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Informe de laboratorio 3
Integrantes:
Jaime Malpica
Gustavo Mendoza
Richard Sempertegui
Profesor:
Ramiro Moro
Asistente:
Jose Avalos
Fecha de Entrega:
01/10/2017
2017-II
El Transistor de Efecto de Campo (JFET)
Objetivos
1. Verificar el principio de operación del JFET y MOSFET por medio de la generación de
las curvas características del dispositivo.
4. Explicar, a través de los modelos teóricos del FET MOSFET, así como los
conocimientos de circuitos eléctricos, el comportamiento del transistor, para
compararlos con la teoría presentada en el curso, y con los valores obtenidos usando el
simulador Multisim.
En el caso del JFET de canal-n, se aplica un voltaje entre la compuerta (gate) y la fuente
(source), denominado VGS, de polaridad negativa, que causa la formación de una región
de agotamiento, lo que reduce la apertura del canal de conducción entre la fuente y el
drenador (drain). Conforme se el voltaje VGS se hace más negativo, se llega a un potencial
en el que el canal se cierra o estrangula que llamamos voltaje de estrangulamiento VP
(pinch-off voltage).
A diferencia de los transistores bipolares, en los FET usamos un voltaje de entrada para
controlar la corriente de salida ID del transistor. Además, la función de transferencia de
transconductancia (VGS versus ID) es una función cuadrática.
𝐼𝐼 = 0 𝐼 𝐼𝐼 = 𝐼𝐼
Preparación
Este laboratorio guiará al estudiante a generar las curvas características de salida y
de transconductancia del JFET de canal n. Además, se experimentará su uso como
amplificador de pequeña señal, para lo cual será necesario determinar
experimentalmente el punto de operación del mismo y verificar su operación en la
región de saturación.
Equipos y Materiales
Equipamiento:
o IBM PC o compatible
o Sistema NI ELVIS II+
o 1 multímetro digital
o 2 puntas de prueba para el osciloscopio
Componentes:
Software:
- MultiSim
Seguridad
Antes de empezar el experimento, dedique unos minutos a la lectura de las notas sobre
seguridad en el laboratorio, incluidas en el documento que acompaña al primer
laboratorio de este curso.
Haga el trabajo de construcción de los circuitos sin aplicar voltaje y revise todas las
conexiones antes de conectar el voltaje al circuito. Si tiene dudas, solicite al profesor
o asistente de laboratorio que revise el circuito antes de energizarlo.
Procedimiento:
Parte A: determinación de la curva característica de salida del JFET
Circuito 1 armado
c) Fije VGS=0V y varíe VDS desde 0V hasta 15V para llenar la 1ª columna de la
Tabla 1.
NOTA: si la fuente VGG no puede llegar a 0V, desconecte dicha fuente y coloque un cortocircuito entre la
compuerta (G) y tierra en su lugar.
d) Repita el paso (c) para cada uno de los valores de VGS de las columnas de
la Tabla 1 hasta llenarla por completo.
g) Compare los resultados con y sin CS. ¿Qué diferencia observa en el punto de
operación? ¿Qué diferencia observa en la ganancia? Explique.
RPTA: La diferencia más notoria está en los valores de los voltajes obtenidos. Se estima
que se debe a que una simulación brinda valores bajo circunstancias ideales (sin ruido,
sin fallos e los valores de las resistencias, etc) . La ganancia sin embargo, resultó
diferente en ambos casos, mas no por una diferencia abismal.
Parte C: Simulación
a)Simule el circuito de la Figura 2 usando Multisim usando RL=10kW y registre los
valores del punto de operación y de la ganancia de voltaje obtenidos por el simulador
para ambos casos (con y sin CS). Registre sus resultados en las Tablas 4 y 5.
b) Compare lo obtenido en la parte (a) con los valores medidos en la Parte B. Explique.
Explicación: Al ser esta una simulación usando Software se puede observar de acuerdo
a los datos una mayor ganancia con respecto a las mediciones obtenidas en el circuito
real (armado en el laboratorio). Esto se debe principalmente a distintas pérdidas y
valores no exactos de los cuales se hizo uso en el armado del circuito (resistencias con
margen de error, capacitores con los valores de capacitancia no exactas, fuentes de
voltaje AC y DC con pequeños incrementos o decrecimientos y por el mismo
comportamiento del transistor).
a) Mida el voltaje VDS variando el voltaje de entrada VGS (lo cual conseguirá variando
el potenciómetro RG). Use la Tabla 6 para registrar sus mediciones, y tome nota
que deberá obtener los valores de voltaje indicados. Luego esboce una gráfica
usando VGS en el eje horizontal y VDS en el eje vertical.
11 1.7 0.1
10 1.97 0.2
9 2.14 0.3
8 2.29 0.4
7 2.42 0.5
6 2.53 0.6
5 2.64 0.7
4 2.74 0.8
3 2.84 0.9
2 2.94 1
1 3.08 1.1
VT = 1.7 voltios.
Av = 1.2 = 1.58 dB
El circuito de la Figura 3 puede usarse como amplificador, para lo cual hay que agregarle
un circuito de polarización que otorgue el VGS,Q necesario. Una forma es como se
muestra en la Figura 5.
e) Encuentre los valores de RG1 y RG2 para polarizar el MOSFET según lo que
obtuvo en la parte (c). Note que no hay solución única. Use su criterio para
escoger una solución. Como referencia, usar valores altos para esas resistencias
produce una alta impedancia de entrada, lo cual es usualmente algo bueno, pero
aumenta la sensibilidad al ruido, lo cual es siempre malo. Construya el circuito y
mida los valores del punto de operación obtenido (cuando la fuente de señal es
cero). Nota: tome en cuenta que debe usar valores estándar de resistencias, es
decir, sólo aquellos que estén disponibles y/o combinaciones de ellos.
f) Tal como hizo en el caso del JFET, use el osciloscopio para medir la ganancia de
voltaje del amplificador con MOSFET. Use una señal de entrada de 10mVp-p.
Compare esta ganancia con la obtenida en la parte (d). recuerde que la señal a la
salida no debe estar distorsionada para que su medición sea válida. Compare esta
ganancia con aquella típicamente obtenida de BJTs en emisor común.
Observaciones:
1. En el segundo experimento al generador de funciones se le tuvo que colocar un
voltaje pico-pico de 30v y no de 25v como se mandaba en las especificaciones del
experimento debido a que el ELVIS no permitía valores menores a 30.
Conclusiones:
1. Se comprobó que cuando se le aumenta un Voltaje drain source en un JFET la
corriente drain aumenta de forma curva y no recta respecto al voltaje gain source
como se ve en la teoría.
2. El condensador Cs permite al JFET tener una mejor ganancia de amplificación.
3. En el MOSFET se comprobó que la corriente circula únicamente entre el drain y
la fuente y esta varía dependiendo del voltaje gain source.
Rúbrica
Documentos de Evaluación
Requiere No
CRITERIOS DE EVALUACIÓN Excelente Bueno
Mejora aceptable
LABORATORIO
Prueba de entrada 6 4 2 0
INFORME O TEST
ACTITUDES
Comentario al alumno:
DESCRIPCIÓN DE LA EVALUACIÓN