Sei sulla pagina 1di 47

INSTITUTO CENTRAL DE CAPACITACIÓN EDUCACIONAL

CENTRO DE FORMACIÓN TÉCNICA

Electrónica Analógica con


Semiconductores
Parte III Dispositivos
Bienvenidos

EAS-03
Profesor Erick Ortega Klapp
Diodos Semiconductores
Diodos Semiconductores

Tipos de encapsulados.

El mercado esta lleno de diseños tanto por características físicas como


por eléctricas, las que se adecuan a la necesidad del proyectista.
Hoja de datos
Hoja de datos Parte 1

Datasheet

La hoja característica de un
semiconductor o de un
circuito integrado
denominado datasheet es
paralelo al nacimiento de los
semiconductores.

Gracias a esta hoja técnica


podemos obtener
información importante para
el diseño de circuitos, entre
ellas

- Temperatura de trabajo
- Dimensiones del
componente
- Valores de proteccion
Hoja de datos Parte 2

Datasheet

Modelos considerados en el
documento: Deben ser
indicados ya que una hoja
característica puede estar
disponible para varios tipos
de componentes y solo
presentar variaciones en
datos específicos.
La forma física y dimensiones:
Mas que en las reparaciones
o reemplazos es importante
en el diseño ya que al ser
considerado en un circuito
impreso debe considerarse el
espacio que utilizaran los
distintos componentes.
Hoja de datos Parte 3

Datasheet

Variaciones entre modelos: Se indica la diferencia entre valor entre modelos


similares.
Unidades: Se observan las unidades consideradas en los distintos valores
Variables: son las diferentes medidas eléctricas a considerar tanto para el diseño
como para la revisión del componente.
Hoja de datos Parte 4

Datasheet

Graficas: Se
observan distintas
respuestas a
condiciones de
trabajo.
Punto Q Diodos
Punto Q Diodos Parte 1

Análisis por la recta de carga

Observando el circuito, la presión


desarrollada por la fuente de corriente
directa E, establece una corriente
directa en el sentido de las manecillas
del reloj, esto define al diodo como
encendido.
El diodo se encuentra en polarización
directa, considerando las leyes de
Kirchhoff para Voltaje
Tenemos las siguientes ecuaciones:

𝑬 − 𝑽𝑫 − 𝑽𝑹 = 𝟎
𝑬 = 𝑽𝑫 + 𝑽𝑹
𝑬 = 𝑽𝑫 + (𝑰𝑫 ∗ 𝑹)
Punto Q Diodos Parte 2

Análisis por la recta de carga

VD=0,7 v
ID=10 mA
Considerando el ID=0 y el VD=0
nos permite definir los puntos
de la recta y trazarla

𝑬 = 𝑽𝑫 + 𝑰𝑫 ∗ 𝑹
VD=0
𝑰𝑫 = 𝑬/𝑹
ID=0
𝑽𝑫 = 𝑬

La intercesión de esta recta y


la curva de trabajo del diodo
define el punto Q
Punto Q Diodos Parte 3

Ejercicio
Para trazar la recta de carga
del diodo según el circuito
10𝑣
𝐼𝐷 = 0.5𝑘Ω=20mA
𝑉𝐷 = 10𝑣

Considerando una caída de


tensión en el diodo de 0.7v, se
puede obtener la corriente en
la carga
𝐸 − 𝑉𝐷
= 𝐼𝐷
𝑅
10 − 0.7
= 𝐼𝐷
0.5𝑘
9.3
= 18.6𝑚𝐴
0.5𝑘
Punto Q Diodos Parte 4

Grafica Punto Q
La grafica resultante para el ejercicio es:
Análisis en A.C. para diodos
Análisis en A.C. para Diodos Parte 1

Rectificador de ½ Onda A

Durante el periodo 0 a T/2


el diodo se encontrara
polarizado de forma
directa, por lo que permitirá
el paso de la corriente, El
diodo actuara como un
circuito cerrado
Durante el periodo T/2 a T,
el diodo se encontrara
polarizado de forma
indirecta, por lo que no
permitirá el paso de la
corriente, el diodo actuara
como un circuito abierto
Análisis en A.C. para Diodos Parte 2

Rectificador de ½ Onda B

Durante el periodo 0 a T/2 el diodo se encontrara polarizado de forma


Indirecta, por lo que no permitirá el paso de la corriente, El diodo actuara como
un circuito abierto
Durante el periodo T/2 a T, el diodo se encontrara polarizado de forma directa,
por lo que permitirá el paso de la corriente, el diodo actuara como un circuito
cerrado
Análisis en A.C. para Diodos Parte 3

Rectificador de Onda
Completa

Considerando que ya hemos


entendido la función del
rectificador de media onda
(Positivo y Negativo), el
rectificador de onda
completa es una fusión de
los dos anteriores.
En la imagen el rectificador
en configuración tipo puente
Análisis en A.C. para Diodos Parte 4

Rectificador de Onda
Completa

Durante el ciclo positivo los


diodos D1 y D4 quedan
polarizado de forma inversa,
por lo que actuaran como
circuito abierto. A su vez los
diodos D2 y D3 quedaran
polarizados directamente
por lo que actuaran como
circuitos cerrados
Durante el ciclo negativo se
producirá el cambio, lo que
hará a D1 y D4 ser
polarizados de forma
directa, a su vez D2 y D3
serán polarizados
inversamente
Diodo Emisor de Luz
Diodo emisor de Luz

Diodo emisor de Luz (LED)

La estructura que emite luz al ser


polarizada se denomina LED (Diodo
emisor de Luz). Puede ser Luz Visible y
luz invisible (Infrarrojo)
En algunas uniones PN la energía de
los electrones libres se procesa como
calor, en este caso en forma de
fotones.
El Ge y el Si, liberan poca energía en
forma de fotones, por lo mismo no se
utilizan en los LED
Los Diodos construidos con GaAs
emiten luz en la zona infrarroja.
Cálculos para Diodo LED
Cálculos para Diodo LED

Calculo de una resistencia LED


Consideramos una fuente de 10
volt y un diodo LED azul,
tomando en cuenta la tabla
anterior la caída de tensión es de
5v y se consideran 150mA como
la corriente entregada por hojas
de datos

𝐸 − 𝑉𝐷
=𝑅
𝐼𝐷
10 − 5
=𝑅
150𝑚𝐴
5
= 33.3Ω
150𝑚𝐴

La resistencia de protección de este LED


azul debe ser de 33.3Ω
Transistores
Transistores Parte 1

Tipos de encapsulados.

El mercado esta lleno de diseños tanto por características físicas como


por eléctricas, las que se adecuan a la necesidad del proyectista.
Transistores Parte 2

Transistor

Si bien hemos visto el resultado de las


uniones PN o NP del cual el diodo es
su mayor representante, existen otras
uniones las cuales derivaron del
desarrollo de los semiconductores en
su mayor parte estos son conocidos
como transistores. Estas uniones
pueden generarse por dos partes
positivas y una negativa (PNP) o al
revés dos negativas y una positiva
(NPN).
Transistores Parte 3

Transistor

El transistor es un dispositivo
semiconductor de tres capas PNP o
NPN el cual considera tres terminales a
diferencia del Diodo
- Emisor (Altamente dopado)
- Base (Ligeramente dopado
- Colector (altamente dopado)

Las regiones del material del centro


(Base) es menos gruesa que los
exteriores (Colector y emisor)
Transistores Parte 4

Funcionamiento (PNP)

Observe la similitud entre el transistor y el diodo


- Unión Colector-base con el diodo polarizado en directa
- Unión Emisor-base con un diodo polarizado en inversa.
- Podríamos decir que el transistor esta hecho a base de dos diodos
configurados inversamente.
- La unión pn de un transistor se polariza en inversa y la otra se polariza en
directa.
Transistores Parte 5

Transistor

En la imagen se observa con


claridad cual unión esta polarizada
en directa y cual en inversa.
Una gran cantidad de portadores se
difundirá a través de la unión pn.
Debido a que el material de la base
es muy pequeño un numero
pequeño de portadores tomaran
este camino, el resto, la gran
mayoría se dirigirá hacia el colector,
la unión con menor resistencia
Transistores Parte 6

Transistor

Los circuitos con transistores


presentan tres combinaciones mas
comunes:

- Base común

- Emisor común

- Colector común
Transistores Parte 7

Configuración Base Común

Se deriva del hecho que la


base es común tanto para la
entrada como para la salida,
además la base es la mas
cercana a potencial de tierra.
Normalmente utilizada para
amplificadores.

En la imagen observamos
configuración PNP izquierda y
NPN Derecha.

Nota: La flecha del símbolo


define el flujo convencional a
través del dispositivo
Transistores Parte 8

Configuración Emisor Común

La mas utilizada, el emisor es


común y sirve de referencia
para los terminales de entrada

El voltaje colector emisor


influye directamente en la
corriente colector.

Nota: en la región activa de


un amplificador en emisor
común la unión base-emisor se
polariza en directa en tanto
en la unión colector-emisor
esta en inversa.
Transistores Parte 9

Configuración Colector
Común

El colector queda unido a


tierra y el resistor de carga
unido al emisor

En la practica las
características de la
configuración colector común
y emisor común son similares.
Transistores Parte 10

Ecuaciones

Las ecuaciones mas importantes para los transistores son:

𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵
𝐼𝐶 = 𝛼𝐼𝐸
𝐼𝑐
𝛽=
𝐼𝐵

Siendo alfa y Beta una constante definida en las hojas características, además Voltaje Base Emisor=0,7v
Punto Q Transistores
Punto Q Transistores Parte 1

Malla Base-Emisor

Para detallar las ecuaciones


involucradas, debemos preocuparnos de
seguir el sentido de la corriente.

+𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑅𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 0


𝑉𝑐𝑐 = 𝐼𝑅𝐵 ∗ 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐵𝐸
= 𝐼𝑅𝐵
𝑅𝐵
𝐼𝐵 = 𝐼𝑅𝐵
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
= 𝐼𝐵
𝑅𝐵
Punto Q Transistores Parte 2

Malla Colector-Emisor

Para detallar las ecuaciones


involucradas, debemos preocuparnos de
seguir el sentido de la corriente.

𝐼𝑐 = 𝛽 ∗ 𝐼𝐵
+𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑅𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 = 0
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑅𝐶
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − (𝐼𝐶 ∗ 𝑅𝐶)
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐶𝐸
= 𝑅𝐶
𝐼𝐶
Punto Q Transistores Parte 3

Punto Q y Recta de carga

Para el circuito de la imagen y los valores


de los componentes desarrollar la recta
de carga y el punto Q

Vcc=10v
VBE=0,7v
Rb=2,2kΩ
Rc=6Ω
β=50
IB=?
VCE=?
Punto Q Transistores Parte 4

Recta de Carga.

𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐶𝐸
= 𝐼𝐶
𝑅𝐶
Considerando VCE=0
10𝑣
= 𝐼𝐶
6Ω
1,66mA= 𝐼𝑐𝑞
----------------------------------------------
𝐶𝑜𝑛𝑠𝑖𝑑𝑒𝑟𝑎𝑛𝑑𝑜 Tx en corte
𝑉𝑐𝑐 = 𝑉𝐶𝐸
10𝑣 = 𝑉𝐶𝐸𝑞
------------------------------------------
Con estos valores desarrollamos la recta de carga
Punto Q Transistores Parte 5

Punto Q del Transistor.


𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
= 𝐼𝐵
𝑅𝐵
10𝑣 − 0,7𝑣
= 𝐼𝐵
1,3𝑘Ω
9,3𝑣
= 𝐼𝐵
1,3𝑘Ω
0,00715𝐴 = 𝐼𝐵
-----------------------------------------
𝐼𝑐 = 𝛽 ∗ 𝐼𝐵
𝐼𝑐 = 50 ∗0,00715
𝐼𝑐 =0,3576A
-----------------------
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑅𝑐 = 𝑉𝐶𝐸
𝑉𝑐𝑐 − (𝐼𝑐 ∗ 𝑅𝑐) = 𝑉𝐶𝐸
10𝑣 − (0,3576 ∗ 6Ω) = 𝑉𝐶𝐸
9,997𝑣 = 𝑉𝐶𝐸
Punto Q Transistores Parte 6

Punto Q del Transistor.

El Punto Q de un transistor es el
punto de trabajo definido para
los componentes considerados y
configuración indicada, este se
encuentra dentro del área de
trabajo del transistor entre la
condición de corte y la de
saturación.
Otras Uniones Semiconductoras
Otras Uniones semiconductoras Parte 1

Transistor Efecto de Campo


(FET)

- Dispositivo de tres terminales.


-transistor controlado por
voltaje
- Alta impedancia de
entrada
- Se utilizan en Chips por sus
pequeñas dimensiones
- Dispositivo unipolar que
depende de la conducción
de electrones (n) y la
condición de huecos (p)
Otras Uniones semiconductoras Parte 2

Transistor Uniunión programable (PUT)

- Denominado tiristor disparado por


ánodo.
- Se utiliza como oscilador en base
de tiempo.
- Al estar polarizado directamente,
permanece encendido hasta que
el voltaje anódico es suficiente.
- Su disparo se realiza cuando la
puerta es mas negativa que el
ánodo
- El disparo se realiza por control de
las tensiones en sus terminales.
Otras Uniones semiconductoras Parte 3

Transistor Unijuntura (UJT)

- Contiene dos zonas


semiconductoras
- Tres terminales, emisor, base 1,
base 2
- Se utiliza como dispositivo de
disparo
- Responde a un voltaje de disparo
en valor especifico
- Se utiliza como generador de
pulsos para el disparo de SCRs.
Otras Uniones semiconductoras Parte 4

Rectificador controlado (SCR)

- Tiristor formado por 4 capas semiconductoras


- Posee 3 conexiones, ánodo, cátodo y gate
- Funciona básicamente como un diodo rectificador controlado
- Para corriente alterna necesita un pulso repetitivo para el cierre
- Para corriente continua necesita un pulso de una duración considerable
para el cierre.
Otras Uniones semiconductoras Parte 5

Tríodo para AC (TRIAC)

- Semiconductor de la familia a de los tiristores


- Es bidireccional
- Interruptor capaz de conmutar la corriente alterna
- Tiene dos funciones bloqueo y conducción
- Se considera como 2 SCR en anti-paralelo.
- Requiere un solo pulso en corriente alterna para el disparo.
- TRIAC= Triode for Alternating Current
- Sus terminales se denominan Ánodo 1, Ánodo 2 y Gate
INSTITUTO CENTRAL DE CAPACITACIÓN EDUCACIONAL
CENTRO DE FORMACIÓN TÉCNICA

Electrónica Analógica con


Semiconductores
Parte III Dispositivos
Fin

EAS-03
Profesor Erick Ortega Klapp