Laboratorio Nº2
“Circuitos de control de disparo aplicado al Tiristor”
(Informe Previo)
Facultad de ingeniería Eléctrica y Electrónica UNI
Laboratorio de Electrónica II-P (EE432M3)
Arellano Cáceres Alexsander
alexsanderarellano468@gmail.com
20090258G
I. OBJETIVOS
-Ver los diferentes tipos de disparo bajo un ángulo de
conduccion
II. FUNDAMENTO TEÓRICO
A. SCR
Un tiristor es uno de los tipos más importantes de los
dispositivos semiconductores de potencia. Los tiristores
se utilizan en forma extensa en los circuitos electrónicos
de potencia. Se operan como conmutadores biestables,
pasando de un estado no conductor a un estado conductor.
Para muchas aplicaciones se puede suponer que los
Tiristores son interruptores o conmutadores ideales,
aunque los tiristores prácticos exhiben ciertas
características y limitaciones.
Fig. 1 Símbolo del tiristor y tres uniones pn
Una vez que el tiristor es activado, se comporta como un
diodo en conducción y ya no hay control sobre el
dispositivo.
El tiristor seguirá conduciendo, porque en la unión
J2 no existe una capa de agotamiento de vida a
movimientos libres de portadores. Sin embargo si se
reduce la corriente directa del ánodo por debajo de un
nivel conocido como corriente de mantenimiento IH , se
genera una región de agotamiento alrededor de la unión
J2 debida al número reducido de portadores; el tiristor
estará entonces en estado de bloqueo. La corriente de
mantenimiento es del orden de los miliamperios y es
menor que la corriente de enganche, IL. Esto significa
que IL>IH . La corriente de mantenimiento IH es la
corriente del ánodo mínima para mantener el tiristor en
estado de régimen permanente. La corriente de
mantenimiento es menor que la corriente de enganche.
Cuando el voltaje del cátodo es positivo con
respecto al del ánodo, la unión J2 tiene polarización
directa, pero las uniones J1 y J3 tienen polarización
inversa. Esto es similar a dos diodos conectados en serie
con un voltaje inverso a través de ellos. El tiristor estará
en estado de bloqueo inverso y una corriente de fuga
inversa, conocida como corriente de fuga inversa IR,
fluirá a través del dispositivo.
De acuerdo a los tipos de conmutación los angulos de
retardo se pueden presentar de 0 a 90 o mas de 90 como
en el siguiente grafico
Los UJT en circuitos de disparo para SCR:
Los UJT casi son ideales como dispositivos de disparo
para los SCR. A continuación indicamos varias razones
de la compatibilidad entre los UJT y los SCR:

- El UJT produce una salida tipo pulso, que es

excelente para asegurar el encendido de un SCR sin
forzar la capacidad de disipación de carga de
compuerta del SCR.

- El punto de disparo del UJT es inherentemente

estable sobre un rango de temperatura amplio. Puede
hacerse aún más estable con muy poco esfuerzo. Esto
anula la inestabilidad térmica de los SCR.

- Los circuitos de disparo con UJT pueden adaptarse

con facilidad para el control realimentado.

Fig.2 ángulos de retardo a la conducción

B. EL UJT (Unijunction transistor) :

Es un dispositivo de conmutación de transición
conductiva. Es un dispositivo de tres III. PREGUNTAS PARA EL INFORME PREVIO:
terminales que se denominan emisor, base1 y
base2.
1. DESCRIBA EL FUNCIONAMIENTO DEL
CIRCUITO A Y DISEÑELO:
2. REPETIR LA PARTE (1) PARA LOS CIRCUITOS B,
C, D.

Cuando el voltaje entre el emisor y la base 1 es menor que

cierto valor llamado voltaje pico, el UJT está apagado y no
puede haber flujo de corriente de E a B1. Cuando el voltaje
de emisor a base 1 excede al voltaje pico por una cantidad
muy pequeña, el UJT se dispara. Cuando esto ocurre, el
circuito de E a B1 se vuelve casi cortocircuito, y la
corriente puede descargarse de un terminal a otro. En la
mayoría de los circuitos UJT, la descarga de corriente de E
a B1 es de corta duración, y el UJT pronto se revierte a la
condición de apagado.
Del circuito tenemos: CIRCUITO B:
Vin = (𝑅𝐿 + R).𝐼𝐺𝑇 + 𝑉𝐺𝑇
𝑉𝑚 .sin 𝑤𝑡 = (𝑅𝐿 + R). 𝐼𝐺𝑇𝑚𝑖𝑛 + 𝑉𝐺𝑇𝑚𝑖𝑛
Si: α=90°=wt
220√2 = (𝑅𝐿 + R). 𝐼𝐺𝑇𝑚𝑖𝑛 + 𝑉𝐺𝑇𝑚𝑖𝑛
220√2−0.8𝑣
𝑅𝐿 + R = 2𝑚𝐴

𝑅𝐿 + R =155kΩ
Si: α=30°, entonces:
220√2.sin 30°−0.8𝑣
𝑅𝐿 + R = Cuando el SCR no conduce (OFF) el circuito equivalente
2𝑚𝐴

𝑅𝐿 + R = 77.5kΩ es:
Diodo limita la tensión inversa en el Gate: Ic = c.dv/dt
𝑉𝐺𝑇𝑚𝑖𝑛 0.8 1 𝑡
𝑅𝐺 = =2𝑚𝐴 = 400Ω Vc = 𝑡 ∫0 𝑖𝑑𝑡
𝐼𝐺𝑇𝑚𝑖𝑛
1 𝑡
El ángulo de retardo de disparo es determinado por el valor Vin=i.(RL+R)+ 𝑡 ∫0 𝑖𝑑𝑡
de R3(potenciómetro). Si R3 es bajo, la corriente de 𝑣𝑛
Vc(t) = - sin(𝑤𝑡 − 𝜑)+…
√(𝑤𝑐𝑅)2 +1
compuerta será lo suficientemente grande para disparar el
Φ=𝑡𝑎𝑛−1(wcR)
SCR cuando la fuente de voltaje sea baja. Luego el ángulo
de disparo será pequeño, y la corriente de carga promedio
será alta. El propósito de R2 es mantener una resistencia
fija en la terminal de la compuerta, aun cuando R3 es cero.
Esto es necesario para proteger la compuerta contra
sobrecarga. R2 también determina el ángulo de retardo de
disparo mínimo.

𝑇𝑟 16.6
α=T- = R’c - ms=R’c – 4.15ms
4 4

Si R’=100k y C= 0.1uF
100K.0,1uF=4.15ms+α
180°
α=5.85ms (8.3𝑚𝑠𝑒𝑔) =126°
 IV. REFERENCIAS

[1] EL TIRISTOR O SCR https://tellesyaretzi.wordpress.com/

[2] http://unicrom.com/scr-silicon-controled-rectifier/

[3] EL TIRISTOR O SCR

https://www.youtube.com/watch?v=FPSt59RBDL0
[4] Apuntes Circuitos Electrónicos IIP

Oscilador con UJT:

−𝑡
Vc(t) = Vs(1-𝑒 ⁄𝑅𝐶 )

Si; Vc=Vp
−𝑡1⁄
Vp/Vs = 1-𝑒 𝑅𝐶

Haciendo Vp/Vs=n
1
t1=RC.ln(1−𝑛)=RC

n: relación instrinseca =0.67

Rmin < R < Rmáx

𝑉𝑠−𝑉𝑣 𝑉𝑠−𝑉𝑝
<R<
𝐼𝑣 𝐼𝑝

12−4 12−0.67(12)
2mA
<R< 2uA

4k<R<2MΩ