UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

**FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA**

CURSO: DISPOSITIVOS Y COMPONETES ELECTRÓNICOS

EXPERIMENTO N° 01.

Características básicas del diodo

semiconductor.
Informe Previo:
I. OBJETIVOS:
 Conocer las características de los diodos a utilizar en esta experiencia.
 Conocer las características de los diodos semiconductores.
 Comprender el concepto de resistencia dinámica.
 Comprender el concepto de corriente de polarización directa.
 Concepto de corriente de polarización inversa.

II. MARCO TEÓRICO:

De acuerdo a los manuales encontrados tenemos los siguientes diodos.

 DIODO 6A6:
 Es un rectificador pasivado de vidrio con caja de plástico moldeado y
terminales estañados con soldadura pura.
 La banda de color indica la polaridad del extremo del cátodo.
 Alta capacidad de corriente.
 Alta fiabilidad.
 Alta capacidad de corriente de
sobretensión.
 Baja pérdida de potencia.
 Voltaje de tensión de ruptura: 600 V
 Corriente promedio máxima: 6 A
 Tensión directa máxima: 950 Mv.
 Corriente directa transitoria máxima:
250 A
 Temperatura de trabajo máxima:
150°C
 Estilo de la carcasa del diodo: Axial
 DIODO ITT020:

 Es un diodo de silicio que posee las

siguientes características:
 Disipar una potencia máxima de 2w.
 Voltaje de ruptura máxima de 200v.
 Peso de 0.4gramos.
 Temperatura ambiental de:50°C

 DIODO P600B:

 Es un Rectificador de silicio
 de recuperación estándar de 2 A a 10 A
 Diodos de potencia de recuperación estándar versátiles y de alta eficacia en
tipos de encapsulado estándar del sector.
 Diodos y rectificadores, Vishay semiconductor.
 Caída de tensión directa máxima:1.3V
 Temperatura máxima de funcionamiento 150°C
 Corriente transitoria máxima:400A
 DIODO BY127:

 Un diodo BY127 es de germanio,

capaz de soportar 1250 voltios
como voltaje inverso antes de
fallar.
 Corriente de sobretensión:
 Puede soportar 30 amperios que
pasan a través del diodo de 8,3
milisegundos.
 Voltaje directo:
 Conduce un amplificador de
corriente eléctrica si el voltaje en
el ánodo es 1,1 voltios mayor que
la tensión en el cátodo.
 El rango de temperatura de operación y de almacenamiento que se puede
utilizar en el BY127 es entre -55 y 150 grados Celsius (o -67 a 302 grados
Fahrenheit).

 DIODO ECG109:

 Es un diodo de germanio de pequeña

señal de uso general. El dispositivo de alta
conductancia con buenas características
de conmutación para circuitos de baja
impedancia, alta resistencia-alta
conductancia para un acoplamiento
eficiente, sujeción y servicio de matriz,
recuperación de impulsos directa e
inversa para aplicaciones de impulsos
críticos.
 Corriente continua recurrente de 325 mA.
 Voltaje de pico de 100V.
 Corriente de fuga inversa máxima de 100μA y 80mW disipación de potencia
promedio.
 DIODO ECG110A

Baja caída de voltaje hacia adelante.
 Bajo consumo de energía.
 Nivel de ruido muy bajo.

Valores máximos absolutos: (TA = + 25 ° C a
menos que se especifique lo contrario)
 Tensión de reversa máxima 30V.
 Corriente máxima de avance 150mA.
 Disipación de potencia promedio 80mW.
Rango de temperatura de funcionamiento
–65°C a +85°C

 RESISTENCIA DINÁMICA:
 Concepto: A la entrada se le aplica una entrada senoidal. La entrada variable
moverá el punto de operación instantáneo hacia arriba y hacia abajo una serie
de características por lo tanto se define como un cambio especifico de la
corriente y voltaje. Sin ninguna variable aplicada, el punto de operación sería el
punto Q que aparece en la figura1.27, determinado por los niveles de corriente
directa aplicados. La designación del punto Q se deriva de la palabra
quiescente, que significa ¨fijo o invariable¨.
Una línea recta trazada tangente a la curva desde el punto Q como muestra la figura
definirá un cambio particular de voltaje y corriente que se puede utilizar para
determinar la resistencia de ca o dinámica en esta región de las características del
diodo. Se deberá hacer un esfuerzo por mantener el cambio de voltaje y corriente lo
más pequeño posible e equidistante a ambos lados del punto Q.

𝚫𝑽𝒅 𝑻𝑨
𝒓𝒅 = =
𝚫𝑰𝒅 𝑲 𝑽𝒅
Dónde:

 𝚫 indica un cambio finito de la cantidad.

 Cuanto más inclinada sea la pendiente , menor será el valor de 𝚫𝑽𝒅 con el mismo
cambio de 𝚫𝑰𝒅 y menor es la resistencia.
 CORRIENTE DE POLARIZACION DIRECTA:

 Si ahora aplicamos a dicha unión una tensión exterior de signo contrario a la barrera
de potencial interna, ésta irá disminuyendo en anchura. A mayor tensión aplicada
externamente corresponderá una barrera interna menor y podremos llegar a
conseguir que dicha barrera desaparezca totalmente.
En este momento los electrones (portadores mayoritarios) de la zona N están en
disposición de pasar a la zona P. Exactamente igual están los huecos de la zona P que
quieren "pasar" a la zona N.

--- ----o

zona P zona N
barrera interna de
potencial

 CORRIENTE DE POLARIZACION INVERSA:

 En polarización inversa la parte n tiene una tensión positiva aplicada con respecto de
la p. La barrera de potencial se ve aumentada en dicha cantidad viéndose, por tanto,
muy reducidas las corrientes de difusión. Por otra parte, la anchura de la zona de
agotamiento aumenta. El resultado es que únicamente una pequeña corriente inversa
o de pérdidas atraviesa el dispositivo. Se dice que el diodo está cortado.
  TENSIÓN DE PICO INVERSO:
 Sucede cuando una tensión o voltaje inverso se le aplica sobre un diodo ideal, este no
conduce corriente, pero todos los diodos reales presentan siempre una fuga de
corriente muy pequeña de unos pocos micros amperios. Esto puede despreciarse en la
mayoría de circuitos, pero sería mucho más pequeña comparado con la corriente que
fluye en el sentido directo. Sin embargo, todos los diodos tienen un máximo voltaje o
tensión inversa (usualmente entre 50V a mas) si esto sucede el diodo fallara y dejara
pasar corriente en dirección inversa, que se llamara ruptura.

III. PROCEDIMIENTO:

1. Usando el ohmímetro, medir las resistencias directas e inversas del diodo de silicio.
Registrar los datos en la Tabla N° 01.

2. Armar el circuito de la figura 1.

2.1. Ajustando el voltímetro con el potenciómetro, observar y medir la corriente y el
voltaje directo del diodo, registrar los datos.

2.2. Invertir el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de los instrumentos,

procede como en los datos de la Tabla N° 03.
IV. RESULTADOS:
 Usando el diodo 6A6 de silicio.

Tabla N° 01

R. directa R. inversa
99.954 ohm 99.995 ohm

Mediante el
PROTEUS
realizamos el
experimento
de
RESISTENCIA
DIRECTA.

Mediante el
PROTEUS
realizamos el
experimento
de
RESISTENCIA
INVERSA.
  Circuito de un diodo de silicio:

Tabla N° 02.

Vcc(v) 0.344v 0.384v 0.453v 0.504v 0.614v 0.724v 1.004v 1.539v 2.057v 2.57v
Id(mA.) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 10.0 15.0 20.0
Vd.(v) 0.33v 0.36v 0.4v 0.42v 0.45v 0.47v 0.5v 0.53v 0.55v 0.57v

Tabla N° 03.

Vcc(v) 0.0 2v 4v 6v 8v 10v 12v 15v 20v

Id(mA.) 0 0.01 0.03 0.05 0.07 0.09 0.11 0.14 0.19
Vd.(v) 0v 0.55v 0.59v 0.61v 0.62v 0.63v 0.64v 0.65v 0.67v
  Circuito de un diodo de germanio:
 Usando el diodoOA202 de germanio.

Tabla N° 04.

R Directa. R. Inversa
100ohm 100ohm

Para un
circuito con
un diodo de
Germanio.

Resistencia
Directa e
Inversa

V. CONCLUSIONES:

 Con los resultados que planteamos teóricamente y experimentado en el

PROTEUS notamos que la resistencia del diodo es:
(R. Directa < R. Inversa)

 También notamos que la corriente aumenta en proporción a la cantidad

de tensión entrante en el circuito, así como también el voltaje del diodo.
 Se puede también desprender que para los diodos de germanio (Ge) es
de 0.3V y para los diodos de silicio (Si) es de 0.7V. además el voltaje
aplicado a los diodos deben ser mayores a estos valores indicados para
su buen funcionamiento
VI. REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS:

 BOYLESTAD – TEORÍA DE CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS.

 MANUAL DE DIODOS DE LA FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA.
 JESÚS GAMIZ PEREZ Y JUAN BAUTISTA ROLDÁN ARANDA - DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS.
 ARTUR LEMUEL ALBERT – ELECTRÓNICA Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS.
 ALEXANDER – SADIKU – FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS.