Transistores Bipolares de Junção O nome transistor vem

(BJT) da frase “transferring

an electrical signal
across a resistor

TE214 Fundamentos da Eletrônica

Engenharia Elétrica

Plano de Aula Contextualização

• Contextualização • Onde os transistores bipolares são usados?

• Objetivo
• Definições e Estrutura
• Características Tensão-Corrente
• Modos de Operação
• Aplicações Básicas
• Conclusões
• Veja mais exemplos em: www.nxp.com  bipolar
transistors  application notes
Objetivo
• Visão geral sobre os transistores bipolares
• Compreender seus diferentes modos de
operação
• Conhecer algumas aplicações básicas
Definições
• O BJT é um dispositivo de 3 terminais
– Dois tipos diferentes: npn e pnp.
• Os símbolos do BJT e seus diagramas de bloco correspondentes:
• Os BJTs tem 2 junções (fronteira entre as regiões n e p).
Questões Chave
• Qual a estrutura de um transistor bipolar?
• Como uma transistor de junção bipolar opera?
• Quais são as principais dependências das
correntes de terminal de um BJT no regime ativo
direto?
Estrutura
• Por enquanto é suficiente dizer que a estrutura mostrada na figura
anterior não é simétrica.
• As regiões n e p são diferentes tanto geometricamente quanto em
termos de concentração de dopagem.
• Por exemplo, a concentração de dopagem no coletor, base e
emissor devem ser 1015, 1017 e 1019 respectivamente.
• Portanto, o comportamento do dispositivo não é eletricamente
simétrico e as duas terminações não podem ser permutados.
Atividade Extra-Classe: Ler sobre a estrutura do BJT. Sedra, Cap.5,
Sec. 5.1 a 5.3 / Boylestad Cap.3, Sec. 3.1 a 3.3
Estrutura Modos de Operação

• Como cada junção possui dois modos de polarização (direta ou

reversa), o BJT com suas duas junções têm 4 modos possíveis de
operação.
– Ativa Direta: dispositivo tem boa
isolação e alto ganho  regime mais
útil;

– Saturação: dispositivo não tem

isolação e é inundado com
portadores minoritários). Leva tempo
para sair da saturação  evitar!

– Ativa Reversa: ganho baixo  pouco

útil;

– Corte: corrente desprezível: quase

um circuito aberto  útil;

Operação no Modo Ativo Direto Operação no Modo Ativo Direto

• Considerando o circuito abaixo:

– A junção Base-Emissor (B-E)

é polarizada diretamente

– A junção Base-Coletor (B-C)

é polarizada reversamente.

– A corrente através da junção

B-E está relacionada a
tensão B-E por:

iE  I S (eVBE VT
 1)
Operação no Modo Ativo Direto Operação no Modo Ativo Direto

• Devido as grandes diferenças de dopagem das regiões A tensão entre dois terminais controla a
do emissor e da base, os elétrons injetados na região da
base (da região do emissor) resulta na corrente do corrente através do terceiro terminal.
emissor (iE).

• Além disso o número de elétrons injetados na região do

coletor é diretamente relacionado aos elétrons injetados Este é o princípio básico do BJT!
na região de base a partir da região do emissor. (efeito transistor)!
• Portanto, a corrente de coletor está relacionada a
corrente do emissor que é conseqüentemente uma iC controlada por vBE, independente de vBC
função da tensão B-E.

Operação no Modo Ativo Direto Operação no Modo Ativo Direto

• A corrente de coletor e a corrente de base estão • e equivalentemente 

iC  iE
relacionadas por: 1 
iC  iB
• A fração  é chamada de α e iE pode ser escrita como:
e aplicando a LCK obtemos: 1  I
v BE
iE  S e VT

iE  iC  iB • Para transistores de interesse, β = 100 que corresponde a α = 0.99 e
iC  iE
• Então, das equações anteriores, o relacionamento entre
• BJTs estado-da-arte atuais: iC ~ 0,1 − 1mA, β ~ 50 − 300.
as correntes de emissor e base:
β depende da largura da região
iE  (1   )iB da base e das dopagens • β é difícil de controlar rigorosamente. Técnicas de projeto de circuito
relativas das regiões da base e são necessárias para insensitividade à variações em β.
do emissor.
Operação no Modo Ativo Direto
• Modelo de circuito equivalente
Características Tensão-Corrente
• Três tipos diferentes de tensões envolvidas na
descrição de transistores e circuitos. São elas:
– Tensões das fontes de alimentação:VCC e VBB
– Tensões nos terminais dos transistores:VC , VB e VE
– Tensões através das junções: VBE , VCE e VCB
Operação no Modo Ativo Direto
• A direção das correntes e as polaridades das
tensões para NPN e PNP.
Características Tensão-Corrente
• Os 3 terminais dos transistores e as duas junções,
apresentam múltiplos regimes de operação
• Para distinguir estes regimes, temos que olhar as
características tensão-corrente do dispositivo.
• A característica mais importante do BJT é a o traçado da
corrente de coletor (IC) versus a tensão coletor – emissor
(VCE), para vários valores da corrente de base IB.
Características Tensão-Corrente Características Tensão-Corrente

• Curva característica qualitativa do BJT.

• Região de Corte (cutoff):
• O gráfico indica as 4 regiões de operação: saturação, junção Base-Emissor é
corte, ativa e ruptura. polarizada reversamente. Não
há fluxo de corrente.
• Região de Saturação: junção
Base-Emissor polarizada
diretamente, junção Coletor-
Base é polarizada
diretamente.IC atinge o
máximo, que é independente
de IB e β. Sem controle. VCE <
VBE
• Região Ativa: junção Base-
Emissor diretamente
polarizada, junção Coletor-
Base polarizada reversamente.
Controle, IC = β IB . VBE < VCE <
VCC
• Região de Ruptura
(Breakdown): IC e VCE
excedem as especificações.
Dano ao transistor.

Aplicações do BJT Aplicações do BJT

• Como Chave • Como Chave (cont.)

– Se a tensão vi for menor que a tensão necessária para – Se a tensão vi aumenta de modo que a tensão VBE polariza
diretamente a junção BE, o transistor ligará e
polarização direta da junção EB, então IB=0 e o
transistor está na região de corte e IC=0. Como IC=0, a vi  VBE
queda de tensão sobre RC é 0 e então Vo=VCC . IB 
RB

– Uma vez “ligado”, ainda não

sabemos se ele está operando
na região ativa ou saturação
Aplicações do BJT Aplicações do BJT

• Como Chave (cont.) • Como Chave (cont.)

– Entretanto, aplicando LTK no laço C-E, temos: – Equação da linha de carga:

ou VCC  I C RC  VCE  0 VCE  VCC  I C RC

VCE  VCC  I C RC

– A equação acima é a equação

da linha de carga para este
circuito.

– Note que VCE = Vo

Aplicações do BJT Aplicações do BJT

• Lógica Digital • Exercício: Lógica Digital

– Circuito inversor básico
– Para o circuito abaixo, complete a tabela lógica
– Se a tensão vi for zero (baixa) o
transistor está na região de
corte, a corrente IC=0 e a tensão
Vo=VCC (alta).

V1 V2 Vo
– Por outro lado, se a tensão vi for
Alto Baixo
alta, igual a VCC, por exemplo, o
Baixo Alto
transistor é levado a saturação e Este circuito é a base para
a saída é igual a VCE(sat) que é construirmos qualquer Baixo Baixo

baixa. outra operação lógica. Alto Alto

Aplicações do BJT
• Como Amplificador
– O circuito inversor básico também forma
o circuito amplificador básico.
– A curva de transferência de tensão
(tensão de saída em função da tensão
de entrada) é a caracterização
fundamental de um amplificador
Aplicações do BJT
• Como Amplificador (cont.)
– Curva de transferência de tensão
Aplicações do BJT
• Como Amplificador (cont.)
– Curva de transferência de tensão
– Note a grande inclinação da
curva no modo ativo.
– Uma pequena mudança na
tensão de entrada vi induz uma
grande mudança na tensão de
saída Vo – uma amplificação.
Principais Conclusões
• O emissor “injeta” elétrons na base
• O coletor “coleta” elétrons da base
• A base “injeta” lacunas no emissor
• IC controlada por VBE, independente de VBC (efeito
transistor)
• Modo Ativo Direto: mais útil, dispositivo tem ganho e
isolação.
• Saturação: dispositivo inundado com portadores
minoritários. Não é útil.
• Corte: dispositivo aberto. Útil.
Referências Próxima Aula

• SEDRA, A. S. e SMITH, K. C., Microeletrônica, 5a. • Circuitos para polarização de BJTs

Edição, Makron Books, 2005. • Análise DC

• BOYLESTAD, R. L. e NASHELSKY, L., Dispositivos

Eletrônicos e Teoria de Circuitos, 6a. Edição, Editora
PHB, 1998.