TECNOLÓGICO NACIONAL DE MEXICO

INSTITUTO TECNOLÓGICO DE LÁZARO CÁRDENAS

Academia de Ingeniería Electrónica

Instituto Tecnológico de Lázaro Cárdenas

Ingeniería Electrónica

Prácticas No. 7
“CONTROL DE DISPARO DE UN SCR CON PUT (control
de fase)”

Nombres de los alumnos:

Rojas Duarte Billy Joel
Navarro Monge Heriberto
Santiago García Luis Eduardo

Nombre del profesor: Ing. Félix Gómez Sánchez

Fecha de realización: 08/MAYO/2018

Calificación: ____________
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CARRERA PLAN DE CLAVE DE NOMBRE DE LA

ESTUDIO LA ASIGNATURA
ASIGNAURA
Ingeniería
Escolarizado ETF-1016 Electrónica de Potencia
Electrónica
PRACTICA LABORATORIO DURACIÓN
No. DE: EN HORAS:
1 Electrónica 2

1.OBJETIVO O COMPETENCIA

1.- Construir y observar las señales en un circuito de control de compuerta con un oscilador de
relajación con PUT.

2.FUNDAMENTOS
ELECTRÓNICA DE POTENCIA

Combina la energía, la electrónica y el control. El control se encarga del régimen permanente y

de las características dinámicas de los sistemas de lazo cerrado. La energía tiene que ver con el
equipo de potencia estática y rotativa o giratoria, para la generación, transmisión y distribución de
energía eléctrica.

FOTORRESISTENCIA (LDR)

Para pasar al modo activo desde el estado de corte (donde la corriente entre A y K es muy
pequeña) hay que elevar el voltaje entre A y K hasta el valor Vp, que depende del valor del voltaje
en la compuerta G.

Sólo hasta que la tensión en A alcance el valor Vp, el PUT entrará en conducción (encendido) y
se mantendrá en este estado hasta que IA (corriente que atraviesa el PUT) sea reducido de valor.
Esto se logra reduciendo el voltaje entre A y K o reduciendo el voltaje entre G y K.
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Figura 1. PUT.

Figura 2. Curva característica del PUT.

SCR (Rectificador Controlado de Silicio)

El SCR es un dispositivo semiconductor de 4 capas que funciona como un conmutador casi ideal.

Al aplicr una corriente IG al terminal G (base de Q2 y colector de Q1), se producen dos corrientes
IC2 = IB1.

IB1 es la corriente de base del transistor Q1 y causa que exista una corriente de colector de Q1
(IC1) que asu vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2), este a su vez causa más corriente en IC2
que es lo mismo que IB1 en la base de Q1.

Este proceso regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2 causando el encendido del SCR.
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Figura 3. Funcionamiento del SCR.

3.PROCEDIMIENTO
EQUIPO MATERIAL

 Cable con clavija

 Foco de 120 V, 100 W
 Protoboard
 Probador de fase
 Multímetro
 SCR 2N6397
 Cable para protoboard
 PUT 2N6027
 Resistor de 2.2 kΩ a 5 W
 Resistor de 10 kΩ
 Resistor de 1 kΩ
 Resistor de 100 Ω
 Potenciómetro de 1 MΩ
 Capacitor cerámico de 100 nF
 Diodo Zener de 20V, 1 W

DESARROLLO DE LA PRÁCTICA

Procedimiento

1. Construya el circuito PUT-SCR de la figura 1.1 Utilice los tamaños de componentes

calculados. Si no puede obtener un resistor de 2.2 kΩ, 5 W para Rd, un resistor 6.8 kΩ, 2
W también funcionará. ZD1 puede entonces ser reducido a un valor nominal de ½ W. Como
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de costumbre la carga CA habitual se debe aislar de tierra, y seguir las sugerencias

proporcionadas para estos casos (Uso de transformador de aislamiento).

X1

Rd 120V_100W
2.2kΩ

REF
V1 10kΩ R2
REV 10kΩ
120Vrms 1MΩ 55 %
60Hz Key=A
0°

Q1
2N6027
ZD1 D2
1N5359B 2N6397

CE R1 R5
100nF 47Ω 10kΩ

Figura 4. Circuito de disparo de un SCR con PUT

Figura 5. Circuito implementado.

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2. Mida el voltaje en el capacitor y en R1, dibuje las señales en una gráfica.

Figura 6. Voltaje en el Capacitor y R1.

3. Mueva el potenciómetro REV y mida el voltaje en la carga con un osciloscopio, observe la

intensidad de la lámpara, dibuje esta señal medida.

Figura 7. Voltaje en la carga.

a) ¿Cuál es el ángulo de disparo mínimo posible?

𝜃𝑀𝐼𝑁 = − cot[2𝜋𝑓(𝑅1 + 𝑅𝐿 )𝐶] = − cot[2 ∗ 𝜋 ∗ 60𝐻𝑧(47Ω + 100Ω)100𝑛𝐹]
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𝜃𝑀𝐼𝑁 = − cot[120𝜋(147Ω)100𝑛𝐹] = −0.3175°

𝑉 2 (100𝑉)2
𝑅𝐿 = = = 100Ω
𝑃 100𝑊

b) ¿Cuál es el ángulo de retardo de disparo máximo?

𝜃𝑀𝐴𝑋 = − cot(2𝜋𝑓(𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅𝐿 )𝐶) = − cot(2 ∗ 𝜋 ∗ 60𝐻𝑧(47Ω + 10𝐾Ω + 100Ω)100𝑛𝐹)
𝜃𝑀𝐴𝑋 = −20.9334°

DIAGRAMAS, CALCULOS Y RECOPILACIÓN DE DATOS

𝜃𝑀𝐼𝑁 = − cot[2𝜋𝑓(𝑅1 + 𝑅𝐿 )𝐶] = − cot[2 ∗ 𝜋 ∗ 60𝐻𝑧(47Ω + 100Ω)100𝑛𝐹]
𝜃𝑀𝐼𝑁 = − cot[120𝜋(147Ω)100𝑛𝐹] = −0.3175167496°
𝑉 2 (100𝑉)2
𝑅𝐿 = = = 100Ω
𝑃 100𝑊
𝜃𝑀𝐴𝑋 = − cot(2𝜋𝑓(𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅𝐿 )𝐶) = − cot(2 ∗ 𝜋 ∗ 60𝐻𝑧(47Ω + 10𝐾Ω + 100Ω)100𝑛𝐹)
𝜃𝑀𝐴𝑋 = −20.93733°

Simulaciones.

Figura 8. Voltaje en capacitor y en R1

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Figura 9. Voltaje en la carga

4.RESULTADOS Y CONCLUSIONES

Como resultado se rectificó la teoría del SCR, dado a que se comprobó que la compuerta GATE
es la que se encarga de controlar el paso de la corriente entre el ánodo y el cátodo, sabemos que
el SCR a diferencia del diodo es que solo tiene una compuerta lo cual lo hace ser controlado,
ideal para el control de tensiones, este solo dejara conducir cuando se le aplique una tensión en
la compuerta

5.BIBLIOGRAFIA Y ANEXOS

1. RASHID MUHAMMAD H., Electrónica de potencia: Circuitos, dispositivos y aplicaciones.

3ra Edición. Editorial Prentice Hall, 2004.

2. MALONEY T., Electrónica Industrial Moderna. Quinta edición, Editorial Pearson, 2006.