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Un fotón puede estimular la caída de un electrón a un nivel inferior si tiene una energía igual a la
diferencia entre los dos niveles, en ese caso se emitirá un segundo fotón idéntico al que ha
inducido la transición. Esta es la llamada emisión estimulada. El proceso contrario, aquel en el que
el fotón se absorbe induciendo la subida de un electrón a un nivel de energía superior, se llama
absorción estimulada.
El hecho de que la emisión estimulada produzca dos fotones idénticos a partir de un fotón inicial
es precisamente lo que permite amplificar la luz y es también responsable de que la luz generada
por emisión estimulada sea coherente, es decir que las ondas electro-magnéticas que forman el
haz de luz marchen “al paso”. Pero, para que sea posible amplificar la luz por emisión estimulada,
es necesario además que en el medio activo haya un número mayor de electrones en el nivel de
energía superior que en el inferior; esto es lo que se llama inversión de población. Si por el
contrario hubiera más electrones en el nivel inferior que en el superior, entonces predominaría la
absorción, y el medio amortiguaría la energía de la luz en vez de amplificarla.
Cavidad láser.
Medio activo.
Bombeo.
Profesora: Dra. María del Carmen López Bautista
Dispositivos Cuánticos
Alumno: Miranda Murillo Yafté Ulises
4. Explica en tus propias palabras cómo estos requisitos se cumplen en un láser de fibra dopada
con erbio y en un láser de gas de He-Ne.
Para el láser He-Ne el helio tiene como función ayudar en el proceso de bombeo, el elemento
activo es el neón; para la cavidad láser se tiene un tubo de vidrio o cuarzo con dos electrodos
internos para mantener una descarga eléctrica de unos pocos miliamperes a través del gas.
Para el láser de erbio, posee un elemento sólido como medio activo en su cavidad de resonancia;
específicamente un cristal sintético conocido como granate (cristalización en rombododecaedros,
G), constituido por itrio (Yttrium, Y) y aluminio (Aluminium, A) y contaminado con erbio (Erbium,
Er).
Verde.
E = 0.3975x10-18 [J]
E = 2.4843 [eV]
c. Determina su frecuencia.
6. ¿Cuál será la energía de bandgap de un semiconductor para emitir fotones a una longitud de
onda de 10 um? ¿Cómo se compara con la energía térmica kBT a 25°C? ¿Qué significa esta
diferencia de energías?
a. Bose-Einstein
Profesora: Dra. María del Carmen López Bautista
Dispositivos Cuánticos
Alumno: Miranda Murillo Yafté Ulises
b. Fermi-Dirac
c. Maxwell-Boltzmann
8. Los niveles de energía del átomo de erbio se ilustran en la sig. Figura. Responde a las siguientes
cuestiones:
a. Si el átomo de Er absorbe 1018 fotones/segundo, pero el tiempo de vida del estado excitado es
de 1 ns, ¿Cuál es la población en el nivel 4I11/2?
c. ¿Cuántos fotones de 1.55 um son emitidos por segundo?, recuerda que los fotones se emiten
cuando el átomo se relaja del nivel 4I13/2 al 4I15/2.
9. Usando la siguiente tabla, encuentra la composición de la aleación In1-xGaxAsyP1-y para que tenga
una banda prohibida (bandgap) de 1.560 um. Donde Q(A1-xBxCYD1-Y)
Bibliografía