Cristales y Policristales PDF

LA RELACIÓN ESTRUCTURA-SIMETRÍA-PROPIEDADES EN
Cristales y
Policristales
LUIS E. FUENTES COBAS
MARÍA E. FUENTES MONTERO
Book.book Page 1 Friday, December 14, 2007 11:21 AM
LA RELACIÓN ESTRUCTURA-SIMETRÍA-
PROPIEDADES EN CRISTALES
Y POLICRISTALES
LA RELACIÓN ESTRUCTURA-SIMETRÍA-
PROPIEDADES EN CRISTALES
Y POLICRISTALES
Luis E. Fuentes Cobas

María E. Fuentes Montero
Título de la obra:
La relación estructura-simetría-propiedades en cristales y policristales
© Luis E. Fuentes Cobas y María E. Fuentes Montero
© REVERTÉ EDICIONES, S.A. DE C.V., 2008
Diseño y formación:
Reverte-Aguilar, S.L.
Diseño de la cubierta:
Rogelio Covarrubias Romo
Fotografía de la cubierta:
© “Proyecto Naica”,
Coordinado por Speleoresearch & Films, con la participación de C/Producciones, la Asociación
Geográfica “La Venta”, y otros organismos e institucionales nacionales e internacionales, con la
autorización y apoyo de Industrias Peñoles.
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31109 Chihuahua, Chih. México.
UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE CHIHUAHUA

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31109 Chihuahua, Chih. México
ISBN: 978-968-6708-71-4
Todos los derechos reservados. Queda prohibida la reproducción total o parcial de esta obra a cualquier medio
o procedimiento, comprendidos la reprografía y el tratamiento informático, la fotocopia o la grabación, sin la
previa autorización por escrito del editor.
Impreso en España. Printed in Spain.

PREFACIO
El presente libro aborda el estudio de la Cristalofísica, ciencia que estudia la relación
estructura-propiedades en los materiales sólidos. Esta disciplina se expande hoy día
hacia múltiples direcciones, desde la explicación del origen de las propiedades a nivel de
estructura electrónica hasta el diseño de materiales compuestos para una función prede-
terminada en un dispositivo dado. La Cristalofísica interactúa (recibe y aporta) con la
Ciencia de Materiales, la Química Computacional y la Física-Matemática, entre otras.
En el escenario mencionado, la idea del libro que exponemos al lector es presentar un
tratamiento unificado de la relación estructura-propiedades desde el nivel de un cristal
micrométrico (observando su interior al detalle de la celda unitaria), hasta el material
policristalino de la vida cotidiana. El elemento unificador del tratamiento es el concepto
de simetría, el cual se explica, se caracteriza matemáticamente y se emplea provechosa-
mente a todo lo largo del texto.
La obra va dirigida a estudiantes de pre- y posgrado, a profesionales y docentes de
áreas como ciencia de materiales, física, química, metalurgia, cerámicas y diversas inge-
nierías.
El libro consta de tres partes: La primera parte (Capítulos 1 a 3) contiene las bases
conceptuales de geometría cristalina, simetría y electromagnetismo (con introducción a
magnitudes polares y axiales). Esta parte resume las enseñanzas de autores clásicos
como Zachariasen, Giacovazzo, Feynman y Purcell. La segunda parte del texto (Capítu-
los 4 a 6) discute en detalle el concepto de propiedad, introduce elementos formales de la
teoría de grupos y establece las principales relaciones que existen entre la simetría crista-
lina y las propiedades físicas. Estos capítulos contienen resúmenes de ideas fundamenta-
les consultadas en las obras de Nye y Nowick. La tercera y última parte del libro
(Capítulos 7 y 8) introduce al lector en el importante problema de las propiedades del
policristal con textura y se presenta un número de estudios de casos, ilustrados a color.
En esta tercera parte el libro se afilia a la escuela de Bunge.
El texto ha sido escrito siguiendo un estilo más explicativo que deductivo. El len-
guaje es compacto, pero se trata de decir directa y claramente la idea bajo estudio, más
que demostrarla matemáticamente. Frecuentemente se introduce un concepto o un crite-
rio a través de ejemplos, mejor que mediante exposiciones generales. Igual tratamiento
se da a las herramientas matemáticas empleadas (tensores, representaciones irreducibles,
espacio de Euler): se les introduce a través de ejemplos sencillos y luego se formaliza la
presentación.
En resumen, el esfuerzo de escritura ha estado enfocado a presentar un campo amplio
de conceptos y métodos cristalofísicos a través de un tratamiento unificado, basado en el
concepto de simetría, mediante una exposición relativamente simplificada.
Abundantes conceptos se ilustran a través de problemas resueltos. Cada capítulo
tiene su lista de problemas propuestos (un número de soluciones se dan en un Apéndice).
Los problemas propuestos son una parte importante del libro. Sugerimos al lector que los
resuelva todos.
Diversas personas y organizaciones han contribuido a materializar la idea de este
libro. A los autores nos da mucho gusto nombrarlos a continuación, a modo de agradeci-
miento: La Sociedad Mexicana de Cristalografía, que representamos por medio de su
Presidente el Dr. Lauro Bucio Galindo. El Centro de Investigación en Materiales Avan-

zados, su Director General Dr. Jesús González Hernández. La Universidad Autónoma de
Chihuahua, su Rector C.P. Raúl Arturo Chávez Espinosa. Nuestra familia Fuentes-Mon-
tero-Sánchez-García, nuestra vida. Los numerosos estudiantes que han servido de “cone-
jillos de indias” con las versiones preliminares del libro. Pablo Szabó, Klaus Feldmann,
Medel Pérez, Manuel Reyes y David Ríos, nuestros maestros de cristalografía, texturas y
otros misterios.
Reconocemos los apoyos del Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología, Proyectos
“Investigación de multiferroicos magnetoeléctricos a escala nanométrica” y “Estructura
y nanoestructura de cerámicos multiferroicos”. Parte del proyecto se desarrolló en
el Laboratorio de Radiación Sincrotrónica de Stanford, una facilidad operada por la Uni-
versidad de Stanford al servicio del Depto. de Energía, Oficina de Ciencias de la Energía.
Se reconoce el apoyo del Programa PROADU, Dirección General de Educación Supe-
rior, SEP.
Agradecemos al señor Ramón Reverté Mascó, Director General de Reverté Edicio-
nes, S.A. de C.V. y a Judith Sandoval encargada de la edición en Reverté-México por su
estímulo al proyecto, así como a Susana Aguilar de Reverté-Aguilar y a Antonio Soto
Plascencia de CIMAV.
Nuestro cariño a Cuba y en especial a la Universidad de la Habana, nuestra Alma
Mater.
México lindo y querido…¡Gracias!
“¿Cómo no íbamos a ser adictos a la belleza y a la simetría,

si nuestras vidas giran alrededor de María Elena Montero Cabrera?”.
María Elena Fuentes Montero y Luis Fuentes Cobas

Book.book Page i Friday, December 14, 2007 11:21 AM
ÍNDICE ANALÍTICO
1 Resumen de Estructura y Simetría Cristalina ....................... 1

1.1 Cristales y policristales ................................................................................... 1
1.2 Bases, sistemas, celdas y redes de Bravais...................................................... 3
1.3 Planos y direcciones. Zonas ............................................................................ 6
1.4 Vectores recíprocos ......................................................................................... 7
1.5 Proyección estereográfica................................................................................ 9
1.6 El concepto de simetría ................................................................................. 11
1.7 Operaciones de simetría posibles en los cristales.......................................... 14
1.7.1 Traslaciones reticulares.......................................................................14
1.7.2 La parte rotacional de las operaciones de simetría..............................15
1.7.3 Las traslaciones fraccionarias .............................................................16
1.8 Grupo factor y grupo puntual ........................................................................ 16
1.9 Los grupos espaciales .................................................................................... 18
1.9.1 Grupos simórficos ...............................................................................19
1.9.2 Grupos no-simórficos..........................................................................19
1.10 Un ejemplo: descripción cristalográfica del cuarzo ...................................... 27
Preguntas y problemas................................................................................... 29
I
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II Índice analítico
2 Los Grupos puntuales cristalográficos ...............................31

2.1 Concepto macroscópico de cristal..................................................................31
2.2 Grupos puntuales cíclicos enantiomórficos ...................................................32
2.3 Grupos diédricos, tetraédrico y octaédrico.....................................................34
2.4 Los grupos puntuales impropios ....................................................................36
2.5 Los 32 grupos puntuales.................................................................................37
2.6 Elementos conjugados y clases ......................................................................41
Preguntas y problemas ...................................................................................44
Bibliografía y vínculos internet. Capítulos 1 y 2 ...........................................44
3 Electromagnetismo y simetría de color ...............................47

3.1 Resumen de leyes del electromagnetismo en la materia ................................47
3.1.1 Las ecuaciones de Maxwell ............................................................... 47
3.1.2 Electrostática en medios aislantes....................................................... 48
3.1.3 Campos estáticos en medios magnéticos ............................................ 50
3.2 Simetría del campo eléctrico. Vectores polares y antisimetría ......................53
3.3 Simetría del campo magnético. Vectores axiales y simetría de color............55
3.4 Principio de Neumann. Simetría de cargas, corrientes y campos ..................57
3.5 Aplicaciones...................................................................................................58
Preguntas y problemas ...................................................................................60
Bibliografía y vínculos internet......................................................................61
4 Propiedades y tensores.........................................................63
4.1 Las propiedades físicas como tensores ..........................................................63
4.2 Sistemas de coordenadas cristalofísicas y cristalográficas ............................66
4.3 Interacciones y energías térmica, electromagnética y elástica.......................67
4.4 Relaciones constitutivas .................................................................................70
4.5 Notación matricial..........................................................................................74
4.6 Las matrices de la elasticidad isotrópica........................................................76
4.7 Representación superficial de las propiedades...............................................78
Book.book Page iii Friday, December 14, 2007 11:21 AM
Índice analítico III
Bibliografía y vínculos internet ..................................................................... 82
5 Elementos de teoría de las representaciones..................... 83

5.1 Presentación introductoria ............................................................................. 83
5.2 Las matrices de rotación ................................................................................ 86
5.3 Formalización de conceptos .......................................................................... 88
5.4 Estudio de un caso: el grupo C3v ................................................................... 91
Bibliografía y vínculos internet ..................................................................... 93
6 La relación simetría – propiedades en

monocristales....................................................................... 101
6.1 El principio de Neumann y las irreps .......................................................... 101
6.1.1 Presentación introductoria.................................................................101
6.1.2 Formalización de conceptos ..............................................................103
6.2 Propiedades físicas posibles en los cristales................................................ 104
6.2.1 Propiedades físicas en forma de vectores polares .............................104
6.2.2 Propiedades físicas en forma de tensores polares
de tercer rango...................................................................................105
6.2.3 Propiedades magnéticas ....................................................................105
6.2.4 Propiedades físicas en forma de vectores axiales .............................106
6.2.5 Propiedades físicas en forma de tensores axiales
de segundo rango...............................................................................106
6.2.6 Propiedades físicas en forma de tensores axiales
de tercer rango...................................................................................107
6.2.7 Resumen ........................................................................................... 107
6.3 Propiedades en representación superficial y simetría.................................. 109
6.4 Los armónicos esféricos de la física-matemática Ylm(h) ............................ 116
6.5 Los armónicos esféricos simetrizados de la cristalofísica klμ(h)................. 119
6.6 Propiedades y armónicos simetrizados........................................................ 121
Preguntas y problemas................................................................................. 123
Bibliografía y vínculos internet ................................................................... 123
Book.book Page iv Friday, December 14, 2007 11:21 AM
IV Índice analítico
7 Policristales, textura y propiedades...................................125

7.1 Textura .........................................................................................................125
7.2 Figuras de polos ..........................................................................................126
7.3 Función de distribución de orientaciones.....................................................130
7.4 Los armónicos esféricos tridimensionales simetrizados .............................134
7.5 Armónicos tridimensionales y FDO.............................................................136
7.6 Figuras inversas de polos y función del agregado policristalino .................137
7.7 Textura y propiedades ..................................................................................139
7.8 La elasticidad de policristales cúbicos laminados........................................147
Preguntas y problemas .................................................................................153
Bibliografía y Vínculos Internet...................................................................153
8 Figuras en colores ...............................................................155
Apéndice 1. Valores numéricos de algunas propiedades ....171
Apéndice 2. Respuestas para problemas selectos ...............175

1
RESUMEN DE
ESTRUCTURA Y
SIMETRÍA CRISTALINA
1.1 CRISTALES Y POLICRISTALES
¿Cómo es la estructura microscópica de un sólido común? Tomemos como objeto de

estudio cualquier cuerpo corriente, por ejemplo una roca, una pieza de acero o una cerá-
mica. Si pulimos su superficie, la atacamos con un reactivo adecuado y la observamos al
microscopio óptico o electrónico, encontraremos un panorama como el de la Figura 1.1.
En ésta se muestra una micrografía electrónica de una cerámica de titanato-circonato de
plomo (PZT), observada a 2000 aumentos.
La microestructura de nuestra probeta está formada por un gran número de granos,
de dimensiones del orden de algunos micrómetros (1 μm = 10-6 m), y fronteras en forma
de poliedros irregulares. En un caso simple, cada grano es un pequeño cristal, mientras
que el agregado recibe el nombre de policristal.
1
2 Resumen de Estructura y Simetría Cristalina
Figura 1.1. Imagen al microscopio electrónico de barrido de una cerámica PZT.

Aumento = 2,000 X. Castro, Ríos y Fuentes: Materials and Manufacturing
Processes 15, 301 (2000).
Investiguemos la estructura de un cristal en la escala atómica. La difracción de rayos

X y la microscopía electrónica, entre otras técnicas, han permitido desentrañar cómo es la
arquitectura de la materia a esa escala. La característica esencial de la estructura micros-
cópica de un cristal es la periodicidad de su distribución atómica. La Figura 1.2 muestra
una micrografía electrónica de alta resolución de una muestra extremadamente delgada
de silicio policristalino. En la imagen se observan numerosos nanocristales. En varias
regiones de la imagen, por ejemplo en la parte superior, se aprecian cambios en la orienta-
ción de las líneas de átomos. Este tipo de defecto de apilamiento se conoce como macla.
Recorriendo materiales del mundo real, el tamaño de cristal varía entre límites suma-
mente amplios. Las joyas, así como muchos minerales que encontramos en la naturaleza,
consisten de monocristales visibles a simple vista. Los cristales que conforman la mues-
tra de la Figura 1.2 miden tan solo unos pocos nanómetros (1 nm = 10-9 m).
En una muestra policristalina, cada grano está formado por uno (o quizás varios) crista-
litos. Cada cristal se diferencia de los vecinos por la orientación de sus hileras y planos ató-
micos. El orden adentro de los cristalitos no es perfecto, pues ocurren alteraciones en la
periodicidad (por ejemplo, átomos de impurezas, vacancias). Las fronteras entre granos son
zonas en las que se rompe la periodicidad y se generan tensiones mecánicas y otros efectos
que influyen de manera considerable sobre las propiedades de los materiales.
El tipo de estructura más frecuente en los materiales sólidos es precisamente el poli-
cristalino. Los metales y sus aleaciones, las cerámicas técnicas, los polvos industriales y
muchos otros "sólidos" son de naturaleza policristalina. Las propiedades de un material
policristalino son las de sus cristalitos componentes, moduladas por factores que depen-
den del estado de agrupación. Entre estos últimos los más importantes son el tamaño de
cristalito, la textura, la conectividad y los efectos de las fronteras entre granos.
Bases, sistemas, celdas y redes de Bravais 3
Figura 1.2. Micrografía electrónica de resolución atómica de una lámina delgada

policristalina de silicio. C. Song: National Center for ElectronMicroscopy,
http://ncem.lbl.gov/ncem.html
1.2 BASES, SISTEMAS, CELDAS Y REDES

DE BRAVAIS
Una base cristalográfica es un conjunto de tres vectores {ai } (i = 1,2,3) que determinan
unívocamente un sistema de coordenadas adecuado para caracterizar a escala microscó-
pica la estructura periódica y las propiedades físicas de un cristal. Tales sistemas de coor-
denadas se llaman sistemas cristalinos. Existen siete sistemas. Los sistemas se
diferencian entre sí por las longitudes de los vectores básicos, así como por los ángulos
entre ellos. La base {ai } también se denota {a, b, c}. La Tabla 1.1 resume las caracterís-
ticas de todos los sistemas cristalinos.
La información sobre el sistema trigonal, también llamado romboédrico, se ha puesto
entre paréntesis para expresar su tendencia a caer en desuso. Éste sistema (ver parte baja
de la Fig. 3) es consistente con un eje de simetría vertical trigonal (120°). Pero la descrip-
ción de los cristales trigonales resulta más cómoda si se emplea el sistema hexagonal.
Así, el sistema hexagonal se emplea tanto para caracterizar cristales hexagonales (simé-
tricos ante giros de 60°) como trigonales (simétricos ante giros de 120°).
Tabla 1.1. Los siete sistemas cristalinos
Sistema Cristalino Base Cristalográfica
Triclínico a1, a2, a3, α1, α2, α3

Monoclínico a1, a2, a3, α2 ≠ 90º = α1 = α3
Ortorrómbico a1, a2, a3, α1 = α2 = α3 = 90º
Tetragonal a1 = a2, a3, α1 = α2 = α3 = 90º
(Trigonal) (a1 = a2 = a3, α1 = α2 = α3 ≠ 90º)
Hexagonal a1 = a2, a3, α1 = α2 = 90º, α3 = 120º
Cúbico a1 = a2 = a3, α1 = α2 = α3 = 90º
Consideremos el paralelepípedo generado por la base {ai} en un cristal cualquiera. El

volumen de este objeto será el triple producto escalar Va = [a1 • a2 × a3]. El sistema
físico (átomos, moléculas, campos) asociado al volumen mencionado es una celda unita-
ria. Podemos imaginar al cristal como construido por la repetición tridimensional de
"ladrillos" formados por las celdas unitarias.
La base {ai} y su celda unitaria se denotan primitivas si les corresponde un volumen
mínimo entre aquellas cuya repetición genera el cristal.
La red es una colección de puntos, llamados nodos, distribuidos en el espacio según
el patrón de periodicidad del cristal bajo estudio. Si se define el origen de una base cris-
talográfica primitiva de acuerdo con algun convenio (por ejemplo sobre un núcleo ató-
mico) entonces el vector de posición de cualquier nodo estará dado por la ecuación:
t L = ∑ Li a i [1]
i=1
con Li enteros.
La base atómica es el motivo formado por átomos, iones o moléculas que se asocian
a cada nodo de la red cristalina y cuya repetición genera el cristal. Cada celda primitiva
posee una base atómica
Presentamos la idea de celda centrada. Esta es la categoría empleada para describir
las celdas unitarias que poseen nodos reticulares no sólo en sus vértices sino también en
sus caras o en su volumen. Las celdas centradas son el resultado de priorizar el que los
ejes {ai} estén a lo largo de ejes de simetría del cristal y que estos ejes sean perpendicu-
lares entre sí, por encima de la tendencia a emplear celdas primitivas. El precio a pagar
es que la celdas centradas poseen más de una base atómica por celda.
Existen en total catorce tipos de celdas y redes distintas por su geometría, es decir,
por los ángulos entre ejes, los módulos de los vectores básicos y la centralización. La
Figura 1.3 representa de manera gráfica los 14 tipos de celdas unitarias y redes cristali-
nas, también llamadas Redes de Bravais.
Bases, sistemas, celdas y redes de Bravais 5
Figura 1.3. Sistemas Cristalinos y Redes de Bravais.

Notación: P: Primitiva (no posee centralización); R: Primitiva
(sólo en el caso trigonal o romboédrico); F: Centrada en las caras;
I: Centrada en el cuerpo; B, C: Centrada en una cara
(p. ej., C: centrada en la cara opuesta al vector c)
1.3 PLANOS Y DIRECCIONES. ZONAS
Para numerosas investigaciones, especialmente en el estudio de la difracción, conviene

considerar el cristal como formado por un conjunto de planos cristalinos. Se trata de pla-
nos matemáticos, que pueden (aunque no es obligado que lo hagan) interceptar los
núcleos de infinitos átomos periódicamente distribuidos en el medio cristalino. Los pla-
nos que corren mutuamente paralelos conforman una familia de planos.
Los índices de Miller son la notación empleada para designar las familias de planos
cristalinos. Para calcular los índices de una familia se selecciona un plano representativo
(uno que no pase por el origen) y se procede como sigue:
a. Se determinan los interceptos X, Y, Z del plano con los ejes del sistema cristalino.
b. Se hallan los inversos 1/X, 1/Y, 1/Z.
c. Se encuentra el número M = mínimo común múltiplo de X, Y, Z. Los tres cocientes
enteros M/X, M/Y y M/Z serán los índices de Miller de los planos considerados. Los
índices se escriben entre paréntesis y se denotan habitualmente (h, k, l). También se
les designa h = (h1, h2, h3).
La Figura 1.4 ejemplifica la idea de los índices de Miller en dos familias de planos perpen-
diculares al eje X en un cristal cúbico. Nótese que la distancia interplanar es d = a (el pará-
metro reticular) para la familia (1, 0, 0), mientras que vale d = a/2 para la familia (2, 0, 0).
Como ejercicio, compruébese que el plano vertical que corta al plano xy por las pun-
tas de los vectores básicos a y b es miembro de la familia (1, 1, 0).
En cristales del sistema cúbico, el vector Ah = ∑ hiai es perpendicular a la familia h.
Z Z
Y Y
a
a
X X
(1, 0, 0) (2, 0, 0)
Figura 1.4. Indices de Miller para familias de planos en un cristal cúbico

Vectores recíprocos 7
Dada una dirección tL = ∑ Liai con Li enteros, cabe imaginar la colección de planos
cristalinos que se interceptan en la recta asociada a tL. Es una situación que recuerda a un
libro abierto, con las hojas jugando el papel de planos cristalinos. El conjunto de planos
así definido conforma una zona. La dirección tl es el eje de zona.
1.4 VECTORES RECÍPROCOS
La base recíproca correspondiente a la directa {ai} está definida por:
a2 × a3 a3 × a1 a1 × a2
b1 = ; b2 = ; b3 = [2]
Va Va Va
Algunas características de los vectores recíprocos:

1. Ellos dan la orientación de los planos cristalinos. El vector:
B h = ∑ hi b i [3]
i
es siempre normal a la familia de planos (h1 h2 h3). La Figura 1.5 ilustra esta propiedad.
Se muestran (a) una porción del cristal (red “directa”) y (b) unos pocos vectores recípro-
cos para un cristal hexagonal compacto. En (a) se señala un plano representativo de la
familia (1, 0, 0). Apréciese que el vector directo a1 = [1, 0, 0] no es perpendicular al
plano (1, 0, 0). En (b) el origen recíproco se encuentra en la esquina inferior izquierda. El
vector recíproco b1 = (1, 0, 0) sí es normal a los planos (1, 0, 0).
2. La distancia interplanar correspondiente a la familia h es el inverso del módulo del
vector recíproco asociado:
1
dh = [4]
Bh
3. Si un plano Bh pertenece a la zona tL, entonces se cumple la condición tL ·Bh = 0:
L1 h1 + L2 h2 + L3 h3 = 0 [5]
4. Las bases directa y recíproca son mutuamente
ortogonales: ai ⋅ bj = δij (1 para i = j; 0 para i ≠ j) [6]
b j × bk
y recíprocas: ai = [7]
Vb
0,3,0 1,3,0 2,3,0 3,3,0
b 0,2,0 1,2,0 2,2,0 3,2,0
c
0,1,0 1,1,0 2,1,0 3,1,0
a
1,0,0 2,0,0 3,0,0
a) b)
Figura 1.5. Redes directa (a) y recíproca (b) para un cristal hexagonal compacto.Los
ejes c, directo y recíproco, salen del papel. La normal a la familia de planos
directos (1, 0, 0) es el vector recíproco (1, 0, 0).
5. Si la base directa es ortogonal (ai ⊥aj) entonces bi || ai.
6. (a1 ⋅ a2 × a3)⋅ (b1 ⋅ b2 × b3) = Va Vb = 1
7. Si todos los Li definitorios de tL (ec. 1), así como los hj que determinan Bh (ec. 3),
recorren todos los números enteros (positivos y negativos), se obtienen las dos redes
asociadas a cualquier cristal: la directa y la recíproca. Ambas están estrechamente
relacionadas. En particular un punto de una se asocia a una familia de planos de la
otra.
Problema
Demostrar la relación entre la distancia interplanar de la familia h y los vectores
recíprocos (ec. 4).
Solución: Como se puede observar en la Figura 1.6, la distancia interplanar en
la familia h es la proyección del vector ai/hi en la dirección del vector
Bh. Desarrollando:
ai Bh h 1
dh = ⋅ = i = [8]
hi Bh hi Bh Bh
Proyección estereográfica 9
(hkl) = (210)
dhkl
a2
B = hb1+ kb2+ lb3
a1
intercepto = a1 / h
Figura 1.6. Relación entre la distancia interplanar y los vectores recíprocos.
1.5 PROYECCIÓN ESTEREOGRÁFICA
La proyección estereográfica es el medio habitual que emplean los cristalógrafos para

presentar gráficamente, en las dos dimensiones de un papel, resultados y relaciones aso-
ciados a orientaciones de direcciones y planos en el espacio tridimensional.
Consideremos la Figura 1.7, donde se muestra un pequeño cristal en el centro de la
llamada esfera de referencia o de proyección. Si tomamos un plano cristalográfico cual-
quiera, caracterizado por su vector recíproco Bh, encontraremos que la prolongación de
este vector interceptará a la esfera de proyección en cierto punto P', llamado el polo del
plano considerado. Imaginemos ahora una fuente de luz en el punto O', opuesto a la
intersección de la esfera con el plano sobre el cual proyectaremos ahora nuevamente. La
representación en proyección estereográfica del plano Bh es el punto P, obtenido como
intersección del rayo de luz que emerge de O', pasa por P' y finalmente incide sobre el
plano de proyección.
Generalmente se proyecta sólo el hemisferio cercano al plano de proyección. Si se
quiere representar el hemisferio opuesto, deben emplearse otros signos para la grafica-
ción.
La proyección estereográfica es habitual en textos de Geografía. Por otro lado, algu-
nos términos geográficos son válidos en Cristalografía, como se muestra a continuación.
Imaginemos la red definida por el conjunto de "meridianos y paralelos" que parcelan la
esfera. Si el "polo norte" de ésta coincide con la proyección del foco luminoso, tenemos
entonces la llamada proyección polar, en la cual el gran círculo que marca el fin del
hemisferio representa al Ecuador. En caso de que el polo norte esté sobre un eje vertical
la proyección de los meridianos y paralelos recibe el nombre de red de Wulff.
proyección esfera de proyección

estereograf. polo (hkl) (referencia)
planos (hkl)
ρ fuente
luminosa
φ φ/2
familia de cristal
planos (hkl)
plano de
proyección
2R
φ = ángulo polar
ρ
tg (φ / 2) =
β = azimut 2R
a)
red de Wulf red polar
b)
Figura 1.7. Proyección Estereográfica

El concepto de simetría 11
(0,1,0)
(-1,1,0) (-1,3,1) (1,3,1) (1,1,0)
(-1,2,1) (1,2,1)
(-2,2,1) (2,2,1)
(-1,2,2) (0,1,1) (1,2,2)
(-1,1,1) (1,1,1)
(-2,1,1) (2,1,1)
(-3,1,1) (-1,1,2) (1,1,2) (2,1,2) (3,1,1)
(-2,1,2)
(-1,1,3) (1,1,3)
(-1,0,0) (-1,0,1) (0,0,1) (1,0,1) (1,0,0)
(-1,-1,3) (1,-1,3)
(-2,-1,2)(-1,-1,2)
(-3,-1,1) (1,-1,2) (2,-1,2) (3,-1,1)
(-2,-1,1) (2,-1,1)
(-1,-1,1) (1,-1,1)
(-1,-2,2) (0,-1,1) (1,-2,2)
(-2,-2,1) (2,-2,1)
(-1,-2,1) (1,-2,1)
(-1,-1,0) (-1,-3,1) (1,-3,1) (1,-1,0)
(0,-1,0)
Figura 1.8. Proyección estereográfica standard (0, 0, 1) para un cristal cúbico
Nosotros emplearemos fundamentalmente la proyección polar. El ángulo φ, que

caracteriza la latitud a partir de φ = 0 en el Polo Norte, se llama ángulo polar. El ángulo
β, que describe la longitud, es el azimut.
La Figura 1.8 es la llamada proyección standard de las normales a las familias de pla-
nos con índices de Miller pequeños en un cristal cúbico.
1.6 EL CONCEPTO DE SIMETRÍA
Considérese una transformación S ≡ [R, t] la cual, operando sobre todos los vectores de
posición r en un objeto dado, los mueve hacia otros puntos r' de manera que se preserven
todas las dimensiones lineales.
La forma general de esta transformación es:
r ’ = S · r = [R, t] · r ≡ R · r + t [9]
R representa un tensor (un operador vectorial lineal, representado por una matriz) y t un
vector. El tensor R, para ser consistente con la condición de invarianza de las dimensio-
nes lineales, debe satisfacer la condición de ortogonalidad. Esto significa geométrica-
mente que la parte tensorial de la transformación (R · r) consiste en una rotación,
posiblemente acompañada de una inversión. La parte vectorial (+t) representa una trasla-
ción. La transformación idéntica en este tratamiento es E ≡ [I, 0], con I representando al
tensor idéntico Iij = δij. Las transformaciones S son llamadas posibles operaciones de
simetría.
Problema
Plotear la acción de la transformación r' = [R, t] ⋅ r en el caso dado por un sis-
tema de coordenadas cartesiano y los siguientes R, t y r:
⎡ ⎤
⎡ 0 −1 0 ⎤ ⎢ 0 ⎥ a ⎡1⎤
⎢ ⎥ ⎢ ⎥
R =⎢ 1 0 0 ⎥ t =⎢ 0 ⎥= 3 r =⎢ 0 ⎥= a1
⎢ ⎥ 4
⎢0 0 1⎥
⎣ ⎦ ⎢ 1 ⎢ 0⎦
⎣ ⎥
⎣ 4⎥⎦
Solución: La Figura 1.9 muestra los vectores r, R ⋅ r y S ⋅ r. La acción de R es

rotar a r alrededor del eje z un ángulo ϕ = π/2 en sentido antihorario.
No es difícil comprobar que la matriz con la cual se expresa R es
ortogonal (su inversa es igual a la traspuesta). El determinante de esta
+t
= R·r
S·r
r’ = t
R·rr
y
r
ϕ = 2π /4
x
Figura 1.9. Ejemplo de transformación S = [R, t].

En argot cristalográfico, se trata de un eje de tornillo de orden 4.
El concepto de simetría 13
matriz vale 1. La traslación t es paralela al eje z, de módulo a3/4. La

solución algebraica es como sigue:
⎡ ⎤ ⎡ ⎤ ⎡ ⎤
⎡ 0 −1 0 ⎤⎡ 1 ⎤ ⎢ 0 ⎥ ⎡ 0 ⎤ ⎢ 0 ⎥ ⎢ 0 ⎥
⎢ ⎥⎢ ⎥ ⎢ ⎥ ⎢ ⎥ ⎢ ⎥ ⎢ ⎥ a
r ' =⎢ 1 0 0 ⎥⎢⋅ 0 ⎥+ 0 =⎢ 1 ⎥+ 0 = 1 = a2 + 3
⎢ ⎥ ⎢ ⎥ ⎢ ⎥ 4
⎢
⎣ 0 0 1 ⎥⎢
⎦⎣ 0 ⎥
⎦ ⎢1 ⎥ ⎢⎣ 0⎥⎦ ⎢1 ⎥ ⎢1 ⎥
⎣ 4⎦ ⎣ 4⎦ ⎣ 4⎦
Consideremos ahora una propiedad microscópica Ω(r), representativa de la distribución

espacial de materia en el objeto, es decir, de su estructura. Para fijar las ideas, podemos
tomar Ω = |Ψ|2, la densidad de probabilidad de la Mecánica Cuántica. Si se cumple la
condición:
Ω(r') = Ω(S⋅ r) = Ω(r) [10]
para todo r, entonces S es una operación de simetría para el objeto en cuestión. Los pun-
tos r y r’ se denominan equivalentes.
Todo objeto posee al menos la identidad como operación de simetría. Puede darse el
caso de que una operación de simetría valga como definición de un objeto. En esta situa-
ción se dice que se trata de la simetría trivial. Si el objeto satisface simetrías distintas de
la trivial, se dice que posee simetría.
La parte traslacional (+t) de las operaciones de simetría solo puede estar presente en
objetos infinitamente extensos.
El conjunto de operaciones de simetría de cualquier objeto forma un grupo. Se le
llama grupo de simetría del objeto.
Problema
Demostrar el carácter de grupo de las operaciones de simetría de un objeto cualquiera.
Solución:
a. La ley de combinación es asociativa:
S3⋅(S2⋅S1) = (R3⋅R2⋅R1, R3⋅R2⋅t1 + R3⋅t2 + t3 ) = (S3⋅S2)⋅S1
b. El conjunto es cerrado: r’ = S1⋅r es equivalente a r. r’’ = S2⋅r’ es equivalente a r’

por lo cual también es equivalente a r. La forma de la operación producto es:
S2⋅S1 = [R2⋅R1, R2⋅t1 + t2]
S2·S1 preserva las dimensiones (el tensor producto R2·R1 es ortogonal y una tras-
lación cualquiera preserva las dimensiones). En general las operaciones de
simetría no conmutan, es decir S2·S1 es diferente de S1·S2. Los grupos en los cua-
les el producto de dos elementos es conmutativo se denominan Abelianos.
c. Existe el elemento neutro:
E = [I, 0] S.E = E.S = S ∀ S (para todo S) E·r = r

d. Existe el inverso de cualquier S:
S-1 = [R-1,-R-1.t]
S-1 ·S = S·S-1 = E = [I ,0]
Las condiciones a)...d) son los Postulados de Grupo.
Tenemos que cualquier objeto posee su grupo de simetría. Nos interesa en particular la
simetría compatible con la periodicidad. El grupo de simetría de una distribución perió-
dica de materia se llama su grupo espacial (S) = S. En este manual denotaremos los gru-
pos con una letra mayúscula entre paréntesis. Cuando el contexto haga evidente que se
habla de un grupo, omitiremos los paréntesis. También vale (S) = (R, t). Nuestro propó-
sito en este capítulo es describir las principales características de los grupos espaciales.
1.7 OPERACIONES DE SIMETRÍA POSIBLES

EN LOS CRISTALES
1.7.1 Traslaciones Reticulares

Reconsideramos la periodicidad de los cristales, empleando ahora el concepto formal de
simetría. Todo cristal satisface la simetría (trivial) de traslación TL, que es un caso espe-
cial de las operaciones S:
TL ≡ [I, tL] r’ = TL· r = r + tL [11]
tL está dado por la ecuación (1). La transformación del punto r por la operación TL es una
traslación reticular. En el argot de los cristalógrafos, los puntos equivalentes r y r’ = TL· r
son tratados como “el mismo punto”. La condición de cristalinidad se escribe:
Ω[TL· r] = Ω(r) ∀ r, Ω, Li [12]
La ecuación (12) es el Postulado de la Red Cristalina. Las componentes de los vecto-

res reticulares Li son números enteros si la base cristalográfica es primitiva; en caso de
celdas centradas, ciertos Li pueden ser semienteros.
La colección de todas las traslaciones reticulares (11), con Li recorriendo todos los
enteros o semienteros permitidos (positivos y negativos) forma un subgrupo del grupo
espacial del cristal: el grupo de traslación (T). Un subgrupo es un subconjunto de un
grupo, el cual a su vez satisface los postulados de grupo. El grupo de traslación es con-
mutativo o Abeliano. Si el grupo de traslación se aplica a cualquier vector de posición, el
resultado es la red cristalina. El producto del grupo de traslación por la base atómica es el
cristal.
Operaciones de simetría posibles en los cristales 15
1.7.2 La Parte Rotacional de las Operaciones

de Simetría
Los tensores R de las operaciones de simetría representan rotaciones de los vectores
de posición respecto de ejes dados. La condición de ortogonalidad de R (condición de
invarianza de las dimensiones lineales) implica que el determinante de R valga ±1. Si el
determinante de R es +1 (|R| = +1), entonces la rotación se denota propia. Si |R| = -1 la
operación adiciona al giro una inversión respecto del origen y se llama rotación impro-
pia.
Los posibles ángulos de las rotaciones (propias o no) que participan en las operacio-
nes de simetría de los cristales son los siguientes:
ϕ = 2π/n, n = 1, 2, 3, 4, 6 [13]
La rotación de ϕ = 2π/n radianes se llama de orden n. Los tensores que representan

rotaciones se simbolizan con el número de su orden en negrita. Así, por ejemplo 4 carac-
teriza una rotación de 90º. Nótese que las rotaciones de orden 5 y 7 no son posibles en los
cristales.
La inversión R = -1 = i cambia el signo de las tres componentes de cualquier vector
de posición. Las componentes de la matriz de inversión son [-δij]. El símbolo -3 expresa
una rotación de 120º acompañada por una inversión. La operación -2 = m = σ (del inglés
mirror) es importante, ella constituye una reflexión especular respecto del plano perpen-
dicular al eje de giro 2. La Figura 1.10 muestra un espejo perpendicular al eje vertical (z).
Los centros, ejes y planos de simetría conforman los llamados elementos de simetría
de un objeto dado.
Para las rotaciones propias, asi como para las impropias de orden par, se cumple Rn = I.
Para las impropias restantes (-1 y -3), R2n = I.
180º
2⋅r r
--1⋅2⋅r
⋅ ⋅ = m⋅r
⋅
⎡1 0 0 ⎤
mz = ⎢⎢0 1 0 ⎥⎥
⎢⎣0 0 − 1⎥⎦
Figura 1.10. La transformación -2z = mz = reflexión especular.

1.7.3 Las traslaciones fraccionarias

En general, una operación de simetría S = [R, t] posee una traslación fraccionaria t, la
cual acompaña a la rotación. Según el carácter de esta traslación las operaciones de sime-
tría se clasifican en cerradas y abiertas.
Las operaciones cerradas son aquellas cuya aplicación repetida sobre un cierto vector
r genera curvas cerradas en el espacio. El número de aplicaciones que conduce a que la
curva se cierre sobre sí misma lo denotaremos k, y la expresión simbólica de la condición
que analizamos es Sk = E. Seleccionando adecuadamente la ubicación del origen de
coordenadas, las operaciones cerradas equivalen a que t = 0. Ellas consisten, en esencia,
en la identidad I = 1, las rotaciones propias n, la inversión -1 = i, la reflexión -2 = m y las
rotaciones impropias -n (con n = 3, 4, 6).
En las operaciones abiertas las traslaciones juegan un papel definitorio. En este caso
la aplicación reiterada genera curvas abiertas en el espacio, las cuales pasan por puntos
reticulares. Esto se expresa analíticamente como Sk = TL ≠ E. Esta familia incluye, ade-
más de las traslaciones reticulares, dos tipos de rotaciones con traslaciones fraccionarias.
El primer tipo de operación tal lo constituyen los ejes de tornillo. Ellos consisten en rota-
ciones propias de orden n, acompañadas de traslaciones t = tL/n, donde tL representa un
período de la red directa en la dirección del eje de giro. El otro tipo de operación abierta
es la deslizo- reflexión. En ella se tiene un plano especular (rotación impropia de orden 2)
acompañado por un desplazamiento paralelo al plano de reflexión. El módulo del vector
de traslación es un semiperíodo en una dirección reticular paralela a este plano.
1.8 GRUPO FACTOR Y GRUPO PUNTUAL
Ya sabemos que el grupo espacial de un cristal S es la colección completa de sus opera-

ciones de simetría. Este grupo incluye al grupo de traslación T, un subgrupo de S.
Resulta metodológicamente correcto imaginar al grupo espacial como compuesto por
dos conjuntos cualitativamente distintos de operaciones de simetría: el ya conocido
grupo de traslación y el grupo factor. Este último consiste de la operación identidad [I,
0] más las operaciones [R, t] con R ≠ I, t = Σ ti ai (0 ≤ ti < 1). En palabras, el grupo factor
está formado por la identidad, más la colección de las rotaciones no triviales (posible-
mente) acompañadas de traslaciones fraccionarias que son operaciones de simetría en un
cristal dado.
El Grupo Factor es un grupo finito. Se le denota con el símbolo (S/T):
(S/T ) = [I, 0], [R1,t1], [R2, t2],...[Rn, tn] [14]
La operación del Grupo Factor sobre un vector cualquiera r =Σ xi ai (0 ≤ xi < 1) genera

un conjunto de puntos equivalentes en el entorno de la celda unitaria. Esta acción se
representa con el producto (S/T)• r.
Grupo factor y grupo puntual 17
Todas las operaciones de simetría del cristal se pueden generar combinando opera-
ciones del grupo factor con operaciones del grupo de traslación. En la terminología de
grupos esto se formula expresando que el grupo espacial es el producto del grupo de tras-
lación por el grupo factor:
(S) = (T)·(S/T) = (S/T) ·(T) [15]
Un concepto importante relacionado con el de grupo factor es el de unidad asimétrica.

Como tal se entiende la mínima colección de átomos o moléculas cuyo conocimiento,
unido al de la simetría del cristal, permite generar la estructura cristalina completa. En la
terminología que estamos introduciendo:
cristal = unidad asimétrica · grupo espacial = unidad asimétrica · S/T · T
unidad asimétrica · grupo factor = base atómica.
base atómica · centralización = celda unitaria
base atómica · (T) = cristal
Cuando se lee, o cuando se presenta un reporte de estructura cristalina, la información
que se considera consiste de la geometría de la celda unitaria (parámetros a, b, c, ángulos
α, β, γ), el grupo espacial y la unidad asimétrica. Esta es también la información con que
trabajan los paquetes de software cristalográfico (PowderCell, Carine, ICSD, Fullprof
entre otros, ver referencias al final del Capítulo 2).
Consideremos ahora la colección de rotaciones asociadas al grupo factor. Este con-
junto forma un grupo, el cual se dice que es isomorfo con S/T. A este nuevo grupo se le
llama grupo puntual. A continuación representamos la relación elemento-elemento entre
el grupo factor y el grupo puntual:
[I, 0] [R1, t ] [R2, t ] [Rn, t ]

↓ ↓ ↓ ↓ [16]
I R1 R2 Rn
El grupo puntual se denota con el símbolo (P). Nótese que las rotaciones de P, como
regla general, no son operaciones de simetría en un cristal dado. Lo son cuando se les
acompaña de las traslaciones fraccionarias correspondientes.
Problema:
Explíquese el concepto de isomorfismo
Solución: Dos grupos (A) y (B) presentan isomorfismo simple si:
A cada elemento Ak de (A) corresponde un elemento Bk de (B).
Al elemento An = Ak.Al de (A) le corresponde Bn = Bk.Bl de (B), correspondiéndose
respectivamente Bk con Ak y Bl con Al. (S/T) y (P) presentan isomorfismo simple.
El próximo capítulo lo dedicaremos íntegramente a los grupos puntuales. Anticipamos

que existen 32 de estos grupos y que se clasifican según incluyan o no la inversión y
según la cantidad de ejes de rotación que presenten en diferentes direcciones. Se les
representa con dos notaciones: a) Schoenflies - Algunos símbolos para elementos y
grupos: Cn rotación propia de orden n y grupo cíclico asociado; i centro de
inversión; σ plano de simetría especular; Dn grupos diédricos, T grupo
tetraédrico, O grupo octaédrico. b) Hermann-Mauguin (H-M) o “Internacional” -
Símbolos: ±n eje (propio/impropio) de rotación de orden n, m espejo. En este
manual emplearemos indistintamente ambas notaciones.
Un concepto importante, tanto en los grupos puntuales como en los grupos factores,
es el de elementos generatrices. Estos son los elementos de simetría mínimos con cuyas
potencias y combinaciones se puede generar todo el grupo. Se puede demostrar que el
número máximo de elementos generatrices para cualquier grupo puntual (y los grupos
factores asociados) es tres. Relacionado con esto, la notación internacional de cualquier
grupo puntual está dada por –a lo sumo- tres pequeños grupos de símbolos. Proponemos
un par de ejemplos: a) El grupo puntual 2 m m consta de un eje 2 y dos espejos que lo
contienen. b) El grupo 4/m 2/m 2/m está formado por un eje de orden 4 con un espejo
perpendicular, más dos ejes de orden 2, cada uno con un espejo perpendicular. En el
próximo capítulo veremos más detalles.
1.9 LOS GRUPOS ESPACIALES
Para culminar nuestro rápido recorrido por los conceptos de simetría cristalina, presenta-
mos en esta sección la lista completa de los 230 grupos espaciales. Para generar los posi-
bles grupos espaciales a partir de los 14 grupos de traslación y los 32 grupos puntuales,
se requiere encontrar las traslaciones fraccionarias t compatibles con las simetrías de
traslación y rotación correspondientes.
Los requisitos a cumplir por las t son de dos tipos:
a. Cualquiera de las operaciones [Ri, ti], en aplicación reiterada, tiene que llevar
un punto del cristal a otro relacionado por una traslación reticular. Matemáticamente
[Ri, ti]n ∈ T.
b. La colección de operaciones de simetría está obligada a satisfacer los Postulados de
Grupo. De aquí se obtienen condiciones como la siguiente:
[R1, t1].[R2, t2 ] ∈ S
Con estos requisitos se determinan las t completamente. La tarea de hallar los S pasa,
pues, por hallar todos los posibles ti con los cuales aumentar los grupos puntuales para
generar los posibles grupos factores.
Los grupos espaciales 19
1.9.1 Grupos Simórficos

Es fácil proponer una primera colección de traslaciones ti compatibles con las condicio-
nes dadas. Esta es: ti ≡ 0. Esta proposición es legítima y de ella se obtienen los llamados
grupos espaciales simórficos, los cuales son posibles grupos de simetría de los cristales
reales y consisten de productos de los grupos puntuales por los grupos de traslación. El
número de grupos espaciales simórficos es 73. Su descripción detallada se encuentra
(como todas las categorías fundamentales de la cristalografía) en las Tablas Internacio-
nales de Cristalografía (ITC).
La notación internacional (H-M) para representar los grupos simórficos es la de los
grupos puntuales, aumentada con una letra como primer símbolo para denotar el tipo de
red. Tomemos como ejemplo el grupo P 4 m m. La P expresa que es una red primitiva.
Los restantes símbolos representan un eje de orden 4 y dos espejos que lo contienen.
1.9.2 Grupos No-simórficos

Se tienen tres tipos de grupos espaciales no simórficos:
Tipo Primera operación de simetría
A: (T)(-n) (R2, t2) (R3, t3) eje impropio ≠ -2
B: (T)(n) (R2 , t2) (R3, t3) eje propio
C: (T)(-2, tdesliz) (R2, t2) (R3, t3) plano de deslizamiento
Las ITC contienen descripciones detalladas de todos los Grupos Espaciales. La nota-
ción empleada se basa en los elementos aquí presentados, ampliados para caracterizar las
operaciones de traslaciones fraccionarias. Algunas adiciones importantes a la notación
de H-M son las siguientes:
1. a,b ó c: Plano de reflexión- deslizamiento axial. Por ejemplo, si se trata del símbolo c
es una reflexión en el plano yz ó en xz, con vector de desplazamiento c/2.
2. n: Plano de reflexión- deslizamiento diagonal. Puede ser, digamos, reflexión en xy
1
más desplazamiento --- (a + b).
2
3. d: Plano de reflexión- deslizamiento tipo diamante. El caso más simple aquí sería una
1
reflexión en xy seguida de un desplazamiento --- (a + b).
4
4. n1: Eje de tornillo. Rotación 2π/n acompañada de un desplazamiento paralelo al eje
de giro. Paso = a/n.
La Tabla 1.2 resume los 230 grupos espaciales posibles en la naturaleza. Se emplea la
notación extendida de las Tablas Internacionales de Cristalografía (ITC). Ilustramos la
simbología empleada con el grupo # 225:
Oh5 F 4/m -3 2/m [17]
En la notación de Hermann- Mauguin la F expresa que es una red centrada en las caras;
los restantes símbolos representan las rotaciones características de un cristal centrosimé-
trico perteneciente al sistema cúbico, acompañadas por la inversión y por espejos per-
pendiculares a los ejes 4 y 2. La notación de Schoenflies aquí es más oscura, pues el
supraíndice 5 significa sólo un número de orden en la lista de los grupos espaciales deri-
vados del grupo puntual cúbico-centrosimétrico Oh.
Una comprensión mejor de esta notación se logra a partir del estudio de los grupos
puntuales en el siguiente capítulo.
Tabla 1.2. Los 230 grupos espaciales
Notación de
Notación de
Número Hermann-
Schoenflies
Mauguin
SISTEMA TRICLINICO
1 C11 P1 9 Cs4 Cc
1
2 Ci1 10 C2h P2/m
P1
SISTEMA MONOCLINICO 11 2
C2h P21/m
3
3 C21 P2 12 C2h C2/m
4
4 C22 P21 13 C2h P2/c
5 C23 C2 14 5
C2h P21/c
6
6 Cs1 Pm 15 C2h C2/c
7 Cs2 Pc
8 Cs3 Cm
SISTEMA ORTOROMBICO
10
16 D21 P222 34 C2v Pnn2
11
17 D22 P2221 35 C2v Cmm2
18 D23 P21212 36 12
C2v Cmc21
19 D24 P212121 37 13
C2v Ccc2
20 D25 C2221 38 14
C2 v Amm2
21 D26 C222 39 15
C2 v Abm2
22 D27 F222 40 C216v Ama2
23 D28 I 222
41 17
Aba2
C2 v
24 D29 I 212121
42 C218v Fmm2
1
25 C2v Pmm2
43 C219v Fdd2
26 C2v2 Pmc21
44 20
C2 v I mm2
3
27 C2v Pcc2
45 C2v21 I ba2
28 C2v4 Pma2
46 C2v22 I ma2
29 C 5 Pca21
2v
47 2 2 2
D21h P
30 6
C2v Pnc2 mmm
31 7 Pmn21 222
C2v 48 2
D2 h P
nnn
8
32 C 2v
Pba2
49 D23h 22 2
P
ccm
33 9
C2v Pna21
50 4
D2 h 222 18 2 2 21
P 64 D2 h C
ban mc a
21 2 2 2 2 2
51 D25h P 65 D219h C
mma mmm
52
6
D2 h 2 21 2 20 22 2
P 66 D2 h C
n n a ccm
53 7 2 2 21 2 2 2
D2h P 67 D221h C
mn a mma
68
22
D2 h 222
21 2 2 C
54 D 28h P cca
c c a
69 D223h 2 2 2
9 21 21 2 F
55 D2 h P mmm
b a m
21 21 2 70 D224h 2 2 2
56 D210h P F
c c n d d d
2 21 21 71
25
D2 h 2 2 2
57 D211h P I
b c m mmm
12 21 21 2 22 2
58 D2 h P 72 D226h I
n n m bam
21 21 2
59 D213h P 27 21 21 21
m mn 73 D2 h I
b c a
14 21 2 21
60 D2 h P 21 21 21
b c n 74 D228h I
m m a
21 21 21
61 D215h P
b c a
21 21 21
62 16
D2 h P
n m a
63 D217h 2 2 21
C
mc m
SISTEMA TETRAGONAL
75 C41 P4 94 D46 P42212
76 C4
2 P41 95 D4
7 P4322
77 C43 P42 96 D48 P43212
78 C4
4 P43 97 D49 I 422
79 C45 I4 98 D410 I 4122
80 6 I 41 99 1
C4 v P4mm
C4
81 S 41 P4 100 2
C4 v P4bm
82 S 42 I4 101 C43v P42cm
83 C4 h
1
P4/m 102 4
C 4v P42cm
84 C4 h
2 P42/m 103 5
C4 v P4cc
85 C
3
P4/n 104 C46v P4nc
4h
86 C44h P42/n 105 C47v P42mc
87 C45h I 4/m 106 C48v P42bc
88 C46h I 41/a 107 C49v I 4mm
89 D41 P422 108 10

C4 v I 4cm
90 D4
2 P4212 109 11
C4 v I 41md
P4122 110 12
C4 v I 41cd
91 D4
3
92 D4
4 P41212 111 D21d P 42m
93 D45 P4222 112 D22d P 42c

113 3
D2 d P 421 m 130 D48h P4/n 21/c 2/c
114 D24d P 421 c 131 9

D4 h P42/m 2/m 2/c
115 D25d P 4m2 132 10

D4 h P42/m 2/c 2/m
116 D26d 133 11

D4 h P42/n 2/b 2/c
P 4c2
117 7
D2 d 134 12
D4 h P42/n 2/n 2/m
P 4b2
118 8
D2 d 135 D413h P42/m 21/b 2/n
P 4n2
119 136 D414h P42/m 21/n 2/m

D29d I 4m2
137 D415h P42/n 21/m 2/c

120 10
D2 d I 4c 2
138 16
D4 h P42/n 21/c 2/m
121 D211d I 42m
139 D417h I 4/m 2/m 2/m

122 D212d I 42d
140 D418h I 4/m 2/c 2/c

123 1
D4 h P4/m 2/m 2/m
2 141 19
D4 h I 41/a 2/m 2/d
124 D4 h P4/m 2/c 2/c
142 20
D4 h I 41/a 2/c 2/d
125 3
D4 h P4/n 2/b 2/m
126 4
D4 h P4/n 2/n 2/c
127 D45h P4/m 21/b 2/m
128 D46h P4/m 21/n 2/c
129 D47h P4/n 21/m 2/m

SISTEMA TRIGONAL
143 C3
1
P3 161 6
C3v R3c
144 C32 P31 162 1

D3 d P312 / m
145 C32 P32 163 D32d P312 / c
146 C34 R3 164 D33d P 32 / m1
147 C31i P3 165 D34d P32 / c1
148 2
C3i R3 166 5
D3 d R32 / m
149 D3
1
P312 167 6
D3 d R32 / c
150 D3
2
P321 SISTEMA HEXAGONAL
151 D3
3 P3112 168 C61 P6
152 D34 P3121 169 C62 P61
153 D35 P3212 170 C63 P65
154 D36 P3221 171 C64 P62
155 D3
7
R32 172 C6
5
P64
156 1
C3v P3m1 173 C6
6
P63
157 C3v2 P31m 174 1

C3 h P6
158 C33v P3c1 175 C61h P6/m
159 4
C3v P31c 176 1
C6 h P63/m
160 5
C3v R3m 177 D6
1
P622
178 D6
2 P6122 SISTEMA CÚBICO
179 3 P6522
195 T1 P23
D6
180 P6222 196 T2 F23

D64
197 T3 I 23
181 D65 P6422
198 T4 P213
182 D66 P6322
199 T5 I 213
183 1
C6 v P6mm
184 2
P6cc 200 Th
1
P2 / m 3
C6 v
201 Th
2
P2 / n 3
185 3
C6 v P63cm
202 Th
3
F2 / m3
186 C64v P63mc
203 Th
4
F2 / d 3
187 D31h P6m2
204 Th
5
I2/ m3
188 D3 h
2
P6c2
189 205 Th6 I 21 / a 3

D33h P62m
190 D3 h
4 206 Th
7
I 21 / a 3
P62c
191 D16 h P6/m 2/m 2/m 207 O1 P432
2 208 O2 P4232
192 D6 h P6/m 2/c 2/c
193
6h
3
P63/m 2/c 2/m
209 O3 F432
D
194 P63/m 2/m 2/c 210 O4 F41 32

D64h
Un ejemplo: descripción cristalográfica del cuarzo 27
211 O5 I 432 221 Oh

1
P 4 / m 32 / m
212 O6 P4332 222 Oh

2
P 4 / n 32 / n
213 O7 P4132 223 Oh3 P 4 2 / m 32 / n
214 O8 I 41 32 224 Oh
4
P 4 2 / n 32 / m
215 Td
1
P 43m 225 Oh
5
F 4 / m 32 / m
216 Td
2 226 Oh6 F 4 / m 32 / c
F 43m
217 Td3 I 43m 227 Oh

7
F 41 / d 32 / m
218 Td
4
P 43n 228 8
Oh F 41 / d 32 / c
219 Td
5
F 43c 229 Oh9 I 4 / m 32 / m
220 Td
6
I 43d 230 10
Oh I 41 / a 32 / d
1.10 UN EJEMPLO: DESCRIPCIÓN

CRISTALOGRÁFICA DEL CUARZO
El cuarzo se presenta en dos variantes cristalográficas: levogiro y dextrogiro. La Figura 1.11
representa una celda unitaria del cuarzo dextrogiro. Tomaremos esta celda para ilustrar la
notación de grupos espaciales y ejercitar un tanto los conceptos relativos a operaciones de
simetría.
En la Figura los átomos grandes son de oxígeno, los pequeños de silicio. Los núme-
ros significan la coordenada z (la altura) de cada átomo en unidades relativas.
El grupo espacial del cuarzo dextrogiro es el número 154: D36 P3221. Los símbolos
de Schoenflies significan que es el sexto grupo espacial derivado del grupo diédrico D3.
Figura 1.11. Celda unitaria del cuarzo.
La celda primitiva está referida a una base hexagonal. Los parámetros reticulares son:
a = b = 4.91304 Å, c = 5.40463 Å. El origen de coordenadas está en la esquina inferior
izquierda de la celda (este es el convenio del atlas de Wyckoff; en las TIC el origen se
coloca en la esquina superior izquierda de la página).
La celda bajo estudio posee tres ejes de tornillo 32 que salen del dibujo (“verticales”).
Estos ejes tienen asociadas operaciones de rotación-traslación. Para todos los átomos de
la celda se tienen átomos equivalentes en las posiciones determinadas por rotaciones
de 120º en sentido horario respecto de los ejes verticales mostrados, acompañadas por
un desplazamiento vertical de 1/3 del parámetro reticular c. Por ejemplo, considerando
la acción del eje colocado más a la derecha, el átomo de silicio colocado sobre el eje x
(z = 0), se transforma en un átomo equivalente a una altura z/c = 33 % cerca del centro de
la celda.
El grupo también posee como operaciones de simetría las rotaciones de orden 2 res-
pecto de los ejes a1, a2 y la diagonal horizontal de la celda. En general (salvo el eje 2 que
coincide con a1), estos ejes no están en el plano z = 0, sino que están ordenados como
una escalera caracol, según se puede ver. El cristal no posee la simetría de inversión.
En el cuarzo levogiro la rotación del eje tornillo es en sentido antihorario. El grupo
espacial de la variante levogira es el número 152: D34 P3121.
Para un análisis cristaloquímico simplificado, consideremos al cuarzo como un com-
puesto iónico. Cada ión Si4+ está rodeado por un tetraedro de iones O2-. El número de
coordinación del Silicio es, pues, 4. Cada ión de Oxígeno es compartido por dos tetrae-
dros y en cada tetraedro interactúa directamente con un ión de Silicio. De esta manera su
número de coordinación es 2. Esta consideración es consistente con que, por su carga
eléctrica, cada Oxígeno sólo puede neutralizar la mitad de la carga de un Silicio. La fór-
Preguntas y problemas 29
Figura 1.12. Efecto piezoeléctrico en el cuarzo.

(a) El momento de dipolo eléctrico del tetraedro SiO4 es nulo.
(b) El tetraedro deformado posee momento de dipolo.
mula química del cuarzo es SiO2 y en la celda hay tres moléculas. La distancia Si-O es
1.6 Å, la correspondiente a dos iones O es aproximadamente 2.6 Å.
El análisis electrostático de la estructura conduce a resultados interesantes. Considé-
rese un tetraedro SiO4. Podemos tomar como que pertenece a éste una mitad de cada ión
O2-, además del ión de Silicio. Tenemos así cuatro cargas negativas con cuatro positivas.
De esta manera la estructura resulta globalmente neutra. El momento de dipolo del
tetraedro es la suma vectorial de los cuatro dipolos correspondientes al Si y a las cuatro
mitades de O2-. La Figura 1.12(a) muestra cómo, por la simetría de la distribución, el
dipolo resultante es nulo. ¿Qué sucede si se "aprieta" un cristal de cuarzo? A nivel mole-
cular la estructura no es centrosimétrica -como no lo es el cristal- y esto implica que una
acción centrosimétrica como un esfuerzo (T) puede producir una deformación asimé-
trica. La Figura 1.12(b) representa esquemáticamente el efecto que queremos describir.
Lo esencial es que los tetraedros deformados poseen un momento de dipolo eléctrico
resultante no nulo. En otras palabras el cuarzo es piezoeléctrico: un esfuerzo o una defor-
mación mecánica producen su polarización eléctrica.
PREGUNTAS Y PROBLEMAS
1. Según la Física, vidrio es lo opuesto de cristal. Explique eso.
2. Identifique algunas maclas en la Figura 1.2.
3. La Figura muestra la celda unitaria de un cristal de perovskita, CaTiO3. Los áto-
mos en las esquinas son de calcio, los de las caras son de oxígeno y el del centro
es titanio. ¿Se trata de una estructura BCC? ¿FCC? Explique.
4. ¿Cuáles son los índices de Miller de la familia a la cual pertenece el plano con
interceptos X = 1, Y = 2, Z = 3? Esta respuesta, ¿depende de cual sea el sistema
cristalino?
5. La Figura 1.11 muestra la celda unitaria del cuarzo. Encuentre la base recíproca
que corresponde a este cristal.
6. Sea (a, b, c) la base directa de un cristal triclínico. El vector ha + kb + lc ¿es per-
pendicular a los planos (h, k, l)? ¿Y si fuera con los vectores recíprocos b1, b2, b3?
7. Proyección estereográfica: ¿Cuál es la diferencia entre la red de Wulf y la proyec-
ción polar? ¿Cómo se vería la red de Wulf si la fuente luminosa de la Figura 1.7
estuviera en el infinito?
8. El conjunto de los números enteros (positivos y negativos), tomando como ley de
combinación la suma, ¿es un grupo? ¿y el conjunto de los números pares? ¿y el de
los nones?
9. Desarrolle en detalle la prueba de las condiciones (b) y (d) en la demostración de
que las operaciones de simetría forman un grupo.
10.Explique en qué consisten: a) un eje de tornillo, b) un plano de deslizo-reflexión.
11. Mencione dos operaciones de simetría que caractericen a las huellas de una per-
sona que ha caminado sobre la arena.
12. ¿Cuáles son las operaciones de simetría de un cristal I422?
13.Si los parámetros reticulares cumplen a = b = c y además los ángulos son α = β =
γ = 90º ¿se puede asegurar que el cristal es cúbico?
14.El cuarzo, ¿es centro simétrico?, ¿es simórfico?
15.¿Por qué los cristales son periódicos?
2
LOS GRUPOS
PUNTUALES
CRISTALOGRÁFICOS
2.1 CONCEPTO MACROSCÓPICO

DE CRISTAL
Un cristal, en la representación macroscópica, es un objeto homogéneo aunque anisotró-
pico. Esto significa que si denotamos por Ω a una propiedad cualquiera del cristal, enton-
ces Ω será independiente de la ubicación del punto de observación r, pero dependerá de
la orientación que se considere.
El lugar geométrico que llamamos un punto r en el modelo macroscópico es en reali-
dad un diferencial físico. Un diferencial físico es infinitesimal para nuestros sentidos,
pero posee miles o decenas de miles de celdas unitarias. El concepto macroscópico de la
31
32 Los Grupos Puntuales Cristalográficos
propiedad Ω en un punto es el promedio de Ω microscópico en un diferencial físico de

volumen. Simbólicamente1:
1
Ω mac = ∫ Ω dV
V V mic
[1]
donde V es el volumen del diferencial físico en cuestión.

Las percepciones y mediciones macroscópicas están lejos de la resolución necesaria
para registrar los detalles del nivel de la celda unitaria. De aquí que si consideramos las
categorías de la simetría cristalina tomando en consideración las limitaciones del trata-
miento macroscópico, obtenemos lo siguiente:
El Postulado de la Red Cristalina se simplifica a que las propiedades son invariantes
respecto de traslaciones arbitrarias (A).
Ωmac(r) = Ωmac(r + A) ∀ Ω, r, A [2]
Las traslaciones fraccionarias del Grupo Factor se tornan imperceptibles. Esto signi-
fica que de las transformaciones [R, t] de este Grupo, sólo las rotaciones del grupo pun-
tual poseen sentido como posibles operaciones de simetría macroscópica.
Sabíamos que el grupo puntual de un cristal dado es la colección de todas las rotacio-
nes que participan en el grupo factor correspondiente al cristal. Ahora vemos que el
grupo puntual caracteriza la simetría macroscópica del cristal bajo estudio. De acuerdo
con la concepción macroscópica de cristal, los grupos puntuales también se denominan
clases cristalinas.
2.2 GRUPOS PUNTUALES CÍCLICOS

ENANTIOMÓRFICOS
La expresión general de un grupo puntual es:
(P) = (I, R1 , R2 , .....) [3]
donde los tensores Ri representan rotaciones propias o impropias respecto de ejes que en
general no son paralelos, sino que se cortan en cierto punto (de ahí el nombre ‘grupo
puntual’). También se incluyen las “potencias” de los tensores, que significan su acción
reiterada.
Los grupos puntuales se pueden clasificar siguiendo dos criterios distintos, a saber:
Según la cantidad y las orientaciones relativas de los ejes de rotación y según la existen-
cia o no de rotaciones impropias. Un grupo puntual formado exclusivamente por rotacio-
nes propias se denomina propio o enantiomórfico. Presentamos a continuación un breve
1. La expresión (1) es aproximada. Ver cap. 7.

Grupos puntuales cíclicos enantiomórficos 33
recorrido por los grupos puntuales propios. En éste, estudiaremos la problemática de las
cantidades de ejes y sus orientaciones relativas. Este estudio nos facilitará luego la consi-
deración de los grupos impropios (que contienen de alguna manera la inversión).
Para presentar todos los grupos puntuales propios, comenzamos por la familia de los
cíclicos, que son los más simples.
Un grupo cíclico está formado por una rotación n respecto de un eje, más todas sus
potencias nj. En representaciones gráficas, el eje de simetría de un grupo cíclico
se dibuja habitualmente de manera vertical (eje z). El nombre de cíclico le viene de que
nk = I. k es el orden del grupo, es decir la cantidad de elementos distintos que lo forman.
La Tabla 2.1 presenta todos los elementos de los grupos puntuales cíclicos enantio-
mórficos.
Los grupos cíclicos son Abelianos (Ri·Rk = Rk·Ri). A continuación se presentan las
matrices de elementos representativos de cada grupo cíclico enantiomórfico. Estas matri-
ces valen si el sistema de coordenadas es el sistema cristalino que corresponde a la sime-
tría considerada.
⎡1 0 0⎤ ⎡−1 0 0 ⎤ ⎡ 0 −1 0 ⎤
⎢ ⎥ ⎢ ⎥ ⎢ ⎥
1 =⎢ 0 1 0 ⎥ 2 =⎢ 0 −1 0 ⎥ 3 =⎢ 1 −1 0 ⎥
⎢0 0 1⎥
⎣ ⎦ ⎢0
⎣ 0 1⎥⎦ ⎢0 0 1⎥
⎣ ⎦
⎡ 0 −1 0 ⎤ ⎡ 1 −1 0 ⎤
⎢ ⎥ ⎢ ⎥
4 =⎢ 1 0 0 ⎥ 6 =⎢ 1 0 0 ⎥
⎢
⎣0 0 1⎥ ⎦ ⎢
⎣0 0 1⎥ ⎦
[4]
En el capítulo 4, cuando estudiemos la representación tensorial de las propiedades, nos

moveremos a usar preferentemente coordenadas cartesianas. Allí será importante que los
vectores básicos sean ortogonales. El precio a pagar será que las matrices de las rotacio-
nes 3 y 6 resultarán más complicadas que en (4).
Tabla 2.1. Los grupos puntuales cíclicos enantiomórficos
Grupo Elementos
C1 = (1) 1
C2 = (2) 2 22 = 1
C3 = (3) 3 32 33 = 1
C4 = (4) 4 42 = 2 43 44 = 1
C6 = (6) 6 62 = 3 63 = 2 64 = 32 65 66 =1
2.3 GRUPOS DIÉDRICOS, TETRAÉDRICO

Y OCTAÉDRICO
La búsqueda de todos los grupos propios posibles es una interesante tarea de la Teoría de Gru-
pos. Se encuentra que estos son los grupos cíclicos, los diédricos, el tetraédrico y el octaédrico.
El grupo diédrico Dn consta de un eje de simetría (vertical) de orden n y n ejes (hori-
zontales) de orden 2, separados entre si π/n radianes. Existen específicamente D2 , D3 ,
D4 y D6 . El orden del grupo diédrico Dn es k = 2n.
Cualquier grupo diédrico puede ser representado como el producto de dos grupos
cíclicos, asociados respectivamente a ejes mutuamente perpendiculares:
Dn = (n).(2') [5]
(el operador 2' está “primado” para representar su falta de paralelismo respecto de n).
La Figura 2.1 muestra un esquema de D4. El eje 4 (representado por un cuadrado)
sale del papel. Los ejes 2 (elipses) están en el plano del dibujo. Uno de los pequeños cír-
culos vacíos (cualquiera) significa un punto en una posición arbitraria por encima del
papel. El resto de los círculos vacíos representan los puntos equivalentes al considerado
en el semiespacio superior. Los pequeños círculos llenos son los puntos equivalentes en
el semiespacio inferior.
Los grupos tetraédrico T y octaédrico O representan la simetría de los cristales cúbicos
enantiomórficos. Ambos grupos poseen los elementos de simetría que definen la condición
de cúbico, a saber: cuatro ejes 3 dirigidos según las diagonales principales del cubo. Los ele-
mentos adicionales de simetría del grupo T son tres ejes 2, orientados perpendicularmente a
las caras del cubo. En el grupo O estas normales a las caras son ejes 4, mientras que se tienen
seis ejes 2, cada uno paralelo a la diagonal de una cara del cubo. La representación de estos
grupos como productos de subgrupos es:
T = (2) • (3') [6]
O = (4) • (3') • (2'') [7]
•
•
•
Figura 2.1. Grupo puntual D4

Grupos diédricos, tetraédrico y octaédrico 35
a) b) c)
Figura 2.2. Ejes del grupo O: a) ejes 4; b) ejes 3, c) ejes 2
La Figura 2.2 muestra los ejes de simetría del grupo O.

La Tabla 2.2 resume los Grupos Puntuales Propios o Enantiomórficos. En ella se
detallan los subgrupos que los componen.
Tabla 2.2. Los grupos puntuales propios y sus subgrupos.
Grupos Subgrupos
C1 C1
C2 C1 C2
C3 C1 C3
C4 C1 C2 C4
C6 C1 C2 C3 C6
D2 C1 C2 D2
D3 C1 C2 C3 D3
D4 C1 C2 C4 D2 D4
D6 C1 C2 C3 C6 D2 D3 D6
T C1 C2 C3 D2 T
O C1 C2 C3 C4 D2 D3 D4 T O
2.4 LOS GRUPOS PUNTUALES IMPROPIOS
Existen dos tipos de grupos puntuales impropios: los céntricos “C” y los no céntricos –
no enantiomórficos “NC-NE”. Para introducir la diferencia entre estas dos categorías,
analicemos los grupos cíclicos impropios, que se obtienen a partir de las rotaciones
impropias –n, considerando sus potencias (-n)k: La Tabla 2.3 presenta los grupos men-
cionados.
Los grupos céntricos son grupos impropios que poseen la inversión –1 como ele-
mento. Los grupos cíclicos céntricos son (-1) = (-1)·(1) y (-3) = (-1)·(3). Cualquier grupo
puntual céntrico (cíclico o no) se puede representar como el producto del grupo (-1) por
un grupo enantiomórfico.
Un grupo impropio es de tipo “NC-NE” si no posee al elemento -1. Entre los cíclicos,
los grupos no-céntricos-no enantiomórficos son (-2), (-4) y (-6). Obsérvese que en los
grupos NC-NE la manifestación de la inversión siempre es en combinación con otra ope-
ración, nunca es de manera aislada. Cualquier grupo puntual NC-NE es isomorfo con un
grupo enantiomórfico. En el caso de los grupos cíclicos el isomorfismo se presenta entre
los siguientes grupos:
(-2) es isomorfo con (2)

(-4) es isomorfo con (4)
(-6) es isomorfo con (6).
En cualquier grupo impropio el número de elementos impropios es la mitad del orden del
grupo. Los grupos céntricos poseen el doble de elementos que los grupos enantiomórfi-
cos correspondientes. Los grupos NC-NE poseen igual orden que los correspondientes
grupos propios isomorfos.
Tabla 2.3. Grupos puntuales cíclicos impropios
Grupo Elementos Tipo
(-1) -1 1 C
(-2) -2 1 NC-NE
(-3) -3 -32 = 32 -33 = -1 -34 = 3 -35 1 C
(-4) -4 -42 = 2 -43 1 NC-NE
(-6) -6 -62 = 3 -63 = -2 -64 = 32 -65 1 NC-NE

Los 32 grupos puntuales 37
2.5 LOS 32 GRUPOS PUNTUALES
La Tabla 2.4 y la Figura 2.3 presentan los 32 grupos puntuales posibles de la Cristalogra-
fía. En la Tabla, las columnas describen la naturaleza propia o impropia y las filas los
elementos de simetría. Cada fila conforma un grupo de Laue, que se representa por
medio del grupo céntrico correspondiente. La notación empleada es la de las Tablas
Internacionales de Cristalografía, que contienen tanto los símbolos de Schoenflies como
los de Hermann-Mauguin.
La notación de Schoenflies es como sigue:
Cn = grupo cíclico propio de orden n
Dn = grupo diédrico n
T = grupo tetraédrico
O = grupo octaédrico
Tabla 2.4. Los grupos puntuales
Grupos Puntuales Grupos Puntuales Impropios

Propios o
Enantiomórficos “E”
“NC-NE” Céntricos “C”
C1 1 Ci -1
C2 2 CS -2 = m C2h 2/m
D2 222 C2v 2mm D2h 2/m2/m2/m
C3 3 C3i =S6 -3
D3 32 C3v 3m D3d -32/m
C4 4 S4 -4 C4h 4/m
C4v 4mm
D4 422 D4h 4/m2/m2/m
D2d -42m
C6 6 C3h -6 = 3/m C6h 6/m
C6v 6mm
D6 622 D6h 6/m2/m2/m
D3h -6m2
T 23 Th 2/m-3
0 432 Td -43m Oh 4/m-32/m
Figura 2.3. Los grupos puntuales en proyección estereográfica.

Polígono negro de “n” lados: eje de rotación de orden n.
Polígono negro/blanco de “n” lados: rotación/inversión.
Trazo oscuro: espejo.
Los 32 grupos puntuales 39
Figura 2.3. (continuación)

Subíndices asociados a rotaciones impropias:

h - plano de reflexión horizontal
v - plano de reflexión vertical
i - inversión
d - plano de reflexión diagonal (también vertical, pero no coincidente con v )
Además de estos símbolos se emplea la letra S en en el grupo céntrico S6 = C3i = -3 y en
los grupos “alternantes” Cs = -2 = m y S4 = -4.
La notación de Hermann-Mauguin (H-M) es la siguiente:
El primer símbolo es un número (con su signo), el cual representa al eje de rotación
principal (vertical). Por ejemplo: 3 es la abreviatura para el grupo puntual (3).
A continuación se presentan lo restantes ejes del grupo. Si se tienen operaciones -2,
estas se denotan con una letra m. Si el plano de espejo contiene al eje principal n, se pone
“nm”; si es perpendicular se escribe un quebrado “n/m”.
Tomando en consideración el efecto de combinar operaciones de simetría, se encuen-
tra que el número máximo de ejes necesarios (elementos generatrices) es 3.
La notación internacional es doble: se escribe el símbolo de Schoenflies, una separa-
ción (o un símbolo =) y el símbolo de H-M.
Ejemplos sobre notación de grupos puntuales:

C2h 2/m: Una rotación vertical 2 y un espejo horizontal. En la notación de teoría de gru-
pos sería (-1)·(2). Es un grupo impropio, céntrico.
D2d -42m: El eje principal es una rotación-inversión de orden 4, además hay un eje 2
horizontal y un plano de reflexión que contiene al eje 4. Este es un grupo NC-NE deri-
vado del diédrico D4 . Su notación “de grupo” es (-4)·(2').
Ejemplo de Tabla de Multiplicación de un Grupo Puntual:

Con ayuda del ejemplo en la Tabla 2.5, presentamos el concepto de Tabla de Multiplica-
ción de un Grupo. Es una matriz con todos los productos posibles entre los elementos de
un grupo. El primer factor se toma de la fila superior y el segundo de la columna extrema
izquierda. Nuestra tabla se refiere al grupo puntual C2v. Se expresa, por ejemplo, la rela-
ción σv(xz)·C2 = σv’(yz). El grupo C2v es no-cíclico, Abeliano.
Tabla 2.5. Tabla de multiplicación del grupo c2v. (El símbolo σv representa un espejo
vertical)
C2v E C2 σv σv’
E E C2 σv σv’
C2 C2 E σv’ σv
σv(xz) σv σv’ E C2
σv’(xz) σv’ σv C2 E
Elementos conjugados y clases 41
2.6 ELEMENTOS CONJUGADOS Y CLASES
Ya nos hemos familiarizado con la idea de los subgrupos. Ahora presentamos otra forma
importante de considerar la estructura interna de un grupo: las clases.
En un grupo, un elemento B es conjugado del elemento A si en el grupo existe un ele-
mento X tal que: B = X-1·A·X.
La colección de todos los elementos conjugados de A se define como la clase de A.
Problema:
Probar que la identidad E es una clase en cualquier grupo:
Solución: Para cualquier elemento X, se cumple X-1·E·X = E. E es su auto-con-
jugado.
Problema:
Hallar las clases del grupo C3v = 3m:
Solución: Los 6 elementos del grupo, utilizando las dos notaciones, son:
1 = E; 3 = C3; 32 = C32; m = σ; m’ = σ’; m” = σ”.
Cálculo de los elementos conjugados:

a. E-1·C3·E = C3
b. C3-1· C3·C3 = C32·C3·C3 = C3
c. (C32)-1·C3· C32 = C3
d. (σ)-1· C3 σ = σ σ” = C32
e. (σ’)-1· C3 σ’ = C32
f. (σ”)-1· C3·” = C32
El conjunto {C3, C32} es la clase asociada a C3 en el grupo C3v. También es, natu-
ralmente, la clase de C32.
g. Se puede probar que {σ, σ’, σ”} es otra clase en C3v.
Las clases de C3v son {E}, {C3, C32} y {σ, σ’, σ”}
¿Cuál es el significado de los elementos conjugados? El triple producto matricial

X-1·A·X se interpreta como la transformación del operador A ante un cambio de base
caracterizado por la matriz X. Este tipo de transformación se denomina transformación
de semejanza. Ilustramos con el ejemplo de la Figura 2.4.
Algunas propiedades de los elementos conjugados:
a. Cada elemento es auto-conjugado de si mismo: E-1·R·E = R.
b. Si B es conjugado de A, entonces A es conjugado de B.
3 2
C3
Observación de rotaciones
1 3
de tercer orden desde las
coordenadas iniciales
2 1
Plano especular
σ-1 σ
2 1
Observación de las rotaciones
después de una transformación
1 3
especular de las coordenadas C32
3 2
Figura 2.4. Transformaciones de semejanza aplicadas al grupo C3v en un triángulo.

Ante un cambio de coordenadas definido por una reflexión especular, las
rotaciones siguen siendo rotaciones. Las clases ayudan a identificar
semejanzas entre operaciones.
c. Si [A es conjgado de B] y [A es conjugado de C], entonces [B y C son conjugados].

Las propiedades enunciadas implican que la conjugación divide a cualquier grupo en
clases. Cada elemento del grupo pertenece a una clase. La división de un grupo en clases,
definida matemáticamente a través la transformación de semjanza B = X-1·A·X, ayuda a
“agrupar” operaciones de simetría semejantes en una misma clase. La Figura 2.5
representa esta idea.
En un grupo Abeliano: X-1·R·X = X-1·X·R = R para todo X. Es decir, en un grupo
Abeliano cada operador forma su propia clase. Entre los grupos puntuales
cristalográficos los cíclicos, y algunos otros, son Abelianos. Para estos grupos, los
elementos de simetría y las clases coinciden.
La Tabla 2.6 muestra la división en clases de los 32 grupos puntuales cristalográficos.
C3v:
Ê C3 C32
σv σv´´
σv´
Figura 2.5. Las clases de C3v.

Elementos conjugados y clases 43
Tabla 2.6. División por clases de los grupos puntuales

Orden Elementos
Schoenflies Intern. Operaciones de Simetría
(h) Generatrices
C1 1--- 1 E E
Triclínico
Ci 1 2 E, i i
C2 2 2 E, C2 C2
Monoclínico Cs m 2 E, σ σ
C2h 2/m 4 E, C2, i, σh i, C2
E, C2(x), C2(y), C2(z)
D2 222 4
E, C2, σv, σ'v C2(y), C2(z), C2, σv
Ortorrómbico C2v mm2 4
E, C2(x), C2(y), C2(z), i, σxy, i, C2(y), C2(z)
D2h mmm 8
σxz, σyz
E, C4, C2, C 43
C4 4--- 4 C4
E, S4, C2, S 43
S4 4 4 S4
E, C4, C2, C 43 , i, S4, σh, S 43
C4h 4/m 8 C4, i
E, 2C4, C2, 2C 2´ , 2C 2´´
Tetragonal D4 422 8 C4, C 2´
E, 2C4, C2, 2σv, 2σd
C4v 4mm 8 C4, σv
E, 2S4, C2, 2C 2´ , 2σv, 2σd
D2d 42m 8 S4, C 2´
E, 2C4, C2, 2C 2´ , 2C 2´´ , i,
D4h 4/mmm 16 C4, i, C 2´
2S4, σh, 2σh, 2σd
C3 3--- 3 E, C3, C 32 C3
S6 3 6 E, S6, C3, i, C 32 , S 65 S6
Trigonal D3 32 6 E, 2C3, 3C2 C3, C2
C3v 3m 6 E, 2C3, 3σv C3, σv
D3d 3m 12 E, 2C3, 3C2, i, 2S6, 3σd C3, C2, i
E, C6, C3, C2, C 32 , C65
C6 6--- 6 C6
E, S3, C 32 , σh, C3, S 35
C3h 6 6 S3
E, C6, C3, C2, C 32 , C 63 , i,
C6h 6/m 12 C6, i
S 35 , S 65 , σh, S6, S3
Hexagonal E, 2C6, 2C3, C2, 3C 2´ , 3C 2´´
D6 622 12 C6, C 2´
E, 2C6, 2C3, C2, 3σv, 3σd
C6v 6mm 12 C6, σv
E, 2C3, 3C2, σh, 2S3, 3σd
D3h 6m2 12 S3, C2
E, 2C6, 2C3, C2, 3C 2´ , 3C 2´´
D6h 6/mmm 24 C6, C 2´ , i
i, 2S3, 2S6, σh, 3σd, 3σv
23 12 E, 4C3, 4C 32 , 3C 2 C3[111], C2
T m3 24 E, 4C3, 4C 32 , 3C 2 , i, 4S6, C3[111], C2, i
Th 4S 63 , i, 3σh
Cúbico O 432 24 E, 8C3, 6C4, 3C2, 6C 2´ C3[111], C4
Td 24 E, 8C3, 3C2, 6S4, 6σd C3[111], S4
Oh 43m E, 8C3, 6C4, 3C2, 6C 2´ , i,
m3m 48 8S6, 6S4, 3σh, 6σd C3[111], C4, i
1. Las rotaciones del grupo puntual de un cristal, ¿son operaciones de simetría en
ese cristal?
2. ¿Cuál es el grupo puntual que corresponde a un cristal de grupo espacial P4/m 21/b 2/m?
¿Qué significan los símbolos de este grupo espacial? ¿De qué grupo puntual
enantiomórfico proviene ese grupo puntual?
3. ¿Puede un cristal tener la simetría de una estrella de mar?
4. ¿Cual es el grupo de simetría de un lápiz? ¿y si tiene punta por ambos extremos?
5. Demuestre que si un grupo puntual posee la operación -3, entonces necesaria-
mente se trata de un grupo centrosimétrico.
6. Demuestre que un grupo puntual con (sólo) dos ejes de orden dos, mutuamente
perpendiculares, no puede existir.
7. Explique la correspondencia general entre los grupos NC-NE y los grupos enan-
tiomórficos. ¿Cómo se deriva el grupo C6v del grupo D6?
8. La molécula de agua ¿tiene simetría especular? ¿es centrosimétrica? ¿cuál es su
grupo puntual?
9. En la Figura 2.3, explique y compare los diagramas de los grupos puntuales D2,
C2v y D2h.
10.Encuentre las clases de los grupos puntuales D3 = 3 2 y T = 2 3. Compare sus
resultados con los de la Tabla 2.6.
BIBLIOGRAFÍA Y VÍNCULOS INTERNET.

CAPÍTULOS 1 Y 2
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and Engineering), J. Wiley, N. York.
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www.geo.arizona.edu/xtal-cgi/test
Bloss, F. D. 1994, Crystallography and Crystal Chemistry, Mineralogical Soc. of America,
Washington.
Dana J.D., Skinner H.C.W., Foord E.E, Dana E.S. 1997, Dana's New Mineralogy, J. Wiley, N.
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Giacovazzo, C. (Editor) 1992, Fundamentals of Crystallography. Oxford Univ. Press, Oxford.
Hahn, Th. (Editor) 1983, International Tables of Crystallography. Reidel Publ. Co., Dordrech.
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artista): http://www.spanisharts.com/reinasofia/picasso/pintor.htm
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Zachariasen, W.H. 1967, Theory of X-Ray Diffraction in Crystals. Dover, N. York.
3
ELECTROMAGNETISMO
Y SIMETRÍA DE COLOR
3.1 RESUMEN DE LEYES

DEL ELECTROMAGNETISMO
EN LA MATERIA
3.1.1 Las Ecuaciones de Maxwell

Las leyes del Electromagnetismo son las Ecuaciones de Maxwell (1- 4), la Fuerza de
Lorentz (5) y la Ley de Conservación de la Carga o Ecuación de Continuidad (6).
47
48 Electromagnetismo y Simetría de Color
Ecuaciones de Maxwell Forma diferencial Forma integral
ρ Q
Gauss – electricidad : ∇ ⋅ E = ----
ε0 ∫°E · da = ----
ε0
[1]
Gauss – magnetismo : ∇⋅B=0 ∫°B · da = 0 [2]
∂B dφ
Faraday : ∇×E =
∂t ∫°E · dl = – --------B-
dt
[3]
Ampere – Maxwell : ∇× B = μ0J+ μ0ε0 ∂E ∫°B . dl = μ0I + μ0ε0 dφE [4]

∂t dt
Fuerza de Lorentz:
F = qE+ qv × B [5]
Ecuación de Continuidad:
∂ρ
∇⋅J + ∂t =0 [6]
E es la intensidad del campo eléctrico, B la inducción magnética. ρ es la densidad de

carga y Q la carga total (integral volumétrica de ρ). εo es la permitividad del vacío (=
8,9·10-12 Farad/metro). J es la densidad de corriente e I la intensidad (integral superfi-
cial de J). μo es la permeabilidad del vacío (= 4π·10-7 Henry/metro). Los flujos eléctrico
y magnético se designan respectivamente φE y φB. En (5) la carga de prueba q lleva una
velocidad v. Los diferenciales da y dl se asocian respectivamente a integrales de superfi-
cie (flujos) y de línea (circulaciones).
En la investigación de procesos electromagnéticos en materiales, también se toman
en consideración las relaciones constitutivas, que caracterizan la relación estímulo-res-
puesta, en un material dado, bajo diferentes interacciones. Ejemplos de relaciones consti-
tutivas son la Ley de Ohm J = σE y la relación polarización-campo eléctrico P = εoχeE
(σ = conductividad, χe = susceptibilidad eléctrica).
3.1.2 Electrostática en medios aislantes

A nivel microscópico, la polarización de un dieléctrico puede ser debida al desplaza-
miento relativo de los iones en la red cristalina, a la orientación de los dipolos molecula-
res permanentes o a la deformación de las nubes electrónicas.
La caracterización de la situación electrostática en un dieléctrico consiste en plantear
y resolver las leyes básicas (1) y (3), incluyendo las consideraciones de que no hay cam-
Resumen de leyes del electromagnetismo en la materia 49
pos variables en el tiempo (∂B/∂t = 0) y que la carga (Q, ρ) contiene una contribución
debida a las cargas de polarización típicas de estos materiales.
Las ecuaciones resultantes son:
ρ Q
∇ × E = -----T
ε0
( ρT = ρL + ρP )
°∫ E ⋅ da = ------T
ε0
( QT = QL + QP ) [7]
∇×E = 0
°∫ E ⋅ dl = 0 [8]
Los subíndices significan: T = “Total”; L = “Libre”; P = “de Polarización”.

En el vacío (ausencia de cargas de polarización), la solución de (7) y (8) está dada por
la Ley de Coulomb dE = dQL / 4πεor2.
Se puede probar que la carga de polarización está dada por ciertas variaciones espa-
ciales del campo densidad de polarización P = dp/dV (momento de dipolo eléctrico de la
unidad de volumen). Matemáticamente:
ρP = –∇ ⋅ P Q P = – ∫ P ⋅ da
° [9]
De acuerdo con el sentido geométrico del operador divergencia (∇⋅), tenemos que la
carga de polarización está determinada por las variaciones longitudinales del campo de
polarización.
El ejemplo de la Figura 3.1 ilustra el significado de la forma integral de (9). La distri-
bución de carga neta macroscópica de un bloque polarizado es equivalente a la de un par
de placas cargadas con densidades superficiales σP = ± P. Ambas configuraciones
poseen el mismo momento de dipolo total p. Para el bloque: p = (densidad de polariza-
ción) · (volumen) = PAh. Para el par de placas: p = carga · distancia = (σPA)⋅ h = PAh.
Si sustituimos (9) en la forma diferencial de (1) obtenemos:
ε0 ∇⋅ E = ρ L −∇⋅ P ∇⋅( ε0 E + P ) = ρ L [10]
área A
σPP =P
área A
P σPP = -P
Figura 3.1. Bloque polarizado y placas de carga equivalentes

Se define el desplazamiento eléctrico D:
D = εoE + P [11]
y la Ley de Gauss para los dieléctricos (formas diferencial e integral) queda:
∇ ⋅ D = ρL
°∫ D ⋅ da = QL [12]
La Ley de Gauss básica (ec. 1) y las relaciones (10) a (12) son generales, válidas en todo
el Electromagnetismo. Mencionamos ahora una muy importante manera (aunque no la
única) de obtener polarización eléctrica.
Efecto dieléctrico lineal isotrópico:

P = εoχeE [13]
Este es el efecto comúnmente llamado “dieléctrico”. La polarización responde al campo

eléctrico. Es una de las llamadas interacciones principales, en que causa y efecto son de
la misma naturaleza, en este caso “eléctrica”. La constante χe describe la intensidad del
efecto dieléctrico en el material considerado. Se le llama susceptibilidad eléctrica y por
ahora es un número (válido para materiales isotrópicos). En la situación particular plan-
teada el formalismo de Gauss queda como sigue:
D = εoE + εoχeE = εo(1 + χe)E = εoKeE = εE [14]
con: Ke = (1 + χe) ε = εoKe [15]
∇ ⋅ ε E = ρL
°∫ ε E ⋅ da = QL [16]
Ke es la constante dieléctrica. Es adimensional, al igual que χe. ε es la permitividad. Sus

dimensiones coinciden con las de εo (F/m).
En el vacío: χe = 0, Ke = 1, ε = εo. En dieléctricos comunes Ke vale entre 1 y 10. El
agua es un dieléctrico polar notable, con Ke = 80 (ante campos estáticos).
3.1.3 Campos estáticos en medios

magnéticos
Discutimos ahora la Magnetostática en medios materiales. La línea de presentación de
las ideas será muy parecida a la seguida en el caso Electrostático. Las leyes básicas
siguen siendo las Ecuaciones de Maxwell. De manera análoga a como consideramos las
cargas de polarización en los dieléctricos, aquí debemos tomar en cuenta las llamadas
corrientes de magnetización.
Resumen de leyes del electromagnetismo en la materia 51
A nivel microscópico, la magnetización de un material cualquiera es debida al movi-

miento de los electrones en sus órbitas atómicas, al spín electrónico y, en menor medida,
al magnetismo nuclear.
La caracterización de la situación magnetostática en un medio consiste en plantear y
resolver las leyes básicas (2) y (4), incluyendo las consideraciones de que no hay campos
variables en el tiempo (∂E/∂t = 0) y que la corriente (I, J) contiene una contribución oca-
sionada por las corrientes de magnetización.
Las ecuaciones resultantes son:
∇ ⋅ B = μ0 JT JT = JL + JM
°∫ B ⋅ dl = μ0 IT ( IT = IL + IM ) [17]
∇⋅B = 0
°∫ B ⋅ da = 0 [18]
Los subíndices significan: T = “Total”; L = “Libre”; M = “de Magnetización”. La ecua-

ción (18) es la expresión matemática de que las cargas magnéticas aisladas no existen (o
que no se han descubierto, el tiempo dirá).
En el vacío (ausencia de corrientes de magnetización), la solución de (17) y (18) está
dada por la Ley de Biot-Savart dB = (μoIL/4)·(dl × r / r3).
Se puede probar que la corriente de magnetización está dada por ciertas variaciones
espaciales del campo densidad de magnetización M = dm/dV (momento de dipolo mag-
nético de la unidad de volumen). Matemáticamente:
JM = ∇ × M IM =
°∫ M ⋅ dl [19]
De acuerdo con el sentido geométrico del operador rotacional (∇×), tenemos que la
corriente de magnetización está determinada por las variaciones laterales del campo de
magnetización.
La analogía de la Figura 3.2 ejemplifica el significado de la forma integral de (19). El
bloque magnetizado y la banda de corriente poseen el mismo momento de dipolo magné-
á rea A
h
M ℑMM
Figura 3.2. Bloque magnetizado y banda de corriente equivalente

cap-3.fm Page 52 Thursday, December 20, 2007 11:15 AM
tico m = MAh, bajo la condición de que la densidad lineal de corriente de magnetización

valga ℑM = M (las unidades de M e ℑM son A/m).
Si sustituimos (19) en la forma diferencial de (17) obtenemos:
B B
∇ × ----- = J L + ∇ × M ∇ × ⎛ ----- – M⎞ = J L [20]
μ0 ⎝ μ0 ⎠
Se define la intensidad de campo magnético H:
B = μo(H + M) [21]
Y la Ley de Ampere para los medios magnéticos (formas diferencial e integral) queda:
∇ × H = JL
°∫ H ⋅ dl = IL [22]
La Ley de Ampere (ec. 17) y las relaciones (19) a (22) son válidas en toda la magnetostá-
tica, con cualesquiera materiales.
Se conocen numerosos efectos físicos que producen magnetización. Algunos importantes
son paramagnetismo, superparamagnetismo, diamagnetismo, ferromagnetismo, ferrimagne-
tismo, antiferromagnetismo, piezomagnetismo, piromagnetismo y efecto magnetoeléctrico.
A continuaión presentamos las relaciones constitutivas del caso más simple.
Dependencia lineal M = M(H) (para- y diamagetismo):
M = χm H [23]
La constante χm se llama susceptibilidad magnética y es frecuente que sea un número

pequeño (~10-5), positivo en materiales paramagnéticos y negativo en los diamagnéticos.
En los casos en que valga (23), el formalismo de la Ley de Ampere queda:
B = μo(H + χmH) = μo(1 + χm)H = μoKmH = μ H [24]
con: Km = 1 + χ m μ = μ o Km [25]
B B
∇ × --- = J L
μ °∫ --μ- ⋅ dl = IL [26]
Km es la permeabilidad relativa. Es adimensional, al igual que χm.

μ es la permeabilidad. Sus dimensiones coinciden con las de μo (H/m).
En el vacío: χm = 0, Km = 1, μ = μo.
Simetría del campo eléctrico. Vectores polares y antisimetría 53
3.2 SIMETRÍA DEL CAMPO ELÉCTRICO.

VECTORES POLARES Y ANTISIMETRÍA
En nuestro estudio de la simetría estructural de los cristales nos hemos familiarizado con
la idea de simetría de un campo escalar (ejemplo típico: la densidad). En esta sección
revisamos la aplicación del concepto de simetría a campos vectoriales polares. Se tiene
un campo vectorial polar cuando a cada punto del espacio le corresponde un vector de la
misma “naturaleza” que los vectores de posición. La fuerza, la densidad de corriente, la
intensidad del campo eléctrico y la polarización eléctrica son vectores polares. En la
próxima sección descubriremos que los vectores del magnetismo (B, H y M) exhiben
una “naturaleza” diferente: son seudo-vectores o vectores axiales.
Analicemos el comportamiento de un campo vectorial polar ante una operación de
simetría. Ante una traslación que constituya operación de simetría, los vectores polares
son invariantes, por ejemplo: E(r+t) = E(r). Ante una rotación (de matriz R) que con-
forme una operación de simetría los vectores no son invariantes, sino que se transforman
del mismo modo que los vectores de posición: E(R⋅r) = R·E(r). En resumen el compor-
tamiento de un vector polar ante la operación de simetría S = [R, t] se expresa por el
algoritmo:
E(S·r) = E(R ·r + t) = R ·E(r) [27]
La Figura 3.3 muestra, en el campo E de una línea infinita de carga, el sentido geomé-
trico de la ecuación (27).
línea de carga
m
E(S·r) = R·E(r)
S·r
m’
r R·r
E(r) E(R·r) = R·E(r)
Figura 3.3. Acción del operador de simetría S sobre el campo vectorial E(r).
Antisimetría es el fenómeno de “cosas opuestas en lugares relacionados”. La existen-

cia de antisimetría requiere que la propiedad cuya distribución se caracteriza posea algún
atributo con dos -y solo dos- posibles cualidades. En esta situación resulta natural consi-
derar a una cualidad como la “negación” de la otra. Habitualmente nos referimos a este
tópico como el de la simetría de color, y denotamos como “blanco” y “negro” a las cua-
lidades en cuestión.
Como ejemplos intuitivos de antisimetría podemos mencionar la traslación de una
casilla a otra en un tablero de ajedrez, dos spines electrónicos opuestos y un hombre
frente a una mujer.
Formalmente, en relación con un campo escalar Ω(r), una transformación T = [R, t]
es operación de antisimetría, T = S*, si para todo r se cumple Ω(S*⋅r) = - Ω(r). El signo
menos simboliza la inversión del atributo característico en la transformación. En
electrostática, el signo de la densidad de carga se invierte en una operación de
antisimetría. Los vectores polares (J y E), ante las operaciones de antisimetría, se
transforman de modo que apuntan en sentido contrario al prescrito por las operaciones
ordinarias de simetría. Resumiendo con fórmulas:
Ω(S*⋅r) = - Ω(r) [28]
E(S*⋅r) = -R⋅E(r) [29]
En la Figura 3.4 se comparan las transformaciones del campo eléctrico ante un espejo y
un anti-espejo. El campo E asociado a la esfera de carga del caso (a) es simétrico ante el
plano especular horizontal m. El plano m* correspondiente al dipolo eléctrico del caso
(b) es un anti-espejo.
E(m.r) = E(r)
= - m.E(r)
E(m.r)
= m.E(r)
m.r
m m*
E(r)
E(r)
Figura 3.4. Comportamiento del vector (polar) E ante un espejo (a) y ante un anti-espejo (b).
Simetría del campo magnético. Vectores axiales y simetría de color 55
3.3 SIMETRÍA DEL CAMPO MAGNÉTICO.

VECTORES AXIALES Y SIMETRÍA DE COLOR
Electricidad y magnetismo se parecen, pero no son iguales. Tanto las ecuaciones diferen-
ciales básicas (ecs. 7 y 8 versus ecs. 17 y 18) como sus soluciones (Ley de Coulomb ver-
sus Ley de Biot-Savart) se diferencian en un aspecto esencial, relacionado con el rol de
los productos vectoriales. Nos explicamos con ayuda de la Figura 3.5.
La inducción magnética B(r), asociada a un producto vectorial tanto en la Ley de
Biot-Savart como en la Ley de Ampere, es un vector axial o seudovector. Los seudovec-
tores se transforman de igual manera que los vectores polares en operaciones de simetría
que incluyen solamente rotaciones propias. Si están presentes rotaciones impropias,
entonces los seudovectores se transforman ignorando la inversión. La ecuación para des-
cribir la acción de una operación de simetría sobre un seudovector es:
B(S⋅r) = B(R⋅r + t) = |R| R⋅B(r) [30]
La Figura 3.6 ilustra el comportamiento de B ante un espejo.

La ecuación (31) caracteriza el comportamiento de los vectores axiales ante antisime-
trías.
B(S*.r) = -|R| R.B(r) [31]
Al tomarse en consideración las operaciones de antisimetría, el concepto de Grupo de

Simetría se generaliza por el de Grupo de Simetría de Color, o Grupo de Simetría Mag-
nética. Un Grupo de Simetría de Color está formado, en general, por elementos de sime-
tría y elementos de antisimetría. El producto o combinación de dos operaciones del
mismo tipo (simetría ordinaria o antisimetría) es equivalente a una operación ordinaria;
(-A) x (-B)
AxB
-A
-B
B
A
Figura 3.5. Inversión de vectores polares: A - A; B - B.

La magnitud definida por el producto vectorial A x B no se invierte.
B(m·r) = B(r)
anillo de corriente
B(r)
Figura 3.6. Dipolo magnético. El plano m es un espejo para la distribución de corriente.

El campo B también tiene simetría especular, al estilo de los vectores
axiales.
la combinación de una operación de antisimetría con una de simetría ordinaria es equiva-

lente a una operación de antisimetría.
Existen tres tipos de Grupos de Simetría de Color. Los primeros son los “clásicos”, que
poseen solamente elementos ordinarios de simetría. Los segundos son los llamados “gru-
pos grises”, que se caracterizan por poseer la operación de antiidentidad [Ω(r) = -(Ωr)]
como elemento válido. Un ejemplo de grupo gris puede ser el asociado a una muestra de
material antiferromagnético. En un punto macroscópico de dicha muestra se tienen simul-
táneamente dipolos magnéticos elementales hacia arriba y hacia abajo, por lo que se consi-
dera dicho punto como “gris”. Las distribuciones netas de cargas y corrientes asociadas
a estos grupos de simetría de color conducen a campos electromagnéticos macroscópicos
(E, B) nulos. El tercer tipo está formado por los grupos “blancos- negros”, en los cuales la
antiidentidad solo aparece combinada con operaciones ordinarias; no triviales, de modo
que los puntos son definidamente blancos o negros. Por ejemplo en un dipolo eléctrico (±q)
el plano ecuatorial es un plano antirreflectante. La antireflexión es el producto de la
reflexión clásica por la antiidentidad.
La notación que empleamos para caracterizar los grupos de simetría de color es aná-
loga a la planteada para los grupos clásicos, con la especificación de que un asterisco
junto a cualquier símbolo expresa que se trata de un elemento de antisimetría. Por ejem-
plo los elementos característicos del grupo blanco-negro asociado al dipolo eléctrico ±q
son un eje de rotación de orden infinito con un antiespejo perpendicular y dos combina-
ciones de ejes de antisimetría de orden 2 perpendiculares a sendos espejos ordinarios
paralelos al eje de orden infinito. El grupo de simetría de color lo denotamos ∝/m* 2*/m
2*/m.
Principio de Neumann. Simetría de cargas, corrientes y campos 57
3.4 PRINCIPIO DE NEUMANN. SIMETRÍA

DE CARGAS, CORRIENTES Y CAMPOS
La relación entre la simetría de las cargas [corrientes] y la del campo electrostático [mag-
netostático] está contemplada en una idea fundamental conocida como Principio de Neu-
mann. Este criterio se ha venido comprobando en diferentes campos y ha demostrado
poseer una notable generalidad. La idea física es que la simetría del efecto es al menos
igual a la simetría de la causa.
El planteamiento formal del Principio de Neumann, aplicado al electromagnetismo,
es como sigue: Las operaciones de simetría de color del campo electrostático [mag-
netostático] conforman un grupo, que posee al grupo de simetría de color de la distribu-
ción de cargas [corrientes] como subgrupo.
Las relaciones de transformación de los campos, combinadas con el Principio de
Neumann, permiten establecer un conjunto de propiedades de simetría para los campos E
y B, determinadas por la simetría de las distribuciones de cargas (ρ) y corrientes (J). La
Tabla 3.1 presenta algunas propiedades asociadas a puntos que pertenecen a los
elementos de simetría.
Tabla 3.1. Simetria de color en un elemento de simetria
Condiciones para:
Elemento ρ E, J B
i inversión ordinaria sin condic E=0 sin condic
i* antiinversión ρ=0 sin condic B=0
n rotación ordinaria propia sin condic E||n B||n
n* antirrotación propia ρ=0 E ⊥ n* B ⊥ n*
m reflexión ordinaria sin condic E||m B⊥m
m* antireflexión ρ=0 E ⊥ m* B | | m*
Problema:
Demostrar que, para puntos que pertenezcan a un plano de simetría de la distribu-
ción de corrientes, B es perpendicular a dicho plano.
Solución: Denotamos M a la matriz de reflexión especular considerada. Supon-
gamos que el campo vectorial densidad de corriente satisface la sime-
tría J(M⋅r) = M⋅J(r). La condición a que conduce el Principio de
Neumann para B en un punto ro del plano m es: B(ro) = |M|M·B(ro) =

-M·B(ro), de donde se obtiene que B ⊥ m. Los detalles, para el caso
en que la matriz M represente una reflexión en el plano (x,y), son
como sigue.
⎡ Bx (r0 ) ⎤ ⎡ 1 0 0 ⎤ ⎡ Bx (r0 ) ⎤
⎢ ⎥ ⎢ ⎥⎢ ⎥
⎢ By (r0 ) ⎥=−⎢ 0 1 0 ⎥⋅⎢ By (r0 ) ⎥ ∴ Bx (r0 ) = 0 By (r0 ) = 0
⎢
⎣ Bz (r0 ) ⎥
⎦ ⎢ ⎦⎢
⎣ 0 0 −1⎥ ⎣ Bz (r0 ) ⎥
⎦
[32]
3.5 APLICACIONES
A partir de las propiedades presentadas es fácil deducir características notables de los

campos asociados a distribuciones habituales de cargas y corrientes. La Tabla 3.2 mues-
Tabla 3.2. Grupos de simetria de color para configuraciones electromagneticas sencillas
Sistema Grupo de Simetría Comentarios
Esfera de carga (Fig. 3.4a) ∞/m ∞/m ∞/m E radial; ⏐E⏐ constante ante rotaciones
Línea de carga (Fig. 3.3) t ∞/m m m Sim. trasl. ⏐⏐eje; E ⊥ línea; constante rot
Plano de carga t ∞/m m m E const en cada semiespacio; E ⊥ plano
Dipolo eléctrico (Fig. 3.4b) ∞/m* 2*/m 2*/m E en el eje ⏐⏐eje; E en Ecuador ⊥ Ecuador
Cuadrupolo (Fig. 3.7) 4*/m 2/m 2*/m* Simetría de color
Cuadrupolo (Fig. 3.8) 4/m 2/m 2/m Simetría ordinaria
Línea de corriente t ∞/m* 2*/m 2*/m Sim. trasl. eje; B ⊥ plano espejo
Plano de corriente t 2/m* 2*/m 2*/m B const en cada semiespacio; B ⏐⏐plano
Anillo de corr. (Fig. 3.6) ∞/m 2*/m* 2*/m* B en el eje ⏐⏐eje; B en Ecuador ⊥ Ecuador
Solenoide largo t ∞/m 2*/m* 2*/m* B ⏐⏐eje; sim. trasl. ⏐⏐eje
Toroide ∞/m* 2*/m 2*/m Similar solenoide; simetría rotación
Línea cuádruple (Fig. 3.9) t 4*/m* 2/m* 2*/m Similar cuadrupolo elec; simet trasl líneas
Aplicaciones 59
tra un resumen de casos importantes. Los dibujos ya mostrados, más las Figuras 3.7 a
3.9, representan algunos casos interesantes. La Tabla 3.3 contiene los convenios emplea-
dos para la representación gráfica de los elementos de simetría. Los campos E y B se
dibujan mediante líneas de fuerza.
Tabla 3.3. Representación gráfica de los elementos de simetría
Centro Eje Plano
Simetría • - - - - - - - -
-I 2 4 ∞ m
Asimetría .............
-I* 2* 4* ∞* m*
Figura 3.7. Cuadrupolo eléctrico con simetría de color
Figura 3.8. Cuadrupolo eléctrico con simetría ordinaria

Figura 3.9. Línea cuádruple de corriente.
1. Demuestre la Ley Coulomb a partir de las Ecuaciones de Maxwell.
2. La Figura 3.10 muestra dos condensadores construidos con aislantes de constantes dieléctricas
K1 y K2. El condensador de la izquierda representa una configuración “serie”, mientras que el
de la izquierda se ha armado en “paralelo”. Calcular los vectores E, D y P en cada caso.
Figura 3.10. Problema 2
Problema 2
1. Haga una tabla de comparación entre las propiedades dieléctricas y magnéticas de los materia-
les. ¿En qué unidades se expresan las susceptibilidades, la permitividad y las permeablildades?
¿Cuáles son los órdenes de magnitud frecuentes de estos parámetros?
2. ¿Cuál es el significado de la Ley de Gauss para el magnetismo?
3. Encuentre una expresión para la inducción magnética a lo largo del eje de un anillo de
corriente (como el de la Figura 3.6). Utilice la Ley de Biot-Savart.
Bibliografía y vínculos internet 61
4. Un imán en forma de barra cilíndrica tiene una longitud de 5 cm y un diámetro de 1 cm. Su

magnetización M vale 5 kA/m. Calcule: a) la corriente total de magnetización (h⋅ℑM, ver la
Figura 3.2); b) el momento de dipolo magnético.
5. En las clases universitarias de Electromagnetismo, al calcular campos mediante Gauss y
Ampere, son frecuentes las justificaciones del tipo: “el vector E (ó B) sale de la integral por
simetría” ¿puede usted ampliar y hacer más rigurosa esta argumentación?
6. Si un sistema físico posee un plano horizontal de simetría, ¿arriba hay lo mismo que abajo? Un
imán tiene arriba su polo norte y abajo su polo sur, ¿es imposible que tenga un plano horizontal
de simetría?
7. Compruebe las simetrías y antisimetrías de las Figuras 3.7 a 3.9.
BIBLIOGRAFÍA Y VÍNCULOS INTERNET

Fuentes L, Font R: “Simetría y Electromagnetismo”. Rev.Española de Física Vol. 7, Num. 2,
Pag. 49 (1993).
Purcell, E.M., “Electricidad y Magnetismo”, Editorial Reverté, 2ª ed., 2001.
Santaló, L.A., Vectores y Tensores, Editorial Universitaria, Buenos Aires, 1969.
Tipler, P.A., “Física”, vol. 2., Editorial Reverté, 3ª ed., 1993.
4
PROPIEDADES
Y TENSORES
4.1 LAS PROPIEDADES FÍSICAS

COMO TENSORES
Frecuentemente una propiedad en un objeto está asociada al cociente de dos magnitudes
que se miden en este objeto. Las propiedades caracterizan cuantitativamente al objeto en
cuanto a su interacción con el medio. Matemáticamente:
Y = K ⋅X K = Y/X [1]
X, Y: Magnitudes, en general tensores, que se miden en el objeto. Como regla, X des-

cribe una acción o causa, mientras que Y caracteriza una respuesta o efecto. K es la pro-
piedad.
63
64 Propiedades y Tensores
La Figura 4.1 ilustra el sentido geométrico de un tensor particular, el tensor conducti-

vidad eléctrica g. Operacionalmente, la conductividad actúa sobre el vector intensidad
de campo eléctrico E y produce el vector densidad de corriente J:
J = g •E [2]
Si el material es anisotrópico (conductividad en el eje x distinta que en y), entonces J

resulta no- paralelo a E. El operador que conecta a J con E no puede ser un simple
número, sino un ente más complejo. En este caso se trata de un tensor polar de segundo
rango.
Si Y es un tensor de rango m y X es uno de rango n, entonces K es un tensor de rango
r = m + n. Un escalar es un tensor de rango nulo y un vector es un tensor de primer
rango. La conductividad relaciona entre sí a dos tensores de primer rango, por lo que su
rango es 2.
Para el estudio de las propiedades de los tensores se utilizan generalmente sistemas de
coordenadas cartesianas (ortogonales). En el presente capítulo adoptaremos esa práctica. En
la siguiente Sección discutiremos algunos detalles sobre las transformaciones entre sistemas
de coordenadas cristalográficas (cúbicas,…triclínicas) y cristalofísicas (cartesianas).
Las tres componentes de un tensor de primer rango se escriben como una matriz
columna de tres elementos, las nueve de un tensor de segundo rango como una matriz
cuadrada 3×3 y así sucesivamente. Por ejemplo, a un tensor de cuarto rango le corres-
ponde una matriz tetradimensional de 3×3×3×3 = 81 componentes.
E
Ey
Jy
J
Ex Jx
Figura 4.1. La componente horizontal (x) del campo E produce mayor densidad de
corriente que la componente vertical (y). Por superposición, el campo J
resultante no es paralelo a E.
Las propiedades físicas como tensores 65
La ec.(2) del ejemplo sobre conductividad puede escribirse de las siguientes formas
alternativas:
⎡ J 1 ⎤ ⎡ g 11 g 12 g 13 ⎤⎡ E1 ⎤ 3
⎢ ⎥ ⎢ ⎥⎢ ⎥
⎢ J 2 ⎥=⎢ g 21 g 22 g 23 ⎥⎢ E 2 ⎥ J i = ∑g ij E j J i = g ij E j [3]
⎢
⎣ J 3⎥⎦ ⎢ ⎦⎢
⎣ g 31 g 32 g 33 ⎥⎣ E3⎥
j =1
⎦
En la última expresión se emplea el convenio de Einstein que estipula sumar sobre índi-
ces repetidos. Usaremos este convenio eventualmente.
Una propiedad fundamental de los tensores es su comportamiento ante rotaciones y/o
inversiones del sistema de coordenadas. Ante tales transformaciones, la relación entre
tensores (X, Y) representada por el tensor propiedad (K) tiene que permanecer invariante.
En Análisis Tensorial se demuestra que esta invarianza se logra si se cumple lo siguiente.
Sea una transformación de coordenadas consistente en una rotación, posiblemente
acompañada de una inversión. Este tipo de transformación se denomina ortogonal y se
caracteriza porque preserva las distancias entre dos puntos cualesquiera. Representemos
la transformación mediante la matriz T = ||tij||. Para las transformaciones ortogonales, el
determinante de T vale |T| = ±1. El signo menos corresponde al caso en que la transfor-
mación incluye la operación de inversión i = - I (r' = i.r = -r).
Las coordenadas de un punto en el sistema transformado (xi') se obtienen de las refe-
ridas al sistema original (xi) mediante:
x 'i = t ij x j [4]
Considérese el tensor A (asociado a cierta propiedad física), de rango n, formado por las
componentes Akl...n. La relación entre tensores representada por la ecuación (1) perma-
nece invariante ante T si las componentes de A en el sistema transformado (A’) vienen
dadas por una transformación de semejanza, expresada por:
A′ij...m = ∑∑...∑ t ik t jl ⋅⋅⋅t mn A kl...n [5]

k l n
El cumplimiento de la ecuación (5) define la condición de tensor polar.

La diferencia entre tensores polares y axiales está en su comportamiento ante trans-
formaciones de coordenadas que incluyan la inversión. Ante tales transformaciones las
componentes de los tensores polares se invierten, mientras que las de los axiales no. En
el capítulo anterior estudiamos con cierto detalle esta cuestión en el caso de tensores
axiales de rango 1 o seudovectores.
Ante transformaciones ortogonales, las componentes del tensor axial B se transfor-
man según:
B i′j...m = T ∑∑ ...∑ t t ⋅⋅⋅t mn B kl...n

ik jl [6]
k l n
En la ecuación 1, la operación K·X es un producto escalar. El carácter polar o axial de K

deberá ser consistente con la naturaleza del par X,Y. Por ejemplo, si Y es axial, entonces
uno de los factores (X ó K) deberá poseer este carácter.
4.2 SISTEMAS DE COORDENADAS

CRISTALOFÍSICAS
Y CRISTALOGRÁFICAS
El estudio de la relación estructura-propiedades conduce al empleo de dos tipos de siste-
mas de coordenadas.
La geometría cristalina se describe óptimamente con los llamados sistemas cristali-
nos, estudiados en capítulos anteriores. Ideas fundamentales, como el Postulado de la
Red Cristalina (Cap.1), se expresan de manera concisa y elegante en estos sistemas. Los
sistemas cristalográficos, en general, no son ortogonales.
Por otro lado, la investigación de las propiedades físicas conlleva al empleo de siste-
mas ortogonales normalizados, en abreviatura ortonormales. Estos sistemas de coorde-
nadas, llamados cristalofísicos, son los idóneos para investigar las tranformaciones de
los tensores ante las operaciones de simetría.
En esta sección introducimos, a través de un ejemplo, los vínculos entre los dos tipos
de sistemas.
Nuestro ejemplo es el del cristal de cuarzo, grupo puntual D3, simetría trigonal, descrito
habitualmente mediante la base cristalográfica a1, a2, a3, con |a1| = |a2| = a = 0.491 nm;
|a3| = c = 0.540 nm; α = β = 90°; γ = 120°. La Figura 4.2 describe en proyección estero-
gráfica la geometría planteada. Se incluyen el sistema cristalofísico (xi), los sistemas crista-
lográficos (directo ak y recíproco bi) y los ejes de rotación del grupo puntual.
La base cristalofísica ei (i = 1, 2, 3), se establece haciendo e1 = a1/a y definiendo los
otros dos vectores básicos de modo que forman con e1 una base ortonormal. La ecuación
matricial que caracteriza la transformación entre uno y otro sistema es:
⎡ e1⎤ ⎡ 1 / a 0 0 ⎤⎡ a 1 ⎤
⎢ ⎥ ⎢ ⎥
0 ⎥⎢ a 2 ⎥
⎢ e 2 ⎥=⎢ 3/3a 2 3/3a ⎢ ⎥ [7]
⎢
⎣ e3⎥ ⎦ ⎢
⎣ 0 0 1/c ⎥
⎦⎢
⎣ a3⎥ ⎦
La matriz de transformación no representa una rotación. Su inversa no está dada por la

traspuesta, su determinante no vale ±1.
El efecto del cambio de sistema se aprecia claramente en la expresión matricial de los
operadores asociados a las rotaciones del grupo puntual del cuarzo, D3. Por ejemplo la
rotación de un vector dado alrededor del eje z (que sale del dibujo), un ángulo de 120° en
sentido antihorario, se expresa:
Interacciónes y energías térmica, electromagnética y elástica 67
⎡ 0 -1 0 ⎤
⎢ ⎥
Sistema cristalográfico (x, y, z): G =⎢ 1 -1 0 ⎥
c
3 [8]
⎢
⎣ 0 0 1⎥ ⎦
La ecuación (8) ejemplifica una propiedad general de los grupos puntuales: Las compo-
nentes de las matrices asociadas a las rotaciones de los diferentes grupos puntuales son
siempre números enteros, si éstas están expresadas en una base cristalográfica.
⎡ -1/2 - 3/2 0 ⎤
Sistema cristalofísico (x1, x2, x3): G 3f =⎢
⎢ 3/2
⎥
-1/2 0 ⎥ [9]
⎢
⎣ 0 0 1⎥⎦
4.3 INTERACCIONES Y ENERGÍAS TÉRMICA,

ELECTROMAGNÉTICA Y ELÁSTICA
Presentamos ecuaciones representativas de las energías asociadas a un pequeño volumen
en un objeto sometido a interacciones térmica, electromagnética y elástica. El propósito
de esta sección es recapitular algunas fórmulas importantes de la Física General, apli-
cando conceptos de ese nivel. Las fórmulas finales que se presentan para las densidades
a2
y
b2 x2
a1
x, x1 b1
Figura 4.2. Sistemas cristalográfico y cristalofísico para el cuarzo.

de energía térmica, electromagnética y elástica son de mayor generalidad que lo justifi-

cado en la presente explicación.
Termodinámica:
La cantidad de calor δQ necesaria para incrementar en dθ la temperatura θ de una masa m,
es δQ= m⋅C⋅dθ. C es el calor específico o capacidad calorífica del material considerado.
La cantidad de calor por unidad de volumen vale δq = ρ⋅C⋅dθ. La cantidad de calor no es
una variable de estado. La entropía dσ = δq / θ sí lo es. Sustituyendo (δq = θ dσ), establece-
mos la fórmula representativa del flujo de energía térmica por unidad de volumen:
θ⋅d σ = ρ⋅C ⋅d θ [10]
Electromagnetismo:
Revisamos primero la energía electrostática de un elemento de volumen. Ésta tiene con-
tribuciones del campo de vacío y de la interacción entre el campo y los dipolos eléctricos
atómicos o moleculares.
La densidad de energía “de vacío” del campo eléctrico vale u0 = (½)⋅ε0⋅E2 =
(½)⋅ε0⋅E⋅E. Una forma de interpretar esta ecuación es analizar el crecimiento de la
energía por unidad de volumen cuando se va incrementando la intensidad del campo E:
E ε0 2
u0 = ε0 ∫0 E ⋅dE = E [11]
2
En presencia de un material aislante de constante dieléctrica Ke, la energía a campo cons-

tante aumenta Ke veces. Aplicando D = Keε0E (ec. 3.14) se obtiene para la densidad
volumétrica de energía electrostática:
K e ε0 D
uelec = E ⋅ E = ∫0 E ⋅dD [12]
2
El caso magnético recibe un tratamiento análogo, con empleo de B = μH (ec. 3.24). Se

llega a:
1 B
(vacío) u0 = B⋅ B ( B = μH ) umagn = ∫0 H ⋅dB [13]
2 μ0
En resumen, las ecuaciones respectivas para las densidades de energía eléctrica y magné-
tica son:
duelec = E ⋅dD dumagn = H ⋅dB [14]

Interacciones y energías térmica, electromagnética y elástica 69
Elasticidad:
La Ley de Hooke es: F = k⋅x (F = fuerza, k = constante de un resorte, x = desplaza-
miento). El trabajo necesario para deformar el resorte en un desplazamiento elemental
∆x vale ∆W = F⋅∆x.
Considérese una varilla metálica sometida a ensayo de tracción. Para enfocar la aten-
ción en el material, mejor que en el objeto, se procede como sigue.
a. Se pasa de “fuerza” a “tensión o esfuerzo”: T = F / [sección transversal] y
b. se convierte el “desplazamiento” en “deformación unitaria o deformación”: S = ∆x
/[longitud]. Si efectuamos el producto T⋅ S, éste representa el trabajo elástico por
unidad de volumen.
La elasticidad estudia casos más generales que el ensayo de tracción. Se consideran trac-
ción y compresión axiales, presión hidrostática y cizalladura. Las definiciones generales
de tensión y deformación establecen que estas dos magnitudes son tensores polares de
segundo rango. Las ecuaciones correspondientes son:
⎡ T11 T12 T13 ⎤

Tensión o esfuerzo: T =⎢T T ⎥
T23 ⎥ [15]
⎢ 21 22
⎢
⎣T31 T32 T33 ⎥
⎦
⎡ S11 S12 S13 ⎤

Deformación: S =⎢ S S 22
⎥
S 23 ⎥ [16]
⎢ 21
⎢S
⎣ S32 S ⎦ ⎥
31 33
Tij representa una fuerza (por unidad de área) que apunta a lo largo del eje i, aplicada
sobre un elemento de superficie cuya normal es el eje j. Si i = j, se trata de una tensión
axial. En caso contrario, es un esfuerzo de cizalladura. Bajo condiciones de equilibrio, el
tensor esfuerzo es simétrico (Tij = Tji).
Las componentes del tensor deformación están dadas por las variaciones dui de los
elementos de longitud dxj:
1⎛ ∂ui ∂u j ⎞ [17]
Sij = ⎜ + ⎟
2⎜ ⎟
⎝ ∂x j ∂xi ⎠
Si i = j, entonces Sij describe extensión o contracción. Si i ≠ j, la forma del objeto cam-

bia. El tensor Sij es simétrico.
La densidad volumétrica de energía de un cuerpo deformado elásticamente vale:
duelast = ∑∑ Tij Sij = Tij Sij (convenio de Einstein) [18]

i j
4.4 RELACIONES CONSTITUTIVAS
Estudiamos las propiedades físicas asociadas a las interacciones térmica, mecánica, eléc-
trica y magnética. Consideramos procesos reversibles (queda excluída, por ejemplo, la
conducción resistiva) en la aproximación lineal (excluídos efectos estrictivos). La ener-
gía por unidad de volumen de un cuerpo sometido a acciones de los tipos mencionados
viene descrita por la siguiente ecuación:
du = θd σ + T ij dS ij + E m dD m + H n dB n [19]
Los escalares θ y σ son, respectivamente, temperatura y entropía. T y S son tensores

polares de segundo rango asociados al esfuerzo y la deformación. E y D, vectores pola-
res, son la intensidad de campo eléctrico y el desplazamiento eléctrico. H y B, intensidad
de campo magnético e inducción magnética, son vectores axiales. Se emplea el convenio
de suma sobre índices repetidos (i, j, etc. = 1, 2, 3).
La ecuación (19), que se obtiene directamente del análisis de los fenómenos conside-
rados, tiene como variables independientes a la entropía, la deformación, el desplaza-
miento eléctrico y la inducción magnética. En símbolos: U = U( σ ,S,D,B) . Por otro lado,
son frecuentes las situaciones en las cuales las variables bajo control son otras. El paso a
descripciones en las cuales se intercambia el rol independiente-dependiente entre variables
se realiza mediante las llamadas transformaciones de Legendre, como se desarrolla a
continuación.
La energía libre G caracteriza la interacción en la descripción con variables indepen-
dientes θ, T, E, H:
G = u - σθ - S ijT ij - D m E m - B m H m [20]
dG = - σd θ - S ij dT ij - D m dE m - B m dH m [21]
El carácter de diferencial exacto de dG conduce a las siguientes identificaciones:
∂G ∂G
σ = -( ) S ij = - ( )
∂θ T,E,H ∂T ij θ ,E,H
[22]
∂G ∂G
Dm = -( ) Bn= -( )
∂E m θ ,T,H ∂ H n θ ,T,E
(σ, S, D, B) son considerados respuestas a los estímulos (θ, T, E, H):
∂σ ∂σ ∂σ ∂σ
dσ =( )d θ + ( )dT ij + ( )dE m + ( )dH n [23]
∂θ ∂T ij ∂E m ∂H n
Relaciones constitutivas 71
∂S ij ∂S ij ∂S ij ∂S ij [24]
d S ij = ( )d θ + ( )dT kl + ( )dE m + ( )dH n
∂θ ∂T kl ∂E m ∂H n
∂D m ∂D m ∂D m ∂D m [25]
d Dm = ( )d θ + ( )dT ij + ( )dE n + ( )dH n
∂θ ∂T ij ∂E n ∂H n
∂B m ∂B m ∂B m ∂B m [26]
d Bm= ( )d θ + ( )dT ij + ( )dE n + ( )dH n
∂θ ∂T ij ∂E n ∂H n
Las segundas derivadas de G se identifican con las propiedades del material, según las
definiciones que siguen1. Se incluyen entre paréntesis el carácter polar o axial y el rango
r. Los supraíndices denotan las variables independientes tomadas como constantes.
ρC TEH ∂σ
=( ) ρ = densidad
θ ∂θ TEH [27]
C TEH = capacidad calorífica (escalar, r = 0)
∂σ ∂S ij
α ijEH = = coef. dilatación (polar, r = 2) [28]
∂T ij ∂θ
∂σ ∂ D m
p TH
m = = const.piroeléctrica (polar, r = 1) [29]
∂E m ∂θ
∂σ ∂B m
i TE
m = = cont. piromagnética (axial, r = 1) [30]
∂ H m ∂θ
∂S ij
sθijklEH = ( ) ΘEH tensor elasticidad (polar, r = 4) [31]
∂T kl
∂S ij ∂D k
d θijkH = = const.piezoeléctrica _ de _ carga ( polar , r = 3) [32]
∂E k ∂T ij
∂S ij ∂B k
d θijkE = = const.piezomagnética ( axial , r = 3) [33]
∂H k ∂T ij
1. No existen acuerdos generalizados en Español para designar los tensores de la elasticidad. Aquí adop-
tamos la siguiente nomenclatura, referida a los nombres en Inglés: elasticidad ↔ “compliance”; rigidez
↔ “stiffness”.
∂D i
εijθTH = ( ) const. permitividad (polar, r = 2) [34]
∂E j θTH
∂D i ∂B j
m ijθT = = ct.magnetoelectrica (axial, r = 2) [35]
∂H j ∂E i
∂B i
μijθTE = ( ) cte. permeabilidad (polar, r = 2) [36]
∂ H j θTE
Las definiciones recién establecidas permiten escribir las relaciones constitutivas en su

forma habitual. Siguiendo los convenios usuales, omitimos los símbolos de diferenciales
correspondientes a las propiedades mecánicas y electromagnéticas.
ρC TEH TH
dσ = d θ + α ijEH T ij + p m E m + i TE
n Hn
[37]
θ
θEH θH θE
S ij = α ijEH d θ + s ijkl T kl + d ijm E m + d ijn H n [38]
TH θH θT
D m = p m d θ + d mijT ij + ε θmnTH E n + m mn H n [39]
TE θE θT θTE
B m = i m d θ + d mijT ij + m mn E n + μ mn H n [40]
La Figura 4.3 (Fuentes, 1998) es un esquema de las interacciones que venimos analizando. El
tetraedro exterior representa “causas”, mientras que el interior se asocia a “efectos”. Las
EE
ε
D
H
p d
m
ρC/θ
α
θ σ
S s
i B
T
E
d
μ
H
Figura 4.3. Interacciones principales y de acoplamiento.
Relaciones constitutivas 73
líneas discontinuas denotan relaciones “causa-efecto” correspondientes a interacciones de

acoplamiento. Estas son las interacciones que, en cierto objeto, ligan un subsistema con otro.
Por ejemplo, la piezoelectricidad vincula al subsistema eléctrico con el elástico. Las líneas
anchas coloreadas representan las acciones principales, que vinculan magnitudes de la
misma naturaleza. Las líneas continuas oscuras son conexiones causa-causa y efecto-efecto.
El juego idóneo de variables independientes para un problema dado depende de las condi-
ciones físicas de la situación a caracterizar. La siguiente Tabla resume algunos criterios útiles:
Tabla 4.1. Condiciones físicas y variables independientes
Campo de fenomenos Condicion fisica Variable independiente
extremos libres esfuerzo (T)

Elasticidad
bordes fijos deformación (S)
control de potencial Intensidad del campo (E)

Electricidad
control de carga desplazamiento eléctrico (D)
Magnetismo control de corriente intensidad magnética (H)
procesos isotérmicos temperatura (θ)

Termodinámica
procesos adiabáticos entropía (σ)
Las variables independientes que hemos utilizado en nuestro tratamiento son idóneas
para procesos en los cuales se tenga control de θ, T, E y H. Esto, si bien es frecuente, no
representa la única posibilidad. Consideremos, por ejemplo, que la muestra analizada
pase de condición de “corto-circuito” a “aislada”. La variable independiente eléctrica
pasa a ser el vector D. ¿Como caracterizar la situación, en particular las propiedades
electro-elásticas?
Aplicamos de nuevo las transformaciones de Legendre. Para enfocar la atención en
los aspectos de nuestro interés, mantenemos las condiciones H = 0, θ = constante. La
definición necesaria es:
G 1 = u - S ijT ij = G + D m E m [41]
dG 1 = - S ij dT ij + E m dD m [42]
que conduce a las ecuaciones constitutivas que siguen, escritas en notación simplificada:
S = sD T + g D
[43]
T
E=- g T + β D
Las definiciones de los parámetros empleados son:
∂S
sD=( ) tensor elasticidad a D constante [44]
∂T D
∂S ∂E
g= = const. piezoeléctrica _ de _ voltage [45]
∂D ∂T
1 ∂E
βT = =( ) permitividad inversa a T const. [46]
ε T
∂D T
Podemos cerrar el lazo de posibilidades bajo régimen isotérmico sin efectos magnéticos.
Para esto debemos tomar como variable independiente la deformación y formar las com-
binaciones que siguen.
a. Variables independientes (S, E):
G 2 = u - ED dG 2 = TdS - DdE [47]
T = c E S - eE D = eS + ε S E [48]
∂T ∂D
e= -( ) =( ) [49]
∂E S ∂S E
b. Variables independientes (S, D):
du = TdS + EdD [50]
S
T = c DS - hD E = - hS + β D [51]
∂T ∂E
h= -( ) = -( ) [52]
∂D S ∂S D
4.5 NOTACIÓN MATRICIAL
Las relaciones tensoriales que involucran tensores de rango mayor que 2 son difíciles de
representar. Como paliativo para esta situación se ha inventado la llamada notación
matricial en la cual los tensores simétricos de rangos 3 y 4 se escriben en forma de matri-
ces bidimensionales. El tratamiento abarca los importantes casos de los piezoefectos y la
elasticidad. En notación matricial un tensor simétrico de segundo rango (A = ||Aij = Aji||)
Notación matricial 75
se escribe en forma de una matriz fila o matriz columna de 6 elementos: A = || Aα||. Los
subíndices griegos van de 1 a 6. El siguiente esquema muestra el orden de asociación:
[53]
Esta idea se amplía para tensores de rango superior. Tomemos por ejemplo el tensor de ter-
cer rango dijk. Inicialmente lo escribimos como una matriz 3x3x3. El primer índice indica
altura o nivel y los otros dos, que son intercambiables, conforman matrices 3x3. Este tensor
se representa en notación matricial con la simbología diα. Cada nivel i se representa por
una fila de 6 elementos diα. Los índices griegos se asocian a las variaciones de jk según el
esquema de la ecuación (53). En definitiva la notación matricial para dijk es:
α
1 2 3 4 5 6
1 d 11 d 12 d 13 d 14 d 15 d 16 [54]
i 2 d 21 d 22 d 23 d 24 d 25 d 26
3 d 31 d 32 d 33 d 34 d 35 d 36
Un tensor simétrico de cuarto rango se expresa, en notación matricial, mediante una

matriz 6x6. Cada línea se asocia a dos dimensiones de la matriz tetradimensional. Por
ejemplo, en el tensor sijkl, el elemento s1233 se escribe s63.
Hay un detalle que complica un tanto las cosas. No siempre un elemento matricial,
digamos diα, es igual a dijk. Estudios teóricos conducen a la introducción de factores 2 ó
4 en algunos casos. A continuación damos las correspondencias específicas asociadas a
los tensores de la elasticidad y los piezoefectos.
a. Esfuerzo o tensión: Tij = Tα
b. Deformación: Sij = Sα para i = j (α = 1, 2, 3)
2Sij = Sα para i ≠ j (α = 4, 5, 6)
c. Piezoefectos: dijk = diα para j = k (α = 1, 2, 3)
2dijk = diα para j ≠ k (α = 4, 5, 6)
d. Tensor de rigidez: cijkl = cαß
e. Tensor de elasticidad: sijkl = sαß i = j; k = l (α, ß = 1,2,3)
2sijkl = sαß i = j; k ≠ l (α = 1,2,3; ß = 4,5,6)
4sijkl = sαß i ≠ j; k ≠ l (α, ß = 4,5,6).
Los convenios de la notación matricial permiten escribir de forma compacta las relacio-
nes constitutivas. Por ejemplo la parte elasto-piezo-dieléctrica de la Figura 4.3, en forma
simbólica, es:
S = s ET + d tE
[55]
D = dT + εT E
En la primera ecuación, se emplea el supraíndice t para denotar la matriz transpuesta.

Con la notación matricial extendida las ecuaciones se escriben de la siguiente manera:
⎡ S 1 ⎤ ⎡ s 11 s 12 s 13 s 14 s 15 s 16 d 11 d 12 d 13 ⎤ ⎡ T 1⎤
⎢ ⎥ ⎢ ⎥ ⎢ ⎥
⎢ S 2 ⎥ ⎢ s 21 s 22 s 23 s 24 s 25 s 26 d 21 d 22 d 23 ⎥ ⎢T 2⎥
⎢ S 3 ⎥ ⎢ s 31 s 32 s 33 s 34 s 35 s 36 d 31 d 32 d 33 ⎥ ⎢T 3⎥
⎢ ⎥ ⎢ ⎥ ⎢ ⎥
⎢ S 4 ⎥ ⎢ s 41 s 42 s 43 s 44 s 45 s 46 d 41 d 42 d 43 ⎥ ⎢T 4 ⎥
⎢ S 5 ⎥= ⎢ s 51 s 62 s 53 s 54 s 55 s 56 d 51 d 52 d 53 ⎥ ⎢T 5 ⎥ [56]
⎢ ⎥ ⎢ ⎥ ⎢ ⎥
⎢ S 6 ⎥ ⎢ s 61 s 62 s 63 s 64 s 65 s 66 d 61 d 62 d 63 ⎥ ⎢T 6⎥
⎢ D ⎥ ⎢d ε 11 ε 12 ε 13 ⎥ ⎢E ⎥
⎢ 1 ⎥ ⎢ 11 d 12 d 13 d 14 d 15 d 16 ⎥ ⎢ 1⎥
⎢ D 2 ⎥ ⎢ d 21 d 22 d 23 d 24 d 25 d 26 ε 21 ε 22 ε 23 ⎥ ⎢ E2⎥
⎢ ⎥ ⎢ ⎥ ⎢ ⎥
⎣ D 3 ⎦ ⎣ d 31 d 32 d 33 d 34 d 35 d 36 ε 31 ε 32 ε 33 ⎦ ⎣ E3⎦
Los vectores columna de las ecs. (53) y (56) se denominan hiper-vectores.

Ante un cambio de sistema de coordenadas, las componentes de la matriz elasto-
piezo-elástica (ec. 56) no se transforman como las componentes de un tensor. Ese tipo de
cálculo necesita, naturalmente, de la notación tensorial.
4.6 LAS MATRICES DE LA ELASTICIDAD

ISOTRÓPICA
Entre las propiedades que venimos estudiando, la elasticidad es la que viene asociada al
tensor de más alto rango. Le dedicamos por eso esta sección, en la que analizamos en
cierto detalle el caso más sencillo posible: los materiales elásticamente isótropos (MEI).
En estudios elementales de elasticidad, considerando solamente MEI, estos se carac-
terizan mediante un parámetro: el módulo de Young, E. Se considera un experimento de
tracción, se asume el eje x a lo largo de la dirección de tracción, se determinan S y T lon-
gitudinales (S11 y T11 en nuestra notación) y se define E según la ecuación:
S11 = T11 / E [57]

Las matrices de la elasticidad isotrópica 77
¿Cuántos parámetros se requieren para caracterizar completamente un MEI? Respuesta:

Dos. ¿Por qué no basta uno? Porque en elasticidad, aún en materiales isótropos, lo que ocu-
rre en una dirección influye necesariamente en lo que sucede en las otras direcciones. Y, en
diferentes materiales, esta interacción es diferente. Este efecto se caracteriza muy bien con
el llamado coeficiente de Poisson. Si estiramos una barra de sección cuadrada, longitud l y
lado a, la longitud se alargará y el lado se encogerá. ¿Se conserva el volumen? Respuesta
experimental: No. Y diferentes materiales sufrirán variaciones diferentes de a, para la
misma variación de l. La definición del coeficiente de Poisson, ν, es la siguiente:
deformación lateral
ν =− [58]
deformación longitudinal
Si los sólidos fueran idealmente incompresibles, ν valdría 0.5. En el mundo real los valo-
res cercanos a 0.3 son frecuentes. Generalmente 0 < ν < 0.5. Se conocen materiales (exó-
ticos) con ν negativo.
La ecuación (59) muestra el tensor elasticidad, sαβ, para un MEI. Se aprecia clara-
mente que se requieren dos componentes del tensor: s11 y s12.
⎡ s11 s12 s12 0 0 0 ⎤

⎢ ⎥
⎢ s12 s11 s12 0 0 0 ⎥
⎢ s12 s12 s11 0 0 0 ⎥
s =⎢ ⎥ (MEI) [59]
⎢0 0 0 2( s11 − s12 ) 0 0 ⎥
⎢0 0 0 0 2( s11 − s12 ) 0 ⎥
⎢ ⎥
⎣0 0 0 0 0 2( s11 − s12 ) ⎦
Naturalmente, las representaciones (s11, s12) y (E, ν) están relacionadas. Las ecuaciones
son:
s11 = 1/E s12 = -ν/E (MEI) [60]
El tensor rigidez para MEI se presenta en la ecuación (61).
⎡ c11 c12 c12 0 0 0 ⎤

⎢ ⎥
⎢ c12 c11 c12 0 0 0 ⎥
⎢ c12 c12 c11 0 0 0 ⎥
⎢ ⎥
⎢ 1 ⎥
c =⎢ 0 0 0 (c − c )
2 11 12
0 0 ⎥ (MEI) [61]
⎢ ⎥
⎢0 1 ⎥
0 0 0 (c − c ) 0
⎢ 2 11 12 ⎥
⎢ 1 ⎥
⎢0 0 0 0 0 (c11 − c12 ) ⎥
⎣ 2 ⎦
Las relaciones entre los coeficientes cαβ y (E, ν) son las ecuaciones (62), más complica-
das que (60).
⎛ E ⎞⎛ ν ⎞ ⎛ E ⎞⎛ ν ⎞
c11 =⎜ ⋅ 1+
⎟⎜ ⎟ c12 =⎜ ⋅
⎟⎜ ⎟ (MEI) [62]
⎝ 1+ ν ⎠⎝ 1− 2 ν ⎠ ⎝ 1+ ν ⎠⎝ 1− 2 ν ⎠
¿Por qué sí hay fórmulas sencillas para sαβ y no para cαβ ? Porque en la relación S = sT
no es difícil cumplir la condición Tii = 0 para todas las direcciones excepto una. Pero, en
T = cS, es muy difícil cumplir Sii = 0 para todas las direcciones excepto una. El módulo
de Young es 1/s11, no es c11.
4.7 REPRESENTACIÓN SUPERFICIAL

DE LAS PROPIEDADES
Como complemento de la representación tensorial de las propiedades, se tiene la llamada
representación superficial. Esta es una caracterización en general menos completa, pero
más accesible a la intuición. En la representación superficial se describe con un simple
escalar una propiedad tensorial que, en rigor, requiere de un conjunto de números para
ser caracterizada por completo.
Estudiaremos particularmente las superficies asociadas a magnitudes longitudinales,
que son las más usadas. La idea general de esta representación es la siguiente. Tómese el
objeto o cristal bajo estudio, considérese una dirección general h. Aplíquese una acción
X a lo largo de esta dirección. En general, como consecuencia del carácter tensorial de la
propiedad K, la respuesta Y no estará exactamente a lo largo de h. Proyéctese Y sobre h.
La proyección de Y en la dirección h, Yh, resultará proporcional a X, el módulo de X:
Yh = K(h) ⋅ X [63]
El escalar dependiente de la orientación K(h) es la propiedad K en representación longi-

tudinal. Permitimos ahora que el vector h recorra todas las orientaciones posibles. En
cada dirección h trazamos un radio vector de longitud proporcional a K(h). El lugar
geométrico de las puntas de estos radio vectores es la superficie longitudinal K(h).
Consideremos el ejemplo de la susceptibilidad eléctrica. Esta propiedad es un tensor
de rango 2. La representación superficial de esta propiedad se realiza a través de la sus-
ceptibilidad longitudinal χ(h), definida como sigue.
Tomemos el campo eléctrico que da lugar a la polarización y expresemos su intensi-
dad como E = Eh, caracterizando E y h, respectivamente, el módulo y la orientación del
vector E. Si designamos Ph a la proyección de P en la dirección h, tendremos la relación
de proporcionalidad que determina a χ(h):
Ph = εo⋅ χ(h)⋅ E. [64]

Representación superficial de las propiedades 79
E y Ph son escalares, por lo que χ(h) también lo es. Es un escalar que depende de la
orientación. Si para cada dirección h se plotea el radio vector χ(h), se generará la super-
ficie de la susceptibilidad longitudinal.
Problema:
Hallar la forma de la superficie K(h) para un tensor de rango 2 y simetría orto-
rrómbica. Considérese la susceptibilidad eléctrica en un cristal ortorrómbico.
Solución: Por su definición: Ph = h · P. Pero P = εo χ · E. Por tanto:
Ph = h · εo χ · E h = εo (h · χ · h) E
χ(h) = h · χ · h [65]
Expresamos h y χ en función de sus componentes. Para simetría ortorrómbica (o

mayor), el tensor es diagonal. Efectuando, se encuentra que el escalar χ(h) repre-
senta un elipsoide generalizado según la ecuación:
χ(h) = χ11 h12 + χ22 h22 + χ33 h32 [66]
donde hi representa el coseno director de h con el eje cartesiano xi.
De manera general, dada la propiedad tensorial Kij...n, su representación superficial lon-

gitudinal K(h) viene dada por el algoritmo:
K( h ) = ∑ h h ⋅⋅⋅h k j n K ij...n [67]

k , j ,... n
Los índices k, j, …n son tantos como el rango del tensor K. Los cosenos directores hi
están dados por:
h1 = sen φ cos β
h→ (φ, β) h2 = sen φ sen β [68]
h3 = cos φ
φ es el ángulo polar (relativo al eje z), mientras que β es el azimut, relativo al plano h1h3.
Ver la Figura 4.4.
Como ilustración, la Figura 4.5 muestra la constante dieléctrica longitudinal de un
cristal de titanato de bario (BaTiO3), tetragonal.
Figura 4.4. Ángulos de las coordenadas esféricas
Figura 4.5. Constante dieléctrica logitudinal

del BaTiO3. Grupo puntual C4v = 4mm.
Componentes del tensor K:
K11 = K22 =2920, K33 = 168.
Problema:
Representar gráficamente la elasticidad de la resorcina C6H4(H2O). Se trata de un
cristal ortorrómbico, grupo puntual mm2.
Datos (en 10-12 m2/N): s11 = 190; s22 = 106; s33 = 150; s44 = 307; s55 = 230;
s66 = 250; s12 = -40; s13 = -34; s23 = -88.
Representación superficial de las propiedades 81
Solución: La superficie del módulo de elasticidad para cristales de simetría

ortorrómbica o superior está dada por (Nye, 1957):
′ = s11h14 + s22 h24 + s33 h34 + 2s12 h12 h22 + 2s13 h12 h32 + 2s23 h22 h32 +
s11
s44 h22 h32 + s55 h12 h32 + s66 h12 h22 [69]
Las superficies s’11(h) y E(h) = 1/ s’11(h) forman la Figura 4.6.
a) módulo de elasticidad (s’11)
b) módulo de Young (1/ s’11)
Figura 4.6. Cristal de resorcina. Superficies longitudinales representativas de la elasticidad

1. Considere la transformación entre coordenadas cristalográficas y cristalofísicas
relativas al cuarzo, Figura 4.2. Compruebe, trabajando en ambos sistemas, que
a2 = G3c.a1 = a G3f.e1.
2. Explique la idea físico-matemática de las transformaciones de Legendre.
3. Demuestre que el tensor dijk describe tanto el efecto piezoeléctrico directo como
el inverso.
4. La permeabilidad magnética ¿es polar o axial? ¿Por qué?
5. Interpretación del tensor piezoeléctrico para un cristal del grupo puntual D3:
¿Cómo producir, en un cristal de cuarzo, una polarización transversal a un
esfuerzo de tracción?
6. Aplicando la ecuación (56), escriba expresiones para S3 y para D1.
7. ¿Por qué en Electrostática se menciona más a E y en Magnetostática la referencia
más frecuente es H? Sugerencia: ¿Cuáles son los instrumentos más importantes
de un laboratorio de Electromagnetismo? ¿Con qué vectores se relacionan, res-
pectivamente?
8. ¿Cuál tensor se estudia más fácilmente, sαβ ó cαβ? ¿Por qué?
9. Demuestre que el coeficiente de Poisson vale 0.5 en materiales incompresibles.
10.Las superficies que representan tensores de rango par siempre envuelven el ori-
gen de coordenadas. Las que se asocian a tensores de rango impar no pueden
envolver al origen. ¿Por qué?

Fuentes L: Magnetic Coupling Properties in Polycrystals. Textures and Microstructures vol.
30, pp. 167-189 (1998).
IEEE Standards on Piezoelectricity ANSI/IEEE Std. 176 (1987).
Ikeda T: Fundamentals of Piezoelectricity. Oxforf Univ. Press, Oxford. (1990).
Kittel Ch: Introduction to Solid State Physics. J. Wiley, N. York (1996).
Nye J F: The Physical Properties of Crystals. Clarendon Press, Oxford (1957).
Perelomova N., Taguieva M: Problemas de Cristalofísica. Ed. Mir, Moscú (1975).
5
ELEMENTOS DE TEORÍA DE
LAS REPRESENTACIONES
5.1 PRESENTACIÓN INTRODUCTORIA
Hemos visto que para cada operación de simetría se tiene una matriz que actúa de
manera equivalente a ella. Por ejemplo, para cualquier vector polar (x, y, z) en coordena-
das cartesianas, aplicando la ec. (2.4):
⎛ x ⎞ ⎡−1 0 0 ⎤⎛ x ⎞ ⎛−x ⎞
⎜ ⎟ ⎢ ⎥⎜ ⎟ ⎜ ⎟
C2 ( z )⎜ y ⎟=⎢ 0 −1 0 ⎥⎜ y ⎟=⎜−y ⎟ [1]
⎜ ⎟ ⎢ ⎥⎜ ⎟ ⎜ ⎟
⎝z⎠ ⎣ 0 0 1⎦ ⎝z⎠ ⎝ z ⎠
Entonces, para cualquier grupo de simetría macroscópica (P) de un cristal, se puede

escribir paralelamente un conjunto de matrices R, cada una asociada a los elementos R
83
84 Elementos de Teoría de las Representaciones
de simetría del grupo, que también forman un grupo. Estas matrices actúan de la misma
forma, tienen la misma tabla de multiplicación, las mismas clases y cumplen las mismas
propiedades que el grupo de operaciones de simetría en cuestión. Al conjunto de estas
matrices se les denomina una representación del grupo P.
La matriz 3×3 de la ecuación (1) tiene dimensionalidad 2. Un vector 3×1 posee
dimensionalidad 1 y un escalar 1×1 es una matriz de dimensionalidad 0.
Investiguemos representaciones de baja dimensionalidad. Tomemos como ejemplo el
grupo puntual C2v (2mm). Éste está compuesto por las operaciones E, C2(z), σvxz y σvyz,
como se muestra en la Figura 5.1
Hagamos actuar los elementos del grupo C2v sobre un vector x que se encuentra
sobre el eje x. Las transformaciones que sufre este vector son:
E · (x) → (x)
C2 · (x) → -(x)
σvxz · (x) → (x)
σvyz · (x) → -(x)
Multiplicar x por el número “1” es lo mismo que hacer actuar al elemento E sobre x. En
el argot de la teoría de grupos se dice que “1” representa a E. Encontramos que “1”
representa también a σvxz, mientras que “-1” representa a C2 y a σvyz. Todo lo anterior,
decimos, ocurre asociado a la base x.
Si se hace este mismo procedimiento para vectores sobre los ejes y y z respectiva-
mente, se puede construir la siguiente tabla de representaciones:
E C2 σ vxz σ vyz
1 -1 1 -1 para un vector sobre el eje x
1 -1 -1 1 para un vector sobre el eje y
1 1 1 1 para un vector sobre el eje z
Analicemos qué sucede con un vector axial a lo largo del eje z, digamos Rz. Los vecto-
res axiales, cuando se les transforma mediante ejes de rotación propios, se comportan del
mismo modo que los vectores polares. Ante espejos, los vectores axiales se transforman “al
revés” de cómo lo hacen los polares. Las representaciones de C2v asociadas a Rz son:
E C2 σvx σvxz
1 1 -1 -1 para un seudovector sobre el eje z
Las cuatro representaciones que hemos encontrado se denominan representaciones irre-

ducibles (irreps) del grupo C2v porque no pueden ser simplificadas o reducidas a matrices de
una dimensión más pequeña. A las componentes x, y, z y Rz se les llama “bases de las irreps”.
Presentación introductoria 85
Figura 5.1. Elementos del simetría del grupo puntual C2v = 2mm.
Al final del presente Capítulo, en la Tabla 5.1, se encuentran las Tablas de Caracte-
res y Bases de los 32 Grupos Puntuales Cristalográficos. Los caracteres son las trazas
(traza = suma de los elementos de la diagonal) de las matrices que conforman las irreps.
En nuestro ejemplo la traza es la propia irrep porque se trata de matrices 1x1.
En las tablas, el nombre de la irrep (A1, A2, B1, B2) se ubica en la columna de la
extrema izquierda. Existen varios sistemas de notación. Aquí adoptamos el de Mulliken,
que es el más usual en cristalofísica y física molecular. Se pueden encontrar otras dos
notaciones en la literatura: la de Koster y la de Bouckaert, Smoluchowski y Wigner.
Los vectores polares se denotan por sus componentes cartesianas y los axiales por
símbolos como Rz.
La representación que está compuesta solamente por números “1” se llama represen-
tación totalmente simétrica y existe para todos los grupos. Siempre se va a corresponder
con la forma en que se transforman magnitudes físicas escalares, y se suele escribir en el
primer renglón.
La primera columna de caracteres siempre se refiere a la operación identidad. Ella
nos dice la dimensión de las matrices que se toman para cada irrep. Recordar que la
matriz que representa a E sólo tiene unos en la diagonal.
La primera columna de funciones base describe cómo se transforman en general los
vectores polares (vectores de posición, campo eléctrico,…) y los seudovectores (campo
magnético). La segunda se refiere a como se transforman los hipervectores que represen-
tan las componentes de tensores polares de segundo rango (esfuerzo, deformación) y
otras magnitudes de interés, como la representación de los orbitales (por ejemplo la fun-
ción de onda del orbital dxy).
Se suelen emplear varias expresiones que significan lo mismo. Por ejemplo para C2v,
“x tiene la simetría B1” es lo mismo que “x es una base para B1”.
Existen grupos con irreps más complejas. Obsérvese por ejemplo la Tabla de Carac-
teres de C3. La irrep E está formada por matrices 2×2. El carácter de la identidad es 2.
Se dice que es una irrep doblemente degenerada, o que su índice de degeneración es 2.

Si tiene dimensión 3 se representa con la letra T y es una irrep triplemente degenerada
(índice de degeneración = 3). Ver los grupos cúbicos.
5.2 LAS MATRICES DE ROTACIÓN
Nos venimos encontrando frecuentemente con las matrices de rotación. Dada su impor-
tancia, dedicamos esta sección a estudiarlas desde varios puntos de vista. Para fijar ideas,
consideremos el espacio físico tridimensional, descrito en un sistema de ejes cartesianos
(ortonormales). La matriz que describe la rotación anti-horaria de un vector por un
ángulo ϕ alrededor del eje z es:
⎡ cos ϕ −sin ϕ 0 ⎤
⎢ ⎥ [2]
R =⎢ sin ϕ cos ϕ 0 ⎥
⎢
⎣ 0 0 1⎥⎦
En el Capítulo 2, ec. (2.4), las matrices 1, 2 y 4 son ejemplos de (2). Las matrices 3 y 6 se
deducen de una ecuación más general que (2), válida para coordenadas no ortonormales.
La expresión r’ = R⋅r, con R dada por (2), describe la llamada operación activa de la
transformación R: el sistema de coordenadas permanece fijo y el vector r se mueve. Con-
sideremos ahora la llamada operación pasiva, en que r se queda fijo en el espacio y lo
que rota es el sistema de coordenadas. La Figura 5.2 ilustra el caso de un sistema εi gene-
rado mediante una rotación anti-horaria de π/6 = 30° del sistema inicial ei.
Cada vector εi se obtiene del correspondiente ei. por operación activa de la ec. (2).
Por ejemplo ε1 está dado por:
⎡ 3 ⎤
⎡ cos( π / 6) −sin( π / 6) 0 ⎤⎡ 1 ⎤ ⎢ 2 ⎥
⎢ ⎥⎢ ⎥ ⎢
ε1 = R⋅e1 =⎢ sin( π / 6) cos( π / 6) 0 ⎥⎢⋅ 0 ⎥=⎢ 1/ 2 ⎥
⎥
[3]
⎢
⎣ 0 0 1 ⎥⎢
⎦⎣ 0 ⎥
⎦ ⎢ 0 ⎥
⎣ ⎦
Considérese el vector r, cuyas componentes son Xi cuando se le escribe desde la base e

(re = [X1, X2, X3]). ¿Cómo se caracteriza este vector en la base ε (rε = [Y1, Y2, Y3])? Se
le describe con ayuda de la matriz inversa de la matriz de la transformación de coordena-
das. Estamos tratando con matrices ortogonales (preservan las dimensiones lineales, su
determinante vale ± 1), por lo cual la inversa es igual a la transpuesta:
⎡ Y1 ⎤ ⎡ cos ϕ sin ϕ 0 ⎤ ⎡ X 1 ⎤
⎢ ⎥ −1 % ⎢ ⎥⎢ ⎥ [4]
rε =⎢Y2 ⎥= R ⋅re = R⋅re =⎢−sin ϕ cos ϕ 0 ⎥⋅⎢ X 2 ⎥
⎢Y ⎦
⎣ ⎥ ⎢ 0
⎣ 0 1⎦⎥⎣⎢X ⎦ ⎥
3 3
Las matrices de rotación 87
Figura 5.2. Rotación del sistema de coordenadas.
Analizamos finalmente como se transforma un operador de rotación (por ejemplo la

matriz de una operación de simetría), cuando se pasa de un sistema a otro. La Figura 5.3
ilustra el tipo de problema al que nos referimos.
Ejemplificamos el tipo de problema a resolver con el siguiente caso: Dada la matriz
de un giro 2 alrededor del eje e1, en la base e, expresar esta matriz cuando se pasa al sis-
tema ε, rotado π/4 alrededor de z.
La fórmula general es:
R’= S-1⋅R⋅S [5]
Figura 5.3. Investigación de la transformación e ε sobre las operaciones se simetría

del grupo D2.
R es el operador cuya transformación se estudia y S es la matriz que describe la

transformación e ε.
Las ecuaciones específicas asociadas al problema de la Figura 5.3 son las siguientes:
⎡1 0 0⎤
⎢ ⎥
2 =⎢ 0 −1 0 ⎥
⎢
⎣ 0 0 −1⎥⎦
⎡ 2 2 ⎤ ⎡ 2 2 ⎤
⎢ 0⎥ ⎢ − 0⎥
⎢ 2 2 ⎥ ⎡1 0 0 ⎢
⎤
2 2 ⎥
⎢ 2 2 ⎥⎢ ⎥⎢ 2 2 ⎥
2 ' =⎢− 0 ⎥•⎢ 0 −1 0 ⎥•⎢ 0⎥ [6]
⎢ 2 2 ⎥⎢ ⎢ 2 2 ⎥
0 0 −1⎥
⎢ 0 0 1⎥ ⎣ ⎦⎢ 0 0 1⎥
⎢ ⎥ ⎢ ⎥
⎣ ⎦ ⎣ ⎦
⎡ 0 −1 0 ⎤
⎢ ⎥
2 ' =⎢−1 0 0⎥
⎢
⎣0 0 −1⎥
⎦
Las transformaciones del tipo (5) se conocen como transformaciones de semejanza. Propo-
nemos al lector comprobar la acción de 2 y 2’, por ejemplo sobre el vector ε2, expresado
respectivamente respecto de e y ε. Obsérvese finamente que 2 es diagonal y 2’ no lo es.
5.3 FORMALIZACIÓN DE CONCEPTOS
El estudio de los tensores asociados a propiedades físicas nos condujo a representaciones

del tipo de la ec. (4.56), con hipervectores de n dimensiones (n = 9 en el ejemplo men-
cionado). Otros casos de hiperespacios abstractos se encuentran cuando caracterizamos
las 3n coordenadas cartesianas de los n átomos en una molécula.
Un espacio vectorial n-dimensional es generado por un conjunto de n cantidades ei
llamadas vectores base, linealmente independientes. Cualquier vector en ese espacio
puede ser expresado como combinación lineal de los ei:
v = x i ei . (recordar: se suma sobre índices repetidos) [7]
A las magnitudes xi se les suele llamar componentes del hipervector. Sin pérdida de
generalidad, habitualmente se selecciona los vectores base ei de modo que sean ortogo-
nales entre si y que estén normalizados.
Consideremos la acción de una operación de simetría R sobre el vector v:
R v = v’ [8]
Formalización de conceptos 89
Las componentes xi son transformadas en un nuevo conjunto xi’ dado por:
xi’ = Rij xj [9]
Esto quiere decir que las nuevas componentes son una combinación lineal de las origina-
les. El conjunto de coeficientes Rij forman una matriz n x n, la matriz R de la transforma-
ción.
El conjunto de todas las operaciones (R) del grupo puntual del cristal se corresponde
con un conjunto de matrices que definen la representación del grupo P. Se acostumbra
decir que el vector v es la base de la representación. Las matrices R cumplen la misma
tabla de multiplicación que el grupo P.
Consideremos el efecto de una rotación de coordenadas sobre una representación.
Los vectores de la base se transforman siguiendo la ecuación (2) y las matrices de la
representación según la transformación de semejanza (5) (R’= S-1⋅R⋅S). Se dice que las
representaciones Γ = (R) y Γ’ = (R’) son equivalentes porque sólo se diferencian en la
elección de sus ejes de coordenadas.
Una propiedad importante de la matriz R de una operación en una representación es
su traza χ(R), llamada carácter de la representación:
χ(R)=Rkk. [10]
Por ejemplo, para una rotación en un ángulo θ alrededor del eje z, χ(R)= 1 + 2 cosθ; para
la operación identidad E, χ(E) = n (n es la dimensión de la representación). El carácter de
una matriz no cambia ante una transformación de semejanza. Este hecho trae dos conse-
cuencias: 1) El conjunto de caracteres de una representación permance constante inde-
pendientemente de la elección de los ejes de coordenadas. 2) Todas las matrices que
representan elementos de la misma clase en un grupo dado tienen el mismo carácter.
Enfoquémonos ahora en el asunto de la reducibilidad de una representación. Una
representación Γ, constituida por un conjunto de matrices R, se dice que es reducible si
existe una transformación de semejanza que convierta todas las matrices de la represen-
tación en la misma forma “de bloques”. Por ejemplo si se transforman todas con el
siguiente esquema:
⎡ R1 0 0⎤
⎢ ⎥ [11]
R =⎢ 0 R2 0⎥
⎢
⎣0 0 R3 ⎥
⎦
R1 es una matriz n1 x n1, R2 es una matriz n2 x n2, R3 es una matriz n3 x n3. Los “0”
representan matrices y n1+n2+n3 = n.
Si una representación no es reducible a la forma (11), se dice naturalmente que es una
representación irreducible (irrep). Como ya vimos, las irreps describen el efecto de la
simetría sobre diferentes tipos de magnitudes físicas.
Para el estudio de la relación estructura – propiedades macroscópicas en un cristal
dado, es útil disponer de una caracterización detallada de su grupo puntual. Los cristalo-
físicos han estudiado en detalle todos los grupos puntuales. Se ha determinado cuántas
irreps tiene cada grupo puntual, qué dimensiones tienen, cuáles son sus caracteres y cuá-
les son sus bases. Esta información está resumida en las Tablas de Caracteres y Funcio-
nes Base de la Cristalografía, Tabla 5.1.
Algunos teoremas sobre irreps:
- El número de irreps de un grupo es igual al número de sus clases.
- Si h es el orden (cantidad de elementos) de un grupo y l es la dimensión de la irrep α,
entonces:
∑l 2
α =h [12]
α
tomando la suma sobre todas las Irreps.

En algunos problemas físicos es útil también saber, dada una representación Γ, en
cuales Irreps Γα es posible descomponerla. En ocasiones una Irrep Γα puede repetirse
varias veces dentro de Γ. De la descomposición en bloques se desprende que el
carácter de una representación reducible debe cumplir:
χ( R ) = ∑ mα χ ( α ) ( R ) [13]
α
donde mα es el número de veces que la irrep Γα aparece en la descomposición de Γ y

χ(α)(R) es el carácter del elemento R (traza de la matriz R) en la representación α.
- El teorema de la descomposición es el recurso que permite calcular los mα:
El número de veces mα que aparece la irrep α en la descomposición de Γ está dado
por
1
mα = ∑ χ ( α) ( R) * χ( R)
h R
[14]
A partir de la ecuación anterior se tiene un mecanismo para deducir la

descomposición de una representación Γ, basado en conocer sus caracteres y los
caracteres de las irreps del grupo del sistema (cristal) bajo estudio. Esto da lugar a
otros usos muy importantes de las tablas de caracteres en ciencia de materiales.
Ejemplos de lo anterior son el estudio de los modos normales de vibración de
moléculas y redes, el estudio de la estructura electrónica de los materiales y la
deducción de las transiciones a estados excitados en un cristal. Estas aplicaciones no
serán tratadas en este manual.
Existen tres teoremas más que son útiles en la tarea de construir las tablas de caracteres.
Estos son:
- En todos los grupos existe la irrep totalmente simétrica, con χ(R) = R = 1 para todos
los elementos R del grupo. (Generalmente, a esta irrep se le denota A1 en la notación
de los grupos moleculares).
- Como la matriz de la operación E es siempre una matriz identidad de dimensión lα,
entonces χ(α)(E)= lα.
Estudio de un caso: el grupo C3v 91
- Teorema de la ortogonalidad de los caracteres: Si Γα y Γβ son dos irreps de un grupo

G de orden h, entonces:
∑χ ( α)
( R ) * χ ( β ) ( R) = hδαβ [15]
R
Con estos principios se construyen las tablas de caracteres. En ellas, las operaciones de
simetría se listan en el renglón superior separadas en clases, y las irreps se listan vertical-
mente. En el caso especial de grupos Abelianos, donde cada elemento es una clase en si
misma, todas las irreps son unidimensionales.
5.4 ESTUDIO DE UN CASO: EL GRUPO C3V
Veamos varias representaciones posibles de los elementos del grupo C3v:
E C3 C3 2 σv σv ’ σv’’
Г1 1 1 1 1 1 1
Г2 1 1 1 -1 -1 -1
1 3 1 3 1 3 1 3
1 0 − − − 1 0 − − −
Г3 2 2 2 2 2 2 2 2
0 1 3
−
1
−
3
−
1 0 −1 −
3 1 3 1
2 2 2 2 2 2 2 2
1 0 0 −1 2 − 3 2 0 −1 2 3 2 0 1 0 0 −1 2 − 3 2 0 −1 2 3 2 0
Г’ 0 1 0 3 2 −1 2 0 − 3 2 −1 2 0 0 −1 0 − 3 2 12 0 3 2 12 0
0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 1
La representación Γ’ contiene a las matrices de transformación, expresadas en coor-

denadas cartesianas. Es una representación con dimensión tres. Sus 6 matrices están en la
forma diagonal por bloques, lo cual nos indica que no pertenecen a una irrep. Γ’ puede
ser reducida al menos en dos representaciones: la Γ1 y la Γ3 (cada una de ellas aparece
una sola vez, por lo que m1 = m3 = 1). Cuando ocurre este fenómeno se usa frecuente-
mente la siguiente notación: Γ ' = Γ1 ⊕ Γ 3 .
En este grupo las operaciones C3 y C32 forman una clase y σv, σv’ y σv’’ forman
otra; por eso las trazas de sus matrices son iguales. Sólo se necesitan 3 caracteres en cada
representación. Si el grupo tiene 3 clases (E, 2C3 y 3σv), sólo puede haber 3 irreps (teo-
remas sobre las irreps). Es evidente que Γ1 y Γ2 son dos de estas tres irreps.
Tratemos de ver si Γ3 es la irrep que nos falta. Teniendo 2 irreps de dimensión 1 y

aplicando los teoremas es evidente que la tercera irrep es de dimensión 2. En este sentido
E es una buena candidata, pero también pudiera ser que Γ 3 = Γ1 ⊕ Γ 2 . Utilizando las
trazas de las matrices en Γ3 y el teorema de la descomposición se puede calcular cuántas
veces están Γ1 y Γ2 en Γ3. El resultado es que m1 = m2 = 0, por lo que Γ3 es necesaria-
mente la irrep restante, de dimensión dos.
Con estos resultados ya podemos escribir la tabla de caracteres del grupo C3. Los
nombres que se utilizan para las representaciones Γ1, Γ2, y Γ3 en la notación molecular
son A1, A2 y E respectivamente:
C3v E 2C3 3σv
A1 1 1 1
A2 1 1 -1
E 2 -1 0
Seguimos con C3v. Para saber cuales son las bases de las representaciones se usa for-
malmente un método llamado “del operador de proyección”. En este manual no vamos a
tratar este método, pero basándonos en la forma en que encontramos las irreps para el
grupo C2v al principio de este capítulo, es fácil darnos cuenta de que la irrep A1 tiene
como base la componente z de un vector polar; la irrep A2 se corresponde con la forma
en que se transforma un vector axial en la dirección z (Rz) y la irrep E dice cómo se
transforman de manera acoplada las componentes x y y de un vector polar en este grupo.
Aunque no vamos a profundizar en la forma en que se deducen todas las funciones
base de una irrep, comentamos el significado de las Tablas de Bases correspondientes a
las irreps y sus caracteres. En nuestro ejemplo de C3v:
C3v E 2C3 3σv
A1 1 1 1 z α1+α2; α3
A2 1 1 -1 Rz -
E 2 -1 0 (y,x);(Rx,-Ry) (α4, α5); (α1- α2, α6)
Las dos nuevas columnas del extremo derecho se refieren a cómo se transforman los
vectores (tensores polares y axiales de rango uno) y a cómo se transforman los tensores
polares de segundo rango, expresados en notación matricial (Sección 4.5).
Queremos hacer ver la importancia de las representaciones irreducibles a partir del
estudio de las transformaciones que sufren las coordenadas x, y y z. Para una representa-
ción reducible existen subespacios del espacio vectorial original, tales que escogiendo
apropiadamente los vectores base, todas las operaciones del grupo toman solamente las
componentes vectoriales de cada subespacio y las llevan a combinaciones lineales unas
de otras. No se mezclan las componentes pertenecientes a diferentes subespacios. En el
caso de Γ’ de C3v el conjunto de matrices 3x3 que transforman el espacio tridimensional,
consiste de matrices que:
a. Operan sobre x y y, transformándolas en combinaciones lineales de x y y.
b. Transforman a z en ella misma multiplicada por una constante.
De esta forma las coordenadas x y y quedan completamente desacopladas de z. En estos
casos se suele decir que x y y pertenecen a una irrep bidimensional (Γ3) y z pertenece a
una irrep unidimensional (Γ1). Este desacoplamiento trae una simplificación considera-
ble del análisis de los efectos de la simetría sobre las propiedades de un cristal.
La forma en que se transforman las coordenadas cartesianas es la misma en que se
transforman las componentes de cualquier magnitud física expresada por un vector polar
1. Efectúe los productos representados en la ec. (6). Compruebe que 2⋅ε2 = 2’⋅ε2= -ε2.
2. Compare las irreps de los grupos C2h y D2. Considere tanto los caracteres como
las bases de vectores polares y axiales. También analice los hipervectores polares.
3. ¿Cuántas irreps tiene un grupo cíclico? ¿Por qué?
4. Compruebe la fórmula (12) en los grupos D2, D3 y T.
5. Efectúe los cálculos indicados en el estudio de caso del grupo C3v. Aplique el
Teorema de Descomposición de Representaciones.
6. Compruebe el Teorema de Ortogonalidad de Caracteres (15) en los grupos D2, D3 y
T.
7. Analice las transformaciones de las bases x, y, z ante las operaciones de simetría
de los grupos D2, D3 y T. Discuta las características de acoplamiento de estas
bases entre sí y establezca una relación entre acoplamiento y la dimensionalidad
de las irreps asociadas a estas bases.

Bilbao Crystallographic Server: http://www.cryst.ehu.es/
Koster G.F, Dimmok J.O, Wheeler R. G, Statz H: Properties of the thirty-two point groups,
MIT Press (1963).
Ogden J. S: Introduction to Molecular Symmetry, Oxford Univ. Press (2001).
94 Caracteres y bases de las irreps cristalográficas
Tabla 5.1. Caracteres y bases de las irreps cristalográficas
1. Los grupos no axiales
2. Los grupos Cn
Caracteres y bases de las irreps cristalográficas 95
3. Los grupos Cnh

4. Los grupos Sn
5. Los grupos Cnv
,
6. Los grupos Dn
7. Los grupos Dnh

8. Los grupos Dnd
9. Sistema cúbico. Los grupos tetraédricos

10. Sistema cúbico. Los grupos octaédricos

6
LA RELACIÓN SIMETRÍA –
PROPIEDADES EN
MONOCRISTALES
6.1 EL PRINCIPIO DE NEUMANN

Y LAS IRREPS
6.1.1 Presentación Introductoria

Un aspecto central de la Cristalofísica está dado por las implicaciones de la simetría estructu-
ral sobre las propiedades. La herramienta analítica idónea para este estudio es la Teoría de
Grupos, específicamente la Teoría de las Representaciones Irreducibles (irreps). En lo que
sigue presentamos un resumen de las ideas básicas que conforman el tema, siguiendo las pau-
101
102 La Relación Simetría – Propiedades en Monocristales
tas dadas en la obra de Nowick (1995). Un objetivo fundamental del Capítulo es introducir
las Tablas 6.2 a 6.7, que resumen la relación simetría – propiedades en monocristales.
La idea física en la que se basa la explicación que sigue es el Principio de Neumann
(PN), con el cual nos familiarizamos en el Capítulo 3: La simetría del efecto siempre es
al menos igual que la simetría de la causa.
En Electromagnetismo, las causas son las distribuciones de cargas/corrientes y los
efectos son los campos electromagnéticos. En Ciencia de Materiales, la causa es la
estructura microscópica y un efecto son las propiedades macroscópicas.
Una expresión inicial del PN aplicado a la Cristalofísica, en la terminología de la
Teoría de Grupos, sería como sigue: Las operaciones de simetría satisfechas por cual-
quier propiedad física macroscópica conforman un grupo, que contiene como subgrupo
al grupo puntual estructural del cristal considerado. La expresión analítica de este prin-
cipio consiste en escribir ecuaciones como la siguiente:
K ij...m = R ik R jl⋅⋅⋅ R mnK kl...n [1]
La ec. (1) plantea la invarianza del tensor K ante la transformación de semejanza asociada a
la rotación R, perteneciente al grupo puntual (P) del cristal. Ecuaciones de este tipo permi-
ten determinar las condiciones que deben cumplir las componentes del tensor A en un cris-
tal del grupo (P). Naturalmente, el trabajo con (1) es engorroso.
La Teoría de las Representaciones Irreducibles nos proporciona herramientas más
poderosas y cómodas que la ec. (1). Explorémoslas.
Consideremos las magnitudes físicas X y Y, relacionadas mediante Y = K⋅X. X y Y
pueden ser, digamos, componentes de ciertos vectores polares. Por el PN, la propiedad K
ha de ser invariante ante las simetrías de la estructura. Analicemos por ejemplo una ope-
ración de simetría que invierte el signo de X. Si la propiedad K es invariante, el signo de
Y se tiene que invertir obligatoriamente junto con el signo de X. En otras palabras, X y Y
se deben transformar de acuerdo con las mismas reglas. En el argot de este libro:
Para que las magnitudes físicas X y Y estén relacionadas mediante una propie-
dad K no nula, invariante ante el grupo puntual (P), las bases que representan a
ambas magnitudes (X y Y) deben pertenecer a la misma irrep de (P).
Analicemos el significado de este criterio en un caso concreto. Investiguemos las
propiedades físicas posibles en un cristal del grupo C3v.
Lo primero que necesitamos es la Tabla de Irreps de este grupo. La obtenemos del
Capítulo 5.
Tabla 6.1. IRREPS del grupo C3v
C3v E 2C3 3v Bases
A1 1 1 1 z α1+ α2; α3
A2 1 1 -1 Rz -
E 2 -1 0 (y, x); (Rx, -Ry) (α4, α5); (α1- α2, α6)

El Principio de Neumann y las irreps 103
Ahora debemos identificar y analizar las magnitudes X y Y asociadas a las diferentes

propiedades.
Comencemos por la piroelectricidad. Esta propiedad relaciona el desplazamiento
eléctrico D con la temperatura θ. La primera magnitud es un vector polar y la segunda un
escalar. La irrep totalmente simétrica, A1, siempre tiene como base a cualquier magnitud
escalar. Esta base, por ser trivial, no se escribe en las Tablas. En la columna de los vecto-
res polares y axiales, A1 tiene, como base no trivial, a “z” - la componente de un vector
polar a lo largo del eje de simetría de orden 3. Entonces, sí existe una irrep (A1) común a
θ y a alguna componente de D por lo tanto la piroelectricidad está permitida en los cris-
tales con simetría C3v. La única componente posible de D como función de θ es la com-
ponente z.
También se desprende de manera trivial, que todas las propiedades físicas que rela-
cionen tensores del mismo rango y naturaleza pueden existir en cualquier material, por-
que pertenecen a la misma irrep. Ejemplos de este tipo son la capacidad calorífica, la
elasticidad y las permitividades eléctrica y magnética.
En esta clase de cristales no puede presentarse el piromagnetismo. La temperatura
pertenece a la irrep A1 y la inducción magnética es un vector axial que sólo tiene compo-
nentes en las irreps A2 y E.
La piezoelectricidad es posible en cristales C3v debido a la presencia de componentes
del esfuerzo (αi) y el desplazamiento eléctrico (x, y, z) como bases de las irreps A1 y E.
El piezomagnetismo se explica con la irrep E, que relaciona componentes de un vector
axial (Ri) – la inducción magnética - con un tensor polar de segundo rango – el esfuerzo.
A esta misma irrep se debe el que estos materiales puedan exhibir magnetoelectricidad.
En los problemas al final del Capítulo, propondremos al lector que compruebe como
las irreps de C3v (y otros grupos) conducen a que los tensores dieléctrico, piezoeléctrico,
elástico y magnetoeléctrico tienen las formas particulares dadas en las Tablas 6.4 a 6.7.
6.1.2 Formalización de conceptos

Sea cierta propiedad macroscópica K, que cumple Y = K⋅X (X, Y: magnitudes, en gene-
ral tensores, que se miden en el objeto). El procedimiento para establecer si K es posible
en un cristal se fundamenta en el siguiente teorema, que equivale a la implementación
del PN mediante las herramientas de las irreps.
Teorema Fundamental:
Considérese una relación lineal entre dos magnitudes físicas X y Y, ambas expresadas
como hipervectores. Entonces se cumple:
1. Sólo están relacionadas por un coeficiente diferente de cero (se acoplan) aquellas
magnitudes cuyas bases pertenezcan a la misma irrep y tengan el mismo índice de
degeneración.
2. Cuando las bases de irreps degeneradas se acoplen a través de un coeficiente dado,

este mismo coeficiente será el que acople a los compañeros de estas bases.
La aplicación de este teorema requiere que las bases estén similarmente orientadas.
Para analizar la existencia de cierta propiedad K en un cristal, basados en el Teorema
Fundamental, es necesario realizar los siguientes pasos:
1. Determinar el grupo puntual del cristal. Localizar (en la Tabla 5.1) la Tabla de Carac-
teres y Bases (TCB) de las irreps del grupo puntual.
2. Identificar las bases que representan a X y Y, de acuerdo con sus características ten-
soriales.
3. Investigar si entre las irreps del grupo puntual existe alguna (o varias) irrep(s) asocia-
das simultáneamente a las bases de X y Y.
4. Si lo anterior se cumple, entonces K ≠ 0 y la propiedad es posible en el material
bajo estudio.
6.2 PROPIEDADES FÍSICAS POSIBLES

EN LOS CRISTALES
Las propiedades descritas por tensores polares de rango par son posibles en todos los
cristales. Otras propiedades se discuten a continuación.
6.2.1 Propiedades físicas en forma

de vectores polares
Un vector polar que manifiesta acoplamiento entre dos propiedades físicas es la piro-
electricidad. Esta propiedad cumple Y=KX, donde X es el escalar temperatura (θ) e Y
es el vector polar desplazamiento eléctrico (D). Para que K ≠ 0 es necesario que las
irreps de X e Y coincidan. Al ser X un escalar, es invariante ante cualquier transforma-
ción, por lo que le corresponde la representación totalmente simétrica A1. A las irreps de
Y se les denota Γ xyz por su característica de vector polar.
Si A1 no aparece en la descomposición de Γ xyz en el grupo puntual del cristal que se
estudia, entonces K ≡ 0.
Examinando las TCB se deduce que K ≡ 0, es decir, es imposible que exista piroelec-
tricidad, en las clases cúbicas y en los grupos Dn, Cnh, Dnd, Dnh, Sn, Ci. Para los grupos Cn
y Cnv, la componente z de las bases pertenece a A1, por ello K = (0, 0, K3). Para el grupo C3
las componentes X e Y pertenecen a A1, luego K = (K1, K2, 0). Para C1, que no posee ope-
raciones de simetría más que la trivial, K = (K1, K2, K3).
Propiedades físicas posibles en los cristales 105

de tensores polares de tercer rango
Un ejemplo importante de tensor polar de tercer rango es la piezoelectricidad. En este
caso se toma Y como vector polar (D) cuya representación es Γ xyz , mientras que X es el
tensor esfuerzo (T, polar de segundo rango), tipo P2, cuyas representaciones se simboli-
zan Γ α . Para saber qué componentes de K son diferentes de cero se buscan las compo-
nentes comunes de Γ α y Γ xyz .
En los cristales que poseen centro de simetría, todas las irreps de Γ xyz son impares (lla-
madas “tipo u”). Por otro lado todas las irreps de Γ α son pares (“tipo g”). De aquí que
para cualquier grupo que posea centro de simetría K ≡ 0 . Al examinar las tablas se con-
cluye que existe otro grupo para el cual Γ α y Γ xyz no tienen irreps en común, el grupo O,
donde x, y, z pertenecen a la irrep T1 a la cual no pertenece ninguna componente α . Todos
los demás grupos tienen alguna componente de K no necesariamente nula.
En resumen, la piezoelectricidad se puede presentar en sustancias que posean los
siguientes grupos puntuales ordinarios: C1, Cs, C2, C2v, D2, C3, C3v, D3, C3h, C4, C6, S4,
C4v, C6v, D2d, D4, D6, D3h, T y Td.
6.2.3 Propiedades magnéticas

Dada una estructura cristalina, las propiedades magnéticas dependen del sentido de las
corrientes atómicas. Por esta razón, el estudio del magnetismo nos lleva a tomar en
cuenta tanto simetría como antisimetría. A continuación formalizamos un tanto las ideas
que, sobre este tema, introdujimos en el Capítulo 3.
Definimos la operación complementaria, Θ, como la transformación que convierte
una simetría en antisimetría. Producto de esta nueva operación los 32 grupos puntuales
cristalográficos se amplían a 122 grupos puntuales magnéticos, que se dividen en tres
categorías:
1. Grupos que no incluyen a Θ, ni de forma explícita ni combinada con otra operación
de simetría. Estos son los 32 grupos cristalográficos clásicos.
2. Grupos que incluyen a Θ explícitamente y en operaciones combinadas. Estos grupos
tienen el doble de operaciones que el grupo puntual clásico que lo origina. Existen 32
grupos del tipo 2, denominados “grises”. Estos grupos caracterizan a los cristales dia-
magnéticos y paramagnéticos, carentes de estructura magnética.
3. Grupos que no incluyen Θ explícitamente, pero sí la tienen en combinación con ope-
raciones de simetría clásica. En estos grupos la mitad de las operaciones de simetría
son de tipo clásico y la otra mitad son operaciones de tipo complementario. Hay 58
variantes de grupos de este tipo, denominados “blancos y negros”. Ellos se forman a
partir del grupo clásico G, de orden g. Se toma un subgrupo H de orden g/2, luego se
multiplican todos los elementos (G-H) por Θ y se obtiene finalmente el grupo
M=H+Θ (G-H), que se denota G:H.
Para el estudio de las propiedades de acoplamiento magnético (i, m, b), sólo se conside-
ran los cristales con simetría magnética tipo 1 y tipo 3. Para los cristales tipo 2, K ≡ 0 .
Los tensores que describen estas propiedades son tensores axiales debido a que X o Y es
el campo magnético, un vector axial. Por ejemplo, el efecto piromagnético se representa
por un vector axial que relaciona la temperatura θ y la inducción B.

de vectores axiales
Para identificar cuales de los 90 grupos magnéticos muestran piromagnetismo se nece-
sita que las irreps del vector axial Γ Rr de cristal tipo I o la representación complementa-
c
ria Γ Rr de cristal tipo 3 posea componentes que pertenezcan a la irrep AI. Para esto se
utilizan las TCB y la composición de los grupos magnéticos. Este procedimiento se hace
de la siguiente forma:
1. Se estudia qué cristales del grupo I tienen una irrep Γ Rr coincidente con A1.
2. Se separan los grupos del tipo 3 que tienen como complementarios a los que resulta-
ron seleccionados en el paso anterior.
c
3. Se determina, entre éstos, cuales cumplen con que sus irreps Γ Rr pertenezcan a A1.
Al realizar estos pasos se llega a los 31 grupos puntuales magnéticos de los cristales en
los cuales puede existir piromagnetismo: C1, Ci, Cs:C1, C2:C1, C2h:Ci, C2v:Cs, C2, Cs,
C2h, C2v:C2, D2:C2, D2h:C2h, C4, S4, C4h, C4v:C4, C4v:S4, D4:C4, D4h:C4h, C3, S6,
D3:C3, C3v:C3, D3d:S6, C3h, C6, C6h, D6:C6, C6v:C6, D3h:C3h, D6h:C6h.
Es importante el hecho de que todos los grupos que contienen la operación inversión
como complementaria (iΘ = i*) o son cúbicos poseen K ≡ 0 .

de tensores axiales de segundo
rango
El efecto magnetoeléctrico se representa por un tensor axial de segundo rango, que rela-
ciona un vector axial X (B) y un vector polar Y (E). Para obtener K se buscan las irreps
c
comunes entre Γ xyz y Γ Rr o Γ Rr . Aquí resulta que todos los grupos que contienen la
operación inversión pura (i) poseen K ≡ 0 . Así se llega a los 57 grupos donde puede
Propiedades físicas posibles en los cristales 107
existir magnetoelectricidad: C1, Ci:C1, C2, Cs:C1, C2h:C2, Cs, C2:C1, C2h:Cs, C2v,
D2h:C2v, D2:C2, C2v:C2, D2, D2h:D2, C2v:Cs, C4, C4:C2, C4h:C4, C3, S6:C3, C6, C3h:C3,
C6h:C6, D4, C4v:C4, D2d:D2, D3, D4h:D4, D3d:D3, C3v:C3, C6v:C6, D3h:D3, D6, D6h:D6,
S4, C4h:S4, C4v:C2v, D2d:S4, D4:D2, D2d, D4h:D2d, C4v, D2d:C2v, D4:C4, D4h:C4v, C3v,
D3:C3, D3d:C3v, D3h:C3v, C6v, D6:C6, D6h:C6v, T, Th:T, Td:T, O y Oh:O.

de tensores axiales de tercer
rango
El efecto piezomagnético resulta de la interacción entre el tensor polar esfuerzo y el vec-
tor axial campo magnético. Esta interacción produce un tensor axial de tercer rango. Al
campo X le corresponden las irreps Γ α de las TCB, mientras que a Y le corresponden
Γ Rr y Γ cRr . Como es de esperar, al igual que antes para el piromagnetismo, la paridad de
las representaciones impone que todos los grupos que contienen la operación inversión
como complementaria poseen K ≡ 0 . Analizando todos los grupos magnéticos se llega
a que el piezomagnetismo puede presentarse en 66 de ellos: C1, Ci, C2, Cs, C2h, Cs:C1,
C2:C1, C2h:Ci, C2v:C2, D2:C2, D2h:C2h, C2v:Cs, C3, S6, D3:C3, C3v:C3, D3d:S6, C4:C2,
S4:C2, C4h:C2h, D2d:C2v, C4h, C4, S4, C6, C3h, C6h, C2v, D2, D2h, C4v:C2v, D4:D2,
D2d:D2, D4h:D2h, C6h:S6, C6: C3, C3h:C3, D4:C4, C4v:C4, D2d:S4, D4h:C4h, D6:C6,
C6v:C6, D3h:C3h, D6h:C6h, D3, C3v, D3d, D6:D3, D6h:D3d, D3h:D3v, C6v:C3v, D3h:D3,
D6h, D6, C6v, D3h, D4h, D4, C4v, D2d, T, Th, O:T, Td:T, Oh:Th.
6.2.7 Resumen
A modo de resumen de la presente Sección, se presentan las Tablas 6.2 a 6.7. La primera
Tabla muestra los efectos de acoplamiento posibles en cristales asociados a los grupos
puntuales cristalográficos. En los casos de propiedades de acoplamiento magnético, se
dan como posibles aquellas propiedades para las cuales se tiene al menos un grupo de
simetría magnética, derivado del grupo ordinario considerado, para el cual el efecto ana-
lizado es posible. Las Tablas 6.3 a 6.6 describen las simplificaciones que se manifiestan
en los tensores de diversas propiedades polares como consecuencia de la simetría crista-
lina. Los puntos grandes representan coeficientes no-nulos; los pequeños significan
ceros. La deducción de estas tablas sigue la línea de razonamiento que desarrollamos en
la sección 6.2.1. La Tabla 6.7, basada en las secciones 6.2.3 y 6.2.5, presenta las matrices
magnetoeléctricas de los grupos de simetría de color.
En las Tablas 6.3 a 6.7, igual que la Tabla 5.1, para aquellos grupos con una dirección
privilegiada (incluidos monoclínicos) el eje singular es el eje z.
Tabla 6.2. Efectos de acoplamiento eléctrico y magnético. Grupos puntuales cristalograficos

Grupo Puntual
Sist.Crist. Int Sch tipo PRE PZE PRM PZM ME
triclínico 1 Ci e + + + + +
-1 Ci c + +
monoclínico 2 C2 e + + + + +
m Cs nc-ne + + + + +
2/m C2h c + +
ortorómbico 222 D2 e + + +
2mm C2v nc-ne + + + +
mmm D2h c +
tetragonal 4 C4 e + + + + +
-4 S4 nc-ne + + + +
4/m C4h c + +
422 D4 e + + +
4mm C4v nc-ne + + + +

-42m D2d nc-ne + + +
4 / mmm D4h c +
trigonal 3 C3 e + + + + +
-3 S6 c + +
32 D3 e + + +
3m C3v nc-ne + + + +
-3m D3d c
hexagonal 6 C6 e + + + + +
-6 C3h nc-ne + + +
6/m C6h c + +
622 D6 e + + +
6mm C6v nc-ne + + + +
-6m2 D3h nc-ne + +
6/mmm D6h c +
cúbico 23 T e + + +
m3 Th c +
432 O e +
-43m Td nc-ne +
m3m Oh c
Leyenda: Int: notación international; Sch: notac. Schoenflies; +: posible;
e: enantiomórfico; c: céntrico; nc-ne: no céntrico-no enantiomórfico;
PRE: piroelectricidad; PZE: piezoelectricidad;
PRM: piromagnetismo; PZM: piezomagnetismo;
ME: efecto magnetoeléctrico
Para propiedades magnéticas, se deben tomar en cuenta los elementos de simetría ordinaria de su
grupo de simetría de color. Por ejemplo, el Cr2O3 debe ser clasificado como D3 y no como D3d.
Propiedades en representación superficial y simetría 109
Tabla 6.3. Matrices para tensores polares de 1er rango (p)
⎡•⎤ ⎡⋅⎤ ⎡•⎤

C1 : ⎢⎢•⎥⎥ C2 , C3 , C4 , C6 , C2v , C3v , C4v , C6v : ⎢⎢ ⋅ ⎥⎥ Cs : ⎢⎢•⎥⎥
⎢⎣•⎥⎦ ⎢⎣•⎥⎦ ⎢⎣ ⋅ ⎥⎦
{Ci, C2h, D2, D2h, S4, C4h, D4, D2d, D4h, S6, D3, D3d,
C3h, C6h, D6, D3h, D6h, T, Th, O, Td, Oh}: p = 0
Tabla 6.4. Matrices para tensores polares de 2º rango (α, ε, μ)
C2 C2v
C1
Cs D2
Ci
C2h D2h
C3, S6, C4, S4, C4h, C6, C3h, C6h,

D3, C3v, D3d, D4, C4v, D2d, D4h,
D6, C6v, D3h, D6h
T, Th, O, Td, Oh
Leyenda:
“•⎯⎯•” indica valores iguales
6.3 PROPIEDADES EN REPRESENTACIÓN

SUPERFICIAL Y SIMETRÍA
La representación superficial de las propiedades fue presentada en la Sección 4.7. Ahora
nos proponemos dibujar y/o discutir algunas superficies de propiedades representativas,
a la luz del Principio de Neumann.
a. Tensores polares de segundo rango: constante dieléctrica
La Figura 4.5 muestra claramente la anisotropía del tensor dieléctrico de un cristal de
BaTiO3. La simetría de la superficie (D4h = 4/mmm) supera la del grupo puntual estruc-
tural (C4v =4mm).
b. Tensores polares de tercer rango: piezoelectricidad

La idea de piezoelectricidad longitudinal no es difícil: uno debe imaginar que aplica
sobre el cristal que se estudia un esfuerzo de tracción pura en la dirección arbitraria h. El
vector desplazamiento eléctrico (D = εoE + P) que se producirá no apuntará, en general,
a lo largo de h. Si proyectamos este desplazamiento en la dirección considerada, la cons-
tante de proporcionalidad entre el esfuerzo T y la proyección de D será el módulo piezo-
eléctrico longitudinal d(h).
Dh = d(h) T [2]
La fórmula general para la determinación de la superficie d(h) es:
d (h) = ∑ hi h j hk dijk [3]

ijk
Tabla 6.5. Matrices para tensores polares de 3er rango (d)
C1 C2 Cs
D2 C2v S4
C4 D4
C6 D2d
D6
C4v
C3 D3
C6v
C3h , C3v D3h
Ci, C2h, D2h, C4h, D4h,

T
S6, D3d, D6h, C6h,
Td
Th, O, Oh
Leyenda:
“ ” indica el negativo de “•”
“ ” indica dos veces el negativo de “•”
Tabla 6.6. Matrices para tensores polares de 4º rango (s)
C2 C2v
C1 Cs D2
Ci C2h D2h
C4v C4 C3
D2d S4 S6
D4 C4h
D4h
C6, C3h
T,
D3 C6h,
Th,
C3v D3h,
Td,
D3d D6,
O,
C6v,
Oh
D6h
Leyenda:
“ ” indica el negativo de “•”
“ ” indica dos veces el negativo de “•”
“x” indica 2 (s11 – s12)
hi son los cosenos directores de la dirección x1’ relativos a los ejes xi. Para ilustrar la
influencia de la simetría cristalina a través de las componentes del tensor dijk (o diα) presen-
tamos una comparación entre dos piezoeléctricos importantes tecnológicamente: el cuarzo
(SiO2, grupo puntual D3 = 32) y el titanato de bario (BaTiO3, grupo puntual C4v = 4mm).
Las componentes no triviales (en notación matricial) de los tensores d correspondien-
tes a estos dos materiales son:
cuarzo: d11 = 2.31 d14 = 0.727 (10-12 C / N)
BaTiO3: d33 = 85.5 d31 = -34.5 d15 = 392 (10-12 C / N)
A partir de (2), sustituyendo los valores dados de diα, se llega a las siguientes expresio-
nes particulares.
cuarzo: d(φ, β) = d11 sin3 φ cos 3β [4]
BaTiO3: d(φ ) = (d33 - d15 - d31) cos3 φ + (d15 + d31) cos φ [5]
Tabla 6.7. Matrices para tensores axiales de 2º rango
C1, Ci C2, Cs:C1, C2h:C2 Cs, C2:C1, C2h:Cs

• • • • • ⋅ ⋅ ⋅ •
• • • • • ⋅ ⋅ ⋅ •
• • • ⋅ ⋅ • • • ⋅
C2v, D2h:C2v, D2:C2 C2v:C2, D2, D2h:D2 C2v:Cs

⋅ • ⋅ • ⋅ ⋅ ⋅ ⋅ ⋅
• ⋅ ⋅ ⋅ • ⋅ ⋅ ⋅ •
⋅ ⋅ ⋅ ⋅ ⋅ • ⋅ • ⋅
D4, C4v:C4, D2d:D2, D4h:D4,

C4, C4:C2, C4h:C4, C3, S6:C3, D3, D3d:D3, C3v:C3, D3h:D3,
C6, C3h:C3, C6h:C6 D6, C6v:C6, D6h:D6 C4:C2, S4, C4h:S4
• • ⋅ • ⋅ ⋅ • • ⋅
o • ⋅ ⋅ • ⋅ • o ⋅
⋅ ⋅ ⋅ ⋅ ⋅ • ⋅ ⋅ ⋅
C4v, D2d:C2v, D4:C4, D4h:C4v,

C3v, D3:C3, D3d:C3v, D3h:C3v,
C4v:C2v, D2d:S4 D4:D2, D2d, D4h:D2d C6v, D6:C6, D6h:C6v
⋅ • ⋅ • ⋅ ⋅ ⋅ • ⋅
• ⋅ ⋅ ⋅ o ⋅ o ⋅ ⋅
⋅ ⋅ ⋅ ⋅ ⋅ ⋅ ⋅ ⋅ ⋅
• ⋅ ⋅
T, Th:T, Td:T, O, Oh:O ⋅ • ⋅
⋅ ⋅ •
Notación de Schoenflies adaptada a grupos de simetría de color:

G:H =H+Θ (G-H)
G grupo de simetría ordinaria, de orden g
H subgrupo de G, de orden g/2
Θ operación complementaria, convierte simetría en antisimetría.
Ejemplo: Ci:C1 = E, i*
La superficie piezoeléctrica longitudinal del cuarzo recuerda tres almendras unidas en el

origen, ver la Figura 6.1. La simetría estructural es D3 y la de la superficie d(h) es D3h.
En el caso del titanato de bario la simetría de la propiedad es ∞mm: d(h) no depende del
ángulo azimutal. La superficie del módulo piezoeléctrico parece una manzana idealizada
que descansa en el plano xy, Figura 6.2.
Un detalle curioso: Las superficies de los tensores de segundo rango (ej: Figura 4.5)
envuelven simétricamente al origen de coordenadas. Así van a ser también las de cuarto
rango. Sin embargo, ninguna superficie de módulo piroeléctrico o piezoeléctrico (tenso-
res polares de rango impar) puede envolver al origen, ¿por qué?.
Figura 6.1. Módulo piezoeléctrico longitudinal del cuarzo SiO2. Grupo puntual
estructural D3 321.
Figura 6.2. Módulo piezoeléctrico longitudinal del titanato de bario BaTiO3.

Grupo puntual estructural C4v = 4mm.
c. Tensores polares de cuarto rango: elasticidad

El muy conocido “módulo de Young” de la Teoría de la Elasticidad es una representación
superficial. Consideremos las relaciones constitutivas de la elasticidad. La relación entre
la deformación S y el esfuerzo T se describe mediante dos tensores de rango 4, a saber:
la rigidez cαβ (Tα = cαβ⋅Sβ) y su inverso la elasticidad sαβ (Sα = sαβ⋅Tβ). Como analiza-
mos en la sección 4.6, el escalar idóneo para caracterizar la elasticidad es el módulo de
elasticidad longitudinal s’11(h).
S1 = s′11 ( h)⋅T1 [6]

El módulo Young es el inverso del módulo de elasticidad: E( h) = 1 . A

s′11 ( h)
continuación escribimos las fórmulas para s’11(h) correspondientes a cristales
cúbicos y hexagonales.
1. cúbico:
s'11 = s11 - 2 (s11 - s12 - ½ s44) (h12 h22 + h22 h32 + h12 h32) [7]
2. hexagonal:
s'11 = (1 - h32)s11 + h34 s33 + h32 (1 - h32 )(2s13 + s44) [8]
Las sαβ son las componentes del tensor de elasticidad; las hi representan los cosenos
directores de h. Se tienen expresiones alternativas de estas ecuaciones si se expresan las
hi en función de los ángulos polar (φ) y azimutal (β) (ecs. 4.68).
Las Figuras 6.3 y 6.4 muestran, respectivamente, las dos superficies elásticas para el
cobre (cúbico) y la superficie del módulo elástico para el cinc (hexagonal). La elasticidad
no posee simetría axial en los cristales cúbicos, aunque sí en los hexagonales.
d. Tensores axiales: el efecto magnetoeléctrico
Analizamos ahora el efecto magnetoeléctrico (m = D/H = B/E), como ilustración de
tensores axiales. El cristal que tomamos como objeto de estudio es el Bi5Ti3FeO15, una
a) b)
Figura 6.3. Superficies elásticas longitudinales para un cristal de cobre.

a) Módulo de elasticidad s11′ .
b) Módulo de Young E = 1 . Componentes de tensor elasticidad

s11
′
( 10-12m2/N): s11 = 15, s12 = -6.3 , s44 = 13.3.
s11 = 8.4
s33 = 28.7
s44 = 26.4
s12 = 1.1
s13 = -7.8
Figura 6.4. Módulo de elasticidad. Cristal de Zn (hexagonal, unidades = 10-12m2/N).
fase con grupo puntual C2v = mm2. La ecuación (9) muestra la forma del tensor
magnetoeléctrico para esta fase.
⎡ 0 m12 0⎤
⎢ ⎥
m =⎢ m21 0 0⎥ [9]
⎢
⎣ 0 0 0⎥
⎦
La Figura 6.5 muestra la superficie magnetoeléctrica longitudinal. La expresión

matemática de la superficie es:
m(h)= m(φ,β) = (m12+m21) sin2 φ sinβ cosβ [10]
El ángulo polar se refiere al eje z; el azimuth β se mide a partir del plano (x, 0, z). Para el
caso (m12+m21) > 0, el efecto magnetoeléctrico longitudinal se manifiesta a lo largo de
las líneas (x, x, 0) y (x, -x, 0), con E↑↑ ΔH en la primera y ΔE ↑↓ ΔH la segunda.
La simetría generalizada de la superficie m(h) ilustra el Principio de Neumann, apli-
cado a escalares axiales (pseudo escalares): los puntos de la superficie, transformados
por planos ordinarios de simetría, se convierten al signo contrario.
m(h) < 0
m(h) > 0
m(h) > 0 m(h) < 0
Figura 6.5. Superficie magnetoeléctrica longitudinal para un cristal Aurivillius. Grupo

puntual mm2. El eje z, de simetría rotacional de segundo orden, sale de la
figura. Los planos (x, 0, z) y (0, y, z) son espejos ordinarios.
6.4 LOS ARMÓNICOS ESFÉRICOS

DE LA FÍSICA-MATEMÁTICA Ylm(h)
Dedicamos los siguientes dos epígrafes a introducir los armónicos esféricos simetriza-
dos. Se trata de una técnica que facilita la sistematización del análisis de propiedades en
la representación superficial. Conceptualmente, la idea se parece a lo que se hace cuando
se descompone un vector A en términos de sus componentes a lo largo de los ejes (x, y, z)
o cuando se expresa una función periódica f(x) como una serie de Fourier. En el primer
caso mencionado, el papel de base lo juegan los vectores unitarios i, j, k. En el segundo
caso, la base está formada por las funciones sen(nx) y cos(nx). En los casos considerados,
se dice que la base genera el espacio (vectorial, funcional) de interés.
Veamos qué sucede en el espacio de las funciones de la orientación. La representa-
ción superficial de la propiedad K(h) es una función de las coordenadas angulares φ
(ángulo polar) y β (azimut). Una base funcional natural para desarrollar funciones que
dependen de la orientación h = (φ, β) la constituyen los armónicos esféricos Ylm(φ, β) de
la Física- Matemática. Estas bases funcionales se emplean de rutina en la solución de
problemas de Electrodinámica (multipolos, radiación) y de Mecánica Cuántica (orbitales
atómicos).
Siguiendo el tratamiento de Bunge (1982), los armónicos esféricos están dados por:
1
Yl m ( φ, β) = eim β Pl m (cos φ) [11]
2π
Los armónicos esféricos de la física-matemática Ylm(h) 117
En esta definición, los polinomios asociados de Legendre, Plm, son:
(l + m)! 2l +1 (−1)l−m d l−m

Pl m (cos φ) = Pl m ( x) = l (1− x 2 )−m / 2 l−m (1− x 2 )l [12]
(l − m)! 2 2 l! dx
En lo sucesivo, para simplificar, utilizaremos la notación Plm(φ) para designar a

Plm(cosφ).
Las funciones recién definidas cumplen las siguientes condiciones de normalización:
∫P l
m
( φ) Pl m' ( φ) sin φd φ = δll ' [13]
0
°∫ Yl ( φ, β ) kl´ ( φ, β ) sin φ d φ d β
m *m´ = δ ll´ δ mm´ [14]
El asterisco (*) significa tomar el complejo conjugado. Los dominios de integración para
φ y β son, respectivamente: 0 ≤ φ ≤ π; 0≤ β ≤2π.
Como alternativa a las funciones complejas dadas por (11), se emplean también las
siguientes bases funcionales reales:
1
Yl 0 ( φ) = Pl ( φ) [15]
2π
(c ) 1
Yl m ( φ, β) = Pl m ( φ) cos m β [16]
π
(s) 1
Yl m ( φ, β) = Pl m ( φ) sin m β [17]
π
Los índices en (15), (16) y (17) recorren los intervalos: l = 0, 1, 2,…∞; m = 0, 1,…, l.
Pl(φ)= Pl m=0 ( φ) son los polinomios de Legendre. El factor de normalización ha cam-
1 1
biado en (15) y (16) [ 2π Æ π ] para preservar la validez de condiciones tipo
(14). A continuación se muestran las fórmulas específicas de los armónicos esféricos rea-
les para l desde 0 hasta 4. Llamamos triclínicos a estos armónicos, puesto que en su defi-
nición no se ha impuesto ninguna condición de simetría.
Armonicos esféricos reales triclínicos
1 1
Y00 = P0 = [18]
2π 2 π
1 1 3
Y 10( φ) = P1 ( φ ) = cos φ [19]
2π 2 π
1 3 ⎧cos β
Y 11( φ, β) = sin φ⋅⎨ [20]
2 π ⎩sin β
1 1 5
Y20 ( φ) = P2 ( φ) = (3cos 2 φ−1) [21]
2π 4 π
1 15 ⎧cos β
Y21 ( φ, β) = cos φ sin φ⋅⎨ [22]
2 π ⎩sin β
1 15 2 ⎧cos 2 β
Y22 ( φ, β) = sin φ⋅⎨ [23]
4 π ⎩sin 2 β
1 1 7
Y 30( φ) = P3 ( φ ) = (5cos 3φ - 3 cos φ ) [24]
2π 4 π
1 42 ⎧cos β
Y 13( φ, β) = (4 sin φ - 5sin 3φ )⋅⎨ [25]
8 π ⎩sin β
1 105 ⎧cos 2 β
Y 32( φ, β) = ( cos φ - cos 3φ )⋅⎨ [26]
4 π ⎩sin 2 β
1 70 3 ⎧cos 3 β
Y 33( φ, β) = sin φ⋅⎨ [27]
8 π ⎩sin 3 β
1 3 1
Y 04( φ) = P4 ( φ ) = ( 35cos 4φ - 30 cos 2 φ+ 3 ) [28]
2π 16 π
3 10 ⎧cos β
Y 14( φ, β) = cos φ⋅sin φ⋅(7 cos 2 φ− 3)⋅⎨ [29]
8 π ⎩sin β
Los armónicos esféricos simetrizados de la cristalofísica klμ(h) 119
3 5 ⎧cos 2 β
Y 24( φ, β) = sin 2 φ⋅( 7 cos 2 φ - 1 )⋅⎨ [30]
8 π ⎩sin 2 β
3 70 3 ⎧cos 3 β
Y 34( φ, β) = sin φ⋅cos φ⋅⎨ [31]
8 π ⎩sin 3 β
3 35 4 ⎧cos 4 β
Y 44( φ, β) = sin φ⋅⎨ [32]
16 π ⎩ sin 4 β

SIMETRIZADOS DE LA CRISTALOFÍSICA
klμ(h)
La idea de los armónicos esféricos simetrizados consiste en adaptar la base funcional
(11), o su equivalente 15, 16 y 17, de modo que se obtenga la invarianza requerida por la
simetría cristalina:
klμ (h) = klμ (Gi ⋅h) [33]
Gi es una matriz representativa del grupo puntual cristalino, el vector h representa una
dirección arbitraria. El cambio de supraíndice de latino a griego (m μ) significa que
este índice ya no representa el coeficiente de la variable en la exponencial de (11), sino
un número de orden.
El formalismo general para determinar los armónicos esféricos simetrizados klμ(h)
establece combinaciones lineales de los armónicos Ylm(h):
klμ ( φ, β) = ∑ AlμmYl m ( φ, β) [34]

m=−l
μm
Los coeficientes Al se buscan tales que se satisfaga (33). En la práctica, excepto en los
casos del sistema cúbico, la combinación de (33) y (34) conduce a que los armónicos simetri-
zados se obtengan como un subconjunto de los armónicos triclínicos. En otras palabras, para
casi todos los sistemas, los armónicos esféricos simetrizados se obtienen de los Ylm poniendo
μm
iguales a cero los coeficientes Al correspondientes a funciones que no satisfagan (33). El
caso cúbico conduce realmente a sumas tipo (34), como veremos más adelante.
Ejemplo 1:
Armónicos esféricos simetrizados para el sistema tetragonal: Se seleccionan los
armónicos esféricos que sean invariantes ante rotaciones de orden 4 respecto de
un eje vertical:
⎛ π⎞
Yl m ( φ, β) = Yl m⎜ φ, β+ ⎟ [35]
⎝ 2⎠
⎡ ⎛ π ⎞⎤ [36]
cos(m β) = cos⎢ m⎜ β+ ⎟⎥
⎣ ⎝ 2 ⎠⎦
π
(m β+ m ) − m β = 2n π [37]
2
m = 4n n = 0,1,... [38]
Para 1 ≤ l ≤ 3, solamente aplica la condición m = 0. Los armónicos simetrizados

tetragonales kl (h) están dados por k1 = Y10; k2 =Y20 y k3 = Y30 de la lista ante-
μ 1 1 1
rior. Para 4 ≤ l ≤ 7, valen las posibilidades m = 0 y m = 4. Por ejemplo, para l = 4:
3 1
k4μ=1 ( φ) = Y 04( φ) = ( 35cos 4φ - 30 cos 2 φ+ 3 ) [39]
16 π
3 35 4 [40]
k4μ=2 ( φ, β) = Y44 ( φ, β) = sin φ cos 4 β
16 π
En general, para cada valor de l, se tienen M(l) armónicos simetrizados reales [μ =
1, 2,…M(l)]. En nuestro caso tetragonal: M (l ) = 2 l +1 , donde las barras dobles

4
significan “tomar la parte entera del cociente”.
Ejemplo 2:
Armónicos esféricos simetrizados para el sistema cúbico: Los ejes de simetría
característicos de los cristales cúbicos son las diagonales principales del cubo.
Éstos representan rotaciones de orden 3. Para obtener las bases requeridas para
describir estas simetrías, se construyen combinaciones lineales del tipo (34). Ilus-
tramos los resultados del tratamiento de Bunge para este problema. Específica-
mente, los armónicos simetrizados cúbicos asociados a l ≤ 4 se comportan de la
Propiedades y armónicos simetrizados 121
siguiente manera. Para l = 0, se tiene un armónico (ec. 18). Para l = 1, 2, 3 los

armónicos cúbicos son nulos. Para l = 4 existe un armónico cúbico simetrizado,
dado por:
k41 ( φ, β) = A41,0 P4 ( φ) + A41,4 P44 ( φ, β) cos 4 β [41]
1,0 1,4
con A4 = 0.3046972 y A4 = 0.36418281. Efectuando se llega a:
k41 (φ , β ) = 0.2423851− 2.423851⋅cos 2 φ + 2.827827 ⋅cos 4 φ

[42]
+0.33799⋅sin 4 φ ⋅cos 4 β
El Capítulo 8 de este manual mostramos algunas figuras en colores, representativas de

una selección de armónicos esféricos.
6.6 PROPIEDADES Y ARMÓNICOS

SIMETRIZADOS
Empleando los armónicos esféricos simetrizados es posible expresar cualquier propiedad
en representación superficial longitudinal del modo siguiente:
r M(l)
K(h) = ∑∑e lμk lμ(h) [43]

l=0 μ=1
Que sea posible expresar cualquier propiedad mediante la fórmula (43), con k lμ consis-
tente con (33), es una consecuencia del Principio de Neumann. Es interesante e impor-
tante que la suma en l recorre hasta l = r, donde r es el rango del tensor descrito por K. El
límite de la suma en μ es una función de l, M(l), la cual depende del sistema cristalino.
Los coeficientes elm se calculan a partir de la dependencia K(h). Las condiciones de
orto-normalización de los k lμ permiten establecer que:
e l = ∫ K(h)k l (h)dh
μ μ
[44]
con dh = sin φ dφ dβ. El dominio de integración es la esfera unitaria (0 ≤ φ < π; 0 ≤ β < 2π).
En muchos casos prácticos, identificar los coeficientes e lμ se hace de manera sencilla, por
simple inspección.
Mostramos el formalismo en dos casos concretos:
Ejemplo 3:
Piezoelectricidad longitudinal del cuarzo (Figura 6.1).
Ya hemos estudiado, en la Sección 3, la superficie de piezoelectricidad longitudi-
nal del cuarzo. El tensor diα es de rango 3 y la ecuación para d(h) es:
d(φ, β) = d11 sin3 φ cos 3β [45]
Si revisamos los armónicos triclínicos, salta a la vista que d(h) es proporcional al

armónico simetrizado trigonal siguiente:
1 70 3 [46]
k32 ( φ, β) = Y 33( φ, β) = sin φ⋅cos 3 β
8 π
Luego:
π
d ( φ, φ) = e32 k32 ( φ, β) con e32 = 8⋅d11 ⋅ = 0.359⋅d11 [47]
70
Ejemplo 4:
Elasticidad del Zn (Figura 6.4).
La elasticidad se describe con un tensor de cuarto orden (r = 4). El grupo puntual
del Zn es D6h (hexagonal). En esta simetría la relación M = M(l) adopta la forma
l [48]
M (l ) = +1
6
(doble barra tomar la parte entera del cociente)

La elasticidad es centrosimétrica, por lo que el desarrollo (43) sólo contiene los
términos con l par. De (48) se obtiene M(2) = M(4) = 1. Los armónicos simetriza-
dos necesarios, consistentes con (33), son:
1 5
k21 ( φ) = Y20 ( φ) = (3cos2 φ−1) [49]
4 π
3 1 [50]
k41 ( φ) = Y 04( φ) = ( 35cos 4φ - 30 cos 2 φ+ 3 )
16 π
Los coeficientes elμ se calculan por (43), con la expresión del módulo de elastici-
dad dado por (8) y la base funcional (48, 49):
e0 = 0.533 s11 + 0.171 s33 + 0.162 (s44 + 2s13) [51]

e21 = 0.906 s33 - 1.208 s11 + 0.151 (s44 + 2s13) [52]
e41 = 0.270 [(s11 + s33) - (s44 + 2s13)] [53]
Finalmente queda:
s'11 = e0 + e21 k21(φ) + e41 k41 (φ) [54]
1. A partir de las Tablas de las Irreps, compruebe que los tensores dieléctricos, pie-
zoeléctricos, elásticos y magnetoeléctricos de los grupos D2, C3v y C4v son como
se expresa en las Tablas 6.4 a 6.7.
2. Un material del grupo (-1) ¿puede ser piroeléctrico? ¿por qué? ¿puede ser piro-
magnético? ¿por qué?
3. Demuestre las ecuaciones (4) y (5).
4. Explique la relación entre las simetrías de las estructuras y las propiedades descri-
tas en las Figuras 6.1 a 6.5. ¿Qué tiene de especial la Figura 6.5?
5. Compruebe la ecuación (23).
6. Plotee la superficie del módulo de Young para el cinc.
7. Compruebe que la ecuación para el módulo de elasticidad de cristales cúbicos es
un caso especial de la correspondiente a cristales ortorrómbicos (Ec. 4.69).
8. Encuentre los coeficientes para el desarrollo en armónicos esféricos simetrizados
del módulo de elasticidad para cristales ortorrómbicos (Ec. 4.69).

Bunge H. J: Texture Analysis in Materials Science- Mathematical Methods, Butterworths,
London (1982).
Derek J. S: A Course in the Theory of Groups (Graduate Texts in Mathematics, Vol 80), F. W.
Gehring (Editor), Sheldon Axler (Editor) 2nd edition, Springer Verlag, Berlin, (1996).
Nye J F: The Physical Properties of Crystals. Clarendon Press, Oxford (1957).
Nowick A.S: Crystal properties Via Group Theory, Cambridge Univ. Press, NY (1995)
7
POLICRISTALES, TEXTURA
Y PROPIEDADES
7.1 TEXTURA
Una característica estructural importante de cualquier policristal es la distribución de

orientaciones en el conjunto de cristalitas que lo forman. Si todas las cristalitas coinciden
en su orientación espacial, entonces la microestructura y las propiedades físicas tienden a
las de un monocristal. Si la distribución de orientaciones es aleatoria, el material se pre-
senta prácticamente isotrópico. Finalmente, si las orientaciones presentan cierta distribu-
ción fuera de los extremos mencionados se dice que nos encontramos en un caso de
orientación preferida o textura.
La Figura 7.1 muestra las micrografías electrónicas de dos cerámicas piezoeléctricas.
La muestra (a) no está texturada, mientras que la (b) exhibe una textura intensa.
La textura es uno de los principales factores estructurales en la determinación de las
propiedades de un policristal. La Figura 7.2 ilustra casos en que: a) la textura resulta un
125
126 Policristales, Textura y Propiedades
a) b)
Figura 7.1. Cerámicas piezoeléctricas Bi4Ti3O12.

a) Sinterización tradicional (T = 1050ºC). b) Forja en caliente
(p = 500 kg/cm2, T = 1050ºC). Cortesía: V. Gelfuso, J.A. Eiras, Univ.
Fed. de San Carlos, Brasil.
agente favorable para incrementar las propiedades magnéticas; b) la textura perjudica el

proceso de moldeado por extrusión (deformación plástica) y c) el factor de conectividad
juega un papel más importante que el de la textura en la conductividad eléctrica.
La textura es una consecuencia de la historia termomecánica de la muestra, y es una
variable en poder del ingeniero de materiales para optimizar las propiedades de su pro-
ducto.
La Figura 7.3 muestra un tren de laminado de metales y representa esquemáticamente
la formación de textura por deformación plástica. En el argot de los texturistas se
emplean de rutina los términos dirección de laminado (DL), dirección normal al lami-
nado (DN) y dirección transversal (DT).
En geología la textura de rocas metamórficas es un indicador de los procesos de
deformaciones plásticas ocurridos hace millones de años.
7.2 FIGURAS DE POLOS
La descripción tradicional de la textura son las Figuras de Polos (FP). Una FP es la repre-
sentación en proyección estereográfica (Cap. 1) de la distribución espacial de las norma-
les a una familia de planos dada h = (h, k, l) respecto de un sistema de coordenadas fijo
en la muestra.
La Figura 7.4 ilustra mediante un ejemplo el significado de una FP. Una muestra poli-
cristalina se encuentra en el centro de la esfera de proyección. Los cristales que forman la
muestra (muchos) poseen forma de hojuelas, con sus planos cristalinos (0, 0, 1) paralelos
a las caras extensas de las hojuelas. Nos interesa la FP (0, 0, 1). Imaginemos que todos
los cristales tienen el mismo volumen y que el polo (0, 0, 1) de cada cristal marca un
punto en la esfera de referencia. La Figura muestra los polos de dos cristales representa-
Figuras de polos 127
TEXTURA MAGNETICA (FAVORABLE)
GRIETAS DE EXTRUSION
POR TEXTURA DESFAVORABLE
aislante
TEXTURA VERSUS CONECTIVIDAD
Figura 7.2. Influencia de la textura sobre las propiedades:

a) Efecto magnético favorable
b) Efecto mecánico desfavorable
c) La textura no siempre es el factor decisivo (conductividad eléctrica).
tivos “a” y “b”. En la textura particular de nuestro ejemplo, la mayoría de los cristalitos
que forman la muestra proyectan sus polos (0, 0, 1) cercanos a los dos dibujados. Si con-
sideramos las manchas que corresponden a todos los cristales de la muestra, la esfera
aparecerá oscura en las regiones asociadas a orientaciones preferidas y clara en caso con-
trario. La proyección estereográfica de la esfera así sombreada es la FP (0, 0, 1) de la
muestra considerada.
Las FP se miden generalmente por técnicas de difracción de neutrones, rayos X o electro-
nes. Se fija el difractómetro en la condición de difracción para los planos (h, k, l) y se hace
DIRECCIÓN NORMAL
DI
RE
CC
IÓ
N
TR
AN
SV
ER DIRECCIÓN DE LAMINADO
SA
L
Figura 7.3. Formación de textura por deformación plástica en un tren de laminado.
polo (0, 0, 1) del cristal “b” polo (0, 0, 1) del cristal “a”
cristal “b” cristal “a”
esfera de
proyección
Figura 7.4. Esfera de proyección, normales a una familia de planos y “polos”
rotar la muestra de manera que el polo (h, k, l) recorra la esfera de reflexión. Las intensidades
difractadas son proporcionales a las densidades de población correspondientes en la FP.
La Figura 7.5 muestra las Figuras de Polos (0, 0, 1), (1, 0, 0) y (1, 0, 1) de una mues-
tra de cinc laminada. La intensidad en las FP se ha representado mediante curvas de
nivel. Se aprecia que existe una población relativamente elevada de cristalitas con la nor-
mal de sus planos (0, 0, 1) apuntando perpendicularmente al plano de laminación. Natu-
ralmente, hay pocos planos (1, 0, 0) y (1, 0, 1) en DN. Hay cierta preferencia de los
planos (0, 0, 1) y (1, 0, 0) por la dirección transversal. La dirección de laminado está muy
Figuras de polos 129
Figura (0, 0, 1)
Figura (1, 0, 0)
Figura (1, 0, 1)
Figura 7.5. Figuras de polos de cinc laminado. Medición por difracción de

neutrones.
poco poblada por los planos recién mencionados. En DL hay cierta preferencia por los
planos (1, 0, 1).
Matemáticamente, la figura de polos se representa con la función Ph(φ, β), la cual
representa la población relativa de cristales con la normal a la familia de planos h para-
lela a la dirección de muestra y = (φ, β):
dV(y ⇑ h)/V
Ph (y) = [1]
dy
En las FP h es fijo, mientras que y es variable. φ es el ángulo polar y β el azimut. dV/V

significa volumen relativo. Ph(y) está normalizada de modo que su integral de superficie
por la esfera de referencia vale 4π. El valor Ph(φ, β) = 1 corresponde a la densidad de

población de una muestra sin textura.
Según la simetría del efecto físico que produjo la textura, así será la simetría de la FP.
Un proceso de deformación plástica totalmente asimétrico produce una textura triclínica
que debe ser representada en una Figura de Polos de esfera completa. En el otro extremo,
un proceso de trefilado produce un alambre con la llamada textura axial o de fibra, la
cual sólo depende del ángulo polar φ. El gráfico de esta última es simplemente una curva
Ph(φ) versus φ. Las FP de la Figura 7.5 son un buen ejemplo de una situación frecuente
en metalurgia: los procesos de laminado (producción de planchas) conducen a texturas
con simetría ortorrómbica (2/m 2/m 2/m). Para la representación de estas texturas basta
un octante de la esfera de proyección.
La simetría de las figuras de polos no depende del sistema cristalino del material
estudiado, sino de la simetría de su proceso de obtención. La simetría de una textura es
estadística y aproximada. Heterogeneidades en la muestra inicial, o en el proceso termo-
mecánico que genera la textura, producen alejamientos respecto de la simetría ideal. La
Figura 7.5 ilustra estas dos ideas: La simetría cristalina del cinc es hexagonal y las FP
medidas tienden a exhibir simetría ortorrómbica.
Los armónicos esféricos simetrizados (Cap. 6) se emplean ventajosamente en el trata-
miento analítico de las figuras de polos. Más adelante veremos como estas bases funcionales
ayudan a sistematizar el pronóstico de propiedades en materiales texturados. Las simetrías
más frecuentes en las texturas de la práctica experimental (triclínica, ortorrómbica y de fibra)
tienen asociadas sus respectivas colecciones de armónicos esféricos simetrizados. Los armó-
nicos triclínicos coinciden con los dados en las ecuaciones (6.18) a (6.32). Los ortorrómbicos
son un subconjunto de éstos y los axiales se expresan en términos de los polinomios de
Legendre. En el argot texturista de la escuela de Bunge, cuando se emplea a los armónicos
esféricos simetrizados para describir la simetría de muestra, éstos se denotan con la simbolo-
gía kνl(y). La dirección (de muestra) se simboliza y = (φ, β) y el supraíndice μ se cambia a ν.
El desarrollo de la figura de polos Ph(y) en la base funcional kνl(y) tiene la forma:
∞ N (l )
Ph (y) = ∑∑ Fl ν klν ( y ) F lν = ∫ Ph (y)k l ( y )dy

ν [2]
l=0 ν=1
ν
En las ecuaciones (2), Fl (hi ) es el coeficiente (l,ν) del desarrollo de Ph(y). La ley N(l)
depende del grupo puntual de la textura (de manera análoga a la depedencia de M(l) res-
pecto del grupo puntual cristalino). El diferencial de ángulo sólido es dy = sen φ dφ dβ.
7.3 FUNCIÓN DE DISTRIBUCIÓN

DE ORIENTACIONES
Una Figura de Polos no define unívocamente la distribución de orientaciones. Si se ana-
liza un punto cualquiera de una FP, se encuentra que las contribuciones a éste vienen de
todas aquellas cristalitas cuya normal incida sobre el polo considerado. Pero aun fijando
Función de distribución de orientaciones 131
zA
yA xA
zB
yB xB
Figura 7.6. Sistemas KA (muestra) y KB (cristal)
este punto existen infinitas orientaciones posibles. Es necesario determinar un ángulo

más para tener unívocamente determinada la orientación de una cristalita.
Por lo anterior, Roe y Bunge han introducido la función de distribución de orienta-
ciones (f = FDO) como caracterización estadística unívoca de la textura. A diferencia de
las Figuras de Polos, el formalismo de la función de distribución caracteriza la orienta-
ción de una cristalita con tres coordenadas angulares: los ángulos de Euler ϕ1, φ, ϕ 2
empleados en Dinámica del Sólido Rígido para caracterizar la orientación de un cuerpo
sólido respecto de un sistema de referencia dado. La Figura 7.6 muestra los sistemas de
coordenadas cristalofísicas KA y KB adscritos respectivamente a la muestra y a una cris-
talita representativa. La orientación de KB es la de KA, transformada por la rotación g
resultante de los giros ϕ1, φ, ϕ 2 :
KB = g ⋅ KA g = ( ϕ1, φ, ϕ 2 ) [3]
La Figura 7.7 describe las rotaciones asociadas a los ángulos de Euler, de acuerdo con el
convenio de Bunge. Se toma como configuración inicial al sistema KB paralelo a KA. La
rotación del ángulo ϕ1 se efectúa alrededor de eje z (hasta aquí, común a ambos siste-
mas). φ es un giro alrededor del eje temporal xB (se separan los ejes z). Finalmente se
rota KB un ángulo ϕ2 alrededor del eje temporal zB que resulta de los giros anteriores.
Matemáticamente, cada una de estas rotaciones se describe con una matriz ortogonal,
similar a la presentada en la ec. (5.2). La rotación resultante g se expresa con la matriz
producto de las asociadas a cada ángulo de Euler.
El dominio de definición de g en el espacio de las orientaciones, también llamado
espacio de Euler, es:
0 ≤ ϕ1 ≤ 2π, 0 ≤ φ ≤ π, 0 ≤ ϕ2 ≤ 2π [4]
Figura 7.7. Definición (siguiendo a Bunge) de los ángulos de Euler.
La FDO es la densidad de población asociada a una orientación dada. Formalmente se le

define como la fracción volumétrica de cristalitas en el entorno dg del punto g en el espa-
cio de Euler:
dV
------- = f ( g ) dg
V °∫ f ( g ) dg = 1 [5]
con: 1 [6]
dg = sen φd φd ϕ1d ϕ2
8π 2
Una muestra sin textura se describe con f ≡ 1. En los materiales comunes la función f(g)
adopta valores tanto mayores como menores que 1 al recorrer el espacio de Euler. Siem-
pre se cumple que f(g)≥ 0.
La métrica del espacio de Euler es curiosa. Obsérvese (ec. 6) que el diferencial de
volumen depende significativamente del valor de φ. En el plano φ = 0, los puntos que
satisfacen [ϕ1 + ϕ2 = constante] representan la misma orientación.
La simetría juega, también aquí, un papel importante. La FDO es invariante ante las
rotaciones propias (no se incluye la inversión) que pertenecen al grupo puntual de sime-
tría ordinaria del material considerado. Denotemos como G Ai (i = 1,..., N A ) a los opera-
dores de las rotaciones propias de la simetría de muestra (simetría rotacional de las FP) y
G B j (j = 1,..., N B ) los de la simetría rotacional cristalina. Entonces se cumple:
f(g) = f( G Ai⋅ g ⋅G B j ) para todo i, j [7]
Por simetría, el dominio de definición de f(g) se reduce NANB veces.

Función de distribución de orientaciones 133
Problema:
Describir el espacio de Euler para un policristal formado por cristales de cuarzo.
El proceso de obtención de la muestra fue totalmente asimétrico. Este ejemplo es
aplicable a casos de rocas metamórficas, deformadas plásticamente en una suce-
sión aleatoria de procesos tectónicos.
Solución: La simetría de muestra es triclínica, grupo puntual C1. La única sime-
tría de rotación propia válida es la identidad: NA = 1. Los cristales de
cuarzo son trigonales, grupo puntual D3. Para este grupo: NB = 6. La
Figura 7.8 muestra el dominio de definición mínimo imprescindible
para f(g) en el problema planteado. El volumen es 1/6 del dado por la
ec. (4).
Figura 7.8. Espacio de Euler para policristal de cuarzo, simetría C1⋅D3.

El valor de f(g) en el origen se repite en las líneas señaladas.
Es usual presentar gráficamente las FDO como cortes (planos) del espacio de Euler,
en los cuales se mantenga constante cierto ángulo. Por ejemplo, la Figura 7.9 (a)
representa el plano ϕ2 = 45º de la FDO correspondiente a una muestra de Fe - 3% Si
laminada en caliente (Cruz-Gandarilla et al, 2006). Esta FDO ha sido calculada a
partir de figuras de polos medidas por difracción de neutrones. La Figura 7.9 (b)
representa las orientaciones asociadas a puntos notables del plano considerado. Se
emplea la notación (h, k, l)[u, v, w]. (h, k, l) son los índices de Miller de la familia de
planos paralela al plano de laminado y [u, v, w] son las componentes de la dirección
cristalina paralela a la dirección de laminado.
Problema:
Interpretar la Figura 7.9(a).
a) b)
Figura 7.9. (a) Corte ϕ2 = 45º de la FDO de una muestra policristalina de Fe - 3% Si

laminada en caliente. (b) Índices (h, k, l)[u, v, w] de puntos notables en el
plano mencionado.
Solución: La aleación Fe-3%Si es típica de núcleos de transformadores eléctri-

cos. Como regla, se desea que posea un intensa “textura de Goss” (1,
1, 0)[0, 0, 1]. Esta textura favorece la dirección de fácil magnetiza-
ción [0, 0, 1] paralela a la dirección del campo magnético en el trans-
formador. Comparamos las Figuras 7.9(a) y 7.9(b). Se observa que la
textura de la muestra investigada tiene varias componentes principa-
les, a saber: fibra α (0, 0, 1)[1, -1, 0], (1, 1, 2)[1, -1, 0] y Goss (1, 1,
0)[0, 0, 1]. También hay una componente de fibra γ (1, 1, 1)[1, -2, 1].
La interpretación de la FDO es que la aleación considerada posee una
textura aceptable para ser empleada como núcleo de transformador,
aunque puede ser optimizada. Volveremos sobre este caso.

TRIDIMENSIONALES SIMETRIZADOS T lμ v ( g )
Como base funcional para el desarrollo de la FDO se introducen los armónicos esféricos
tridimensionales simetrizados T lμν(g) . De nuevo, estamos presentando herramientas
que utilizaremos en el pronóstico de propiedades.
Los armónicos esféricos tridimensionales simetrizados T lμν(g) 135
La ecuación de definición de los ármónicos esféricos tridimensionales asimétricos es:
Z lmn ( g ) = Z lmn ( ϕ1 , φ, ϕ2 ) = eimϕ2 Pl mn (cos φ)einϕ1 [8]
1/ 2
mn (−1)l−m i n−m ⎡ (l − m)!(l + n)! ⎤
mn
Pl (cos φ) = Pl ( x) = l ⎢ ⎥
2 (l − m)! ⎣ (l + m)!(l − n)! ⎦ [9]
−
n−m
−
n+m
d l−n
× (1− x) 2
(1+ x) 2 ⎡ (1− x)l−m (1+ x)l+m ⎦
⎣ ⎤
dxl−n
La base (8) satisface la condición de normalización:
1
∫ Z l
mn
( g )⋅ Z l*'m ' n ' ( g )dg = δ δ δ
2l +1 ll ' mm ' nn '
[10]
De manera análoga al caso bidimensional, las partes real e imaginaria de los exponencia-
les complejos en (8) conducen a una base real de funciones ortonormales para el espacio
funcional de Euler. Los índices en (8) y (9) recorren los intervalos: l = 0, 1, 2,…∞; m, n
= 0, 1, 2, …l.
m
Los armónicos bidimensionales Yl (h) se obtienen de los tridimensionales mediante
la ecuación:
4π ⎛ π⎞ 4π
Z lm 0 ( φ, ϕ2 ) = ⋅Yl m⎜ φ, ϕ2 − ⎟= ⋅Y *m ( φ, β ) [11]
2l +1 ⎝ 2⎠ 2l +1 l
Los armónicos tridimensionales simetrizados Tl μν ( g ) son combinaciones lineales (even-

tualmente una selección) de las funciones (8). Los Tl μν ( g ) satisfacen las simetrías de
muestra (figuras de polos) y cristalina:
Tl μν (GB ⋅ g ⋅GA ) = Tl μν ( g ) [12]
donde GA y GB representan respectivamente las rotaciones propias de los grupos puntua-

les de simetría de la textura y de los cristales.
Problema:
Adelantándonos al estudio de la piezoelectricidad en un policristal de cuarzo,
escribir los armónicos esféricos tridimensionales simetrizados reales correspon-
dientes a l = 3 para la combinación de simetrías muestra⋅ cristal = C1⋅D3.
Solución: La simetría de muestra es triclínica, por tanto no introduce
simplificaciones. La simetría cristalina es trigonal. La invarianza de
imϕ
los factores e 2 ante rotaciones ∆ϕ2 = 2π/3 conduce a la siguiente
regla de selección: m = 0, 3, etc. Aplicamos las ecuaciones (8) y (9)

para l = 3, m = 0, 3, n = 0, 1, 2, 3. Efectuando, se llega a la siguiente
colección de armónicos esféricos tridimensionales simetrizados
reales C1⋅D3:
10 π [13]
T 11
3 = sin 3φ cos 3( ϕ 2 - )
4 2
15 [14]
T 12
3 = [-(1+ cos φ )sin 2φ sin(3 ϕ 2 + ϕ1 )+(1- cos φ )sin 2φ sin(3 ϕ 2 - ϕ1 )]
8
15
T 13
3 = [-(1+ cos φ )sin 2φ cos(3 ϕ 2 + ϕ1 )+(1- cos φ )sin 2φ cos(3ϕ 2 - ϕ1 )] [15]
8
6 2 2
T 14
3 = [(1+ cos φ ) sin φ sin(3 ϕ 2 + 2 ϕ1 )+(1+ cos φ ) sin φ sin(3ϕ 2 - 2 ϕ1 )] [16]
8
6 2 2
T 15
3 = [-(1+ cos φ ) sin φ cos(3ϕ 2 + 2 ϕ1 )+(1+ cos φ ) sin φ cos(3ϕ 2 - 2 ϕ1 )] [17]
8
1 3 3
[18]
T 16
3 = [(1+ cos φ ) sin(3ϕ 2 + 3ϕ1 ) - (1- cos φ ) sin(3ϕ 2 - 3 ϕ1 )]
8
1 3 3
[19]
T 17
3 = [(1+ cos φ ) cos(3ϕ 2 + 3ϕ1 ) - (1- cos φ ) cos(3 ϕ 2 - 3 ϕ1 )]
8
7.5 ARMÓNICOS TRIDIMENSIONALES Y FDO
La función de distribución de orientaciones f(g)= FDO, puede ser desarrollada según el

siguiente formalismo:
∞
f( ϕ1, φ, ϕ 2 ) = ∑∑∑ C lμν T lμν( ϕ1, φ, ϕ 2 ) [20]

l=0 μ ν
Conocer los coeficientes C lμν equivale a conocer f(g). Los límites superiores para μ y
ν dependen respectivamente de las simetrías de cristal y de muestra. Las condiciones de
μν
ortogonalidad de T l (g) permiten el cálculo de C lμν a partir del conocimiento de f(g):
C l = (2l +1) ∫ f(g) T l dg

μν μν
[21]
Figuras inversas de polos y función del agregado policristalino 137
Es posible establecer el sistema de ecuaciones (22) que relaciona los coeficientes Clμν de
la FDO y los Flν de las FP.
4π
F lv ( h i ) = -------------
2l + l ∑ Clμ v klμ ( hi ) [22]
μ
La ecuación (22) es la base de métodos reconocidos para determinar la función de distri-

bución de orientaciones a partir de la medición de figuras de polos. La secuencia de tra-
bajo es como sigue. Por difracción, o por otra técnica, se miden varias FP (mientras
menor sea la simetría cristalina, se requieren más FP). Las FP se representan mediante
sus desarrollos en series de armónicos esféricos simetrizados. Esto es, se calculan los
coeficientes F l (hi ) para las FP de varias familias de planos hi (ec. 2). A continuación se
ν
construye y se resuelve (en la computadora) el sistema (22). La solución de este sistema es

la colección de coeficientes Clμν con la cual se sintetiza la FDO (ec. 20).
7.6 FIGURAS INVERSAS DE POLOS

Y FUNCIÓN DEL AGREGADO
POLICRISTALINO
Una caracterización alternativa de la textura, que se emplea frecuentemente, es la Figura
Inversa de Polos (FIP) Ry(h). En ésta, se plotea la población relativa de diferentes direc-
ciones cristalinas (h - variable) paralelas a una dirección (y - fija) de la muestra.
Formalmente:
dV(h ⇑ y)/V
R(h) = [23]
dh
Por ejemplo la Figura 7.10 muestra la Figura Inversa de Polos asociada a la normal al
plano de laminado en una aleación tetragonal de Mn-Al.
Para entender la Figura 7.10, obsérvese ante todo su llamada “región irreducible”, en
este caso un triángulo esférico. ¿Por qué se plotea sólo un “triángulo” a 45º? Porque la
simetría cristalina de la aleación estudiada es tetragonal 4/m 2/m 2/m. La información en
el triángulo mostrado se repite en los triángulos equivalentes de la esfera de referencia.
En general la región irreducible de las FIP está determinada por la simetría cristalina.
La Figura 7.10 expresa que la mayoría de los cristales que forman la muestra tiene
sus planos (1, 1, 2) paralelos a la superficie de la muestra (curioso, verdad?). Con otras
palabras, las direcciones cristalinas en el entorno de h = (1, 1, 2) son muy frecuentes en
la dirección normal a la superficie de la muestra. Casi ningún cristal posee sus planos (1,
0, 0) ó (1, 1, 0) paralelos a la superficie considerada.
Ante una simetría de muestra ortorrómbica, se requieren las FIP asociadas a RD, TD
y ND. Si la textura posee simetría axial o “de fibra”, entonces la figura inversa de polos
Figura 7.10. Figura Inversa de Polos asociada a la normal al plano de laminado en una
aleación tetragonal de Mn-Al.
asociada al eje de simetría juega el papel de la FDO. En lugar de las ecuaciones (20 y 21)
podemos escribir:
R [M](h) = ∑∑C l k l (h)
μ μ
[24]
l μ
μ μ
C l = ∫ R [M](h)k l (h)dh [25]
μ
La base k l (h) es simétrica respecto de las rotaciones del grupo puntual cristalino.
Resumiendo, una textura se puede representar de manera equivalente mediante las
siguientes caracterizaciones:
a. Un número de FP. A mayor simetría cristalina, se requieren menos FP. A mayor sime-
tría de muestra, menor fracción de la esfera de referencia.
b. Un número de FIP. A mayor simetría cristalina, menor fracción de la esfera de refe-
rencia. A mayor simetría de muestra, se requieren menos FIP.
c. Una FDO. A mayor simetría cristalina y de muestra, se requiere menor volumen del
espacio de Euler.
FDO, FP y FIP son descriptores estadísticos, de alto valor práctico y conceptual, que
brindan visión global de la textura, información sobre tendencias y ayudan a entender la
física de los procesos y propiedades. Por otro lado, el desarrollo de las técnicas de
microscopía e informática permiten hoy medir, procesar, almacenar y exponer caracteri-
zaciones de la textura a un mayor nivel de detalle.
En particular, en microscopía electrónica de barrido se ha establecido el método
conocido como microscopía orientacional (OIM, por sus siglas en Inglés). Esta técnica
se basa en la difracción de electrones y permite la determinación de la llamada función
del agregado policristalino. Esta función, denominada g(r), especifica la orientación g
de cada cristal en el punto r = (x, y, z) adentro del volumen de la muestra. La variable
dependiente g está definida por los ángulos de Euler. La función del agregado policrista-
lino contiene información punto-a-punto del tamaño, forma y orientación de los cristales
Textura y propiedades 139
en una muestra. A partir de ella se pueden calcular descriptores estadísticos, como distri-
bución de tamaños y la FDO, así como dar caracterizaciones de las relaciones de orienta-
ción relativa entre cristales vecinos.
En las láminas a colores que presentamos al final de este manual, mostraremos imá-
genes de g(r) obtenidas por OIM.
7.7 TEXTURA Y PROPIEDADES
Presentamos un resumen sobre el pronóstico de propiedades de policristales a partir de

las propiedades del monocristal y del conocimiento de la textura.
El promedio de una propiedad, también llamado valor efectivo, es el valor macroscó-
pico experimental de la propiedad considerada. El cálculo de las propiedades efectivas
requiere el conocimiento de varios factores participantes. Entre los más importantes se
encuentran: a) las propiedades de los cristales individuales que forman la muestra, b) la
distribución de orientaciones de estos cristales (la textura), c) la distribución de tamaños,
formas y orientaciones relativas entre un cristal y sus vecinos (la estereografía) y d) las
interacciones (elástica, térmica, eléctrica, magnética o de otro tipo) entre los cristales.
Nuestro programa de trabajo es como sigue. Iniciamos con una discusión general orientada
a presentar el concepto de propiedad media como una aproximación al valor exacto de la
propiedad efectiva. A continuación desarrollaremos y ejemplificaremos herramientas para
el cálculo sistemático de propiedades medias, tomando en consideración los factores a) y
b) mencionados arriba. Finalmente exploraremos maneras de tomar en cuenta los factores
c) y d), con vistas a lograr un refinamiento del pronóstico de propiedades efectivas.
El problema del promedio. Las aproximaciones de Voigt, Reuss

y Hill.
Considérense la acción X y la respuesta Y a nivel de medias macroscópicas X% , Y% en el
volumen V de una muestra policristalina:
1 1
X% =
V
∫ XdV Y% = ∫ YdV
V V
[26]
V
La media de la propiedad K% está dada por una ecuación análoga a (26):
1
K% =
V
∫ KdV [27]
V
La propiedad efectiva o promedio <K> se define como la cantidad que satisface
Y% =< K > X% [28]

Se puede demostrar que la media es una descripción aproximada de la propiedad efec-

tiva. Matemáticamente:
1
Y% = K% ⋅ X% + ∫ ∆K ⋅∆XdV [29]
V V
Se aprecia que la ecuación (29) se reduce a (28), con <K> = K% , sólo en caso de que la
variable independiente sea constante en el volumen del policristal (∆X = 0).
Para ilustrar el problema que analizamos se presenta, en la Figura 7.11, un ejemplo
ideal de caracterización de la elasticidad en dos muestras que representan casos extremos
en relación con la disposición espacial de los cristales que forman la muestra.
La deformación es igual para todos los cristales que forman la muestra (a). Si este
experimento se describe con la ley de Hooke escrita de la forma T = c⋅ S (X S), enton-
ces la aproximación de la media funciona bien: <c> = c% . La consideración ∆S = 0 se
conoce como aproximación de Voigt.
El caso (b) se caracterizaría adecuadamente en la formulación inversa S = s⋅ T. Para
esta situación la aproximación adecuada es <s> = s% . Tomar ∆T = 0 es la aproximación
de Reuss.
Una muestra real presentará una estructura intermedia entre (a) y (b), de modo que ni
S ni T son constantes. La exactitud de las magnitudes medias como representación de las
propiedades efectivas, variará según el caso concreto.
La primera aproximación al cálculo de propiedades efectivas es naturalmente la
media volumétrica, en las aproximaciones de Voigt o Reuss, según la geometría del pro-
blema. En la práctica estas aproximaciones funcionan aceptablemente si la microestruc-
tura se aproxima a alguna de las configuraciones límites de la Figura 7.11.
a) ΔS = 0 b) ΔT = 0
Figura 7.11. Elasticidad policristalina en dos modelos extremos. (a) Aproximación de

Voigt: la muestra posee los cristales constituyentes colocados de manera
que la deformación es constante. (b )Aproximación de Reuss: el esfuerzo
es invariante.
Texturas y propiedades 141
Un siguiente paso de aproximación es la llamada aproximación de Hill. En el ejem-

plo expuesto sobre elasticidad policristalina, a diferencia de lo que sucede con monocris-
tales, las propiedades medias c% y s% y no se relacionan exactamente como magnitudes
−1
inversas c% ≠ ( s% ) . La proposición de Hill consiste en tomar como propiedad efectiva
un promedio basado en las aproximaciones de Voigt y Reuss. Ilustrando con el caso elás-
tico:
1 [30]
< c >Hill ≅ ⎡
⎣ c% + ( s% ) ⎤
−1
⎦
2
La aproximación de Hill es ampliamente utilizada y sus resultados son próximos a los

experimentales. Como sucede frecuentemente en la ciencia, aproximaciones mejores que
la de Hill conllevan un gran volumen de trabajo adicional y generalmente representan
una modesta ganancia en exactitud.
La aproximación de la media y los armónicos esféricos

En la aproximación de la media volumétrica, la función de peso estadístico asociada a las
distintas orientaciones es la FDO. En símbolos:
K% = ∫ K ( g ) f ( g )dg [31]
Si la propiedad K está descrita en representación superficial, el formalismo resumido en

(31) adopta la siguiente forma particular interesante:
K% = ∑ ∑ ξ lν k lν(y) [32]
l=0 ν
Los k lν(y) son armónicos esféricos adaptados a la simetría de muestra y los coeficientes
ξ lν se calculan mediante:
1
ξ lν = ∑ C lμν e lμ
2l +1 μ
[33]
Si la textura tiene simetría axial, las ecuaciones (32, 33) se simplifican a:
K% = ∑ξ l P l( φ ) [34]
l=0
1 2
ξl = ∑e lμC lμ
4 π 2l +1 μ
[35]
con C lμ calculados mediante (25). Pl son los polinomios de Legendre.

Las fórmulas (32) y (33) representan un momento importante del Análisis Matemático
de Texturas. Ellas expresan la relación entre las propiedades del mono- y las del policristal:
Los coeficientes del desarrollo en armónicos simetrizados de la propiedad policristalina
resultan de la combinación de los coeficientes asociados a las propiedades del cristal y a la
textura. Las sumas en l se llevan hasta l = r, el rango del tensor asociado a K.
Problema:
Constante dieléctrica media para una textura axial.
Nuestro primer ejemplo tiene como objetivo el mostrar, en un caso sencillo, el
funcionamiento de la “maquinaria de cálculo” que hemos establecido.
El sistema hipotético de estudio es una cerámica formada por cristales de BaTiO3.
Se trata de una fase tetragonal, grupo puntual C4v = 4mm. Las componentes del
tensor dieléctrico K (D = εoK⋅E) son: K11 = K22 = 2920, K33 = 168. La superficie
dieléctrica longitudinal de un cristal de BaTiO3 ya se mostró, ver la Figura 4.5.
Suponemos que la cerámica ha sido texturizada y polarizada alrededor de un eje
de simetría (de muestra) axial. Despreciamos las variaciones del campo eléctrico
E en el volumen de la muestra.
Dado que se trata de una textura de fibra, la figura inversa de polos (FIP) correspon-
diente al eje de simetría axial (Zmuestra) juega el rol de la FDO en este problema. La
Figura 7.12 muestra nuestro modelo de FIP. Se trata de una distribución gaussiana
de población centrada alrededor de la orientación [0, 0, 1]cristal ↑↑ Zmuestra. Se
muestra la región irreducible de la FIP. La distribución de intensidades se describe
con curvas de nivel.
La ecuación (36) representa la FIP de nuestro modelo.
2
R = R0 e−( φ / Ω) [36]
φ es el ángulo polar y Ω describe la anchura de la distribución (la densidad de

población vale R0/e = 0.37R0 para φ = Ω). R0 se selecciona de manera que se
satisfaga la condición de normalización para R:
2π π
R0 ∫ ∫e −( φ / Ω )2
sin φd φd β = 4 π [37]
β=0 φ=0
Por ejemplo, si Ω = π/6 = 30º, resulta R0 = 15.3.

Queremos predecir la constante dieléctrica del policristal de BaTiO3 modelado en
la Figura 7.12 y la ecuación 36, en la aproximación de la media. Desarrollamos en
detalle el caso Ω = 30º.
a)
b)
Figura 7.12. Figura inversa de polos para una distribución hipotética gaussiana de
cristales BaTiO3.
a) Proyección polar del eje 4 y de los 4 espejos verticales del grupo
puntual 4mm.
b) Región irreducible (sombreada) y curvas de nivel de la FIP.
- Primer paso: Representar la superficie dieléctrica del monocristal como un desa-

rrollo en armónicos esféricos simetrizados: De acuerdo con las ecuaciones (4.66),
(4.68), (6.18) y (6.21):
K(h) = K11h12 + K 22 h22 + K 33 h32

1 1
= (2 K11 + K33 )+ ( K33 − K11 ) (3cos 2 φ−1) [38]
3 3
=e10 k01 (h) + e12 k21 (h)
con:
2 π 1
e10 = (2 K11 + K 33 ) k01 (h) = [39]
3 2 π
4 π 1 5
e12 = ( K − K11 ) k21 (h) = (3cos 2 φ−1) [40]
3 5 33 4 π
El desarrollo llega hasta l = 2, el rango del tensor dieléctrico.
- Segundo paso: Calcular los Clμ correspondientes a la textura de fibra plan-
teada: Mostramos el caso de C21 . La ecuación (25) conduce a:
π
C21 = 2 πR0 ∫ k21 ( φ)⋅e−( φ / Ω) ⋅sin φd φ = 5.304
2
[41]
0
- Tercer paso: Cálculo del coeficiente ξ 2 necesario para el desarrollo de la pro-

piedad policristalina. Aplicamos (35):
1 2 1 1
ξ2 = e C = -776.5 [42]
4π 5 2 2
- Cuarto paso, final: Desarrollo en polinomios de Legendre del módulo dieléc-

trico longitudinal policristalino:
1
P2 (φ)= 2π k 2 (φ)
1
K% ( φ) = ( 2 K11 + K 33 ) +ξ 2 P2 ( φ) [43]
3
La Figura 7.13 muestra la comparación entre las constantes dieléctricas calcula-

das por el método descrito para diferentes anchuras de la distribución de orienta-
ciones.
a) monocristal b) policristal, Ω = 30º
c) policristal, Ω = 60º d) policristal aleatorio
Figura 7.13. Constante dieléctrica longitudinal en función de lo afilado de la textura.

Caso axial. A medida que la textura tiende a aleatoria, la propiedad
tiende a isotrópica.
Problema:
Módulo piezoeléctrico longitudinal para un policristal de cuarzo.
Discutimos un segundo caso ideal, ahora para ilustrar el cálculo de propiedades
medias en texturas que ocupan las tres dimensiones del espacio de Euler. El sis-
tema de interés está formado por cristales de cuarzo, todos del mismo tipo enan-
tiomórfico (cuarzo, “derecho”, digamos). La distribución de orientaciones
consiste en una colección de components gaussianas, f j(g) , centradas alrededor
*
del origen del espacio de Euler g 1 = (0,0,0) y de los puntos equivalentes por
* *
simetría, g j = G Ai⋅ g 1⋅G B k . La ecuación de definición de f(g) es:
f(g) = f 0 ∑ e -( Ω j/ Ω0 )
2
[44]
j
Ωj es la distancia angular entre la orientación g y la localización del máximo

*
“j”, g j . La anchura Ωo y la amplitud f 0 son comunes a todas las componentes.
f 0 es tal que la condición de normalización (5) se cumple.
El sistema considerado posee simetría de muestra triclínica, grupo puntual C1 = 1
(NA = 1) y simetría cristalina trigonal, grupo puntual D3 = 32 (NB = 6). La Figura 7.8,
mostrada con anterioridad, representa la región irreducible del espacio de Euler que se
corresponde con el presente problema. El máximo de f 0 se reproduce a lo largo de

las líneas mostradas.
Por simetría, el cálculo de C lμν para el sistema considerado se reduce a:
2l +1
μτ
Cl =
S
∫ ( / )2 μτ
e - Ω1 Ωo T l dg [45]
con
S = ∫ e -( Ω1/ Ωo ) dg
2
[46]
Para la componente en el origen, la distancia angular Ω1 está dada por:
1
cos Ω1 = [(1+ cos φ ) cos( ϕ1 + ϕ2 ) + cos φ - 1] [47]
2
Los armónicos esféricos tridimensionales simetrizados necesarios (simetría triclí-

nica-trigonal) coinciden con los que hemos dado como ejemplo en las ecuaciones
(13)-(19). Empleamos estos armónicos en los cálculos que siguen.
Caso Ω0 0. En esta situación, la FDO f(g) tiende a una colección de
funciones delta de Dirac(1) δ(g - g * ) . Físicamente, el problema se interpreta
j
1ν
como un policristal que tiende a monocristal. Los coeficientes C 3 ( ν = 1,...,7)
están dados por:
*
7 ∫ δ(g - g 1 ) T 13ν(g) dg *
C 13ν = * = 7 T 13ν( g 1 ) = 7 δ7ν [48]
∫ δ(g - g 1 ) dg
ν 7
Entre los coeficientes ξ 3 (ec. 33), solo sobrevive ξ 3 = e 13 . La ecuación para el
módulo piezoeléctrico longitudinal (ec. 32) coincide con la del monocristal, como
debe ser.
Casos Ωo = 5°, 10°, 20°, 30°. La evaluación de (21) por métodos numéricos conduce
a los siguientes resultados: C 13ν ≈ 0 ( ν = 1,..., 6) para todos los Ωo analizados.
1.
La elasticidad de policristales cúbicos laminados 147
C 17
3 da lugar a la Tabla 7.1. La síntesis de d% conduce a los resultados ploteados
en la Figura 7.14 (se incluye el caso monocristalino, Ωo 0).
Tabla 7.1. Coeficientes del desarrollo de texturas modelo
Ω0 0° 5° 10° 20° 30°
17
C3 7.000 6.828 6.256 4.765 3.058
7.8 LA ELASTICIDAD DE POLICRISTALES

CÚBICOS LAMINADOS
Quizás la principal motivación que los metalurgistas encuentran en el tema de las textu-
ras sea la influencia de la textura sobre la elasticidad de aceros y otras aleaciones que han
Figura 7.14. Piezoelectricidad longitudinal de policristales de cuarzo. Se muestran las

intersecciones de las superficies d%( φ , β ) con el plano ecuatorial φ = π/2.
Las curvas se corresponden con los valores de Ω0 en la Tabla 7.1. A
medida que la textura tiende a aleatoria, la piezoelectricidad se extingue.
sido sometidos a laminado u otros procesos de deformación plástica. Nuestra sección de

cierre la dedicamos a este interesante y útil tópico.
Considérese un policristal formado por cristales de simetría cúbica. La muestra bajo
investigación ha sido llevada a forma de lámina, mediante un proceso conducente a una
simetría de muestra ortorrómbica.
Se suponen conocidas las tres componentes independientes de alguno de los tensores
descriptores de la elasticidad monocristalina cúbica, digamos las rigideces c11, c12 y c44
(en notación matricial). La matriz inversa de cαβ es sαβ. En el caso cúbico, el cálculo de
la inversa se reduce a lo siguiente:
c11 + c12 −c12 1

s11 = s12 = s44 = [49]
(c11 − c12 )(c11 + 2c12 ) (c11 − c12 )(c11 + 2c12 ) c44
Si los datos fuesen las componentes sαβ, la obtención de cαβ se realizaría con las mismas
ecuaciones, permutando las s y las c.
En los cálculos que siguen se emplean los parámetros sa y ca, que caracterizan la ani-
sotropía de los cristales cúbicos:
1
sa = s11 − s12 − s44 ca = c11 − c12 − 2c44 [50]
2
Queremos pronosticar los tensores elásticos (s y c) y el módulo de Young (E) del poli-
cristal texturado, a partir del conocimiento de la elasticidad del monocristal (49) y de los
coeficientes del desarrollo de la FDO (ec. 20). Para los cálculos principales, expresare-
mos los tensores en notación de cuatro índices. La aproximación que aplicaremos es la
de Hill.
Las correspondencias αβ ijkl (Sección 4.5) las resumimos en el esquema de hiper-
vectores de la ecuación (51). Se toman en consideración las equivalencias por simetría y
el factor ¼ en la conversión de 2 a 4 índices para algunas componentes del tensor elasti-
cidad.
⎡ c1111 ⎤ ⎡ c11 ⎤ ⎡ c11 ⎤ ⎡ s1111 ⎤ ⎡ s11 ⎤ ⎡ s11 ⎤

⎢ ⎥ ⎢ ⎥ ⎢ ⎥ ⎢ ⎥ ⎢ ⎥ ⎢ ⎥
⎢ c2222 ⎥ ⎢ c22 ⎥ ⎢ c11 ⎥ ⎢ s2222 ⎥ ⎢ s22 ⎥ ⎢ s11 ⎥
⎢ c3333 ⎥ ⎢ c33 ⎥ ⎢ c11 ⎥ ⎢ s3333 ⎥ ⎢ s33 ⎥ ⎢ s11 ⎥
⎢ ⎥ ⎢ ⎥ ⎢ ⎥ ⎢ ⎥ ⎢ ⎥ ⎢ ⎥
⎢ c1122 ⎥ ⎢ c12 ⎥ ⎢ c12 ⎥ ⎢ s1122 ⎥ ⎢ s12 ⎥ ⎢ s12 ⎥
⎢ c ⎥=⎢ c ⎥=⎢ c ⎥ ⎢ s ⎥=⎢ s ⎥=⎢ s ⎥ [51]
⎢ 1133 ⎥ ⎢ 13 ⎥ ⎢ 12 ⎥ ⎢ 1133 ⎥ ⎢ 13 ⎥ ⎢ 12 ⎥
⎢ c2233 ⎥ ⎢ c23 ⎥ ⎢ c12 ⎥ ⎢ s2233 ⎥ ⎢ s23 ⎥ ⎢ s12 ⎥
⎢c ⎥ ⎢c ⎥ ⎢c ⎥ ⎢ s ⎥ ⎢ s / 4⎥ ⎢ s / 4⎥
⎢ 2323 ⎥ ⎢ 44 ⎥ ⎢ 44 ⎥ ⎢ 2323 ⎥ ⎢ 44 ⎥ ⎢ 44 ⎥
⎢ c1313 ⎥ ⎢ c55 ⎥ ⎢ c44 ⎥ ⎢ s1313 ⎥ ⎢ s55 / 4 ⎥ ⎢ s44 / 4 ⎥
⎢ ⎥ ⎢ ⎥ ⎢ ⎥ ⎢ ⎥ ⎢ ⎥ ⎢ ⎥
⎣ c1212 ⎦ ⎣ c66 ⎦ ⎣ c44 ⎦ ⎣ s1212 ⎦ ⎣ s66 / 4 ⎦ ⎣ s44 / 4 ⎦
Siguiendo a Bunge (1982), el tensor de la rigidez media c%ijkl se calcula por medio de la
siguiente fórmula matricial:
⎡ c%1111 ⎤ ⎡ c1111 ⎤ ⎡−0.4 ⎤ ⎡ 0.021818 −0.03253 0.04032 ⎤

⎢ ⎥ ⎢ ⎥ ⎢ ⎥ ⎢ ⎥
c%
⎢ 2222 ⎥ c
⎢ 2222 ⎥ ⎢− 0.4 ⎥ ⎢ 0.021818 0.03253 0.04032 ⎥
⎢ c%3333 ⎥ ⎢ c3333 ⎥ ⎢−0.4 ⎥ ⎢ 0.058182 0 0 ⎥
⎢ ⎥ ⎢ ⎥ ⎢ ⎥ ⎢ ⎥
⎢ c%1122 ⎥ ⎢ c1122 ⎥ ⎢ 0.2 ⎥ ⎢ 0.007273 0 −0.04032 ⎥ ⎡ C411 ⎤
⎢ c% ⎥ =⎢ c ⎥ + c ⋅⎢ 0.2 ⎥+ c ⋅⎢−0.029091 0.03253 0 ⎥⋅⎢ C 12 ⎥ [52]
⎢ 1133 ⎥ ⎢ 1133 ⎥ a
⎢ ⎥ a ⎢ ⎥ ⎢ 413 ⎥
⎢ c%2233 ⎥ ⎢ c2233 ⎥ ⎢ 0.2 ⎥ ⎢−0.029091 −0.03253 0 ⎥⎣⎢C ⎦ ⎥
4
⎢ c% ⎥ ⎢c ⎥ ⎢ 0.2 ⎥ ⎢−0.029091 −0.03253 0 ⎥
⎢ 2323 ⎥ ⎢ 2323 ⎥ ⎢ ⎥ ⎢ ⎥
⎢ c%1313 ⎥ ⎢ c1313 ⎥ ⎢ 0.2 ⎥ ⎢−0.029091 0.03253 0 ⎥
⎢ ⎥ ⎢ ⎥ ⎢ ⎥ ⎢ ⎥
⎣ c%1212 ⎦poli ⎣ c1212 ⎦mono ⎣ 0.2 ⎦ ⎣ 0.007273 0 −0.04032 ⎦
El hipervector columna y la matriz 9 x 3 que multiplican al parámetro ca son factores mate-

máticos generales, que no dependen de las propiedades del monocristal ni de la distribu-
ción de orientaciones (valen para cualquier textura cúbica-ortorrómbica). Los coeficientes
C41ν pertenecen al desarrollo en armónicos esféricos tridimensionales simetrizados de la
textura. En la ec. (52), si se sustituyen las cijkl por sijkl (y ca por sa), se obtienen las compo-
nentes medias del tensor elasticidad s%ijkl .
El hipervector c%ijkl que resulta de (52) exhibe simetría ortorrómbica, como debe ser.
La elasticidad de la lámina posee la simetría de la textura.
El valor medio de c%ijkl dado por (52) se corresponde con la aproximación de Voigt.
El cálculo de s%ijkl por la fórmula correspondiente sigue la aproximación de Reuss.
(R)
Regresamos a la notación matricial. Las componentes de s%αβ (Reuss) son:
⎡ s%11 s%12 s%13 0 0 0 ⎤ ⎡ s%1111 s%1122 s%1133 0 0 0 ⎤

⎢ ⎥ ⎢ ⎥
⎢ s%12 s%22 s%23 0 0 0 ⎥ ⎢ s%1122 s%2222 s%2233 0 0 0 ⎥
⎢ s%13 s%23 s%33 0 0 0 ⎥ ⎢ s%1133 s%2233 s%3333 0 0 0 ⎥
( R)
s%αβ =⎢ ⎥=⎢ ⎥ [53]
⎢0 0 0 s%44 0 0⎥ ⎢ 0 0 0 4 s%2323 0 0 ⎥
⎢0 0 0 0 s%55 0⎥ ⎢ 0 0 0 0 4 s%1313 0 ⎥
⎢ ⎥ ⎢ ⎥
⎣0 0 0 0 0 s%66 ⎦ ⎣ 0 0 0 0 0 4 s%1212 ⎦
La aproximación de Voigt para s%αβ se obtiene del inverso de c%ijkl :
−1 −1
⎡ c%11 c%12 c%13 0 0 0 ⎤ ⎡ c%1111 c%1122 c%1133 0 0 0 ⎤
⎢ ⎥ ⎢ ⎥
⎢ c%12 c%22 c%23 0 0 0 ⎥ ⎢ c%1122 c%2222 c%2233 0 0 0 ⎥
⎢ c%13 c%23 c%33 0 0 0 ⎥ ⎢ c%1133 c%2233 c%3333 0 0 0 ⎥
(V )
s%αβ = (c%αβ )−1 =⎢ ⎥ =⎢ ⎥ [54]
⎢0 0 0 c%44 0 0⎥ ⎢ 0 0 0 c%2323 0 0 ⎥
⎢0 0 0 0 c%55 0⎥ ⎢ 0 0 0 0 c%1313 0 ⎥
⎢ ⎥ ⎢ ⎥
⎣0 0 0 0 0 c%66 ⎦ ⎣ 0 0 0 0 0 c%1212 ⎦
El tensor elasticidad para el policristal, a la manera de Hill, vale:
1 ( R)
(H )
s%αβ = ( s% + s%αβ(V ) )
2 αβ
[55]
Veamos ahora el pronóstico del módulo de Young bajo la aproximación de Hill. Importa-
mos del Capítulo 4 la ecuación para s11
′ (h) ortorrómbico (ec. 4.69):
s′11 = s11 h14 + s22 h24 + s33 h34 + 2 s12 h12 h22 + 2s13 h12 h32
[56]
+ 2s23 h22 h32 + s44 h22 h32 + s55 h12 h32 + s66 h12 h22
Tomamos las expresiones (53) a (55) del tensor s%αβ , aplicamos (56) y determinamos tres
funciones s11
′ (h) . Calculamos los inversos E(h) = 1/ s11
′ (h) y tenemos las superficies del
módulo de Young en las tres aproximaciones consideradas.
Problema:
Las componentes del tensor de rigidez para un monocristal de cobre (en 1011 N/
m2) son: c11 = 1.684, c12 = 1.214, c44 = 0.754. Los coeficientes de textura medi-
11 12
dos en una lámina de Cu deformada (Bunge, 1982) valen: C4 = -1.02, C4 =
13
-.48, C4 = -1.6. Calcular, en el plano de esta lámina, la dependencia del módulo
de Young respecto del ángulo relativo a la dirección de laminado. Comparar los
resultados del pronóstico con datos experimentales.
Solución: A continuación se muestra la hoja de cálculo programada para el pro-
nóstico de los tensores medios.
a) Lectura de datos y cálculos preliminares:
sijkl cijkl = cαβ

b) Cálculo de los hipervectores para el policristal:
~
sijkl =
c~ijkl = c~αβ =
c) Los tensores de elasticidad:

R
s%αβ :
−1
V
s%αβ = (c%αβ ) :
H
s%αβ :
El inverso del módulo de Young para simetría ortorrómbica (ec. 56), evaluado en
el plano φ = 90º, tiene la siguiente expresión simplificada:
⎛s s ⎞
′ ( β) = s11 cos 4 β+ s22 sen 4 β+⎜ 66 + 12⎟sen 2 (2 β)
s%11 [57]
⎝ 4 2⎠
Aplicamos (57) para sR, sV y sH. La Figura 7.15 muestra los valores de E corres-
pondientes a estas aproximaciones y su comparación con los medidos. Se aprecia:
a) que las aproximaciones de Reuss y Voigt describen las cotas entre las cuales la
propiedad del policristal se presenta; b) que la aproximación de Hill caracteriza
de manera aceptable la elasticidad efectiva.
El pronóstico de propiedades en materiales texturados es un tema actual y relevante.
Una buena técnica para pronóstico de propiedades puede significar la sustitución de
experimentos caros y demorados por algunas sesiones de trabajo frente a la computa-
dora. Los promedios de Reuss, Voigt y particularmente el de Hill proporcionan una
1.65 EV
1.60
1.55
Módulo de Young (1011 N/m 2)
1.50
EH
1.45
1.40 Eexp
1.35
ER
1.30
1.25
1.20
1.15
1.10
1.05
1.00
0 15 30 45 60 75 90
Ángulo (°)
Figura 7.15. Módulo de Young para lámina de cobre texturada. Comparación teoría-
experimento. Aproximaciones de Reuss, Voigt y Hill. (Bunge, 1982)
buena aproximación a la solución de este problema. Naturalmente, los texturistas a nivel

internacional buscan continuamente mejoras a los métodos de pronóstico. Una tendencia
actual importante es la de comparar y relacionar las caracterizaciones y predicciones a
los niveles mesoscópico (µm – mm) y local (nm). Bunge y colaboradores (2000) han
publicado una útil revisión sobre el tema. Matthies y Humbert (MH, 1995) han propuesto
y argumentado el empleo de la media geométrica en lugar de la aritmética. Ricote,
Algueró y Chateigner (2005) han aplicado con éxito el algoritmo de MH al pronóstico de
la elasticidad en láminas delgadas ferroeléctricas. Yu-Li (2000) aplica un método auto-
consistente al cálculo de propiedades efectivas en electrocerámicas texturadas. Camacho
y colaboradores (2005) han desarrollado un método de homogenización asintótica que
les ha permitido el cálculo de los coeficientes de acoplamiento magnetoeléctrico en com-
pósitos piezoeléctrico-magnetoestrictivo. La interacción elástica entre granos juega un
rol decisivo en la magnetoelectricidad de materiales compuestos.
1. ¿Dónde hay más textura, en una bolsa de canicas, en un campo de maíz o en una
caja de barajas?
2. Un policristal sin textura (f(g) ≡1)…es rigurosamente isotrópico?
3. Explique la diferencia entre figura de polos y figura inversa de polos.
4. ¿Por qué se requiere algo tan complicado como las FDO?
5. La constante dieléctrica representada en la Figura 7.14 tiende a isotrópica cuando
la textura tiende a aleatoria. Sin embargo, la piezoelectricidad de la figura 7.15
desaparece cuando no hay textura. ¿Por qué?
6. Calcule la constante dieléctrica del cuarzo en la Figura 7.15.
7. Reproduzca la aproximación de Reuss para la elasticidad del cobre policristalino
empleando el formalismo de los armónicos esféricos simetrizados. a) Exprese la
superficie s’11(h) de cristales cúbicos (ec. 6.8) como una combinación lineal de
los armónicos simetrizados cúbicos correspondientes a l = 0 y l = 4 (ec. 6.38). b)
Calcule los coeficientes del desarrollo para la elasticidad del policristal ortorróm-
bico (ec. 33). c) Sintetice s’11(h) del policristal, calcule su inverso E(h) y evalúelo
para φ = 90º. La respuesta debe coincidir con la rama “Reuss” de la Figura 7.17.
8. Programe su software propio para calcular la elasticidad del caso cúbico-orto-
rrómbico bajo la aproximación de Hill.

Bunge HJ: Texture Analysis in Materials Science- Mathematical Methods, Butterworths, Lon-
don (1982).
Bunge HJ, Kiewel R, Reinert Th, L. Fritsche L: Elastic properties of polycrystals - Influence of
texture and stereology. Journal of the Mechanics and Physics of Solids. 48, 29-66 (2000).
Camacho-Montes H, Rodríguez-Ramos R, Bravo-Castillero J, Guinovart-Díaz R, Sabina FJ:

Effective coefficients for two phase magneto-electroelastic fibrous composite with square symme-
try cell in-plane mechanical displacement and out-of-plane electric and magnetic field case. Inte-
grated Ferroelectrics, 83, 69-65 (2005).
Cruz F, Fuentes L, Palacios J: Textura Cristalográfica. Revista Mexicana de Física, 44, 222-
230 (1998).
Cruz-Gandarilla F. et al: Materials Science Forum 509, 25-30 (2006).
Fuentes L, Raymond O: Texture, Piezoelectricity and Ferroelectricity. Textures and Micro-
structures, 23, 221 (1995).
Fuentes L, RodrÌguez A, Aquino de los RÌos G, Muñoz-Romero Modeling the influence of tex-
ture on the properties of electroceramics, Integrated Ferroelectrics, 71, º 289-301 (2005).A:
Jiang Yu-Li: The effective electroelastic moduli of textured piezoelectric polycrystalline aggre-
gates. Journal of the Mechanics and Physics of Solids 48, 529-552 (2000).
Kocks UF, Tomé C, Wenk HR. Texture and Anisotropy. Preferred Orientations in Polycrystals
and Their Effect on Materials Properties. Cambridge Univ. Press, (2000).
Matthies S, Humbert H: J. Appl. Crystallogr. 28, 254 (1995).
Página web del Grupo de Texturas del Instituto Politécnico Nacional, México DF (incluye un
curso sobre Análisis de Texturas y OIM): http://www.esfm.ipn.mx/~fcruz/EBSD/index.html
Página web de “Labotex” http://www.labosoft.com.pl/index.htm
Página web de aluMATTER (animada, muy didáctica) http://aluminium.matter.org.uk/content/
html/eng/default.asp?catid=100&pageid=1039432491
Raymond O, Fuentes L, Gómez JI: Computer-Oriented Real Spherical Harmonics for Texture
and Properties Analyses. Textures and Microstructures, 28, 93-104 (1996).
Raymond O, Gómez JI, Fuentes L: Programas para el Pronóstico de Propiedades Físicas en
Policristales Texturados. Rev. Cubana de Física, 14, 37-39 (1996).
Raymond O, L. Fuentes L, Gómez JI: Surface Representation of Polycrystal Physical Proper-
ties: All Crystal Classes, Simple Average Approximation. Textures and Microstructures, 28, 81-92
(1996).
Ricote J, Alguero M, Chateigner D: Thin Solid Films 491, 137 – 142,(2005).
Software para texturas, del grupo del Prof. Wenk. Universidad de California en Berkeley: http:/
/eps.berkeley.edu/~wenk/TexturePage/beartex.htm
8
FIGURAS EN COLORES
Uno de los elementos del Diseño es el “balance”: un buen cuadro no debe “pesar” más de
un lado que del otro. Este criterio es una forma alternativa de expresar la idea de sime-
tría: “lo mismo en lugares diferentes”. En la obra que mostramos, el maestro Picasso nos
regala una clase sobre simetría especular, grupo puntual Cs = m. Obsérvese cómo dife-
rentes elementos del lado derecho tienen sus análogos en el lado izquierdo: modelo y
pintor, nariz y nariz, busto y paleta, piernas y piernas,…
En este cuadro el maestro fue muy generoso en su clase: el plano de simetría aparece
explícito en la obra - la modelo se refleja en el cuadro central, a través de la representa-
ción del artista. Si ignoramos todos los elementos concretos de esta pintura, obtenemos
su representación matemática, el grado máximo de abstracción, en la representación irre-
ducible del grupo puntual Cs. Es la tabla que acompaña al cuadro.
Cs E σ
A’ 1 1
A’’ 1 -1
Caracteres de la representación
ireducible del grupo puntual Cs
Figura 8.1. El pintor y la modelo. P. Picasso (1963), óleo. Museo Nacional Reina Sofía, Madrid.
(http://www.museoreinasofia.es/s-coleccion/FormObra.php?idobra=38&idautor=15)
155
156 Figuras en colores
EE
ε
D
p d
m
ρC/θ
α
θ σ
S s
i B
T
b
μ
H
Figura 8.2. Tetraedros de las interacciones termo-elasto-electro-magnéticas
(recreación de la Figura 4.3). El tetraedro exterior representa “causas”,
mientras que el interior se asocia a “efectos”. Las líneas anchas coloreadas
representan las acciones principales, que vinculan magnitudes de la misma
naturaleza. Las líneas discontinuas denotan relaciones “causa-efecto”
correspondientes a interacciones de acoplamiento. Estas son las
interacciones que, en cierto objeto, ligan un subsistema con otro. Las
líneas continuas oscuras son conexiones causa-causa y efecto-efecto.
[Hasta donde conocemos, este diagrama fue publicado por primera vez,
en blanco y negro, en el artículo: L. Fuentes, “Magnetic Coupling
Properties in polycrystals”. Textures and Microstructures vol. 30,
pp. 167-189 (1998)].
Cuarzo SiO2 157
Cuarzo SiO2
Sistema trigonal, grupo espacial # 154: P 32 2 1, grupo puntual D3 = 3 2 1.

Parámetros reticulares: a = 0.49 nm, c = 0.54 nm.
2/3 1/3
0
21
88
45
67 33 67
55
12
79
0
Azul: Si4+
Rojo: O2-
PowderCell 2.0
Figura 8.3. Cuatro celdas unitarias de cuarzo, vistas en planta (eje “c” sale).
Los números representan la altura de los átomos, en % de c. Se muestran
elementos de simetría en una celda.
b
a
Figura 8.4. Nueve celdas unitarias, vistas en perspectiva (eje “c” vertical”). Se
observa la red de tetraedros SiO4 con oxígenos compartidos.
Yeso Ca(SO4)·(H2O)2 : Los cristales de Naica

Sistema monoclínico, grupo espacial # 15, grupo puntual C2h = 2/m.
Eje singular “b” Eje singular “c”
Notación del C 1 2/c 1 I 1 2/c 1 I 1 1 2/b
grupo espacial
a (Å) a1 = 6.258 a2 = 5.674 a2
b (Å) b1 = 15.105 b1 c1
c (Å) c1 = 6.491 c1 b1
ángulo ≠ 90° β1 = 127.18° β2 = 118.51° γ2 = β2
tensores de 2°
rango
Figura 8.5. Estructura cristalina del yeso. Descripción con el eje singular c. Los
tetraedros naranja son SO42-, con los oxígenos (rojos) en los vértices. Los
aniones de Ca2+ (azul claro) están rodeados por seis oxígenos y dos
moléculas de agua. Los hidrógenos están coloreados de azul oscuro. El
enlace covalente-iónico en los planos ¦ ab es fuerte. Los enlaces de hidrógeno
que unen estas capas (enlaces ⊥ planos ab) son débiles. El yeso sufre clivaje
por los planos ab y su dilatación térmica es máxima en la dirección c.
Figura 8.6. Coeficiente longitudinal de dilatación térmica del yeso

ADP (N H4) (H2 PO4) 159
ADP (N H4)(H2 PO4)
Figura 8.7. Celda unitaria del ADP. Grupo espacial # 122: I -4 2 d. Grupo puntual
D2d = -4 2 m Sistema tetragonal a = b = 7.4700 Å, c = 7.5351 Å
Figura 8.8. Tensor piezoeléctrico (en 10-12 C/N) : d14 = -1.5; d36 = 48
a) b)
Figura 8.9. Superficies del tensor elasticidad a) y del módulo de Young b)
s11 s12 s44 s33 s13 s66

18 7 113 43 -11 162 10-12m2/N
Superficies del módulo de Young

para cristales cúbicos
Figura 8.10. Ag – FCC s11, s12, s44 (10-12 m2/N): 22.9, -9.83, 21.7
Figura 8.11. Al – FCC 15.7, -5.8, 35.9
Figura 8.12. Cu – FCC 1.49, -0.63, 1.33

Superficies del módulo de Young para cristales cúbicos 161
Figura 8.13. Cr – BCC 3.0, 0.43, 9.92
Figura 8.14. Nb – BCC 6.6, 2.33, 34.8
Figura 8.15. W – BCC 2.57, 0.729, 6.6
Superficies dibujadas con el software “SAMZ” (http://www.cimav.edu.mx).

Los armónicos esféricos

Se muestran algunos armónicos esféricos triclínicos. La colección de todos los Ylm(φ,β), hasta
l + m = 20, con animación, se puede generar con ayuda del software “SpecialFunctions”.
Este software es cortesía de A. Rodríguez (http://www.includesoft.com/complimentary.htm).
Las superficies grises (> 0) y rojas (< 0) representan valores reales. Las superficies azules
(> 0) y magenta (< 0) corresponden a las partes imaginarias.
Figura 8.16. Armónico Y00. Representa propiedades isotrópicas.
Figura 8.17. Armónico Y11. Orbitales atómicos px y py.
Figura 8.18. Armónico Y22. Las componentes azul y magenta son proporcionales al
módulo magnetoeléctrico longitudinal de los cristales con simetría mm2.
(Figura 6.5)
Los armónicos esféricos 163
Figura 8.19. Armónico Y32. La componente magenta es proporcional al Módulo

piezoeléctrico de cristales D2d = -42m (Figura 8.5).
Figura 8.20. Armónico Y33. Incluye, de color gris, la piezoelectricidad del cuarzo.
Figura 8.21. Echinopsis sp. La simetría de este cactus coincide con la del módulo de
Y33. Foto cortesía de C. Tabares et al (Benemérita Universidad
Autónoma de Puebla)
Los armónicos esféricos

y la simetría cúbica
Figura 8.22. Armónico esférico simetrizado cúbico de cuarto orden cubK41. La ley de
definición de esta función es la ec. (6.38). La superficie longitudinal del
tensor elasticidad (s(h)) para cristales cúbicos es una combinación lineal
de este armónico simetrizado y del armónico isotrópico Y00.
Figura 8.23. Modelo simplificado de la estructura del I4Sn. Grupo espacial P23,
cúbico. Se observa que el grupo puntual asociado “T” no tiene simetría
de orden 4. Las normales a las caras del cubo son ejes 2 y las diagonales
principales son ejes de orden 3. Nótese cómo la simetría del armónico
simetrizado cubK41 incluye la simetría de esta celda unitaria.
Análisis de texturas mediante microscopía orientacional (OIM) 165
Análisis de texturas mediante microscopía

orientacional (OIM)
Orientación
Ángulos de Euler (h, k, l)[u, v, w]
(90, 90, 45) (1, 1, 0)[0, 0, 1]
(0, 35.3, 45) (1, 1, 2)[1, -1, 0]
(45, 0, 0) (0, 0, 1)[1, -1, 0]
(30, 54.7, 45) (1, 1, 1)[1, -2, 1]
(60, 54.7, 45) (1, 1, 1)[0, -1, 1]
Figura 8.24. Polígonos característicos de la estructura policristalina de un acero,

observados mediante microscopía orientacional en el microscopio
electrónico de barrido. Se determina la orientación de cada cristalito, en
función de su ubicación en la muestra. En otras palabras, se mide la
función del agregado cristalino g(r). Imágenes de OIM cortesía de F.
Cruz: “Curso sobre Texturas Cristalográficas” http://www.esfm.ipn.mx/
~fcruz/EBSD/
Figura 8.25. Estructura poligonal de la superficie de otro “policristal”, encontrado en

la periferia de San Francisco, California.
Aplicaciones de la OIM
Figura 8.26. Alteración diagenética parcial de la concha de un braquiópodo en una

matriz cálcica policristalina. Al centro, mitad superior, la microestructura
original de la concha (calcita magnesiana) se ha preservado. La mitad
inferior de la concha se ha perdido por recristalización de calcita.
Cortesía de M. Lee: http://web.ges.gla.ac.uk/users/mlee/carbs.htm
a) Superficie de la muestra b) Profundidad = ¼ del espesor
111
001 101
c) Plano medio de la muestra d) Código de colores
Figura 8.27. Función del agregado policristalino, a diferentes niveles de profundidad. Se

re-analiza el acero para transformadores de la Figura 7.9. Resultado: Las
regiones “verdes” (textura de Goss) son mayoritarias en la superficie, pero
pierden preponderancia en la profundidad del material. La textura debe ser
optimizada. Referencias: F. Cruz et al: Mat. Sci. Forum Vols. 495-497, pp.
483-488 (2005) y F. Cruz et al: Mat. Sci. Forum Vol. 509, pp. 25-30 (2006).
Constante dieléctrica de cerámicas Aurivillius texturadas. Aproximación de la media 167
Constante dieléctrica de
cerámicas Aurivillius texturadas.
Aproximación de la media
φ
a
z - muestra cristal
h 001
x
zy
c b
Figura 8.28. Estructura cristalina y esquema de textura para la cerámica de Aurivillius

PbBi4Ti4O15. La celda del cristal está formada por 4 capas perovskita,
emparedadas entre láminas de óxido de Bi-Pb. El tensor constante
dieléctrica de un cristal es: K11 = K22 = 18300; K33 = 426. La figura
inversa de polos que caracteriza a la textura se representa por la
gaussiana R = R0 exp-(φ/Ω)2. Ω describe el ancho de la distribución de
orientaciones. Se ha dibujado, con cada cristalito, su superficie K(h).
aleatorio
Figura 8.29. Superficies modelo K(h) para cerámicas de Aurivillius PbBi4Ti4O15

texturadas. Las superficies exteriores representan al monocristal. Las
superficies interiores caracterizan la constante diéléctrica de policristales
con diferentes Ω. A medida que la textura tiende a aleatoria, la constante
dieléctrica del policristal tiende a isotrópica.
Piezoelectricidad de cuarzo policristalino.

Aproximación de la media
Figura 8.30. Cristales de cuarzo. http://www.revue.ch/swisskids/img/quarz.jpg
Ω(°)
10
?
30
?
Figura 8.31. Policristales de cuarzo. Efecto de la textura sobre la piezoelectricidad

(recreación de la Figura 7.15). La superficie exterior representa el
módulo piezoeléctrico longitudinal de un monocristal. La superficie
interior corresponde a la piezoelectricidad del policristal texturado. Ω es
el ancho de la distribución de orientaciones. A medida que la textura
tiende a aleatoria, la piezoelectricdad tiende a desaparecer.
Elasticidad de cobre laminado. Aproximación de Hill 169
Elasticidad de cobre laminado.

Aproximación de Hill
Figura 8.32. Módulo de elasticidad s’11(h) para policristal de cobre laminado.

Aplicación de la ec. (7.56), valores del tensor sHαβ obtenidos como
solución al problema de la Sección 7.8. La superficie de elasticidad
longitudinal posee simetría ortorrómbica. La anisotropía es débil.
Figura 8.33. Módulo de Young E(h) = 1 / s’11(h) para policristal de cobre. Comparar
con las Figuras 7.15 y 8.12. La muestra posee muchos cristalitos con
direcciones de la forma <1, 1, 1> apuntando hacia las direcciones
transversal, de laminado y normal.
Efecto magnetoeléctrico
en cerámicas de Aurivillius
Figura 8.34. Celda unitaria del cristal de Aurivillius Bi6Ti3Fe2O18. Los átomos
blancos son Bi y los rojos O. Los octaedros azules tienen Ti en el centro,
el octaedro naranja posee un Fe como centro. El grupo puntual es 2mm.
El eje de simetría 2 (eje x) y la polarización eléctrica salen del papel.
P̂
EME
⎡0 0 0 ⎤ ⎡ 0 ⎤ ⎡ 0 ⎤
H
E ME = α ⋅ H = ⎢⎢0 0 α 23 ⎥⎥ ⋅ ⎢⎢ H 2 ⎥⎥ = ⎢⎢ 0 ⎥⎥
z
⎢⎣0 α 32 0 ⎥⎦ ⎢⎣ 0 ⎥⎦ ⎢⎣α 32 H 2 ⎥⎦
y
x
Figura 8.35. Geometría del efecto magnetoeléctrico en un cristal con forma de placa
de Bi6Ti3Fe2O18. Eje x horizontal. Tensor magnetoeléctrico α.
Figura 8.36. Corte y polarización de cerámica policristalina de Bi6Ti3Fe2O18. El valor

2α
medio del tensor magneto-eléctrico es: αˆ =
π
α<0
α>0
x
y z
Figura 8.37. Superficies magnetoeléctricas longitudinules para monocristal (exterior) y

policristal (interior) de Bi6Ti3Fe2O18. El eje x representa la simetría 2. Los
planos verticales xy y xz son espejos ordinarios para el seudoescalar α(h).
APÉNDICE 1
VALORES NUMÉRICOS DE
ALGUNAS PROPIEDADES
171
172 Valores numéricos de algunas propiedades
1. Constante Dieléctrica
Cristal Sistema K11 K22 K33
Yeso - Ca(SO4)⋅(H2O)2 Monoclínico 9.9 5.1 5.0
Aragonita - CaCO3 Ortorrómbico 9.8 7.7 6.6
Titanato de bismuto - Bi4Ti3O12 Pseudo-Ortorrómbico 120 205 140
Calcita - CaCO3 Trigonal 8.5 8.0
Cuarzo – SiO2 Trigonal 4.5 4.6
Rubí - α Al2O3 Trigonal 8.6 10.55
ADP – NH4H2PO4 Tetragonal 56.4 16.4
KDP – KH2PO4 Tetragonal 4.6 21.8
Rutilo – TiO2 Tetragonal 89 173
Titanato de bario – BaTiO3 Tetragonal 2,920 168
Titanato de plomo bismuto – PbBi4Ti4O15 Pseudo-Tetragonal 18,300 426

(ferroeléctrico de Aurivillius)
Cloruro de cesio - CsCl Cúbico 6.3
Cloruro de sodio - NaCl Cúbico 5.6

Valores numércos de algunas propiedades 173
2. Piezoelectricidad
Cristal Grupo Puntual diα en 10-12 C/N
BaTiO3 4mm d33 = 85.5; d31 = -34.5; d15 = 392
Cuarzo 321 d11 = 2.31; d14 = -0.727
Turmalina 3m d22 = -0.3; d33 = 1.8; d21 = 0.3; d15 = 3.6
Sal de Rochelle 222 d14 = 550; d25 = -54; d36 = 12

(sal de Seignette)
PbNb2O6 mm2 d31 = -43; d32 = 24; d33 = 60;

d15 = 180; d24 = 170
ADP - NH4H2PO4 -42m d14 = -1.5; d36 = 48

174 Valores numéricos de algunas propiedades
3. Elasticidad (sαβ en 10-12 m2/N)
Cristal Sistema s11 s12 s44 s33 -s13 s14
Ag 22.9 -9.83 21.7
Al 15.7 -5.8 35.9
Au 23.3 -10.65 23.8
Cu 14.9 -6.3 13.26
Fe 7.72 -2.85 9.02

Cúbico
Cr 3.0 -0.43 9.92
W 2.57 -0.729 6.6
NaCl 22.1 -4.5 78.3
Si 7.67 -2.134 12.5
Diamante 0.952 -0.099 1.736
Zn 8.4 +1.1 26.4 28.7 7.8
Cd Hexagonal 12.3 -1.5 54 35.5 9.3
CdS 22.2 -8.7 70 21.9 8.0
Cuarzo 12.7 -1.7 20.1 9.7 1.5 -4.3

Trigonal
Turmalina 4.0 -1.0 15.1 6.3 0.16 0.58
ADP Tetragonal 18 +7 113 43 11 s66 = 162
190 -40 307 150 34 s66 =250

Resorcina
Ortorrómbico
C6H4(OH2)
s22 = 106 s23 = -88 s55 = 230
APÉNDICE 2
RESPUESTAS PARA
PROBLEMAS SELECTOS
Capítulo 1:
1. En un vidrio, si bien hay orden cercano, no hay periodicidad.
3. La estructura es cúbica simple. Los átomos en los vértices, en las caras y en el
centro de la celda son diferentes entre sí.
4. (6, 3, 2) para cualquier sistema.
6. hb1 + kb2 + lb3 es siempre perpendicular a los planos (h, k, l).
8. Los enteros y los pares: sí. Los nones: no.
11. Traslación reticular y plano deslizante.
13. No. La condición de cúbico la definen los 4 ejes 3 a lo largo de las diagonales
principales del cubo.
14. El cuarzo no es centro-simétrico ni simórfico.
Capítulo 2:
1. No necesariamente. En los grupos simórficos, esto sí se cumple.
3. No. La simetría 5 es incompatible con la periodicidad. Existen cuasi- cristales
con simetría 5. Pero son “cuasi”- cristales.
175
176 Respuestas para problemas selectos
6. 2⋅2’ = 2’’
8. La molécula de agua tiene dos espejos de simetría, mutuamente perpendiculares,
que se intersectan en un eje 2. Su grupo 2mm = C2v es NC-NE.
Capítulo 3:
2. Sugerencia: En la conexión “serie” el vector D es el mismo en los dos dieléctri-
cos. En “paralelo” E es invariante. Así se garantiza que la integral de línea de E
no dependa de la trayectoria. En el caso “paralelo”, la carga se distribuye de
manera no homogénea en las placas.
4. Las líneas de inducción no nacen ni mueren; se cierran sobre ellas mismas. El
“monopolo magnético” no ha sido descubierto.
8. Un anillo de corriente equivale a un electroimán. Posee un plano horizontal de
simetría. Para el vector polar “j” (densidad de corriente, causa del campo mag-
nético), arriba hay lo mismo que abajo. Para el vector axial B el espejo horizon-
tal también es un plano de simetría, “al estilo magnético”. Arriba hay un polo
norte y abajo hay algo distinto: un polo sur.
Capítulo 4:
3. Las derivadas cruzadas de los potenciales termodinámicos son iguales entre sí.
Ver las ec. (22) y (32).
4. La permeabilidad magnética vincula entre sí a dos seudovectores (H y M). Es un
tensor polar de rango 2.
6 3 6 3
6. S3 = ∑ s3 αTα + ∑ d3k Ek D1 = ∑ d1αTα + ∑ ε1k Ek

α=1 k =1 α=1 k =1
9. Considérese una varilla de longitud z y sección cuadrada x⋅y = x2. Su volumen

es x2⋅y. Un incremento diferencial de volumen cumple:
dV dx dz
=2 + =0
V x z
y de aquí se obtiene el resultado que se pide.
Capítulo 5:
3. Los grupos cíclicos son Abelianos o conmutativos. Cada elemento es su propia
clase. El número de clases coincide con el orden del grupo.
4. Ejemplo - D3: ∑l 2
α = 12 +12 + 22 = 6 = h
α
6. Ejemplo – D3 – Representaciones E y E:
∑χ ( α)
( R ) * χ ( β ) ( R ) = 2⋅2 + 2(−1)⋅(−1) + 3(0)⋅(0) = 6 = h
R
Respuestas para problemas selectos 177
– Representaciones A2 y E:
∑χ ( α)
( R ) * χ ( β ) ( R ) = 1⋅2 + 2(1)⋅(−1) + 3(−1)⋅(0) = 0
R
Capítulo 6:
1. Ejemplo – El grupo D2: Las matrices de las Tablas 4, 5, 6 y 7 expresan la coinci-
dencia en cuanto a irreps asociadas de las siguientes magnitudes:
Tα ↔ Sβ (α, β = 1, 2, 3) Ei ↔ Di (i = 1, 2, 3) Ei ↔ Bi
T6 ↔ Ez T5 ↔ Ey T4 ↔ Ex
T6 ↔ S6 T5 ↔ S 5 T4 ↔ S 4
2. Piroeléctrico no; piromagnético sí. Las perovskitas, para ser piroeléctricas, dis-
torsionan su estructura a partir de una cúbica centrosimétrica a una tetragonal o
trigonal, no centrosimétrica. El Fe-α es cúbico, centrosimétrico, piromagnético
y ferromagnético. El dipolo eléctrico es un vector y el dipolo magnético es un
pseudovector.
5.
Capítulo 7:
1. Barajas > campo de maiz > canicas.
2. Respuesta aproximada: Sí. Respuesta “fina”: No necesariamente. Por ejemplo,
cada una de las muestras hipotéticas en la Figura 6.12 pudiera tener f(g) ≡1. Sin
embargo, estas muestras no son isotrópicas.
4. Las FP y las FIP dejan un ángulo sin especificar. Texturas diferentes pueden
tener iguales algunas FP e IPF.
5. El policristal sin textura es aproximadamente isotrópico estadísticamente
centrosimétrico. Puede tener efecto dieléctrico, pero no piezoeléctrico.

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LA RELACIÓN ESTRUCTURA-SIMETRÍA-PROPIEDADES EN

Luis E. Fuentes Cobas

© REVERTÉ EDICIONES, S.A. DE C.V., 2008

REVERTÉ EDICIONES, S.A. DE C.V.

SOCIEDAD MEXICANA CRISTALOGRAFÍA

CENTRO DE INVESTIGACIÓN EN MATERIALES AVANZADOS, S.C.

UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE CHIHUAHUA

Impreso en España. Printed in Spain.

Presidente el Dr. Lauro Bucio Galindo. El Centro de Investigación en Materiales Avan-

“¿Cómo no íbamos a ser adictos a la belleza y a la simetría,

María Elena Fuentes Montero y Luis Fuentes Cobas

1 Resumen de Estructura y Simetría Cristalina ....................... 1

2 Los Grupos puntuales cristalográficos ...............................31

3 Electromagnetismo y simetría de color ...............................47

Índice analítico III

5 Elementos de teoría de las representaciones..................... 83

6 La relación simetría – propiedades en

7 Policristales, textura y propiedades...................................125

8 Figuras en colores ...............................................................155

Apéndice 1. Valores numéricos de algunas propiedades ....171

Apéndice 2. Respuestas para problemas selectos ...............175

1.1 CRISTALES Y POLICRISTALES

¿Cómo es la estructura microscópica de un sólido común? Tomemos como objeto de

2 Resumen de Estructura y Simetría Cristalina

Figura 1.1. Imagen al microscopio electrónico de barrido de una cerámica PZT.

Investiguemos la estructura de un cristal en la escala atómica. La difracción de rayos

Bases, sistemas, celdas y redes de Bravais 3

Figura 1.2. Micrografía electrónica de resolución atómica de una lámina delgada

1.2 BASES, SISTEMAS, CELDAS Y REDES

4 Resumen de Estructura y Simetría Cristalina

Tabla 1.1. Los siete sistemas cristalinos

Sistema Cristalino Base Cristalográfica

Triclínico a1, a2, a3, α1, α2, α3

Consideremos el paralelepípedo generado por la base {ai} en un cristal cualquiera. El

Bases, sistemas, celdas y redes de Bravais 5

Figura 1.3. Sistemas Cristalinos y Redes de Bravais.

6 Resumen de Estructura y Simetría Cristalina

1.3 PLANOS Y DIRECCIONES. ZONAS

Para numerosas investigaciones, especialmente en el estudio de la difracción, conviene

Figura 1.4. Indices de Miller para familias de planos en un cristal cúbico

1.4 VECTORES RECÍPROCOS

La base recíproca correspondiente a la directa {ai} está definida por:

Algunas características de los vectores recíprocos:

3. Si un plano Bh pertenece a la zona tL, entonces se cumple la condición tL ·Bh = 0:

4. Las bases directa y recíproca son mutuamente

ortogonales: ai ⋅ bj = δij (1 para i = j; 0 para i ≠ j) [6]

8 Resumen de Estructura y Simetría Cristalina

0,3,0 1,3,0 2,3,0 3,3,0

b 0,2,0 1,2,0 2,2,0 3,2,0

1,0,0 2,0,0 3,0,0

5. Si la base directa es ortogonal (ai ⊥aj) entonces bi || ai.

6. (a1 ⋅ a2 × a3)⋅ (b1 ⋅ b2 × b3) = Va Vb = 1

Figura 1.6. Relación entre la distancia interplanar y los vectores recíprocos.

1.5 PROYECCIÓN ESTEREOGRÁFICA

La proyección estereográfica es el medio habitual que emplean los cristalógrafos para

10 Resumen de Estructura y Simetría Cristalina

proyección esfera de proyección

red de Wulf red polar

Figura 1.7. Proyección Estereográfica

(-1,1,0) (-1,3,1) (1,3,1) (1,1,0)

(-1,0,0) (-1,0,1) (0,0,1) (1,0,1) (1,0,0)

(-1,-1,0) (-1,-3,1) (1,-3,1) (1,-1,0)

Figura 1.8. Proyección estereográfica standard (0, 0, 1) para un cristal cúbico