IEEE Transactions on POWER ELECTRONICS, vol. 29, NO.

5, MAYO 2 014 2155

Una encuesta del Poder banda prohibida ancha

Dispositivos semiconductores
Jos'e Mill' un, Miembro, IEEE, Philippe Godignon, Xavier Perpi~ n`una, Amador P ' Erez-Tom' como, y Jos' e Rebollo

Abstracto semiconductores de banda prohibida de ancho muestran mate- superiores

propiedades rial que permiten potencial funcionamiento del dispositivo de alimentación a
temperaturas más altas, voltajes y velocidades de conmutación que nology actual Si tec-. Como
resultado de ello, se está desarrollando una nueva generación de dispositivos de potencia para
aplicaciones de convertidores de potencia en el que los dispositivos de energía tradicionales de Si
muestran el funcionamiento limitado. El uso de estos nuevos dispositivos semiconductores de
potencia permitirá tanto una mejora importante en el rendimiento de los convertidores de potencia
existentes y el desa- rrollo de nuevos convertidores de potencia, lo que representa un aumento de
la e fi ciencia de las transformaciones de energía eléctrica y un uso cional más RA- de la energía
eléctrica. En la actualidad, SiC y GaN son los materiales semiconductores más prometedores para
estos nuevos vicios de- potencia como consecuencia de sus excelentes propiedades, la
disponibilidad comercial de material de partida, y la madurez de sus procesos tecnológi- icos. Este
artículo presenta una revisión de los recientes progresos en el desarrollo de SIC-y dispositivos
semiconductores de potencia de GaN de base junto con una vista general del estado de la técnica
de esta nueva generación dispositivo.

Fig. 1. Resumen de Si, SiC, y GaN propiedades de los materiales pertinentes [1].
Términos del Índice -BJTs, diodos, GaN, HEMTs, IGBTs, JFET,
MOSFETs, dispositivos de potencia, SiC, tiristores, de banda prohibida (GBM) semiconductores de ancho.

rendimiento de conmutación, y no cualquier dispositivo basado en Si puede operar por

encima de 200 ◦ C. Estos límites físicos inevitables reducir drásticamente la e fi ciencia de
convertidores de potencia actuales, lo que requiere, entre otros, sistemas de enfriamiento
I. INTRODUCCIÓN
complejos y costosos y componentes pasivos costosos. En consecuencia, se espera que
una nueva generación de dispositivos de potencia sobre la base de materiales

PAG energíaODER
Tricallaaelectrónica
través de permite
mediosque
de el
dispositivos de conmutación
procesamiento electrónicos. Hoy en
e fi ciente de elec- semiconductores de ancho de banda prohibida (GBM) para los convertidores de potencia. El
día, el 40% de la energía en todo el mundo se consume en forma de energía eléctrica, y por uso de estos dispositivos semiconductores de potencia newWBG permitirá el aumento de la
lo tanto, la electrónica de potencia juega un papel clave en su ciclo de generación de e fi ciencia de las transformaciones de energía eléctrica logrando Amore uso racional de la
almacenamiento de distribución. La mayor parte de las pérdidas de potencia en los energía eléctrica, junto con una mejora considerable en tamaño y robustez de los
convertidores electrónicos de potencia se disipa en sus dispositivos semiconductores de convertidores de potencia.
potencia. Actualmente, estos dispositivos de potencia se basan en la tecnología madura y
muy bien establecido Si aunque Si presenta algunas limitaciones importantes en cuanto a
capacidad de bloqueo de tensión, temperatura de operación, y la frecuencia de conmutación. Entre los posibles candidatos de materiales semiconductores, carburo de silicio
En la actualidad, la capacidad más alta comercial Si IGBT tensión de ruptura es de 6,5 kV con (SiC) y nitruro de galio (GaN) muestran la mejor solución de compromiso entre las
un limitado características teóricas (alta capacidad de bloqueo de tensión, funcionamiento a alta
temperatura y altas frecuencias de conmutación), bienes disponibilidad comercial del
material de partida ( obleas y capas epitaxiales), y la madurez de sus procesos
tecnológicos. Fig. 1 pone de manifiesto algunas propiedades keymaterial de GBM
semiconductores candidatos para reemplazar a Si [1].

Manuscrito plazo entre los 13 de febrero de de 2013. 13 revisada de mayo de de 2013. Aceptado el 4
de junio de 2013. Fecha de la versión actual 10 de enero de 2014. Este trabajo fue apoyado en parte por el
GaN y, sobre todo, las tecnologías de proceso de SiC son, con mucho, el más maduro
Ministerio español de Ciencia e Innovación (Programas de Investigación: RUECSD2009-00046, entre los materiales semiconductores GBM y, por lo tanto, más atractiva desde el punto de
Trench-SiCTEC2011-22607, TERMO TEC2008-05577, Ram'
vista del fabricante del dispositivo para la electrónica de alta potencia. Aunque teóricamente
en y Cajal RYC-2008 a 03.174, y Ram' y Cajal en RYC-
2010 a 07434). Recomendado para su publicación por el Editor Asociado P. Mawby.
GaN ofrece un mejor rendimiento de alta frecuencia y alta tensión, la falta de sustratos a
Los autores pertenecen al Instituto de Microelectr` ónica de Barcelona-Centro granel de buena calidad que se necesitan para los dispositivos verticales y la conductividad
Nacional de Microelectr` ónica (IMB-CNM), Consejo Superior de investi-
térmica más baja se prestan SiC la mejor posición para dispositivos de alta tensión. De
gaciones Cient'ı fi cas (CSIC), Universitat Aut` ónoma de Barcelona, ​08193
Barcelona, ​España (e-mail: jose.millan@imb-cnm.csic.es; philippe.godignon @ imb-cnm.csic.es;
hecho, algunos dispositivos de SiC, tales como diodos Schottky, ya están compitiendo con
xavier.perpinya@imb-cnm.csic.es; amador.perez@imb- CNM csic.es;. sus homólogos de Si. Sin embargo, el interés industrial de los dispositivos de potencia de
jose.rebollo@imb-cnm.csic.es).
GaN está en constante aumento. En la última década, la tecnología de GaN ha sido
versiones de color de una o más de las cifras en este documento están disponibles en línea en
http://ieeexplore.ieee.org.
Objetos Digitales identi fi cador 10.1109 / TPEL.2013.2268900

0885-8993 © 2013 IEEE. El uso personal está permitida, pero republicación / redistribución requiere el permiso del IEEE.
Ver http://www.ieee.org/publications normas / publicaciones / derechos / index.html para obtener más información.
2156
2. sección transversal de 4H-SiC 3,3-kV Schottky, JBS Fig., Y los diodos PIN [4].
maduración rápida, debido principalmente a la fabricación de diodos emisores de luz, pero
ahora también como plataforma de alta frecuencia, la electrónica de alta tensión,
especialmente centrado en la heterounión basados ​en GaN transistores de alta movilidad de
electrones (HEMT).
Estos nuevos dispositivos de energía representan un verdadero avance en la
electrónica de potencia, aunque todavía son necesarios muchos avances. Por otra parte,
muchas de las ventajas materiales que no son explotados plenamente debido a la calidad
de material específico, las limitaciones tecnológicas, diseños de dispositivos no
optimizadas, y problemas de fiabilidad. Por otra parte, el desarrollo de modelado y
caracterización electrotérmico herramientas para estos dispositivos de potencia, y el diseño
de sus envases para la operación de alta temperatura, los controladores y los controladores
necesitan un gran esfuerzo de investigación y representan un avance real.
Este artículo presenta una visión general de los avances recientes en la novela
SIC-y dispositivos de potencia de GaN, así como las tendencias futuras esperadas.
State-of-the-art dispositivos de SiC, incluyendo los diodos de alta tensión y alta
temperatura, JFET, MOSFET, tiristores, IGBTs y, son revisados, así como diodos de
GaN, HEMTs, y MOSFETs.
II. S yo CP ODER re quipos
Los signi fi logros de consideración en tanto SiC crecimiento material a granel y la
tecnología de proceso proporcionan un escenario excelente a este material semiconductor
para aplicaciones de alta potencia. obleas de alta calidad de SiC son obligatorios para un
rendimiento razonable de dispositivos de potencia de SiC de gran superficie. El progreso se
refleja en el logro de muy baja densidad micropipe (0,75 cm - 2 para un 75-mm oblea). Hoy en
día, 100 mm de obleas de SiC están en el mercado, y 150 mm de obleas de SiC estarán
disponibles en un futuro cercano [2]. Aparte formación frommicropipe, otros defectos
causantes de escasa fiabilidad en los dispositivos bipolares, tales como dislocaciones del
plano basal, están todavía bajo investigación.
A. fi cadores de potencia de SiC rectos
En comparación con sus homólogos de Si, una × 10 aumento en el bloqueo de tensión es
posible con el mismo SiC espesor de la capa de deriva debido al SiC mayor dieléctrica campo
crítico. La alta conductividad térmica de SiC es también una gran ventaja en comparación con
los diodos de Si ya que permite que operan a clasificaciones de mayor densidad de corriente,
así como para reducir al mínimo el tamaño de los sistemas de refrigeración. Hay básicamente
tres tipos de SiC ERS rectos poder fi [3], sus secciones transversales que se muestran en la
Fig. 2:
IEEE Transactions on POWER ELECTRONICS, vol. 29, NO. 5, MAYO 2 014
Fig. 3. 3,3-kV SiC diodos desvío ondas de corriente en 25 ◦ C y 300 ◦ C con carga inductiva [4].
1) de barrera Schottky Diodes (SBD) que muestra la velocidad extremadamente alta de
conmutación y bajas pérdidas en el estado, pero menor tensión de bloqueo y de alta
corriente de fuga;
2) diodos pin con la operación de alto voltaje y baja corriente de fuga, pero que
muestra la carga de recuperación inversa durante la conmutación;
3) Junction barrera Schottky (JBS) diodos con Schottky-como en el estado y
características de conmutación, y el rendimiento offstate en forma de pasador.
SBD SiC están disponibles en el mercado desde 2001 y han mostrado un
aumento continuo de la tensión de bloqueo y corriente de conducción.
Concretamente, que van desde la inicial 300 V / 10 A y 600 V / 6 A a la actual
600 V / 20 A y
1,2 / 1,7 kV con capacidades de corriente tan alta como 50 A [5], [6], estas
calificaciones se aumenta aún más en el futuro próximo. De hecho, comerciales
diodos Schottky de 3,3 kV han sido ya anunciada [7], y se espera que con el
tiempo reemplazar pin de Si ers recti fi en el rango de 600 kV V-3. Además, la
fácil puesta en paralelo SBD ha permitido la introducción de IGBT comercial
módulos de potencia / 1,2 kV 600 A que contienen diodos de rueda libre como
SiC SBD [8].
La capacidad de los dispositivos de SiC para la operación de alta temperatura hace que
sean adecuadas para muchas aplicaciones en las misiones aeroespaciales y espaciales [9],
aunque de alta temperatura de envasado dispositivo fiable necesita ser desarrollado [10],
[11]. De gran superficie SBD 3,3 kV se han fabricado para aplicaciones de alta temperatura
[4] con corrientes hacia adelante en el intervalo de 10-20 A. Un ejemplo de la operación de
alta temperatura es el 300-V, 5-ASBDdiodes desarrollados para el ambiente áspero
aplicaciones espaciales (BepiColombo misión de la ESA) [12]. Además, SiC SBD son muy
adecuadas para aplicaciones de alta velocidad de conmutación debido a la carga de
recuperación inversa bajo en comparación con diodos pin ultrarrápida Si. Por lo tanto, los
partidos de SiC SBD diodos perfectamente como rueda libre con Si IGBT. Fig. 3 muestra la
recuperación inversa de las tres ERS rectificador de SiC en 25 ◦ C y 300 ◦ DO.
ERS rectificadores híbridos, la fusión de clavija y estructuras Schottky (diodos JBS),
son particularmente atractivos ya que combinan los beneficios de una capacidad de alta
tensión de bloqueo de diodos pin y la baja recuperación inversa de SBD (ver Fig. 3).
Están disponibles comercialmente hasta 1,2 kV, y en FI de neón ha presentado
recientemente la Thinq! TM generación 5G [13] de 650-V diodos JBS sobre la base de un
proceso tecnológico de la oblea delgada que muestra mejoró
MOLINO ' UN et al .: ENCUESTA DE ANCHO banda prohibida dispositivos semiconductores de potencia 2157

sobretensiones capacidad de corriente de avalancha y robustez con una temperatura

positivo coef fi ciente. Además, de alta corriente (50 A) diodos JBS para ser utilizado
como diodos antiparalelos en IGBTmodules están disponibles en Cree, y 75 A-100 A /
1,2 kV hasta 20 diodos A / 10 kV JBS también se han demostrado [14].

Debido a problemas de fiabilidad (deriva principalmente de tensión directa), no hay

diodos bipolares de SiC disponibles en el mercado. Sin embargo, SiC diodos pin el
estado de la técnica incluyen que informó en [15] con una caída de voltaje directo de 3,2
V a 180 A (100 A / cm 2),
y una capacidad de tensión de bloqueo de 4,5 kV con una corriente de fuga inversa
de 1 μ A. De hecho, diodos PIN sólo será de interés para la descomposición
tensiones de más de 2-3 kV, y las estructuras con capacidad de bloqueo de hasta
20 kV se ha demostrado [16]. Sin embargo, su comercialización dependerá de la
superación de problemas de fiabilidad a través de la mejora de la calidad del
material semiconductor de partida.

B. SiC unipolar de energía Conmutadores

interruptores de alimentación a base de SiC están bien adaptados para alta tensión y,
en particular, aplicaciones de alta temperatura. Aunque los detectores de potencia de SiC
en el rango de 600 V tienen dos competidores de Si fuertes; es decir, el MOSFET de
potencia (incluyendo dispositivos superjunction) y el IGBT, tienen claras ventajas para altos
voltajes de bloqueo. Para el rango de 1.2 a 1.7 kV, el MOSFET de potencia Si no es una
opción realista debido a las grandes pérdidas de conducción, y el Si IGBT muestra altas Fig. 4. Las secciones transversales de (a) normalmente en [17] y (b) JFET normalmente-off [20].
pérdidas dinámicas cuando se requiere conmutación rápida.

límite de tensión hasta el cual el MOSFET de potencia de SiC se convertiría atractiva

SiC JFET es una excelente alternativa para este rango de tensión, ya que muestra una
ultrabaja específico en-resistencia y es capaz de funcionar a altas temperaturas y altas
frecuencias. Concretamente, en fi neón ha desarrollado un 1,5 kV, 0,5- Ω en la resistencia
del interruptor híbrido dirigido a los convertidores resonantes y fuentes de alimentación.
Se compone de una SiC vertical de 1,5-kV normalmente en JFET (ver Fig. 4) y una 60-V
de canal n Si MOSFET en un cascodo con fi guración que proporciona la resultante
cambiar un comportamiento normalmente-off [18]. Además, en fi neón ha anunciado
recientemente una 1,2-kV, 70-m Ω
interruptor basado JFET-SiC on-resistencia (CoolSiC) [19] que consiste en una
topología de cascodo incluyendo un bajo voltaje de canal p Si MOSFET en
serie con una alta tensión de tipo n SiC JFET. Esta solución permite hacer
referencia al controlador de puerta, tanto para el JFET y MOSFET al mismo
potencial, lo que representa para la mejora del interruptor robustez. Aunque
estas tecnologías SiC JFET son viables en tensiones de hasta 4,5 kV, los
interruptores de híbridos no muestran la operación de alta temperatura debido a
la presencia de la baja tensión Si MOSFET dentro del paquete. New SiC
normalmente-off han sido desarrollados JFET zanja para superar este
problema en base a la alta incorporada en el voltaje de SiC uniones pn [20]
aunque muestran canales de alta resistivos y tensiones de umbral bajos y, por
consiguiente, más mejoras están todavía necesita para obtener de alto
rendimiento normalmente abierto JFET de carburo de silicio. Higo.
En lo que se refiere a las estructuras SiCMOS-dependientes, los candidatos
potenciales son los MOSFET de potencia para tensiones de ruptura hasta 9 kV y el IGBT
para las capacidades de mayor tensión. Este valor de tensión de los resultados de un
estudio teórico para determinar la
sobre el SiC IGBT en términos de un MVA superior proyectado [14], aunque es
comúnmente aceptado que un valor más bajo (alrededor de 5 kV) sería más realista
para los dispositivos prácticos. El desarrollo de los MOSFET de potencia de baja
resistencia se ha retrasado debido a la movilidad muy baja canal de inversión
alcanzado en 4H-SiC. Un gran esfuerzo de investigación en la mejora de la interfaz de
MOS y en la integración de los MOSFET de potencia se ha hecho en los últimos años.
Los más notables avances en la tecnología de dispositivos SiCMOS se han alcanzado
mediante la reducción de la densidad de trampas de interfaz ( re eso) y mejorar la
morfología de la superficie, las técnicas más eficaces es el uso de nitrógeno o POCl 3 durante
el recocido postoxidation y la formación de la MOS de canal en las caras cristalinas
alternativas.
Concretamente, la nitruración a través de NO y N 2 O recocido de la interfaz SiC
MOS se ha demostrado clave en la disminución re eso cerca del borde de banda de
conducción ( re it = 2 × 10 11 eV - 1 · cm - 2 en 0,2 eV por debajo del borde de banda de
conducción) que conduce a canalizar los valores de movilidad en MOSFETs laterales
fabricadas de 50 y 73 cm 2 / Vs para los óxidos de LPCVDgate térmicamente crecido y,
respectivamente [21]. Además, la movilidad canal de POCl 3- MOSFET recocidos ha
demostrado ser × 3 que de MOSFETs recocidas-NO [22]. El uso de la puerta de
materiales dieléctricos alternativos, tales como Al 2 O 3 y alta- k dieléctricos también ha
sido considerado, lo que resulta en la movilidad canal de más de 200 cm 2 / Vs [23].
Además, las mejoras Inmos movilidad canal (> 200 cm 2 / Vs) utilizando la < 1120 > cara
cristalina en lugar de la más comúnmente utilizada < 0001 > cara se ha informado [24].
Estos logros tecnológicos han permitido la aparición de los MOSFET de potencia de
SiC. De hecho, SiCpowerMOSFETs normalmente-off de canal n en el rango de tensión
de ruptura
2158
Fig. 5. 1,2 kV, 67-A 4H-SiC DMOSFET [2].
de 600 V-1,2 kV están disponibles en el mercado. A 1,2 kV, 67-A (ver Fig. 5) y 3-kV,
30-A 4H-SiC DMOSFET ha informado [2], [25], y desde 2011, un 1,2 kV,
33-ASiCMOSFET es comercialmente disponible de Cree. Esta compañía ha
incorporado recientemente a su cartera un 1,2 kV, 80-m Ω MOSFET de potencia
capaz de alcanzar registro eficiencias con mejora de la fiabilidad significativo sobre
competir dispositivos de Si con una corriente nominal de 42 A / 24 A en 25 ◦ C / 100 ◦ C
[26]. Por otra parte, Rohm está ofreciendo actualmente 35-A / 1,2 kV, 80-m Ω encapsulatedMOSFETs
[27], y también ha anunciado un 1,2 kV, 1-m Ω · cm 2 estructura trenchMOSFET para la
densidad de corriente de alta que hará que sea posible conducir 300 A partir de un
solo chip [28]. Además, esta empresa va a introducir / 1,2 kV módulos de potencia
120-A “Full-SiC” Integración MOSFETs y SBD [29] con el funcionamiento a alta
frecuencia por encima de 100 kHz de SiC. Powerex también está ofreciendo 100-A /
1,2 kV módulos todas-SiC de energía [30], y un prototipo / 1,2 kV 800-A se ha
informado recientemente [31].
Por otra parte, las estructuras con una capacidad de tensión de bloqueo de hasta
10 kV Recientemente se han demostrado. Por ejemplo, a 10 kV, 5-A DMOSFET
poder 4H-SiC se ha descrito en [32], utilizando un 100- μ m de espesor 6 × 10 14 cm - 3 dopado
de tipo n capa epitaxial, y una capa de óxido de puerta crecido térmicamente NO
recocidos. Aunque la movilidad de canal efectiva pico es bastante baja (13 cm 2 / Vs),
la DMOSFET 4H-SiC con un área activa de
0,15 cm 2 mostró una específica en resistencia de tan sólo 111 m Ω · cm 2
a temperatura ambiente.
C. SiC Energía bipolar Interruptores
El SiC IGBT es visto como el interruptor de alimentación con alto potencial
futuro para aplicaciones de alta tensión desde su supe-
IEEE Transactions on POWER ELECTRONICS, vol. 29, NO. 5, MAYO 2 014
Fig. 6. La sección transversal de la estructura SiCGT [38].
rior rendimiento en el estado debido a la modulación de la conductividad. SiC IGBT
han recibido mucha atención en los últimos años, y varias estructuras con
capacidades de tensión de bloqueo de más de 10 kV se han comunicado [33]. Se
espera que estos interruptores de alimentación aumentarán su capacidad de voltaje
de hasta un 20-30 kV en un futuro próximo [14], [34], ampliando así la aplicación
campo de interruptores de potencia de SiC. Los logros en la calidad de interfaz MOS y
grandes movilidades de los canales obtenidos en el desarrollo de los MOSFET de
potencia son cruciales para el diseño de estructuras IGBT con altas prestaciones
eléctricas. Además, las mejoras en el proceso de crecimiento epicapa todavía se
necesitan para la realización de estructuras IGBT de canal n competitivos.
Recientemente, Cree ha informado de sus más recientes desarrollos en ultra-alta
tensión 4H-SiC IGBTs [33]. Concretamente, un grupo 4H-SiC de canal p IGBT, × 6,7
mm, y un área activa de 0,16 cm 2, exhibe un voltaje máximo récord de bloqueo de 15
kV, mientras que muestra un diferencial de temperatura ambiente específico en
resistencia de 24 m Ω · cm 2
con una polarización de compuerta de - 20 V. Además, un IGBT de canal n 4H-SiC con la
misma área muestra una tensión de bloqueo de 12,5 kV, y un diferencial de temperatura
ambiente específico en resistencia de c
5,3 m Ω · cm 2 con una polarización de compuerta de 20 V.
SiC BJT también son prometedores a pesar de que también sufren de problemas de
fiabilidad similares a la clavija fi cadores unión rectos. Estas estructuras de poder se han
desarrollado en la última década convertirse en un fi cientemente tecnología madura.
Como un ejemplo, Cree informó de un 4-kV, 10-ABJTwith una ganancia de corriente de
34 en la región activa [35]. El área de chip es 4.24 mm × 4,24 mm, y es capaz de
bloquear 4.7 kV con una corriente de fuga de 50 μ A, y de encendido y gire-off tiempos de
168 y 106 ns a temperatura ambiente, respectivamente. Sin embargo, SiC BJT todavía
muestran tanto ganancia de corriente y hacia adelante degradación caída de tensión
bajo tensión hacia delante debido a la presencia de apilamiento de fallos en la región de
base-emisor [36], lo que dificulta la producción comercial de estos componentes.
Por último, algunas estructuras de SiC-GTO También se han desarrollado ya que
pueden beneficiarse de la modulación de la conductividad y el negativo coef temperatura fi
ciente de la caída de tensión hacia adelante. Uno de los resultados estructura más elevado
informado es el SiCGT (SiC conmutado de puerta de desvío tiristor) [37], cuya sección
transversal se muestra esquemáticamente en la Fig. 6. Este SiCGT es un 4,5-kV, 120-A
estructura con un área de chip de 8 mm × 8 mm recubiertas con una nueva resina de
resistencia de alta temperatura capaz de operar a 400 ◦ C. La caída de tensión directa es 5
V a 120 A, y la corriente de fuga es de menos de 5 × 10 - 6 A / cm 2 a 4,5 kV y 250 ◦ C,
mostrando de encendido
MOLINO ' UN et al .: ENCUESTA DE ANCHO banda prohibida dispositivos semiconductores de potencia 2159

y tiempos de desconexión del 0,2 y 1,7 μ s, respectivamente. Además, el funcionamiento del

inversor de tres fases utilizando un sistema de espalda con espalda en el bus de corriente continua

de 2 kV y potencia de salida efectiva de 120 kW se ha probado el uso de módulos de potencia

incluyendo un SiCGT y SiC diodos pin [38].

III. GRAMO UN notario público ODER re quipos

GaN es particularmente atractivo para alta tensión, de alta frecuencia, y

aplicaciones de alta temperatura debido a su, gran crítico campo eléctrico, alta
movilidad de electrones GBM, y razonablemente buena conductividad térmica.
En la actualidad, los dispositivos basados ​en GaN ya se comercializan en el
área de la fotónica, mientras que este material semiconductor se encuentra
todavía en una primera etapa en relación con aplicaciones de potencia. Debido
a la falta de sustratos de alta calidad independiente de GaN comerciales en el
pasado, epicapas GaN han crecido principalmente en sustratos extranjeros, en
Fig. 7. Sección transversal de un GaN HEMT normalmente en [44].
particular, carburo de silicio, zafiro, y Si. Cultivo de alta calidad, de un solo
cristalinas películas de GaN, que son esenciales para la conversión de
energía, requiere un Ned relación global epitaxial wellde fi entre el epitaxial de
ing aplicaciones, con una proyección × ventaja 100 rendimiento en la tensión de ruptura
GaN fi lm y el sustrato. Entre las diversas posibilidades, cuadrado por específico de la resistencia de fi gura de mérito ( V 2

BR / R EN) a través de dispositivos de alimentación de silicio. La combinación de alta

velocidad y el rendimiento de conmutación de baja pérdida hace que estos dispositivos muy atractivo

para fuentes de alimentación conmutadas con ancho de banda ultra alta (en el rango de

megahercios) y como dispositivos de energía de microondas para estación base de telefonía celular.

fi cadores A. GaN rectos mejoras notables se han hecho desde la aparición de la primera interruptor
HEMT basados ​en GaN [45]. Por ejemplo, la capacidad de potencia de salida
La mayor parte de los diodos de potencia GaN Schottky informó hasta
a frecuencias de microondas de GaNbasedHEMTs tanto en zafiro y los
ahora son o bien [40] estructuras laterales o cuasi verticales, debido a la falta
sustratos de SiC ha mejorado desde inicial 1,1 W / mm en 1996 hasta 40 W /
de conductor de la electricidad sustratos de GaN. tensiones de ruptura de
mm recientemente [46]. Por otra parte, la capacidad de voltaje de GaN HEMT
laterales ERS rectificador de GaN de hasta 9,7 kV se han obtenido sobre
se está acercando a 10 kV y convertidores de potencia de GaN han sido ya
sustratos de zafiro [41], aunque la caída de tensión directa es todavía alto.
demostrada. Uno de themain cuestiones en mejorar el rendimiento eléctrico de
GaN rectos fi cadores implementadas en Si o de zafiro sustratos están
las estructuras HEMT primeros fue suprimir el colapso corriente de drenaje y
atrayendo mucha atención debido a su menor costo. Recientemente, con la
aumentar la tensión de ruptura de puerta a drenaje mediante el control de la
disponibilidad de alta temperatura de vapor de hidruro de epitaxia en fase
mayor parte y de la superficie de trampa densidades [47]. En este sentido, se
sustratos de GaN exentas, 600-V GaN Schottky diodos son debido a ser
han propuesto varios enfoques incluyendo la estructura de n-GaN-cap
lanzado en el mercado para competir con SiC Schottky ERS rectificador [42].
controlada de la superficie de carga, la puerta rebajada y campo de
Además, comerciales diodos Schottky GaN estarán disponibles en el mercado
modulación de estructura de la placa,
en un futuro muy próximo en el rango de tensión de 600 V-1,2 kV. Por otra
parte,

Como resultado, de alto rendimiento HEMTs AlGaN / GaN sobre Si sustratos

B. HEMTs y MOSFET de potencia
Una de las más interesantes propiedades de GaN para aplicaciones de potencia es
la existencia de un gas de electrones 2-D (2DEG) formado en heteroestructuras AlGaN
/ GaN debido a la gran discontinuidad banda de conducción entre GaN y AlGaN y la
presencia de campos de polarización fi permitiendo una gran 2DEG la concentración
con valores de alta movilidad de electrones (1200-2000 cm 2 / Vs). GaN HEMT (ver Fig.
7) están intrínsecamente normalmente en los dispositivos desde un sesgo negativo
debe ser aplicada a la puerta para retirar el 2DEG. Estos dispositivos han atraído una
gran atención en los últimos años con un notable equilibrio entre el específico de
resistencia y tensión de ruptura. Son muy adecuadas para la alta potencia SWITCH-
con tensiones de bloqueo más alto que 1 kV [49], y de alta tensión / baja
específico c en resistencia HEMTs en semiinsulating sustratos de SiC [50] se ha
informado, este último exhibición un registro de la V 2
BR / R EN fi gura de mérito ( ~ 2.3 ×
10 9 V 2 / Ω · cm 2) exceda el límite teórico 6H-SiC. En cuanto a HEMT de GaN sobre Si, un
logro significativo fue el enfoque de eliminación de silicio que representa un incremento
de potencia significativo de estas estructuras fi HEMT. Concretamente, un HEMT 2,2-kV
fabricado sobre Si utilizando una nueva tecnología local eliminación sustrato de Si se ha
informado recientemente [51], que representa una mejora significativa en comparación
con la estructura de referencia HEMT en mayor Si que muestra una capacidad de
tensión de bloqueo de 700 V. Además , interruptores de alimentación GaN HEMT para
alta frecuencia, conversión de energía kilovatio fabricada sobre sustratos semi-aislante
de SiC utilizando fi puertas de campo chapado también se han demostrado [52].
2160
Fig. 8. empotrada-gate estructura GaN HEMT [54].
Finalmente, HEMTs extremadamente alto voltaje (8,3 kV) con un valor de resistencia en
estado bajo específico de 186m Ω · cm 2 se ha demostrado en un sustrato de zafiro con un
rendimiento mejorado de disipación de calor mediante el uso de la vía de orificios a través
de la zafiro en los electrodos de drenaje [53].
Como se ha mencionado antes, HEMTs GaN son básicamente dispositivos
normallyon, lo que hace culto fi dif utilizarlos en sistemas de energía donde se prefieren
los interruptores normalmente-off. Por esta razón, un esfuerzo de investigación se ha
puesto en los últimos años en el desarrollo de estructuras normalmente fuera de GaN
HEMT través de varios enfoques. Uno de ellos es el uso de una estructura de puerta
rebajada (ver Fig. 8), fi informó en primer lugar en [54], de tal manera que la capa de
AlGaN bajo la zona de la puerta es demasiado delgada para inducir una 2DEG, que
representa una voltaje de umbral positivo. Otra solución para la implementación de un
normalmente-off GaN HEMT es el uso de un tratamiento con plasma a base de flúor de
la región de puerta [55] en lugar de la reducción del espesor AlGaN como en la
estructura ahuecada-gate. Los resultados de cambio de tensión de umbral de la
incorporación de iones Flúor en la barrera de AlGaN, y el daño inducido por el
tratamiento con plasma se elimina fácilmente por una temperatura moderada
post-puerta de recocido. Una combinación de la escotadura puerta junto con un
tratamiento superficial a base de flúor se ha demostrado como una solución excelente
para conseguir alto rendimiento normalmente-off de AlGaN / GaN HEMT [56]. Otra
técnica para la realización de un HEMT normalmente-off es el crecimiento selectivo de
una puerta de unión pn [57], [58] lo que permite la reducción de la capa 2DEG debajo
(ver Fig. 9).
Normalmente-On y offGaNHEMTs están disponibles comercialmente con una
tensión de ruptura en el rango de 20-600 V. Como ejemplos, EPC [59] suministros
normalmente-off GaN HEMT de 40 V / 33 A a 200 V / 12 A, mientras que MicroGaN
[60] ofrece normalmente en 600-V-170-m Ω GaN HEMT, y un interruptor de cascodo
600-V normalmente-off basado en la conexión en serie de un GaN HEMT
normalmente en y un MOSFET de Si.
Como se mencionó anteriormente, el interés en los dispositivos de potencia de GaN está
aumentando continuamente, y en este sentido, un avanzado bidireccional súper heterounión
campo-efecto tran- basados ​en GaN
IEEE Transactions on POWER ELECTRONICS, vol. 29, NO. 5, MAYO 2 014
Fig. 9. sección transversal esquemática de una HEMT de GaN puerta pn [57].
Fig. 10. vista en sección transversal esquemática de un híbrido GaN lateral MOS-HFET [65].
Sistor utilizando el concepto de unión de polarización se ha demostrado recientemente
[61]. Los HEMTs fabricados con estructuras de puerta Schottky y unión PN están
dispuestos sobre un sustrato aislante de zafiro y el voltaje de aislamiento medida entre
los dispositivos es más de 2 kV con medido sobre-resistencias de 24 y 22 Ω · mm en las
direcciones ambas, respectivamente. También es digno de observación que los avances
en la tecnología de proceso HEMT de GaN permitir la integración de diodos de GaN, que
se pueden utilizar para proteger puerta de los HEMTs' contra picos de tensión. Además,
las tecnologías de energía inteligente GaN también están en desarrollo que permite la
integración monolítica de dispositivos de potencia de alta tensión y estructuras
periféricas de baja tensión para los propósitos de detección / protección / de control [62].
Para las aplicaciones de conmutación de potencia de alta tensión, MOSFETs de
GaN laterales muestran la ventaja de la operación normalmente-off y banda de
conducción gran offset, whichmakes menos susceptibles a la inyección de electrones
en caliente y otros problemas de fiabilidad, en particular los relacionados con los
estados y colapso actual [63 superficie ], y hace que sean una alternativa a
SiCMOSFETs y GaN HEMT. La alta calidad de SiO 2 / interfaz de GaN ha permitido la
integración de los laterales MOSFETs de GaN con los valores de movilidad de canal
de 170 cm 2 / Vs y alta capacidad de bloqueo de voltaje (2,5 kV) [63]. Sin embargo,
estos valores modestos de canal de inversión de la movilidad, como en el caso de
SiC, debido a la presencia de estados de interfaz, rugosidad de la superficie, y los
fenómenos de dispersión representan un problema importante. Para superar esto, un /
GaN heteroestructura AlGaN puede ser incorporado en la región RESURF de los
MOSFETs de GaN (ver Fig. 10). Los MOS-HEMT híbridas resultantes [64] - [66]
incorpora los méritos de tanto el control de puerta MOS y la alta movilidad de la 2DEG
en la región de deriva / GaN AlGaN y abre la posibilidad para aplicar normalmente
apagado, bajo en estado resistencia y conmutadores de potencia de GaN de alta
capacidad de bloqueo.
MOLINO ' UN et al .: ENCUESTA DE ANCHO banda prohibida dispositivos semiconductores de potencia
IV. do CONCLUSIÓN
Este artículo presenta una visión general de la evolución reciente de los dispositivos de
potencia basados ​en materiales semiconductores GBM. Las propiedades
uniqueWBGmaterial abren la posibilidad de una futura generación de más convertidores
de potencia e fi ciente en aplicaciones en las que los sistemas basados-Si muestran
limitaciones importantes, tales como alta temperatura, alta tensión, y la operación de alta
frecuencia. En la actualidad, la disponibilidad comercial de obleas de alta calidad y de la
madurez del proceso tecnológico hicieron SiC y GaN los materiales más adecuados
semiconductores GBM para estos nuevos dispositivos de potencia.
De alta tensión de SiC SBDS y JBS diodos están disponibles comercialmente
y que ya son competidores reales de diodos de Si. Por otro lado, JFET y
MOSFET de SiC competirán con Si IGBTs hasta tensiones de ruptura en el rango
de 5 kV. JFET son los primeros interruptores de SiC comercial debido a
problemas en la mejora de la interfaz de puerta de SiCMOSFETs.
Normalmente-en JFET y normalmente-off topologías cascodo híbridos incluyendo
un JFET normalmente en SiC en serie con un bajo voltaje de Si MOSFET están
bien establecidos. Por el contrario, normalmente-off SiC JFET todavía sufren de
canales de alta resistivos que necesitarán mejoras adicionales. MOSFET de SiC
se han comercializado recientemente hasta 1,2 kV. Se espera que los resultados
de la mejora de la SiC MOSFET se aplicarían a los IGBT SiC que permitirá el
desarrollo comercial de los IGBT con desglose las tensiones superiores a 10 kV.
La mayoría de los dispositivos de potencia de GaN se fabrican principalmente en
capas de GaN epitaxial sobre Si, zafiro, o sustratos de SiC. diodos de GaN de alta
tensión se han demostrado y serán comercializadas en un futuro próximo. Además,
notables mejoras en HEMTs fabricados en heteroestructuras de GaN se han hecho en
la última década. La gran concentración 2DEG y los valores de alta movilidad de
electrones hacen que estas estructuras atractivo para aplicaciones de conmutación /
eléctricas de alta frecuencia. Aunque la estructura HEMT es intrínsecamente un
normalmente en el dispositivo, varios se han desarrollado técnicas que permite la
integración de HEMTs normalmente-off. HEMTs GaN ya están disponibles
comercialmente hasta 600 V. Por último, las estructuras híbridas MOS-HEMT también
están siendo considerados para baja resistencia, interruptores de potencia de GaN de
alta tensión.
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Jos'e Mill' un ( M'91) nació en 1948. Recibió la licenciatura título
de la Universidad de Navarra, Pamplona, ​España, en 1971, y el
Ph.D. (Hons.) Grado en electrónica de la Universidad Autónoma de
Barcelona (UAB), Barcelona, ​España, en 1980.
Fue Profesor Adjunto en la UAB durante 1980-1987. En 1987,
se unió al Centro Nacional de Microelectr'
ónica (CNM), de Barcelona. Se convirtió en
un catedrático de la Consejo Superior de Investigaciones Cient'ı
cas fi en 1991. Fue Director Adjunto del CNM-Barcelona en febrero
de 1999 y febrero
2003 y marzo de 2006 y junio de 2008. Ha publicado más de 290 documentos, incluyendo documentos de
conferencias regulares e internacionales. Ha participado en 32 proyectos nacionales, 23 proyectos
europeos, y 21 contratos industriales. También posee 12 patentes. Sus intereses de investigación incluyen
tecnologías de proceso (SI) y semiconductores widebandgap para dispositivos de potencia y microsistemas.
Philippe Godignon nació en Lyon, Francia, en
1963. Recibió el doctorado grado en Ingeniería Eléctrica por el
Instituto Nacional de Ciencias Appliqu'
ees de Lyon, Lyon, en 1993. Desde 1990, ha beenwith la
PowerDevice y SystemGroup, CentroNacional deMicroelectr'
ónica,
Barcelona, ​España, donde ha estado trabajando en Si y SiC IGBT /
VDMOS diseño y tecnologías dispositivo. Su competencia abarca el
dispositivo de desarrollo de procesos tecnológicos y de diseño de la
máscara, así como la caracterización eléctrica. Ha de authoredmore
250 publicaciones y actas de conferencias sobre los dispositivos de potencia Si y SiC. También fue coautor de
más de diez patentes. Sus últimos trabajos se ocupan de los dispositivos de SiC extendidos a dispositivos de
alta temperatura y sensores, así como grafema y transistores CNT para aplicaciones ambientales y biomédicas.
MOLINO ' UN et al .: ENCUESTA DE ANCHO banda prohibida dispositivos semiconductores de potencia 2163

Xavier Perpi ~ n` una recibió la licenciatura en física, Jos'e

la M. Phil. grado en ingeniería electrónica, y el Ph.D. grado de la
Universitat Aut`
de Barcelona, ​Barcelona, ​España, en 1999, 2002 y
2005, respectivamente.
En 1999, él estaba con el Institut de Microelectr`
ónica de Barcelona-Centro Nacional de Microelectr`
ónica (IMB-CNM), Consejo de Investigación español,
Barcelona, ​donde comenzó su actividad de investigación con los
dispositivos y sistemas Power Group hasta 2005. De 2005 a 2007,
fue con Alstom Transporte.
En la actualidad es Ramón y Cajal en el IMB-CNM. Es autor y coautor de más de 90 trabajos de
investigación en congresos y revistas internacionales, editado dos libros sobre temas de actualidad de
ferrocarril, y mantener varias patentes en este campo de investigación. También pertenece a THERMINIC
y comités cientí fi conferencias EUROSIME. Sus intereses de investigación incluyen la caracterización
electrotérmico, fiabilidad y mejora la robustez de diseño de dispositivos semiconductores de potencia,
circuitos integrados, y el embalaje para aplicaciones de potencia.
e Rebollo nació en 1959. Recibió la BS y Ph.D. grados en
física de la Universidad Autónoma de Barcelona, ​Barcelona,
ónoma ​España, en 1982 y 1987, respectivamente.
Fue Profesor Adjunto en la Universidad Autónoma de
Barcelona, ​la enseñanza electrónica y física, así como cursos de
Postgrado microelectrónicos. En 1989, se unió a los dispositivos y
sistemas Power Group del Centro Nacional de Microelectrónica de
Barcelona, ​donde ha estado trabajando en la física, la tecnología, el
modelado y la fiabilidad de
dispositivos semiconductores de potencia. Ha publicado más de 200 artículos en revistas y congresos cientí fi
cos, y posee varias patentes en estos campos. Ha participado y dirigido varios proyectos financiados por la
UE, y los contratos industriales, incluyendo la transferencia de tecnología, así como los proyectos de I + D
financiados por la Administración española.

Amador P ' Erez-Tom' como recibió la licenciatura graduado en

física de la Universidad de Barcelona, ​Barcelona, ​España, en 1999,

y el Ph.D. grado en física de la Universidad Autónoma de
Barcelona, ​Barcelona, ​en 2005.

Trabajó en el sector fi nanciero y bancario 1999-2001 Era un

investigador en la Universidad de Warwick (Reino Unido) durante el
periodo 2006-2008. En 2008, se incorporó al Instituto de
Microelectr` ónica
de Barcelona-Centro Nacional de Microelectr` ónica
(IMB-CNM), Consejo de Investigación español, Barcelona.
Su actividad de investigación se relaciona principalmente con dispositivos de SiC y GaN y heterouniones
semiconductores. Ha sido autor y coautor de más de 145 documentos, incluyendo documentos de conferencias
regulares e internacionales. También trabajó en los contratos industriales relevantes de I + D, tiene una patente de
Estados Unidos y supervisó varios Ph.D. estudiantes.