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ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y


ELECTRÓNICA

LABORATORIO DE
CIRCUITOS ELECTRONICOS

Preparatorio

Práctica No:
Tema: Diseño de Amplificador Darlintong

Grupo: 5

Realizado por: Cesar Miranda


Carlos Cortez

Fecha de Entrega: 15/05/2018


Semestre 2018ª
OBJETIVO

 Diseñar y analizar e implementar un amplificador en configuración Darlington con


impedancia de entrada.
TRABAJO PREPARATORIO
1. Cuestionario:
1.1. Señalar cuáles son las principales diferencias entre diseñar un Amplificador en Emisor
Común con condición de impedancia de entrada y sin condición de impedancia de
entrada.
Las principales diferencias serian:
I. Aproximación de Rc en diseño:
a. Sin Zin

𝑅𝑐 ≫ 𝑅𝑙
𝑅𝑐 ≈ 𝑅𝑙
𝑅𝑐 ≪ 𝑅𝑙

b. Con Zin
𝐴𝑣
𝑅𝑐‖𝑅𝑙 = ∗ 𝑍𝑖𝑛
𝛽+1
II. Dependencia de la ganancia
a. Sin Zin
Al no deberse cumplir con una impedancia de entrada, puede evitarse recortes
en la señal de salida.
b. Con Zin
La impedancia de entrada para la configuración de emisor común no debe ser
muy alta, dado que puede provocar recortes en la señal de salida, por cumplir
con la impedancia de entrada.

1.2. Describir las principales características y aplicaciones la configuración Darlington.


Característica:
I. El transistor Darlington es un tipo especial de transistor que tiene una muy alta ganancia
de corriente.
II. Está compuesto internamente por dos transistores bipolares comunes que se conectan
es cascada, como se muestra en el siguiente gráfico.
III. El transistor T1 entrega la corriente que sale por su emisor a la base del transistor T2.
La Impedancia de entrada es muy alta, de las decenas de kilo ohmios.
IV. La beta de Darlington βD es un super beta, dado que es la multiplicación de 2 betas
normales.
V. Está compuesto internamente por dos transistores bipolares que se conectan es
cascada.
VI. La ecuación de ganancia de un transistor típico es: IE= ß x IB (Corriente de colector es
igual a beta por la corriente de base).

Aplicaciones
I. En la interfase para conectar la EVM con cualquier equipo de radio, la interfase consta
de dos integrados Darlington ULN2803 que sirven para incrementar la intensidad de
las señales TTL que les llegan, y otros elementos más.
II. Cuando se quiere controlar un motor o un relé, necesitas emplear un dispositivo que
sea capaz de suministrar esta corriente. Este dispositivo puede ser un
circuito Darlington.
III. Para alimentar una carga como un pequeño motor de corriente continua.
IV. Son ampliamente utilizados para accionar las aletas solenoide impulsada y luces
intermitentes en las máquinas de pinball electromecánico. Una señal de la lógica de
unos pocos miliamperios de un microprocesador, amplificada por un transistor
de Darlington, fácilmente cambia un amperio o más a 50 V en
una escala de tiempo medido en milisegundos, según sea necesario para el
accionamiento de un solenoide o una lámpara de tungsteno

1.3. Especificar las principales consideraciones de diseño de un amplificador Darlington con


impedancia de entrada (recorte de señal, estabilidad térmica, superposición de señales, etc.).

Para el diseño de emisor común con impedancia de entrada se debe tener en cuenta:
I. Cumplir con la condición de entrada:
𝐴𝑣
𝑅𝑐‖𝑅𝑙 = ∗ 𝑍𝑖𝑛
𝛽+1
II. Estabilidad térmica
56𝑚𝑉
𝑟𝑒𝐷 =
𝐼𝐸
𝑟𝑒𝐷 ≫ 𝑅𝐸1

III. Recorte de señal


𝑉𝐸 = 𝑉𝑖𝑛𝑝 + 1𝑉
𝑉𝐶𝐸 ≥ 𝑉𝑜𝑝 + 𝑉𝑖𝑛𝑝 + 𝑉𝑎𝑐𝑡
𝑉𝐶𝐶 ≥ 𝑉𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝐸
𝐼2 ≫ 𝐼𝐵
𝐼3 ≪ 𝐼𝐸1
1.4. Diseñar un amplificador que utilice la configuración Darlington, para que cumpla con las
siguientes condiciones:

Frecuencia = 1 [KHz], para todos los días.

Vin=500mv Vpp, para todos los días.

Vin = 250mV

Diseño Darlington

i. Dado que tenemos impedancia de 𝑉𝐶𝐸 ≈ 6 [𝑉]


entrada, usamos la ecuación

𝐴𝑣
𝑅𝑐‖𝑅𝑙 = ∗ 𝑍𝑖𝑛
𝛽+1 iii. Calcular la corriente de colector y la
resistencia dinámica:

𝑅𝐶 ≥ 97.83 𝑉𝑅𝐶 6
𝐼𝐶 = = = 4 𝑚𝐴
𝑅𝐶 1.5𝑘
𝑅𝐶 = 1.5𝑘Ω
 Asumimos
ii. Calcular VRC:
𝐼𝐸 ≈ 𝐼𝐶
Vop = |Av| ∗ Vinp = 17 ∗ 0.25 [v] = 4.25 [v]
RC + RL
VRC ≥ ∗ Vop 52 [𝑚𝑉] 52 [𝑚𝑉]
RL
1.5K + 10K 𝑟𝑒 = = = 13Ω
= ∗ 4.25[V] 𝐼𝐸 4 𝑚𝐴
10K
iv. Obtener VCE
𝑉𝑅𝐶 = 4.88[𝑉] = 5.86 [𝑉]
𝑉𝐶𝐸 ≥ 𝑉𝑖𝑛𝑝 + 𝑉𝑜𝑝 + 𝑉𝑎𝑐𝑡
𝑉𝐶𝐸 = 4.25 + 0.25 + 2 = 6.5[𝑉] ix. Calcular la corriente en base:
𝑉𝐶𝐸 ≈ 7 [𝑉] 𝐼𝐵 = 𝐼𝐶/ 𝛽
𝐼𝐵 = 0.4 𝑢𝐴
v. Calcular VE

𝑉𝐸 ≥ 1𝑉 + 𝑉𝑖𝑛𝑝 x. Calcular corrientes 𝐼1 𝑒 𝐼2


𝑉𝐸 = 1 + 0.25 = 1.25 [𝑉] 𝐼𝐵 ≪ 𝐼1 𝑒 𝐼2
𝑉𝐸 ≈ 2[𝑉] 𝐼2 = 10𝐼𝐵 = 4 𝑢𝐴
𝐼1 = 11𝐼𝐵 = 4.4𝑢𝐴
vi. Calcular las resistencias del emisor xi. Calcular VB:

𝑅𝐸𝑇 = 𝑅𝐸1 + 𝑅𝐸2 𝑉𝑅2 = 𝑉𝐸 + 2 ∗ 𝑉𝐵𝐸


𝑉𝐸 2𝑉 𝑉𝑅2 = 2 + 1.4
𝑅𝐸𝑇 = = = 500Ω
𝐼𝐸 4 𝑚𝐴
𝑉𝑅2 = 3.4 [𝑉]
RE1 se obtiene de la fórmula de
ganancia de voltaje: xii. Calcular las resistencias de base

𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑅2 15𝑉 − 3.4 𝑉


|𝐴𝑣 | = 𝑅𝐵1 = =
𝑟𝑒𝐷 + 𝑅𝐸1 𝐼1 4.4𝑢𝐴
= 2.64𝑀Ω
𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿
𝑟𝑒𝐷 + 𝑅𝐸1 = 𝑅𝐵1 = 2.7𝑀Ω
|𝐴𝑣 |
𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 𝑉𝑅2 3.4𝑉
𝑅𝐸1 = − 𝑟𝑒 𝑅𝐵2 = = = 850𝑘Ω
|𝐴𝑣 | 𝐼2 4𝑢𝐴
1.5𝐾 ∥ 10𝐾 𝑅𝐵2 ≈ 820KΩ
= − 13
|17|
= 63.72Ω xiii. Diseñamos la corriente de I3

𝑅𝐸1 ≈ 56Ω

vii. Calcular RE2: 𝐼3 ≪ 𝐼𝐸1


100
𝑅𝐸2 = 𝑅𝐸𝑇 − 𝑅𝐸1 𝐼3 = ∗ 0.4𝑢
10
RE2== 500-68 =444
𝐼1 = 4𝑢𝐴
RE2 = 470Ω
xiv. Voltajede R3
viii. Calcular Vcc:
𝑉𝑅3 = 𝑉𝐸 + 𝑉𝐵𝐸
𝑉𝐶𝐶 ≥ 𝑉𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝐸 𝑉𝑅3 = 2𝑉 + 0.7𝑉
𝑉𝐶𝐶 ≥ 6 + 7 + 2 𝑉𝑅3 = 2.7𝑉
𝑉𝐶𝐶 = 15 xv. Resistencia Re
𝑉𝑅3 𝐶𝐸 = 3.38 𝑢𝐹
𝑅3 =
𝐼𝑅3
𝐶𝐸 = 4.7 𝑢𝐹
2.7𝑉
𝑅3 =
4𝑢𝐴
𝑅3 = 675𝑘Ω  Capacitor de colector:

𝑅3 ≈ 820𝑘Ω 10
𝐶𝐶 =
xvi. CAPACITORES: 2𝜋𝑓 ∗ 𝑅𝐿 ∥ 𝑅𝐶
10
𝐶𝐶 =
 Capacitor de emisor: 2𝜋1𝑘 ∗ 10𝑘 ∥ 1.5𝑘

10 𝐶𝐶 = 1.22 𝑢𝐹
𝐶𝐸 =
2𝜋𝑓 ∗ (𝑟𝑒𝐷 + 𝑅𝐸1) 𝐶𝐶 = 2.2 𝑢𝐹
10
𝐶𝐸 =  Capacitor de base:
2𝜋1𝑘 ∗ (13 + 56)
10
𝐶𝐸 = 23.06 𝑢𝐹 𝐶𝐵 =
2𝜋𝑓 ∗ 𝑍𝑖𝑛
𝐶𝐸 = 33 𝑢𝐹
10
10 𝐶𝐵 =
2𝜋 ∗ 1𝑘 ∗ 329.32𝑘
𝐶𝐸 =
2𝜋𝑓 ∗ (𝑅𝐸2)
𝐶𝐵 = 4.83𝑛𝐹
10
𝐶𝐸 = 𝐶𝐵 = 5.6𝑛𝐹
2𝜋1𝑘 ∗ (470)

2. Realizar la simulación del circuito diseñado en un software computacional, presentar las formas de
onda de entrada y salida obtenidas en cada uno de los TBJ.
3. Presentar una tabla con las mediciones de valores en DC del circuito diseñado.

V.Real
Vb 3,42V
VR3 2,86V
I1 4,29uA
I2 4,18uA
I3 3,49uA
Ib1 0,02uA
Ib2 17,8uA
IC2 3,79mA
VRC2 5,78V
VC 9,22V
VCE 7,07V
VE2 2,15V
IE2 3,81mA

Bibliografía

 http://usuaris.tinet.cat/fbd/electronica/Darlinton/darlington-aplicacion.html
 http://www.monografias.com/trabajos82/configuracion-darlington/configuracion-
darlington.shtml
 https://unicrom.com/transistor-darlington/