DEPARTAMENTO DE ELECTRICA Y ELECTRÓNICA

ELECTRÓNICA DE POTENCIA

INFORME PREPARATORO N°5

Ing. VICTOR GONZALO PROAÑO ROSERO

NRC: 3656-3702
Integrantes:

Pilco Solange
Sánchez Pablo
Tipan Fabricio

15 de jun. de 17
1. CONSULTA:
Observe el video sobre MOSFET de Potencia

2. MOSFET DE POTENCIA

 Analice el circuito para medir las características de drenaje del VMOSFET

de las guías de práctica DEGEM EB112.

El circuito VMOS FET de la Figura está conectado para mostrar su polarización,

junto a sus curvas características.

Para obtener las curvas de la Figura la tensión de compuerta a surtidor (𝑉𝐺𝑆 ) es

ajustada a un valor positivo, como 1 V, variando la fuente de tensión (𝑉𝐺𝐺 ). Este
valor no cambia mientras que la tensión del drenador y surtidor (𝑉𝐷𝑆 ) es cambiada,
mediante el ajuste de la fuente de tensión (𝑉𝐷𝐷 ). La corriente de drenaje aumenta
rápidamente, luego ocurre la saturación, y la corriente deja de aumentar. La
corriente de drenaje de salida tiene un valor constante mientras aumenta la tensión
(𝑉𝐷𝑆 ).

Para obtener la siguiente curva, el valor de 𝑉𝐺𝑆 es aumentado a unos +2 V, y luego

se repite el procedimiento. La corriente de drenaje también aumenta, ocurre la
saturación y la corriente permanece en su valor más alto. Al cambiar la tensión de
la compuerta a surtidor, se obtiene la familia de curvas. Estas características
producen la operación lineal.

La ventaja de los dispositivos VMOS son mayores impedancias de entrada, menor

potencia de excitación y características operativas más lineales, que producen
menor distorsión.
  Analice el circuito para que el VMOSFET funcione como un interruptor
digital para obtener la característica de conmutación.

Los VMOS FET usados como conmutadores son puestos en ON por cambios en
la tensión y no en la corriente.

Una sola compuerta CMOS puede excitar a 100 o más VMOS FETs a la
saturación, el cual es el estado ON. La Figura 3 muestra el VMOS FET usado
como conmutador en el circuito de control que enciende una lámpara cuando se
recibe una entrada proveniente de la compuerta CMOS.

3. DRIVER IR2110

Liste los terminales del DRIVER ir2110 junto con la descripción de cada terminal.

9. VDD: suministro de la lógica

10. HIN: Entrada lógica para alta lado de salida del
controlador de puerta (HO), en fase
11. SD: Entrada lógica para el apagado
12. LIN: Entrada lógica de lado bajo de salida de
controlador de puerta (LO), en fase
13. VSS: La tierra lógica
6. VB: Alimentación flotante del lado alto
7. HO: Alta lado de salida de control de puerta
5. VS: Alta lado de retorno de alimentación flotante
3. VCC: Suministro de lado bajo
1. LO: Bajo lado de salida de control de puerta
2. COM: Retorno del lado de baja
Describa la utilidad de cada uno de los elementos en el circuito de la figura

Q1: Mosfet, se comporta como una resistencia controlada por voltaje, a mayor
voltaje aplicado entre compuerta y fuente menor resistencia y se lo considera un
switch cerrado, si el voltaje aplicado entre compuerta y fuente es bajo mayor es la
resistencia y su comportamiento se modela como un switch abierto.
U1: Driver 2110, encargado de aislar el lado de bajo voltaje del lado de alto
voltaje, se encarga de suministrar la corriente en la compuerta del mosfet para
hacerlo conmutar entre sus estados.
C1: Cboot, se carga y descarga durante los distintos cambios en el bootstrap.
D1: Dboot encargado de bloquear el voltaje proveniente de VCC durante la
operación del lado de bajo voltaje.
R3: RVS, utilizado como resistor bootstrap y también como resistor de encendido
y apagado.

Describa el circuito Bootstrap.

Un circuito bootstrap es uno donde se aplica parte

de la salida de una etapa de amplificador a la
entrada, a fin de alterar la entrada de la impedancia
del amplificador. Cuando se aplica
deliberadamente, la intención es por lo general para
aumentar en vez de disminuir la impedancia. En
general, cualquier técnica en la que parte de la
salida de un sistema se utiliza en el arranque se
describe como bootstrapping.
 Funcionamiento:
Cuando el voltaje VS se encuentra por
debajo del voltaje de fuente VDD del
circuito integrado o si el VS tiende a
tomar el valor de tierra, el capacitor de
bootstrap Cboot se carga a través de la
resistencia de bootstrap Rboot y el
diodo bootstrap Dboot, en este estado
el switch del lado de bajo voltaje esta en
ON y el switch de alto voltaje esta en
OFF.

Cuando VS toma un valor de voltaje alto la fuente VBS está en modo flotante y el diodo
bootstrap se encuentra polarizado de manera inversa bloqueando el camino del voltaje
desde la fuente del circuito integrado VDD, en este estado el switch del lado de bajo voltaje
esta en OFF y el switch del lado de alto voltaje está en ON.

4. REALICE LA SIMULACIÓN DEL CIRCUITO Y COMPRUEBE SUS

RESPUESTAS
𝑹𝟐 = 𝟏𝒌𝛀
 𝑹𝟐 = 𝟏𝟎𝟎𝒌𝛀

5. PREGUNTAS

5.1. Conteste el banco de preguntas sobre el MOSFET de potencia.

5.1.1. ¿En la estructura interna del MOSFET qué tipo de material aísla la
compuerta del resto del MOSFET?

El material aislante es un capa de óxido o vidrio.

5.1.2. ¿El Polisilicio que es el material de la compuerta es un aislante, conductor

o semiconductor?

El polisilicio está altamente dopado y es un conductor.

5.1.3. ¿El sustrato de material P se conecta típicamente al drenaje, fuente o
compuerta?

El material P es llamado el sustrato y en los MOSFET de potencia prácticos

el sustrato es cortocircuitado a la fuente.

5.1.4. ¿Cómo se relacionan las abreviaturas DMOS, VMOS o UMOS con los
MOSFET?

Estas abreviaturas hacen referencia al tipo de estructura con la cual está

construido el MOSFET.

5.1.5. ¿Hasta qué valores de voltaje de ruptura se consiguen los MOSFET?

En estructura SUPERMOS se consigue hasta los 600V.

5.1.6. ¿Es cierto que un MOSFET de alta corriente es una combinación en

paralelo de muchos MOSFETS de pequeña corriente?

Si, se replican varias veces MOSFETS en la parte superior de un chip y se los

conecta en paralelo para obtener un MOSFET grande y de alta corriente.

5.1.7. ¿Qué significa que un MOSFET sea un dispositivo altamente

“intercalado”?

El MOSFET de potencia es un dispositivo altamente “intercalado” lo que

significa que se replica los MOSFETS varias veces en la parte superior de un
chip y se los conecta a todos estos pequeños MOSFETS en paralelo para
conseguir un MOSFET grande de alta corriente.

5.1.8. ¿En un MOSFET el canal N se forma con la inyección de electrones o

huecos?

El canal N se forma con la inyección de electrones.

5.1.9. Dibuje la estructura de un MOSFET DMOS y muestre el camino de

circulación de la corriente cuando el MOSFET conduce.

La corriente de drenaje fluye a través de la región n- y el canal conductor.

5.1.10. ¿Qué región de la estructura determina la especificación de tensión de
bloqueo o de ruptura del MOSFET? ¿Qué característica debe tener esta
región para obtener un mayor voltaje de bloqueo?

La región de agotamiento se forma entre los materiales tipo P y tipo N

concretamente en el sector n menos del MOSFET cuando se coloca el voltaje
positivo en el drenaje, para obtener un mayor voltaje de bloqueo se requiere
un material ligeramente dopado de alta resistividad.

5.1.11. ¿Qué región de la estructura determina la resistencia de encendido del

MOSFET? ¿Qué característica debe tener esta región para obtener una
menor Resistencia de conducción?

La región N menos determina la resistencia de conducción del MOSFET ya

que cuando este se encuentre en conducción la corriente tiene que fluir a
través de esta región y una característica de esta región es que al ser
ligeramente dopada tiene una alta resistencia.
Para obtener un menor voltaje de conducción la región N menos debería ser
más dopada.

5.1.12. ¿Por qué se prefiere un dispositivo de portadores minoritarios en voltajes

superiores a los 600V en lugar de los MOSFET?

El MOSFET es un dispositivo de portadores mayoritarios, es decir, no hay

portadores minoritarios que causen la modulación de la conductividad como
ocurre en el diodo. Esta es la razón por la cual el MOSFET tiende a tener
una relativa alta resistencia especialmente en niveles de voltaje altos. Así que
un dispositivo con especificación de voltaje alto, obligatoriamente tendrá una
resistencia especialmente alta en la región n menos y esta resistencia de
encendido crece rápidamente con el voltaje. Así que se tiene muy buenos
MOSFETS a bajo voltaje pero a alto voltaje se empieza a preferir los
dispositivos de portadores minoritarios que dan caídas de voltaje directas
menores
5.1.13. ¿Es cierto que el diodo del cuerpo del MOSFET es adecuado para conducir
la corriente en sentido inverso es decir de Fuente a Drenaje? Explique.

Básicamente si el voltaje de compuerta está bajo un voltaje conocido como

voltaje de umbral entonces el MOSFET está apagado, se tiene que llevar el
voltaje de compuerta o voltaje de compuerta a fuente a un nivel superior que
el voltaje de umbral para encender el MOSFET. Entonces conforme sube el
voltaje sobre el umbral para los primeros pocos voltios el MOSFET empieza
a encenderse. Cuando este alcanza los 10 o 15 voltios el MOSFET se
enciende completamente.

5.1.14. ¿Es verdad que para asegurar el paso al estado de conducción del MOSFET
en las aplicaciones de Electrónica de Potencia es suficiente colocar en
compuerta una tensión superior a la tensión de umbral? Justifique.

Básicamente si el voltaje de compuerta está bajo un voltaje conocido como

voltaje de umbral entonces el MOSFET está apagado, se tiene que llevar el
voltaje de compuerta o voltaje de compuerta a fuente a un nivel superior que
el voltaje de umbral para encender el MOSFET. Entonces conforme sube el
voltaje sobre el umbral para los primeros pocos voltios el MOSFET empieza a
encenderse. Cuando este alcanza los 10 o 15 voltios el MOSFET se enciende
completamente.

5.1.15. Escriba una fórmula para calcular la tensión entre Drenaje y Fuente
cuando el MOSFET está en conducción.

El voltaje entre el Drenaje y Fuente es aproximadamente proporcional a la

corriente de drenaje.

5.1.16. ¿Por qué los MOSFET si se pueden conectar en paralelo y los diodos no?
¿Por qué se habla de realimentación positiva en los diodos?

Porque en los dispositivos de portadores mayoritarios la resistencia de

encendido típicamente tiene un coeficiente de temperatura positivo, lo que
significa que conforme la temperatura sube la resistencia del dispositivo
también sube.
Los MOSFET no poseen el mecanismo de realimentación positiva que hace
que uno de los dispositivos se lleve toda la corriente.
5.1.17. ¿A cuál de las tres capacitancias del modelo se debe proveer carga para
provocar la conducción del MOSFET? ¿Es verdad que uno de los
terminales de esta capacitancia es el canal?

Para producir la conducción del MOSFET se carga la capacitancia desde la

compuerta a la fuente para colocar la carga en el canal, esta primera
capacitancia es un capacitor ideal. Uno de los terminales de la capacitancia
está conectado al canal haciendo que el MOSFET se encienda ya que se
coloca la carga en el canal gracias a la capacitancia desde la compuerta a
la fuente.

5.1.18. ¿Por qué se dice que la tensión de la capacitancia drenaje a compuerta es

en algunos casos muy grande? Dibuje el esquema de un circuito de potencia
donde esto suceda.

Porque típicamente la capacitancia que existe entre el drenaje y la

capacitancia posee un valor sumamente pequeño en comparación a la
capacitancia que existe entre la compuerta y la fuente, por este motivo el
voltaje a través de ella es grande y la cantidad de carga neta en esta
capacitancia es grande.
Convertidor Buck.

5.1.19. ¿Puede calcularse la energía de conmutación debido a la capacitancia de

𝟏
salida Drenaje Fuente mediante la expresión 𝑪𝑽𝟐 ? En caso afirmativo,
𝟐
¿qué valor debe considerarse para C en la fórmula?

1
Si se puede utilizar 2 𝐶𝑉 2 para calcular la energía de conmutación, donde
C es la capacitancia efectiva de los dispositivos.

5.1.20. ¿Por qué un dispositivo de portadores mayoritarios es más rápido que uno
de portadores minoritarios?

Porque no se tiene el tiempo que toma para remover la carga almacenada

que estaba causando la modulación de conductividad en el Diodo
 y por tanto los MOSFET se pueden conmutar mucho más rápido y
es típico conseguir que los tiempos de conmutación son de unas
pocas decenas de nanosegundos

5.1.21. ¿Por qué la selección de un MOSFET se realiza considerando la resistencia

en estado de conducción en lugar de la corriente pico que circula por el
elemento?

Para la selección de un MOSFET se lo hace en base de la resistencia de

encendido y las pérdidas de conducción, se escoge así un tamaño de
MOSFET para conseguir una resistencia de encendido baja como lo
necesite la aplicación.

Se considera la resistencia en estado de conducción en lugar de la corriente

pico que circula por el elemento, por economía.

5.2. Entre que terminales se aplica la señal que se obtiene de un circuito de control
digital que entrega señales PWM para el disparo de un MOSFET.

Los terminales en los que se debe aplicar la señal son entre gate y source

5.3. Para que se utiliza el circuito Bootstrap.

Esta configuración permite hacer mayores niveles de ganancia con menos
cantidad de electrónica y aumenta (En general) la impedancia de entrada del
esquema, aumenta la estabilidad de la etapa sobre todo en frecuencias altas y
como se encuentra trabajando con la realimentación, transmite esta estabilidad a
todo el esquema.

BIBLIOGRAFIA

[1] IR2110. International Rectifier. Recuperado de: http://www.promelec.ru/pdf/ir2110.pdf

[2] IR2110. International Rectifier. Recuperado de:

http://www.infineon.com/dgdl/ir2110.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c80333167e

[3] Using the high-low side driver IR2110 - explanation and plenty of example circuits.
Recuperado de: http://tahmidmc.blogspot.com/2013/01/using-high-low-side-driver-ir2110-
with.html