ESCUELA SUPERIOR POLITECNICA DEL LITORAL

FACULTAD DE INGENIERÍA MECÁNICA Y CIENCIAS DE LA PRODUCCIÓN

Jonathan Jaime Gallegos Silva
PROYECTO DE ELECTRONICA

Transistor MOSFET

1) OBJETIVOS

 Construir experimentalmente la curva de transconductancia de un E-MOSFET

 Realizar una comparación entre los datos obtenidos con los datos de fabricante

2) INTRODUCCIÓN

Este proyecto se lo realizó con un transistor Mosfet IRF540 el cual nos ayudó junto con un potenciómetro
para poder construir la curva de transconductancia. La comprensión de los conocimientos adquiridos en
clase a través de la práctica son una manera para en si ver como funciona un elemento en este caso el
transistor, la medición de corriente y voltaje deben ser indispensable en un profesional el saber como
medir dichos datos, la importancia de resaltar esto es que la ingeniería mecánica abarca un amplio campo
de estudio y es bueno tener un conocimiento considerable sobre la electrónica que esta demás decir que
es una materia interesante.

3) DATOS

Para la realización del proyecto se utilizó con la ayuda de los siguientes materiales:

 transistor Mosfet IRF540

 Potenciómetro
 Cables jumper
 Multímetro
 Fuente de poder DC variable
 Protoboard

Luego se de conectar el circuito de la siguiente manera para posteriormente tomar los datos requeridos:

Fig 2. Circuito real en protoboard

Fig 1. Circuito MOSFET

 VGS (V) ID (mA)
ID VS VGS
3,1 0,01
1.4
3,2 0,02
3,3 0,04 1.2
3,4 0,09 1
3,5 0,18
0.8
3,6 0,36
3,7 0,51 0.6
3,8 0,7 0.4
3,9 0,85
0.2
4 1,02
4,1 1,15 0
4,2 1,28 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
Tabla 1. Datos Medidos
Gráfica 1. Corriente Vs Voltaje

Gráfica 2. Gráfica del fabricante

4) RESULTADOS

Se obtuvo como resultado de la resistencia mediante el 𝑉𝐷𝑆 junto con la Corriente máxima que obtuvimos
de manera experimental de la siguiente manera:

𝑉𝐷𝑆 0.46
𝑅𝑜𝑛 = =( )
𝐼𝐷 01.28
𝑅𝑜𝑛 =0.36 Ω
 5) CONCLUSIONES

Como se puede observar las dos graficas muestran similitud por lo que se asemeja mi grafica obtenida con
la de fabricante, con lo que se puede decir que efectivamente hemos podido comprobar de forma real el
comportamiento del transistor para diferentes valores de voltajes.

A pesar de que los datos no sean tan precisos pudimos cumplir el objetivo ya que nuestro transistor tenía
medidas que se alteraban por que aumentaba su temperatura y por ende interfería en la medida.

Como se puede observar en la tabla de resultados, la corriente aumenta conforme se aumenta el voltaje que
está entrando al circuito siguiendo la tendencia que llegara a un punto máximo del cual ya se tornara una
constante.

6) REFERENCIAS
http://www.asifunciona.com/fisica/af_diodos/af_diodos_3.htm
http://serbal.pntic.mec.es/srug0007/archivos/electronica/CURVA_PRACTICA_DIODO_1N4007.
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