Tiristores para la conmutación del impulso actual

con una amplitud extremadamente alta

Resumen - No se ha desarrollado una nueva generación de silicio tiristores de impulsos

adaptados para la conmutación de impulsos de corriente con amplitud extremadamente alta,
100 - 1000 μs de ancho. Una variedad de
se realizaron mejoras en las capas de estructura de silicio, topología y tecnología de contacto
de ánodo y cátodo Generacion. Se ha probado experimentalmente que la conmutación de
impulso de corriente con amplitud de hasta 250 kA y 500 μs de ancho por tiristor con elemento
de silicio de 100 mm

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Palabras clave - dispositivos semiconductores, tiristores de potencia, pulso
tiristor, pulso de corriente de alta amplitud.
YO.

INTRODUCCIÓN
Desarrollo de conmutadores de semiconductores capaces de conmutar impulsos de corriente
cortos con amplitud de decenas a cientos kA es importante para el progreso en el diseño de
fuentes de alimentación de pulso de equipo electrofísico de alta potencia [1]. Los tiristores de
pulso son ampliamente utilizado como tales interruptores. Sin embargo, cuando se conmuta
impulsos con tasa de aumento de la corriente en estado (di / dt) sobre 1000 A / μs, se presentan
dificultades significativas relacionadas con la encendido del elemento tiristor sobre toda la
superficie [2-5].

Una solución integral para este problema será el uso de tiristores con topología "multiemisora"
celada utilizada para Gate Tiristores de apagado (GTO) y Conmutador de Puerta Integrada
Thyristors (IGCT) [6], porque tal tiristor conmuta casi simultáneamente sobre toda la superficie
debido a pequeñas tamaño de cada célula emisora. Sin embargo, para este tipo de mayor parte
de la superficie (50% y más) se utiliza para puerta, lo que disminuye significativamente la
amplitud permitida de impulso actual.

Otra solución a este problema será utilizar un pulso especial Dispositivo - Dynistor de
conmutación inversa (RSD) [7]. Encender de dicho dispositivo recorre también toda la superficie,
permite alcanzar las mayores amplitudes de la corriente de pulso conmutadores de
semiconductores actualizados [8]. Sin embargo, existe una desventaja de esta solución, que es
la necesidad de utilizar
complicado equipo necesario para lanzar RSD. Además, cuesta aproximadamente el mismo
precio con el dispositivo.
Por lo tanto, es muy importante desarrollar una nueva solución, lo que permitirá que la corriente
de impulsos permitida Tiristor de pulsos «convencional». Después de esta introducción hay un
conjunto de soluciones tecnológicas que permiten desarrollo de un tiristor de impulsos capaz
de conmutar impulsos de corriente con una amplitud extremadamente alta en importante para
la práctica rango de aplicación de 100-1000 μs

II. CARACTERÍSTICAS Y PRODUCCIÓN DEL DISEÑO

PROCESO

A. Capas semiconductoras.
En el elemento semiconductor hay un relativamente dopado bajo p-base (resistencia de capa
bajo n-emisor 500-1000 Ohm / cuadrado). Y su perfil del dopant asegura el máximo built- en
campo eléctrico dentro de esta capa. Esto permite alcanzar tasa de propagación en el estado,
valor mínimo del retardo de conmutación y disminución drástica de las variaciones del retardo
de conmutación de los tiristores en serie.

También se aplicó un emisor p con control eficacia.

En elemento semiconductor de potencia «convencional» tiristor suele haber una dependencia
de espesor n-base (Wn) y valores de longitud de difusión ambipolar de electrones- agujero en
esta capa (L) no menos de 3 (Wn / L> 3). Esto es determinados por la necesidad de proporcionar
los valores tensiones de bloqueo y dv / dt - sostenibilidad. En el estado, sin embargo, la
distribución de pares de electrones-agujeros excesivos superficie del elemento semiconductor
es no homogénea y, como resultado, la distribución del campo eléctrico la fuerza es
inhomogeneous también.
La capa p-emisor, que se utiliza en el nuevo pulso tiristores, tiene una concentración máxima
limitada de dopante impureza. Las tecnologías de difusión aplicada de su formación junto con la
tecnología de baja temperatura utilizada para contacto anódico óhmico (sinterización) permite
regular su inyección con un nivel muy alto de repetibilidad y obtener distribución homogénea
sobre la superficie del estructura de semiconductores.

El uso de p-emitter con eficacia controlada permite reduciendo la dependencia Wn / L hasta 1 y

menos. Como resultado hay una distribución más uniforme de la intensidad del campo eléctrico
sobre el grosor de la estructura.
En la Fig. 1, como ejemplo, hay resultados de cálculo de distribución de la concentración excesiva
de pares de electrones y agujeros intensidad de campo eléctrico con ánodo de flujo de corriente
de 2,000 A / cm 2 para los tiristores típicos con emisor p convencional y p-emisor con eficacia
limitada. Está claro que los pico de intensidad de campo en n-base del tiristor con limitación
eficacia p-emitter es notablemente menor.

En consecuencia, el tiristor con eficacia limitada p-emisor tiene un poder de pérdida local
corregido menor en comparación con el tiristor convencional con la misma caída de
voltaje. Cuando el los procesos de liberación de calor se consideran adiabáticos, reducir el
sobrecalentamiento local del elemento semiconductor para impulsos de corriente cortos hasta
un 20%.
Fig. 1. Distribuciones axiales típicas de la concentración de pares de electrones-agujeros pp 0 (a)
y el campo eléctrico de fuerza E (b) para tiristor con “convencional” p-emisor (1) y para el tiristor
con p-emisor de eficacia limitada.
De este modo, la energía requerida para el sobrecalentamiento idéntico
comparado con el tiristor convencional para la estructura con
la eficacia controlada p-emitter va a ser alrededor del 20%
mayor

B. Tiristor auxiliar
Tiristor de potencia de pulso con gran superficie del silicio elemento y puerta distribuida (DG)
tiene un tiristor auxiliar (AST), cuyo cátodo está conectado con DG y el ánodo es común con la
estructura del tiristor. El propósito es formar
pulso de corriente de puerta amplificado aplicado a DG, que considerable longitud de
perímetro. Por lo general, la estructura AT es formado en forma de un anillo más bien estrecho,
de aproximadamente 1 mm de ancho, que rodea el electrodo de puerta principal del tiristor. Sin
embargo, durante la conmutación de los impulsos actuales con la tasa de aumento más de 1000
A / μs, disminución de la densidad de la corriente que fluye a través el AAT puede continuar más
bien lento. Para disminuir la densidad de corriente que fluye a través de la AT, una AT distribuida
aplicado, lo que resulta ser una estructura de tiristor "completa"

(Figura 2).
Otro factor, que permite disminuir la pérdida de potencia y el sobrecalentamiento del tiristor
auxiliar es una caída rápida de la corriente en el AT después de la conmutación del tiristor
principal. Encender tiempo de retardo del tiristor principal debe ser minimizado. El uso de la
base p de baja dopaje, descrita en parte A, permite alcanzar este resultado. En la Fig. 3 se
muestra la
dependencia típica de corriente y tensión en el tiempo durante encendido del tiristor. Se
muestra que la dependencia de tensión en el tiempo tiene dos intervalos de caída rápida: la
primera corresponde a la conexión AT, y la segunda corresponde a la activación del tiristor
principal. Encender tiempo de retardo del tiristor principal en función del AT, que puede con
esta curva, es igual a 0,7 μs aproximadamente.

C. Topología de la puerta distribuida.

Al diseñar la topología de la puerta distribuida, uno de los las cuestiones más importantes
pueden ser la definición del tiempo óptimo de activación del tiristor sobre toda la superficie
(durante la conmutación de impulsos de corriente con forma y ancho
especificados). Computadora modelado de procesos eléctricos y térmicos durante el tiristor
conmutación de impulso de corriente con alta amplitud y alta tasa de subida muestra:

1. La mayor diferencia absoluta de temperatura entre los puntos más calientes en la superficie
del elemento del tiristor (adyacente al área de la puerta) y los puntos más fríos (más alejados de
área de puerta y con el retardo de conmutación más alto) se alcanza en el momento de
conmutación completa del tiristor sobre el conjunto superficie. Se produce además un efecto
significativo (pero no completo) aplanamiento de la distribución de la temperatura sobre el
semiconductor superficie del elemento. La razón de tal efecto es positiva
dependencia de la temperatura de pico de tensión en estado (V TM): temprano
inicialmente más calientes, durante la operación con los más fríos (conmutados más adelante),
conducen la corriente con una densidad relativamente más baja.
(un) (segundo)

Fig. 1. Distribuciones axiales típicas de la concentración de pares de lectrones-agujeros pp 0 (a)

y el campo eléctrico de fuerza E (b) para tiristor con “convencional” p-emisor (1) y para el tiristor
con p-emisor de eficacia limitada.
Fig. 2. Tiristor auxiliar distribuido (en el centro).

2. Alcanzar una diferencia de temperatura baja aceptable la superficie del elemento tiristor
durante la conmutación de la corriente impulsos con forma cercana a media onda senoidal es
suficiente garantizar la conmutación completa de toda la superficie del tiristor, no momento,
cuando la corriente de impulso alcanza 0,8 de valor máximo.
Como ejemplo en la Fig. 4 están las dependencias calculadas de la densidad de corriente a
tiempo para las manchas del tiristor estructura, que se encuentran a distintas distancias de la
del electrodo de compuerta amplificado durante la conmutación de impulso de corriente con
amplitud de 250 kA y velocidad de 4000 A / μs de aumento en la sección inicial. El elemento de
tiristor tiene el siguiente características: 580 micras de espesor de silicio de la oblea, 55 cm 2 de
superficie activa, tiempo de activación completo de 50 μs. Está claro que la densidad de
corriente durante el proceso de distribución en el estado no superior al máximo, que
corresponde al máximo valorado de la corriente del ánodo. En la Fig. 5 se calcula valores de
temperatura de los puntos más calientes y más fríos de la superficie del tiristor Es evidente que
el máximo absoluto la diferencia de temperatura en la superficie del elemento es de
aproximadamente 18 ° C, y por el momento de sobrecalentamiento máximo del tiristor
elemento esta diferencia disminuye aproximadamente a 11 ° С, que es sólo alrededor del 6% del
valor absoluto del máximo sobrecalentamiento del elemento tiristor.

D. Contactos.
Contacto anódico de la estructura semiconductora con disco de molibdeno de compensador
térmico hecho con ayuda de sinterización a baja temperatura por pasta de plata finamente
dividida [9].
Utilizarlo para los tiristores de pulso puede proporcionar las siguientes ventajas.
- Aumento de la capacidad de ciclos de carga. En condiciones de corto conmutación de impulsos
de corriente con amplitud extremadamente alta conducción, cada impulso de corriente es
seguido por una ciclo térmico para la conexión de silicio con molibdeno, porque el silicio se
calienta hasta 200 ° C de temperatura, y disco de molibdeno, excepto una capa de flota
adyacente al silicio, permanece frío. Juntas de bloqueo, resultado de la sinterización
tecnología, tienen muy alta capacidad de carga de ciclismo [10, 11].
- Durante el proceso de conexión tradicional de silicio con disco de molibdeno (aleación de
silicio) las capas superficiales de silicio se están disolviendo con silumin. Y después que es
imposible asegurar características identidad del ánodo emisor en la superficie de la estructura. Y
como resultado es típico para que la tecnología tradicional muestre una mayor varianza de la
densidad.

Fig.5. Dependencias calculadas de la temperatura del elemento tiristor durante

conmutación de impulsos de corriente con amplitud extremadamente alta.
Fig.4. Dependencias calculadas de la densidad de corriente a tiempo para los puntos de la
estructura del tiristor, que se encuentran a distintas distancias de
el borde del electrodo de puerta distribuido.
De la corriente sobre la superficie de la estructura. Tecnología de sinterización
excluye tal desventaja [12].
Para garantizar un cátodo de contacto de cátodo de presión confiable se utiliza una junta de
molibdeno con recubrimiento especial. Los la elección se hizo después de una investigación
significativa de larga duración y pruebas de diversos materiales y recubrimientos. El
seleccionado La junta de estanqueidad asegura una alta capacidad de carga del resistencia
eléctrica y térmica, sin decalaje después de operación, incluyendo la conmutación de grandes
volúmenes 100000) impulsos de corriente con alta amplitud.

III. RESULTADOS EXPERIMENTALES

El experimento de los tiristores de impulsos con 2800 V repetitivos tensión de bloqueo de

impulso se produjeron usando el describió soluciones técnicas.
Los tiristores tenían un elemento de silicio de 100 mm, que producido utilizando las obleas de
silicio dopadas con neutrones con 120 Ohm * cm de resistividad eléctrica y 580 μm de espesor.
La topología de la puerta se muestra en la Fig. 6. Esta topología asegura el tiempo de activación
óptimo del tiristor sobre toda la superficie durante la conmutación de los impulsos cercanos en
su desde a la mitad del seno onda con 300-1000 μs de ancho. Además, las pérdidas alineación
de la puerta se redujeron al mínimo a aproximadamente 14%, y la superficie activa del elemento
de tiristor fue de aproximadamente 55 cm 2. Todas Los tiristores tenían caja de discos.
Fig. 6. Topología del elemento tiristor
El interruptor de tiristor experimental consistió en 10 tiristores en serie, Fig. 7. Las pruebas se
realizaron en Circuito de descarga RLC con tensión de condensador inicial de 24 kV.
La forma de impulso actual se muestra en la Fig. 8. Durante la prueba el conmutador
experimental conmuta constante los impulsos de corriente con una amplitud de hasta 250 kA y
una tasa de elevación de 4 kA / μs

CONCLUSIÓN
Se desarrolló la nueva generación de silicio pulsado tiristores adaptados para conmutar los
impulsos actuales amplitud extremadamente alta, 100 - 1000 μs de ancho. Era probado
experimentalmente que es posible para el tiristor con 100 mm de elemento semiconductor para
conmutar impulsos de corriente con
amplitud hasta 250 kA y 500 μs de ancho. Los nuevos tiristores pueden se utilizan para
completar interruptores de estado sólido de bajo coste en pulso
fuentes de alimentación de equipos electrofísicos de alta potencia.

Fig. 7. Interruptor de tiristor experimental para la conmutación del impulso de corriente con
amplitud de 250 kA