11,42 8,72 6,32 1,61
2 12,2 9,33 6,64 1,65
2,2 12,87 9,81 6,95 1,68
2,4 13,44 10,2 7,15 1,71
2,6 13,96 10,54 7,33 1,74
2,8 14,41 10,87 7,5 1,77
3 14,8 11,12 7,62 1,8
3,2 15,1 11,3 7,74 1,82
3,4 15,39 11,52 7,77 1,84
3,6 15,55 11,54 7,84 1,88
4 16,1 11,87 7,91 1,93
4,5 16,46 11,94 7,93 1,95
5 16,66 12,1 7,98 1,97
5,5 16,82 12,31 8,01 1,99
6 16,92 12,35 8,05 2,06
7 17,03 12,42 8,17 2,11
8 17,15 12,75 8,22 2,18
9 17,23 12,9 8,24 2,2
10 17,3 12,94 8,37 2,29
11 17,38 13,04 8,45 2,34
12 17,43 13,11 8,54 2,38
13 17,49 13,18 8,59 2,44
14 17,55 13,23 8,63 2,47
15 17,63 13,29 8,7 2,5
Tabela 1 – Valores medidos do circuito

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Com os dados em mãos, foi possível montar o gráfico de Id X Vds da figura

4.

Figura 4 – Gráfico característico Id X VDS

Devido à possíveis erros na leitura da medição e também à incerteza do

multímetro, alguns pontos provocaram algumas “ondulações” na curva
(especialmente na de VGS=-1V).
Observou-se que, conforme aumentou-se (em módulo) a tensão VGS, a
tensão VDS diminui de maneira considerável, bem como o ponto de estabilização
de tensão, que diminui conforme VGS aumenta. Até certo ponto, as curvas
apresentam comportamento muito próximo de uma reta, sendo comparado à
curva de um componente ôhmico (resistor).
Para analisar a variação da corrente de dreno Id em função da tensão
VGS, traçou-se o respectivo gráfico conhecido como característica de
transferência, utilizando para tal, o valor fixo de 15V ára VDS, pois a tensão VDS
já está estabilizada neste valor. O gráfico resultante consta na figura 5.

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Figura 5 – Id x VGS

Sabe-se que a corrente máxima no canal é Idss e Vp é a tensão de

pinçamento, que faz com que o canal estrangule. O Idss e Vp observados a partir
do gráfico da figura 5 foram, respectivamente 18mA e -5V (aproximadamente),
sendo este medido quando a corrente de dreno é 0 A.
Para calcular a resistência de dreno (quando VGS=0V), utilizou-se a
equação da figura 6.

Figura 6 – Equação para o cálculo da resistência de dreno

Como a curva característica tem um comportamento aproxidamente

ôhmico, é possível obter a resistência ro através da Lei de Ohm, fazendo VDS/Id
para o valor médio dos valores, resultando em ro=135Ω.
Por fim, variou-se o valor de VGS de 0 à -5V para plotar um gráfico do
comportamento da resistência com o aumento (em módulo) de VGS. O gráfico
segue na figura 7, em escala logaritmica.

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Figura 7 – Resistência do dreno

5. Conclusão

Através do experimento realizado em laboratório, pode-se visualizar o

funcionamento e as principais características do Transistor JFET BF245C: suas
curvas de saída, transferência, resistência de dreno em função da tensão Vgs.
Além disso, pode-se analisar dados importantes como a corrente Idss, a tensão
Vp e a resistência r0.
Comparando os resultados obtidos (Figura 4) com o gráfico encontrado no
datasheet do transistor BF245C (Figura 2), conclui-se a proximidade dos valores,
e sua proximidade dentro das faixas estabelecidades pelo fabricante.
Conclui-se também, que pela análise do gráfico da figura 7, para pequenos
valores (região ôhmica), o transistor pode-se ser utilizado como resistência
variável.
Em suma, o transistor JFET possui diversas propriedades e, que se
devidamente utilizado, pode ser usado em distintas aplicações.
6. Referências bibliográficas

[1] Site: https://www.josematias.pt/Alunos/TextoTransistorJFET.pdf - Acesso em

19/03/2018

[2] Livro Texto: Dispositivos Eletrônicos e teoria de circuitos. Autores Robert

Boylestad e Louis Nashelsky – Editora Pearson- Prentice Hall.

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