UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE EL SALVADOR

FACULTAD DE INGENIERÍA Y ARQUITECTURA

ESCUELA DE INGENIERÍA ELÉCTRICA

LABORATORIO # 7

“POLARIZACION DEL BJT”

MATERIA: ELECTRONICA I

NOTA
ALUMNOS CARNET
REPORTE
1.
2.
3.

FECHA DE PRÁCTICA _______________ F. ________________

FECHA DE ENTREGA _______________ F. ________________

 A: Orden y Aseo …………………………… 10%

 B: Investigación previa …………………… 10%
 C: Puntualidad…………………………… 10%
 D: `Participación desarrollo de la Práctica… 30%
 E: Reporte………………………………….. 40%

MISION DE LA UNIVERSIDAD
Formar Profesionales con Alto Sentido Crítico y Ético con Capacidad de
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Autoformación y con las competencias técnicos-científicas requeridas para resolver problemas mediante soluciones
enfocadas al desarrollo social y respetuoso del medio ambiente.
POLARIZACION DEL BJT
I. OBJETIVOS GENERALES
 Que el estudiante se familiarice con la polarización del BJT en la región de activa y su configuración
básica.

II. OBJETIVOS ESPECÍFICOS

1. Realizar las diferentes mediciones en el BJT para identificar por medio de ellas la región de
polarización que se encuentre este.
2. Comprobar que el BJT puede ser utilizado como amplificador de pequeñas señales.

III. INTRODUCCION

El análisis de pequeñas señales en los transistores es muy utilizado en los amplificadores de pequeñas
señales en AC. Por lo que el transistor puede llegar a ser analizado como un sistema de redes de dos
puertos, en el desarrollo de esta práctica se estudiara la configuración básica de emisor común (EC) y por
divisor de tensión, teniendo presente todo sobre el análisis de polarización de los transistores en el punto
Q.

ANALISIS EN DC

Polarización en Configuración Emisor Común (EC) o Polarización Fija.

El circuito de polarización fija de la figura 1.1 es la configuración de polarización de CD más simple. Aun
cuando la red emplea un transistor NPN, las ecuaciones y cálculos aplican igualmente para un transistor PNP
tan sólo con cambiar todas las direcciones de la corriente y las polaridades del voltaje. Para el análisis de CD
se puede aislar la red de los niveles de CA indicados reemplazando los capacitores con un equivalente de
circuito abierto, ya que la reactancia de un capacitor con CD es
1
𝑋𝐶 =
2𝜋𝑓𝐶
Para el análisis en DC, Xc = ∞ Ω

Para el punto Q, la polarización de IBQ y VCEQ debe ser considerado en el punto medio como lo indica la Fig.
1.2.

Fig. 1.1 Red de polarización de un transistor

Fig. 1.2 Punto Q del transistor

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Para obtener los parámetros debemos realizar el análisis de LVK para la malla Base – Emisor y Colector –
Emisor, obteniendo las siguientes ecuaciones que me relacionan este análisis.

CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN DE EMISOR

La red de polarización de CD de la figura 1.3 contiene un resistor emisor para mejorar la estabilidad del nivel
en relación con la de la configuración de polarización fija.

La malla base-emisor de la red de la figura 1.3 aplicando la ley

de voltajes de Kirchhoff alrededor de la malla indicada en el
sentido de las manecillas del reloj obtenemos la corriente de
base (IB)

La malla colector-emisor Fig. 1.3 Corrientes de polarización del

BJT

El voltaje en la base con respecto a tierra se determina partir de

La adición de un resistor emisor a la polarización de CD del BJT mejora la estabilidad, es decir, las corrientes
de polarización en CD y los voltajes permanecen próximos a los valores establecidos por el circuito cuando
las condiciones externas, como la temperatura y la beta (β) del transistor, cambian.

Relación de fase

Relación de fase El signo negativo de AV en la ecuación resultante revela que ocurre un desfasamiento de
180°entre las señales de entrada y salida, como se muestra en la figura 1.4. Es el resultado de que βIb
establezca una corriente a través de RC la cual producirá un voltaje a través de RC, lo opuesto al definido por
VO.

Fig. 1.4 Demostración del desfasamiento de

180°entre las formas de onda de entrada y salida.

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VI. INVESTIGACION PREVIA

 Obtener las hojas técnicas de los transistores 2N2222 y BC 547.

V. EQUIPO Y MATERIALES

Cant. Descripción Cant. Descripción

1 Pinza media caña 1 Transistor BC 547 ó 2N 2222
1 Cortadora lateral 2 1.0 KΩ
1 Breadboard 1 330 KΩ
1 Generador de funciones 1 220 Ω
1 Multímetro digital 1 10 KΩ
1 Osciloscopio
2 Capacitores 10 μF

VI. PROCEDIMIENTO

PARTE I. POLARIZACION FIJA

1. . Arme el circuito de la Fig. 1 utilizando el transistor 2N2222, sin conectar el generador de funciones.

Fig. 1. Polarización directa.

2. Realizar las mediciones que solicita la tabla 1.

Valores VCE VBE IC IB VE

Medidos
(2N2222)
Calculados
(2N2222)
Tabla 1. Cálculos y mediciones de polarización fija del transistor.

PARTE II. POLARIZACION POR EMISOR

3. Arme el circuito que se muestra en la Fig. 2, considere la RL = 10 KΩ.

4. Calcule los valores de polarización del transistor utilizando el transistor 2N2222. Y anótelo en tabla 2
5. Realice las mediciones correspondientes que pide la tabla 3.

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Fig. 2. Polarización por emisor.

Valores VCE VBE IC IB VE

Medidos
Tabla 2. Cálculo y medición polarización por emisor.

6. Ajuste una señal senoidal en el generador de funciones con una amplitud de 300 mVpp, a una
frecuencia fundamental de 1KHz.
7. Conecte el generador a la etapa amplificadora como se indica en la figura y mida la señal de salida en la
resistencia de carga (RL).
8. Dibuje la señal de entrada y la señal de salida del amplificador. Calcule la ganancia de voltaje del
circuito.

𝑉𝑂𝑈𝑇
𝐴𝑉 = = _________________
𝑉𝐸𝑁𝑇

9. Mida el ángulo de desfase de las señales. ______________________

10. Cambie la resistencia de carga RL = 1 KΩ. Dibuje la señal de entrada y la señal de salida del
amplificador.
11. Calcule la ganancia de voltaje del circuito.

𝑉𝑂𝑈𝑇
𝐴𝑉 = = _________________
𝑉𝐸𝑁𝑇

12. Mida el ángulo de desfase de las señales. ______________________

ANOTE SUS OBSERVACIONES

V. INVESTIGACION COMPLEMENTARIA

1. ¿Cómo se determina la ganancia de voltaje en los transistores para las configuraciones de emisor
común, estudiadas en esta práctica?
2. Determinar los parámetros de polarización de la figura 1 y 2. Considerando el β del transistor
2N2222.

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