Eletronica Digital

ELETRÔNICA E LABORATÓRIO
DE ELETRÔNICA II
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Meu nome é Moisés Fernando Vincenso, sou licenciado

em Engenharia Elétrica com ênfase em Eletrotécnica e
Eletroeletrônica pelas Faculdades Integradas Einstein de Limeira
(FIEL). Possuo pós-graduação em Administração de Empresas
pela Fundação Getúlio Vargas (FGV). Atualmente, sou professor
de Eletrônica, Laboratório de Eletrônica e Controle Dinâmico
nas Faculdades Claretianas de Rio Claro.
E-mail: moisesvincenso@claretianorc.com.br
Moisés Fernando Vincenso
ELETRÔNICA E LABORATÓRIO
DE ELETRÔNICA II
Batatais
Claretiano
2017
© Ação Educacional Claretiana, 2016 – Batatais (SP)
Todos os direitos reservados. É proibida a reprodução, a transmissão total ou parcial por qualquer
forma e/ou qualquer meio (eletrônico ou mecânico, incluindo fotocópia, gravação e distribuição
na web), ou o arquivamento em qualquer sistema de banco de dados sem a permissão por escrito
do autor e da Ação Educacional Claretiana.
Reitor: Prof. Dr. Pe. Sérgio Ibanor Piva

Vice-Reitor: Prof. Dr. Pe. Cláudio Roberto Fontana Bastos
Pró-Reitor Administrativo: Pe. Luiz Claudemir Botteon
Pró-Reitor de Extensão e Ação Comunitária: Prof. Dr. Pe. Cláudio Roberto Fontana Bastos
Pró-Reitor Acadêmico: Prof. Ms. Luís Cláudio de Almeida
Coordenador Geral de EaD: Prof. Ms. Evandro Luís Ribeiro
CORPO TÉCNICO EDITORIAL DO MATERIAL DIDÁTICO MEDIACIONAL

Coordenador de Material Didático Mediacional: J. Alves
Preparação: Aline de Fátima Guedes • Camila Maria Nardi Matos • Carolina de Andrade Baviera
• Cátia Aparecida Ribeiro • Dandara Louise Vieira Matavelli • Elaine Aparecida de Lima Moraes
• Josiane Marchiori Martins • Lidiane Maria Magalini • Luciana A. Mani Adami • Luciana dos
Santos Sançana de Melo • Patrícia Alves Veronez Montera • Raquel Baptista Meneses Frata •
Simone Rodrigues de Oliveira
Revisão: Eduardo Henrique Marinheiro • Filipi Andrade de Deus Silveira • Rafael Antonio
Morotti • Rodrigo Ferreira Daverni • Vanessa Vergani Machado
Projeto gráfico, diagramação e capa: Bruno do Carmo Bulgarelli • Joice Cristina Micai • Lúcia
Maria de Sousa Ferrão • Luis Antônio Guimarães Toloi • Raphael Fantacini de Oliveira • Tamires
Botta Murakami
Videoaula: André Luís Menari Pereira • Bruna Giovanaz • Marilene Baviera • Renan de Omote
Cardoso
INFORMAÇÕES GERAIS
Cursos: Graduação
Título: Eletrônica e Laboratório de Eletrônica II
Versão: dev./2017
Formato: 15x21 cm
Páginas: 197 páginas
SUMÁRIO
CONTEÚDO INTRODUTÓRIO
1. INTRODUÇÃO.................................................................................................... 9
2. GLOSSÁRIO DE CONCEITOS............................................................................. 13
3. ESQUEMA DOS CONCEITOS-CHAVE................................................................ 16
4. REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS...................................................................... 17
5. E-REFERÊNCIAS................................................................................................. 17
Unidade 1 – AMPLIFICADORES DIFERENCIAIS

1. INTRODUÇÃO.................................................................................................... 21
2. CONTEÚDO BÁSICO DE REFERÊNCIA.............................................................. 21
2.1. VANTAGEM DA AMPLIFICAÇÃO DIFERENCIAL DE SINAIS.................... 22
2.2. ANÁLISE CA PARA PEQUENOS SINAIS DE UM AMPLIFICADOR
EMISSOR COMUM COM BJT.................................................................... 25
2.3. AMPLIFICADOR DIFERENCIAL COM BJT EM PEQUENOS SINAIS.......... 32
2.4. COMPORTAMENTO DO AMPLIFICADOR DIFERENCIAL
COM BJT EM GRANDES SINAIS................................................................ 36
2.5. AMPLIFICADOR DIFERENCIAL COM CARGA ATIVA................................ 38
SOURCE COMUM COM MOSFET............................................................. 47
2.7. ESPELHOS DE CORRENTE COM MOSFET................................................ 51
2.8. AMPLIFICADOR DIFERENCIAL COM MOSFET EM PEQUENOS SINAIS. 53
COM MOSFET EM GRANDES SINAIS....................................................... 60
2.10. AMPLIFICADOR DIFERENCIAL COM MOSFET E CARGA ATIVA........... 61
3. CONTEÚDO DIGITAL INTEGRADOR................................................................. 65
3.1. VANTAGEM DA AMPLIFICAÇÃO DIFERENCIAL DE SINAIS .................... 65
EMISSOR COMUM COM BJT.................................................................... 65
3.3. AMPLIFICADOR DIFERENCIAL COM MOSFET EM PEQUENOS
SINAIS ....................................................................................................... 66
4. QUESTÕES AUTOAVALIATIVAS........................................................................ 66
5. CONSIDERAÇÕES ............................................................................................. 67
6. E-REFERÊNCIAS................................................................................................. 68
Unidade 2 – AMPLIFICADORES OPERACIONAIS (AOPS OU OPAMPS)

1. INTRODUÇÃO.................................................................................................... 71
2.1. RETIFICADORES DE PRECISÃO COM OPAMP......................................... 72
2.2. COMPARADORES SCHIMITT TRIGGER.................................................... 77
2.3. GERADORES DE ONDA DENTE DE SERRA............................................... 83
2.4. CONTROLADORES P, I, D E PID COM OPAMP......................................... 95
3.1. AMPLIFICADORES OPERACIONAIS – UFLA............................................. 110
3.2. CIRCUITOS RETIFICADORES E GRAMPEADORES................................... 111
3.3. ESTUDO DE CONTROLADORES ELETRÔNICOS BÁSICOS VIA
AMPLIFICADORES OPERACIONAIS.......................................................... 111
5. CONSIDERAÇÕES ............................................................................................. 113
6. E-REFERÊNCIAS................................................................................................. 113
Unidade 3 – CIRCUITOS DE POTÊNCIA E ESTÁGIOS DE SAÍDA

1. INTRODUÇÃO.................................................................................................... 117
2.1. CIRCUITOS RETIFICADORES NÃO CONTROLADOS................................ 118
2.2. CIRCUITOS RETIFICADORES CONTROLADOS......................................... 135
2.3. CONTROLE DE POTÊNCIA PARA CARGAS AC.......................................... 145
2.4. CONTROLE PWM – PULSE WIDTH MODULATION................................. 152
2.5. AMPLIFICADORES CLASSE D................................................................... 159
3.1. CIRCUITOS RETIFICADORES CONTROLADOS E NÃO CONTROLADOS . 162
3.2. CONTROLE PWM – PULSE WIDTH MODULATION................................. 163
3.3. AMPLIFICADORES CLASSE D................................................................... 163
5. CONSIDERAÇÕES ............................................................................................. 164
6. E-REFERÊNCIAS................................................................................................. 166
Unidade 4 – CIRCUITOS PRÁTICOS E GERADORES DE FORMAS DE ONDA

COM CI555
1. INTRODUÇÃO.................................................................................................... 169
2.1. CIRCUITO ANALÓGICO-DIGITAL (CI) 555................................................ 170
2.2. MULTIVIBRADOR MONOESTÁVEL COM 555......................................... 176
2.3. MULTIVIBRADOR BIESTÁVEL COM 555................................................... 181
2.4. MULTIVIBRADOR ASTÁVEL COM 555...................................................... 182
3.1. MULTIVIBRADOR MONOESTÁVEL COM 555.......................................... 194
3.2. MULTIVIBRADOR ASTÁVEL COM 555...................................................... 194
3.3. CIRCUITO ANALÓGICO-DIGITAL (CI) 555................................................ 195
5. CONSIDERAÇÕES ............................................................................................. 196
6. E-REFERÊNCIAS................................................................................................. 197
Conteúdo––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––
Amplificador Diferencial com Transistor Bipolar (BJT) e Operação a grandes e peque-
nos sinais. Par diferencial com carga ativa e utilizando Transistores de Efeito de Campo
(FETs). Estágios de saída e circuitos de potência. Tipos de estágios de saída, Amplifica-
dor Operacional (OPAMP) Ideal e Real. Circuitos com OPAMP. Geradores de forma de
onda. Circuitos osciladores, Circuitos práticos com o CI 555.
––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––
Bibliografia Básica
ASHFAQ, A. Eletrônica de potência. São Paulo: Pearson Prentice Hall do Brasil, 2000.
BOYLESTAD, R. L.; NASHELSKI, L. Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos. 8. ed. São
Paulo: Pearson Prentice Hall do Brasil, 2004.
PERTENCE JR., A. Eletrônica Analógica – amplificadores operacionais e filtros ativos:
teoria, projetos, aplicações e laboratório. 6. ed. Porto Alegre: Bookman, 2003.
Bibliografia Complementar
BATES, D. J.; MALVINO, A. Eletrônica. 7. ed. São Paulo: Mcgraw Hill, 2007. v. 1.
CRUZ, E. C. A.; CHOUERI JR., S. Eletrônica aplicada. São Paulo: Érica, 2007.
KAUFMAN, M. Eletrônica básica. São Paulo: McGraw-Hill do Brasil, 1984.
TURNER, L. W. Eletrônica aplicada. São Paulo: Hemus, 2004.
WIRTH, A. Eletricidade e Eletrônica básica. Rio de Janeiro: Alta Books, 2007.
7
É importante saber
Esta obra está dividida, para fins didáticos, em duas partes:
Conteúdo Básico de Referência (CBR): é o referencial teórico e prático que deverá
ser assimilado para aquisição das competências, habilidades e atitudes necessárias
à prática profissional. Portanto, no CBR, estão condensados os principais conceitos,
os princípios, os postulados, as teses, as regras, os procedimentos e o fundamento
ontológico (o que é?) e etiológico (qual sua origem?) referentes a um campo de
saber.
Conteúdo Digital Integrador (CDI): são conteúdos preexistentes, previamente se-
lecionados nas Bibliotecas Virtuais Universitárias conveniadas ou disponibilizados
em sites acadêmicos confiáveis. É chamado "Conteúdo Digital Integrador" porque é
imprescindível para o aprofundamento do Conteúdo Básico de Referência. Juntos,
não apenas privilegiam a convergência de mídias (vídeos complementares) e a leitu-
ra de "navegação" (hipertexto), como também garantem a abrangência, a densidade
e a profundidade dos temas estudados. Portanto, são conteúdos de estudo obrigató-
rios, para efeito de avaliação.
8 © ELETRÔNICA E LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA II

1. INTRODUÇÃO
Caro aluno, seja bem-vindo!

Iniciamos nossos estudos em Eletrônica por meio da obra
Eletrônica e Laboratório de Eletrônica I, na qual você aprendeu
sobre a construção e o princípio funcional dos componentes ele-
trônicos construídos com materiais semicondutores dopados,
como diodos, diodos zeners, transistores bipolares (BJTs), tran-
sistores FETs (JFETs e MOSFETs) e, também, os CIs Amplificadores
Operacionais (OPAMPs).
Para compreender esses componentes, você viu alguns
circuitos básicos, como chaves de estado sólido, amplificadores
lineares, reguladores de tensão com diodos zeners e circuitos
práticos com OPAMPs.
Dando continuidade ao assunto, você conhecerá, nesta
obra, os principais conteúdos de Eletrônica e Laboratório de Ele-
trônica II.
Aprofundaremos muitos dos conceitos e circuitos já estu-
dados e agregaremos novos circuitos e aplicações para facilitar
seu entendimento. Dessa forma, salvo exceções, não nos de-
teremos aos detalhes funcionais dos componentes eletrônicos
discretos. No entanto, esses conceitos serão fundamentais para
esta nova etapa.
Por isso, sempre que necessário sugerimos que você re-
corra ao conteúdo estudado anteriormente, para que não haja
nenhuma lacuna.
© ELETRÔNICA E LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA II 9

Em resumo, neste material, estudaremos conceitos mais

completos e aprofundados, os quais serão a base para seu en-
tendimento e, especialmente, para a realização e construção de
projeto de circuitos e equipamentos eletrônicos.
A Eletrônica e Laboratório de Eletrônica II se dividirá em
quatro unidades.
Anteriormente, você estudou, de maneira resumida, os
Amplificadores Diferenciais com a finalidade de compreender o
conceito de entrada diferencial para o estudo dos OPAMPs.
Neste material, na Unidade 1, retomaremos o estudo des-
ses circuitos, que podem ser construídos com transistores bi-
polares (BJTs) e com transistores FETs. Mesmo com transistores
diferentes (BJTs e FETs), a finalidade do circuito em cada caso é
a mesma, ou seja, amplificar a diferença de tensão encontrada
entre as entradas do AD (Amplificador Diferencial).
É evidente que um AD construído com BJT tem caracterís-
ticas diferentes das de um circuito construído com um transistor
FET, como a impedância de entrada, a impedância de saída, o
ganho diferencial, RRMC etc. Por isso, será relevante conhecer as
equações que regem o funcionamento desses ADs com ambos
os tipos de transistor. Além disso, analisaremos os circuitos em
pequenos e em grandes sinais.
Nesta unidade, trataremos, também, dos espelhos de cor-
rente construídos com transistores, conceitos necessários para
compreensão dos Amplificadores Diferenciais com Carga Ativa.
Diante disso, será necessário abordar, também, alguns te-
mas referentes aos transistores, como a transcondutância, a im-
pedância de entrada e a impedância de saída.

Na Unidade 2, retomaremos o estudo dos Amplificadores

Operacionais (AOPs e OPAMPs) com maior profundidade. Para
isso, serão abordados mais exemplos práticos de circuitos cons-
truídos com os OPAMPs, que estão fortemente presentes na ins-
trumentação e na automação e controle.
Um exemplo disso são os controladores PID, que são utili-
zados para controlar os mais diferentes processos dentro da in-
dústria, como pressão, vazão, temperatura, posição, velocidade,
torque, controle de dosagem de elementos químicos etc.
Atualmente, temos controladores PID microprocessados
que empregam até mesmo sistemas de sintonia automática,
pois, em alguns casos, a sintonia manual é difícil e demanda
um tempo muito grande. Contudo, controladores PID menos
sofisticados, mas, em alguns casos muito eficientes, podem ser
facilmente construídos com CIs analógicos, como é o caso dos
OPAMPs.
Como a eletrônica de potência, os OPAMPs podem nos au-
xiliar na elaboração de circuitos PWM (Pulse Widht Modulation –
Controle por Largura de Pulso). Os circuitos PWM são utilizados
para realizar o controle de potência de diversos equipamentos
com um mínimo de perda de energia, ou seja, alta eficiência.
Além disso, também abordaremos os circuitos osciladores
com OPAMP, como os osciladores de onda dente de serra, por
exemplo.
Seguindo, na Unidade 3, veremos os Circuitos de Potência
e Estágios de Saída, que são os equipamentos eletrônicos que
efetivamente convertem a energia elétrica em uma outra forma
de energia para utilização final, como, por exemplo, energia elé-
trica em sonora, luminosa, magnética, térmica, cinética, entre
outras, e possuem uma ou mais etapas de potência.

Essas etapas de potência podem ser divididas em circuitos

de entrada e saída. Os circuitos de entrada normalmente com-
preendem circuitos retificadores de onda completa não contro-
lados, cuja função é converter a tensão alternada proveniente
da rede de alimentação em tensão contínua para uso de outras
etapas e circuitos do equipamento.
Já os circuitos de saída, para atender as mais diversas fi-
nalidades, compreendem vários tipos de estágios de potência,
como amplificadores de sinal lineares, classes A, B, AB, C, e D,
circuitos de chaveamento, circuitos PWM, Choppers etc.
Os circuitos de potência, como os circuitos de chaveamen-
to por PWM, por exemplo, também podem fazer parte das fon-
tes de alimentação dos equipamentos eletrônicos, trabalhando
em conjunto com os circuitos retificadores, como no caso dos
equipamentos que empregam, em vez de fontes de alimentação
convencionais, fontes chaveadas que se caracterizam por serem
mais leves, eficientes e menos custosas.
Finalmente, na Unidade 4, estudaremos os Circuitos Práti-
cos e Geradores de Forma de Onda com o CI 555.
O CI 555 é um circuito integrado muito versátil, que está
presente em uma infinidade de circuitos desde a década de
1970, podendo desempenhar diversos papéis e, por isso, está
fortemente presente no ramo industrial.
Esse pequeno circuito integrado é muito útil no projeto de
circuitos temporizadores e, devido à possibilidade de trabalhar
na configuração monoestável e em conjunto com circuitos de
potência, pode fazer o controle de motores, bancos de resistên-
cia, iluminação, entre outros.

Na configuração astável, trabalha como um gerador de

sinal onda quadrada, cuja frequência de oscilação pode ser fa-
cilmente controlada por componentes externos e, com isso, é
possível obter um gerador de frequência variável. Essa configu-
ração é especialmente útil na geração de sinais de frequências
audíveis, criando a possibilidade de construir, por exemplo, pe-
quenos bips e alarmes sonoros.
Outra possibilidade importante na configuração astável,
além de poder gerar sinais de frequências variáveis, é a de que
podemos também ter sinais com períodos High e Low diferentes,
ou seja, um oscilador assimétrico. Como podemos controlar o
tempo em que o sinal gerado permanece no semiciclo positivo
e negativo, essa configuração se torna útil na elaboração de cir-
cuitos PWM.
2. GLOSSÁRIO DE CONCEITOS
O Glossário de Conceitos permite uma consulta rápida e
precisa das definições conceituais, possibilitando um bom domí-
nio dos termos técnico-científicos utilizados na área de conheci-
mento dos temas tratados.
1) Entrada Diferencial: quando nos referimos a um de-
terminado ponto ou terminal, como a entrada de um
circuito, isso significa que os sinais elétricos a serem
processados são aplicados nesse ponto com referên-
cia a um elemento comum do circuito, na maioria das
vezes, o GND. Já uma entrada diferencial refere-se a
dois terminais de entrada, sendo que a cada um deles
pode ser aplicado um sinal diferente com referência
também ao GND. No entanto, os circuitos que pos-
suem entrada diferencial são construídos de forma a

processar a diferença de tensão existente entre esses

dois terminais.
2) Chaveamento: é um termo bastante comum e está
normalmente associado à ação de um componente ou
circuito de ativar, ligar ou comutar, de uma maneira
bem específica, uma fonte de energia a um outro ele-
mento ou circuito. Esse termo engloba e é mais abran-
gente do que as funções desempenhadas pelas chaves
de estado sólido, na verdade, os circuitos de chavea-
mento podem ser compostos, entre outros elementos,
de uma ou mais chaves de estado sólido.
3) Circuito de Potência: é caracterizado por trabalhar
com altos níveis de corrente, tensão ou ambos, se
comparado às demais etapas de um equipamento.
Normalmente, os circuitos de potência são constituí-
dos de grandes transistores, diodos ou tiristores co-
mumente dotados de dissipadores de calor devido às
perdas de energia que ocorrem nesses componentes.
Esses circuitos são responsáveis por quase toda a ener-
gia consumida por um equipamento.
4) Circuito Integrado: com a finalidade de tornar os equi-
pamentos eletrônicos mais compactos e eficientes,
muitos circuitos clássicos são miniaturizados e encap-
sulados em um único invólucro. É o caso, por exemplo,
dos OPAMPs, Flip-Flops, memórias de computador,
microcontroladores, processadores e tantos outros. A
maioria dos equipamentos que possuímos atualmen-
te, especialmente na eletrônica digital, seria totalmen-
te inviável caso não existissem os Circuitos Integrados.
No interior de um CI podemos ter um gigantesco nú-

mero de resistores, diodos, transistores e capacitores

de pequeno valor.
5) Pequenos Sinais: para a análise e interpretação do
comportamento de um circuito, como, por exemplo,
um amplificador, além da análise em Corrente Contí-
nua, fazemos a análise de pequenos sinais AC. Peque-
nos sinais são considerados aqueles que dentro de seu
range de variação de amplitude não provocam uma
mudança de comportamento significativa do circuito,
ou seja, o circuito irá oferecer, por exemplo, o mesmo
ganho e a mesma resposta, seja ela linear ou não, para
qualquer condição desse sinal de entrada. Dessa for-
ma, uma vez modelado, podemos transformar o cir-
cuito em um bloco com uma função de transferência
única e conhecida.
6) Grandes Sinais: o oposto do item anterior pode ser dito
sobre os grandes sinais, pois eles provocam, dentro de
seu range de variação de amplitude, uma mudança de
comportamento no circuito que os está processando
que não pode ser desprezada. A análise de um circuito
para grandes sinais é muito importante, por exemplo,
para os Amplificadores Diferenciais. Os grandes sinais
podem provocar o corte ou a saturação de um ampli-
ficador, por exemplo. Isso quer dizer que um circuito
com uma modelagem ruim pode provocar distorções
excessivas no sinal de entrada. Mesmo que o sinal em
questão não chegue a saturar ou a colocar em corte o
circuito, no mínimo, teremos uma resposta diferente
para cada condição desse sinal, o que quase sempre é
indesejável.

3. ESQUEMA DOS CONCEITOS-CHAVE

O Esquema a seguir possibilita uma visão geral dos concei-
tos mais importantes deste estudo.
Figura 1 Esquema de Conceitos-chave de Eletrônica e Laboratório de Eletrônica II.

4. REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS
5. E-REFERÊNCIAS
BERTOLI, R. Â. Eletrônica (apostila). Campinas: Colégio Técnico de Campinas/
Unicamp, 2000. Disponível em: <www.acemprol.com/download/file.php?id=4835
>. Acesso em: 15 dez. 2016.

© ELETRÔNICA E LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA II
UNIDADE 1
AMPLIFICADORES DIFERENCIAIS
Objetivos
• Entender o princípio funcional dos Amplificadores Diferenciais (ADs).
• Conhecer as principais características de um Amplificador Diferencial.
• Distinguir as principais diferenças de um AD construído com BJT e um AD
construído com MOSFET.
• Analisar circuitos de Amplificadores Diferenciais que utilizam carga ativa.
• Conhecer as equações que regem o princípio funcional e o comporta-
mento dos ADs construídos com BJT e com MOSFETs.
Conteúdos
• Conceito básico de um Amplificador Diferencial.
• Vantagens dos Amplificadores Diferenciais em relação aos amplificadores
de uma entrada.
• Amplificadores Diferenciais construídos com BJT.
• Espelhos de corrente com BJT.
• Amplificadores Diferenciais com BJT e carga ativa.
• Equações dos Amplificadores Diferenciais com BJT.
• Amplificadores Diferenciais construídos com MOSFETs.
• Espelhos de corrente com MOSFET.
• Amplificador Diferencial com MOSFET e carga ativa.
• Equações dos Amplificadores Diferenciais com MOSFET.
• Análise em pequenos sinais e grandes sinais.
19
UNIDADE 1 – AMPLIFICADORES DIFERENCIAIS
Orientações para estudo da unidade

Antes de iniciar o estudo desta unidade, leia as orientações a seguir:
1) Para compreender a lógica operacional dos circuitos, são indispensáveis

o estudo dos conceitos básicos de eletricidade, como DDP, Corrente e Po-
tência, Fontes CC, Fontes e Sinais AC de diferentes formas de onda.
2) Também é necessário que você tenha domínio dos conceitos e das leis bá-
sicas, que envolvem a 1ª Lei de Ohm, a 2ª Lei de Ohm, a 1ª Lei de Kirchhoff,
e a 2ª Lei de Kirchhoff.
3) É essencial relembrar as equações básicas que regem o comportamen-

to e funcionamento dos transistores BJT e MOSFET, especificamente, o
conhecimento sobre circuitos amplificadores construídos com esses dois
tipos de transistores. Para tanto, você pode revisar as Unidades 2 e 3 de
Eletrônica e Laboratório de Eletrônica I.
4) Na Unidade 4 de Eletrônica e Laboratório de Eletrônica I, começamos a

estudar os ADs com BJT, caso necessário, revise o conteúdo.

1. INTRODUÇÃO
Como vimos, um Amplificador Diferencial é um circuito que
tem duas entradas e amplifica a diferença de tensão entre elas.
Segundo Pertence Jr. (2003, p. 249), “o amplificador diferencial
é um circuito que apresenta uma tensão CC diferencial de saída
(Vod) igual à tensão CC diferencial de entrada (Vid) multiplicada
por um fator de ganho (A)”.
Esses circuitos são compostos, basicamente, de dois tran-
sistores iguais e podem ser construídos com transistores bipola-
res (BJTs) ou com MOSFETs.
Em cada caso, teremos características de impedância de
entrada (ZI), impedância de saída (ZO), ganho diferencial (Ad),
ganho de modo comum (Ac) e Razão de Rejeição de Modo Co-
mum (RRMC) diferentes, podendo, também, de acordo com o
caso, possuir carga passiva ou carga ativa, o que será explicado
adiante nesta unidade.
Portanto, esses circuitos são a base para a construção dos
Amplificadores Operacionais, pois, internamente, um OPAMP
possui vários ADs.
2. CONTEÚDO BÁSICO DE REFERÊNCIA

O Conteúdo Básico de Referência apresenta, de forma su-
cinta, os temas abordados nesta unidade. Para sua compreensão
integral, é necessário o aprofundamento pelo estudo do Conteú-
do Digital Integrador.

2.1. VANTAGEM DA AMPLIFICAÇÃO DIFERENCIAL DE SINAIS
Um amplificador de uma única entrada, como, por exem-

plo, um Classe A – Emissor comum, está sujeito a algumas im-
perfeições. Por isso, um problema muito comum é a sujeição aos
ruídos e ripple da fonte de alimentação, e a consequência desse
problema é um sinal amplificado com ruído, que é intensificado
por cada etapa de amplificação do equipamento.
É comum em algumas mesas de som, por exemplo, ouvir-
mos, quando o volume é aumentado, um ruído grave caracterís-
tico da frequência da rede de alimentação (60Hz).
A Figura 1, a seguir, elucida esse efeito. Observe:
Figura 1 Sinal de saída do amplificador com ruído de fonte.

Como a fonte de alimentação não é perfeita, temos um

ruído presente na alimentação, e a variação de tensão causada
pelo ruído de fonte faz com que as correntes do transistor variem
juntamente com o ruído.
Quando um sinal é aplicado na entrada do circuito, jun-
tamente com ele amplificamos o ruído de fonte e teremos um
sinal de saída com essa perturbação. É evidente que as fontes
de alimentação são construídas de forma a apresentarem uma
tensão de saída constante e o mais livre possível de ruídos, o que
ameniza bastante esse problema.
Vejamos, agora, como se comporta o Amplificador Dife-
rencial, a partir da ilustração disposta na Figura 2, frente a esse
problema.
Figura 2 Sinal das saídas do Amplificador Diferencial.

Para entender o que ocorre basta recordar que, na ausên-

cia de sinal nas entradas diferenciais (E1 e E2), o que significa
que , o AD encontra-se em modo comum e, nesse caso,
as correntes nos dois transistores são as mesmas.
Suponhamos, então, que E1 e E2 estejam conectadas ao
GND (modo comum). Nessa situação, como as correntes são as
mesmas nos dois transistores, a mesma perturbação gerada pelo
ruído na saída S1 estará presente na saída S2, como mostra a
Figura 2.
Então, se, em vez de medir o sinal de saída referenciado ao
GND, medirmos de S1 para S2, teremos 0V, ou seja, ausência de
ruído.
Para completar esse efeito positivo, quando aplicamos um
sinal a ser amplificado na entrada E1, por exemplo, e conecta-
mos a entrada E2 na mesma referência do sinal de entrada (na
maioria das vezes o próprio GND), o AD estará em modo comum
para o ruído de entrada, pois o mesmo ruído presente em E2 é
somado à fonte de sinal que está conectada a E1 e, dessa manei-
ra, somente o sinal conectado à entrada E1 é amplificado pelo
AD.
O exemplo exposto representa uma das vantagens dos
ADs diante de um amplificador de única entrada. Nas demais
unidades deste material (2, 3 e 4), após compreender novos e
indispensáveis conceitos sobre o tema aqui na Unidade 1, você
conhecerá as equações que regem o comportamento dos ADs e
verificará que essa não é a única vantagem que eles possuem.

Antes de realizar as questões autoavaliativas propostas

no Tópico 4, você deve fazer as leituras propostas no Tópico
3.1. para aprofundar os conteúdos estudados nesta unidade.
2.2. ANÁLISE CA PARA PEQUENOS SINAIS DE UM AMPLIFICA�

DOR EMISSOR COMUM COM BJT
Antes de iniciar a análise dos Amplificadores Diferenciais

com BJT, você conhecerá o importante conceito de análise CA
(análise em corrente alternada) para pequenos sinais de um am-
plificador com BJT. Esse conceito será importante para o estudo
dos Amplificadores Diferenciais.
O objetivo dessa análise é determinar o comportamento
do circuito amplificador, do ponto de vista dos pequenos sinais
CA aplicados na entrada do amplificador. Além disso, ela permi-
te, entre outros parâmetros, determinar a impedância de entra-
da, a impedância de saída e o ganho de tensão do amplificador.
Vamos tomar como exemplo o amplificador emissor co-
mum com divisor de tensão na base da Figura 3:

Figura 3 Amplificador emissor comum com divisor de tensão na base.
O circuito da Figura 3 foi dimensionado com as regras

de polarização CC, que conhecemos em Eletrônica e Laborató-
rio de Eletrônica I. Nesse circuito, foram utilizados os seguintes
parâmetros:
• ICQ (corrente de coletor quiescente) = 25mA
• Βmin = 125
• VBE = 0,7V
• VRE = 0,1Vcc
• VRC = 0,5Vcc
• R2 = 0,1βmin x RE
• R1 = (VR1 / VR2) x R2
Para fazer a análise CA, devemos entender que na corrente
alternada os capacitores e as fontes de tensão se comportam
como curto-circuito. Então, podemos redesenhar o circuito por
essa ótica.

De acordo com Boylestad e Nashelsky (2004, p. 275), “a

análise CA para pequenos sinais começa com a remoção dos
efeitos de Vcc e a remoção dos capacitores de acoplamento”.
Figura 4 Amplificador emissor comum – Análise CA.
Podemos verificar que, do ponto de vista CA, a entrada de

sinal está ligada diretamente à base do transistor, os resistores
R1 e R2 encontram-se em paralelo, o resistor de emissor pode
ser eliminado devido ao efeito de curto-circuito realizado por C3,
e o resistor de coletor está em paralelo com os terminais coletor-
-emissor do BJT.
O próximo passo, então, é determinar o comportamen-
to do transistor, especificamente da junção base-emissor e dos
terminais coletor-emissor. A resistência incremental ou resis-
tência dinâmica da junção base-emissor é determinada por:
, onde:
• VT = Tensão térmica, aproximadamente 26mV a 25°C.

• IE = Corrente de emissor em CC.

A impedância de saída do transistor (terminais coletor-
emissor) pode ser determinada por: , onde:
• VA = Tensão Early, dada pelo datasheet.

• IC = Corrente de coletor em CC.
Calculando rBE:
Estamos considerando .
A impedância de saída do transistor foi obtida diretamente
pelo datasheet do BC547.
• rO = 45KΩ
Outro fato importante sobre o BJT é que na região ativa
ele pode ser representado por uma fonte de corrente, então, te-
remos uma fonte de corrente representada por , que no
nosso caso tem valor de 25mA.
Redesenhamos o circuito fazendo as considerações devi-
das sobre o BJT. Acompanhe:

Figura 5 Amplificador emissor comum – Análise CA – Comportamento do BJT.
Para determinar a impedância de entrada do amplificador

(Zi), é preciso calcular a impedância de base (ZBase) do tran-
sistor do ponto de vista do sinal de entrada (Vi). Sabemos que
. Dessa forma, podemos deduzir:
Nesse caso:
A impedância de entrada do amplificador (Zi) será dada

pela associação paralela de R1, R2 e ZBase:

A impedância de saída será dada pela associação paralela

do resistor de coletor (RC) com a impedância de saída equivalen-
te do transistor (rO).
Com a representação da Figura 5, é simples definirmos o

ganho de tensão do amplificador (AV). Veja:
O sinal de negativo nessa equação existe pelo fato de esse

amplificador defasar 180° o sinal de saída em relação à entrada.
Devido ao resistor de coletor ser comumente muito inferior
à impedância de saída do transistor (rO), é normal encontrarmos
nas literaturas um cálculo para o ganho de tensão dos
amplificadores que despreza a impedância de saída do transistor,
pois, em alguns casos, o efeito de rO complica bastante a análise
e praticamente não causa alterações significativas, observe:
Para Boylestad e Nashelsky (2004, p. 279) “[...] o efeito de

rO é deixar a análise muito mais complicada”.
Existe também um parâmetro que permite que calculemos
o ganho de tensão do circuito, que é a transcondutância do tran-
sistor (gm). A transcondutância relaciona a variação da corrente

de coletor com a variação da tensão base-emissor. É relevante

destacar que condutância é o inverso da resistência e a sua uni-
dade é S (SIEMENS).
• , para o nosso transistor:
Calculando o ganho de tensão pela transcondutância:
Calculamos, por fim, o circuito equivalente CA para peque-

nos sinais do amplificador emissor comum, observe:
Figura 6 Circuito equivalente CA – Amplificador emissor comum com BJT.

Podemos, com esse modelo, aplicar a fonte de sinal na
entrada do amplificador considerando sua resistência interna;
ao mesmo tempo, podemos aplicar uma carga na saída,
considerando também sua impedância e, dessa forma, obtermos
o ganho de tensão real do circuito para qualquer situação.

Após encontrar o circuito equivalente CA, podemos, então,

interpretar o amplificador como uma caixa fechada com sua en-
trada e sua saída, cujas características principais são conhecidas,
o que facilita muito a interpretação de grandes circuitos.

2.3. AMPLIFICADOR DIFERENCIAL COM BJT EM PEQUENOS

SINAIS
Com a base adquirida em seus estudos até aqui, agora

você já pode conhecer as equações que envolvem o Amplifica-
dor Diferencial com BJT e fazer sua análise em pequenos sinais.
Vamos trabalhar com o exemplo disposto na Figura 7, con-
siderando os seguintes valores para os componentes:
• β dos transistores = 100.
• VCC1 = VCC2 = 12V.
• Re1 = Re2 = 22Ω.
• RC1 = RC2 = 1500Ω.
• RE = 1500Ω.
• VA (Tensão Early) = -150V

Figura 7 Amplificador Diferencial com BJT.

Considerando que a tensão em modo comum para este AD
é 0V, ou seja, VE1 = VE2 = 0V, podemos calcular o valor da cor-
rente constante I0, proveniente da fonte de corrente composta
por Vcc2 e RE.
Para I0, temos a equação:
Com isso, a aproximação adotada para VBE é de 0,7V.

Sabendo I0, podemos calcular os valores das correntes de
emissor dos transistores (IE) para o AD em modo comum. Pelo
circuito, é possível verificar que , assim:

Como conhecemos IE em modo comum, calcularemos a

resistência dinâmica da junção base-emissor dos transistores,
que, como você já sabe, é dependente da tensão térmica (VT) e
da corrente de emissor.
Agora, já temos os dados para determinar os principais

parâmetros do AD, que são a impedância de entrada (Zi), a
impedância de saída (ZO), o ganho de diferencial (Ad), o ganho
de modo comum (AC) e o RRMC (Razão de Rejeição de Modo
Comum). Calcularemos cada um da seguinte forma:
• Cálculo da impedância de entrada do AD (lembrando
que ):
• Cálculo da impedância de saída do AD (do ponto de vis-

ta de uma carga conectada entre as duas saídas):
• Agora, determinaremos o ganho diferencial de tensão

(Ad) (lembrando que o ganho de tensão para um
amplificador emissor comum com BJT é: ):

Esse é o ganho de uma das saídas com referência ao GND.

Para Boylestad e Nashelsky (2004, p. 438) “se um sinal
de entrada é aplicado em uma entrada, com a outra entrada
conectada em GND, a operação é denominada "terminação
simples”.
Supondo que a entrada E2 esteja em 0V e à entrada E1
apliquemos 5mV, teremos na saída:
Neste momento é relevante recordar Eletrônica e

Laboratório de Eletrônica I, na qual você aprendeu que:
• E1 aumenta: S1 cai e S2 sobe na mesma proporção.
• E1 diminui: S1 sobe e S2 cai na mesma proporção.
• E2 aumenta: S2 cai e S1 sobe na mesma proporção.
• E2 diminui: S2 sobe e S1 cai na mesma proporção.
Se, em vez de retirarmos o sinal de S1 para o GND, o fizer-
mos de S1 para S2, teremos o dobro da variação de tensão e,
com isso, o dobro do ganho.
Além do ganho diferencial, existe no AD um ganho conhe-
cido como ganho de modo comum (AC), que faz com que a saída
do AD mude de valor sem que haja sinal diferencial nas entradas.
Essa tensão é considerada um erro e o AD deve ser projetado de
modo que esse ganho seja o menor possível.
O ganho de modo comum (AC) é dado pela equação:

A tensão obtida na saída do AD, proveniente do ganho de

modo comum, é denotada por VC e é dada por:
É desejável termos um ganho diferencial (Ad) alto e um ga-

nho em modo comum (AC) mais baixo possível.
A expressão que relaciona Ad com AC é conhecida como
RRMC (Razão de Rejeição de Modo Comum), normalmente dada
em dBs e determinada pela equação:
Quanto mais alta for essa razão de rejeição em modo co-

mum, melhor é nosso AD. Para o nosso circuito, nosso RRMC é:
As equações apresentadas até aqui representam os cálcu-

los dos principais parâmetros de um AD construído com BJT e
carga passiva, para pequenos sinais AC.

COM BJT EM GRANDES SINAIS
Trabalhar com o AD em pequenos sinais implica o fato de

que ambos os transistores estão operando na região ativa e que

a soma das correntes de emissor é sempre a mesma, indepen-

dentemente do sinal aplicado nas entradas do AD.
Já em grandes sinais, o sinal aplicado na entrada do AD tem
uma amplitude tão grande que faz com que um dos transistores
entre na região de corte.
Anteriormente, simulamos uma condição de sinal de en-
trada de 5mV. Para esse sinal e com o ganho do AD (25,906v/v),
tivemos uma variação de tensão nas saídas de 129,53mV. Esse
sinal de entrada pode ser considerado um pequeno sinal, pois
ambos os transistores continuaram a trabalhar na região ativa.
Vejamos o que ocorreria se um sinal de 214,35mV fosse
aplicado na entrada E1 (mantendo E2 em 0V) do AD, no exemplo
a seguir. Para essa análise, é importante ter a tensão nas saídas
S1 e S2 na ausência de sinal nas entradas (quando VE1 = VE2,
neste caso 0V).
Sabemos, então, que a tensão nas saídas será: :
Portanto, a variação na tensão de saída provocada por um

sinal de 214,35mV será:

Como sabemos, se VE1 aumenta, VS1 cai e VS2 sobe na

mesma proporção, então, com esse sinal de entrada em E1,
teremos nas saídas:
Podemos verificar que, com o ganho do nosso AD e com

esse sinal de entrada em E1, a saída S2 chegou a 12V. Como 12V
é o próprio valor de tensão da fonte VCC1, sabemos que nenhu-
ma queda de tensão pode haver em RC2 para que VS2 seja 12V, o
que se traduz em uma corrente de 0mA no coletor de Q2, e isso
significa que esse transistor entrou em corte.
Dessas informações, é possível concluir que os sinais com
amplitude de pico maiores que 214,35mV não provocarão ten-
sões em S2 superiores a 12V.
Com isso, teremos deformação no sinal amplificado. Po-
demos, então, considerar esses sinais como grandes sinais. Na
prática, não poderíamos trabalhar tão perto do ponto de corte
ou saturação dos transistores para garantir que os sinais amplifi-
cados não sejam deformados.
2.5. AMPLIFICADOR DIFERENCIAL COM CARGA ATIVA
Como aprendemos, o ganho diferencial do AD é direta-

mente proporcional ao resistor de coletor empregado:

Quando projetamos um AD, é desejado que o ganho dife-

rencial seja o maior possível e, para tanto, empregamos no cir-
cuito valores para RC bastante elevados.
Essa prática, apesar de muito simples, pode ser complica-
da quando se constroem os CIs (Circuitos Integrados), devido ao
tamanho reduzido dos elementos. Por isso, utilizamos, no lugar
dos resistores de coletor, transistores que trabalham na configu-
ração de espelho de corrente.
Espelho de corrente com BJT

Um espelho de corrente é um circuito que basicamente
possui duas malhas principais: por uma circula a corrente de re-
ferência (IRef) e, pela outra, circula uma corrente idêntica (I0) e
totalmente dependente da primeira. Conforme Boylestad e Na-
shelsky (2004, p. 436), “a corrente constante é obtida através
de uma corrente de saída que é o reflexo ou o espelho de uma
corrente desenvolvida sobre um lado do circuito”.
A Figura 8 mostra um circuito conceitual de um espelho de
corrente simples:
Figura 8 Espelho de corrente simples com BJT.

O princípio funcional baseia-se no fato de que, como a ten-

são nas bases dos transistores são iguais, pois, estão interligadas,
as correntes de base também serão iguais. Com isso, as correntes
de coletor de Q1 e Q2 são as mesmas e, então, I0 = IRef, onde:
• IRef: é a corrente de referência "que se deseja copiar–.
• I0: é a corrente espelho da corrente de referência.
É importante salientar que os transistores devem ser idên-
ticos e que esse circuito pode ser construído com transistores
NPN ou PNP.
O cálculo das correntes IRef e I0 para esse circuito é definido
de maneira resumida pela seguinte equação:
Várias considerações foram necessárias para chegarmos a

essa equação, entre elas, VBE = 0,7V, IC = IE, β dos transistores
elevados.
Não é complicado chegarmos à conclusão de que, na ver-
dade, IRef sempre será maior que I0, pois:
Isso significa que, na prática, I0 será:

Quanto maior o β dos transistores, menor será a diferença

entre as correntes.
Uma variação simples desse circuito pode ser obtida e
oferecerá uma precisão muito maior no espelho de corrente,
para isso, é adicionado um terceiro transistor.
Figura 9 Espelho de corrente com compensação de corrente de base.
O cálculo das correntes IRef e I0, de maneira resumida, será:
A diferença entre I0 e IRef em relação ao circuito anterior é

reduzida pela razão do ganho de corrente (β) do transistor Q3,
pois agora IRef será:

Podemos, então, empregar a equação simplificada com se-

gurança muito maior do que no circuito anterior.
Amplificador Diferencial com Carga Ativa através de espelho de

corrente
Agora que você conhece o princípio funcional de um circui-
to espelho de corrente construído com BJT, podemos partir para
o entendimento dos ADs com carga ativa, para isso, observe a
Figura 10, disposta a seguir.
A Figura 10 mostra o circuito de um AD construído com BJT
empregando carga ativa obtida por meio do espelho de corrente
simples:

Figura 10 Amplificador Diferencial com BJT e espelho de corrente simples.
Existem duas observações relevantes que devemos consi-

derar nesse circuito:
• Uma refere-se ao espelho de corrente empregando
transistores PNP. Devido ao sentido das correntes do
AD e da posição do espelho de corrente no circuito, a
estratégia correta é o emprego do espelho de corrente
com transistores PNP.
• A outra nos mostra que nesse circuito há uma única saí-
da (VS). A saída é obtida no terminal coletor de Q2, pois
a tensão no coletor de Q1 sempre será constante em
Vcc – 0,7V.

Todos os cálculos vistos anteriormente para o AD com BJT

são válidos para esse caso, no entanto, em vez de um resistor de
coletor, teremos uma resistência obtida por intermédio do es-
pelho de corrente. Essa resistência é a impedância de saída dos
transistores do espelho de corrente (r0).
Para efeitos didáticos, consideraremos esse espelho de
corrente como um circuito perfeito para todos os transistores do
circuito, além de considerarmos VA = - 150V, β = 100, VBE = 0,7V,
e em modo comum vamos adotar VE1 = VE2 = 0V.
Como no AD do exemplo anterior, calcularemos Zi, ZO, Ad,
Ac e RRMC.
Calculando a corrente I0, temos:
Correntes de emissor de Q1 e Q2:
A resistência dinâmica base-emissor de Q1 e Q2 é:

Calculando a impedância de entrada (Zi), temos:
Calculando a impedância de saída do AD (ZO):

Agora, precisamos descobrir a impedância de saída dos
transistores do espelho de corrente.
Como você viu, ao estudar a análise de amplificadores
emissor comum em pequeno sinal, a impedância de saída do
transistor é dependente da corrente de coletor.
Para efeitos didáticos, no cálculo da impedância de saída,
consideraremos iguais as correntes de coletor e emissor de Q1,
Q2, Q3 e Q4. Veja:
Finalmente, determinamos a impedância de saída do AD:
• Determinando o ganho diferencial (Ad):

• O ganho de modo comum (AC):
O ganho em modo comum está mais elevado do que o cal-

culado para o AD sem carga ativa disposto no exemplo do circui-
to ilustrado na Figura 7, mas o parâmetro que realmente impor-
tará será o RRMC. Observe:
O resultado obtido nesse exemplo pode ser considerado

melhor do que o do caso anterior, pois o RRMC, que é um dos
parâmetros que mede a qualidade do AD, é quase o mesmo para
os dois circuitos. Contudo este AD possui um ganho diferencial
muito maior que o AD da Figura 7 (AD com carga passiva).
Na prática, podemos encontrar algumas variações dos cir-
cuitos apresentados, o que irá lhes conferir características espe-
cíficas. No entanto, a finalidade e o conceito destes ADs são os
mesmos que vimos em nossos exemplos.


DOR SOURCE COMUM COM MOSFET
A exemplo do que fizemos com o BJT, vamos realizar a aná-

lise de um amplificador source comum com divisor de tensão no
gate, em pequenos sinais CA.
O conceito empregado é o mesmo: curto-circuito nos capa-
citores e nas fontes de tensão, substituindo o transistor por uma
fonte de corrente com uma impedância em paralelo que será a
impedância de saída do MOSFET, porém haverá algumas mudan-
ças devido às características do transistor, que, nesse caso, será
o MOSFET de Intensificação.
Vamos realizar a modelagem para pequenos sinais CA do
amplificador conforme ilustrado na Figura 11:
Figura 11 Amplificador Source Comum com MOSFET de Intensificação.

Esse circuito foi dimensionado com as regras de polariza-

ção CC, conforme visto anteriormente. Para tanto, foram utiliza-
dos os seguintes parâmetros:
• IDQ (corrente de dreno quiescente) = 3mA
• VGSQ (Tensão Gate-Source quiescente) = 10V
• VTH (Tensão de Limiar) = 3V
• ID ON (Corrente de dreno ligado) = 3mA
• VGS ON (Tensão Gate-Source ligado) = 10V.
• K (Constante do MOSFET, calculada) = 61,22uA/V2
Como sabemos, a impedância de entrada do MOSFET é vir-

tualmente infinita. Dessa forma, a fonte de sinal CA de entrada
enxergará somente os resistores R1 e R2.
Na saída, teremos uma fonte de corrente em paralelo com
a impedância de saída do MOSFET (rd ou rO) e com o resistor de
dreno (RD). O resistor de source deixa de existir devido ao efeito
de curto-circuito efetuado por C2.
Então, o circuito equivalente parcial será estabelecido da
seguinte forma:
Figura 12 Amplificador Source comum – Análise CA.

Para dar continuidade, precisamos calcular a impedância

de saída do MOSFET (rd), podendo utilizar um parâmetro des-
se transistor conhecido como admitância (yOS). Para Boylestad e
Nashelsky (2004, p. 335), “há uma impedância de saída do dreno
para a fonte rd, geralmente, fornecida nas folhas de dados como
admitância yOS”. Veja:
• VA = Tensão Early (dado pelo datasheet).

• ID = Corrente de dreno.
• yOS = Admitância (dado pelo datasheet).
Vamos assumir para este MOSFET yOS = 10uS, assim:
Com a impedância de saída do MOSFET, determinamos a

impedância de saída do amplificador:
Para determinar o ganho de tensão, é necessário conhecer

a transcondutância desse transistor. No MOSFET de intensificação
a transcondutância é dada pela equação:

• K = Constante do MOSFET (calculada ou via datasheet)

• VGSQ = Tensão Gate-Source Quiescente
• VTH = Tensão de Limiar.
Nesse caso, a transcondutância será:
Por isso, o ganho de tensão do circuito, será:
Nesta equação, o sinal de negativo representa a defasagem

de 180° no sinal de saída do amplificador.
Dessa forma, como ocorre com o BJT, podemos encontrar
uma equação para o cálculo do ganho de tensão que despreze a
impedância de saída do MOSFET:
Uma regra bastante usada em casos como esse diz que,

se a impedância de saída do transistor for igual ou maior a dez
vezes a resistência do resistor de dreno, a impedância de saída
do transistor pode ser desprezada no cálculo do ganho de ten-
são. Para a impedância de entrada, basta calcular a associação
paralela de R1 e R2:

Por fim, podemos desenhar o circuito equivalente a

pequenos sinais CA desse amplificador:
Figura 13 Circuito equivalente CA – Amplificador Source comum com MOSFET.
2.7. ESPELHOS DE CORRENTE COM MOSFET
Para iniciarmos a análise dos ADs com MOSFET, já de início,

será necessário conhecer os circuitos espelhos de corrente cons-
truídos com esses transistores.
A finalidade e o conceito funcional são os mesmos dos es-
pelhos de corrente construídos com BJT. Observe:
Figura 14 Espelho de corrente com MOSFET.

Neste circuito, assumimos que, se a tensão gate-source

é igual para os dois transistores e, se a tensão dreno-source de
cada transistor os coloca na região de saturação (VDS > (VGS -
VTH), então, teremos a mesma corrente de dreno nos dois MOS-
FETs. Desse modo, I0 será igual a IRef, no qual:
• IRef: é a corrente de referência "que se deseja copiar–.
• I0: é a corrente espelho da corrente de referência.
O cálculo de I0 e IRef para esse circuito pode ser definido de
maneira resumida pela equação:
• V GS = Tensão gate-source.
• VTH = Tensão de Limiar (dado pelo datasheet).
• K = Constante do MOSFET, calculada ou via datasheet.
A partir da dedução da corrente de referência, que é a cor-
rente de dreno do primeiro transistor, temos:
Ao observar a equação, podemos concluir que se trata de

uma equação de segundo grau e, como sabemos, essas equa-
ções possuem duas soluções matemáticas, contudo, somente
uma delas é verdadeira.
Como exemplo, vamos assumir um espelho de corrente
conforme ilustrado na Figura 14, com os seguintes parâmetros:
• Rd = 1600Ω
• Vcc = 20V
• VTH = 3V

• K = 61,22uA/V2
Substituindo os termos na equação anterior e colocando ID
em evidência, temos:
• ID1 = 22,643mA (solução impossível).

• ID2 = 4,986mA (solução correta).
A corrente IO será igual à corrente de referência (IRef), de-
terminada pelas características do MOSFET e pelo resistor de
dreno empregado (1600Ω), neste caso 4,986mA.
2.8. AMPLIFICADOR DIFERENCIAL COM MOSFET EM PEQUE�

NOS SINAIS
Para o estudo dos ADs utilizando MOSFET, vamos partir do

circuito básico disposto na Figura 15, no qual os componentes
de polarização já foram definidos. É relevante destacar que utili-
zaremos o transistor 2N7000 em todos os casos que possuem as
seguintes características inerentes à nossa análise:
MOSFET de Intensificação Canal N:
• VTH = 2,5V
2
• K  117, 2mA / V
• IDMAX = 200mAdc

É importante observar que qualquer analogia como o mo-

delo de AD construído como BJT é útil, se executada com cuidado.
Figura 15 Amplificador Diferencial com MOSFET de Intensificação.
Inicialmente, podemos verificar que possuímos uma fon-

te de corrente constante para o circuito, composto basicamente
pela fonte Vcc1 de 20V, os transistores Q1 e Q2 e o resistor R1
de 220Ω.
Anteriormente, aprendemos a calcular a corrente de refe-
rência para esse circuito pelo cálculo da equação a seguir:

Reorganizando os termos e deixando ID em evidência, te-

mos a equação de segundo grau para ID:
• ID1 = 83,43mA (solução incorreta, resultaria em VGS <

VTH).
• ID2 = 75,82mA (solução correta).
A corrente I0 do AD é igual à corrente de referência que

calculamos do espelho de corrente, aproximadamente 76mA.
Como sabemos, quando o AD está em modo comum, te-
mos as duas correntes de dreno do par diferencial iguais, então:
Com essa corrente (38mA) no par diferencial, teremos

nas saídas S1 e S2, quando em modo comum:
Aproximadamente Vcc / 2.

Todas as correntes inicialmente desejadas nesse circuito

somente existirão se a tensão em modo comum, presente nas
entradas E1 e E2, medida em relação ao GND for suficiente para
colocar os transistores Q2, Q3 e Q4 na região de saturação, pois:
Para que o MOSFET de Intensificação se encontre saturado,

é necessário que:
O valor da tensão gate-source do transistor Q2 da fonte de

corrente constante (espelho de corrente) é:
Dessa forma, o mínimo valor para VDS de Q2 para que ele

esteja saturado deve ser:
Empregando a equação da corrente de dreno para o

MOSFET na região de saturação, podemos encontrar a tensão
gate-source necessária para obter as correntes de dreno do par
diferencial que, neste caso, é 38mA:

A tensão mínima em modo comum para as entradas E1 e

E2 do AD, medida em relação ao GND, deverá ser, então:
Todo sinal de entrada aplicado nas entradas E1 ou E2 do

AD deve possuir esse valor mínimo de tensão calculado (3,89V).
Isso significa que, se quisermos aplicar um sinal de 0,1V na entra-
da E1, devemos somar a esse sinal 3,89V.
Assim, VE1 será 3,99V e VE2 deve manter-se em 3,89V, que
resultará em um sinal diferencial de 0,1V. Contudo, como dese-
jamos que o AD possa trabalhar com sinais de entrada AC, é ne-
cessária uma fonte de tensão mínima para polarização dos gates
do par diferencial em modo comum, superior a 3,89V.
Como a tensão fornecida pelo divisor de tensão formado
por R4 e R5 é 5V, temos um valor de tensão em modo comum
suficiente para que todos os transistores do circuito estejam
saturados.
Outro ponto importante sobre esse valor de tensão é que,
a partir do valor mínimo (3,89V), todo o excedente fornecido às
entradas E1 e E2 incidirá sobre VDSQ2, pois é o MOSFET Q2 quem
controla a corrente constante I0 variando a espessura do canal e
consequentemente sua resistividade.
Dessa forma, a tensão dreno-source de Q2 relacionada ao
divisor de tensão que polariza os gates dos transistores Q3 e Q4,
formado por R4 e R5, será:

Nessa etapa, temos todas as variáveis que precisamos

para determinar a impedância de entrada (Zi), a impedância
de saída (Zo), o ganho diferencial (Ad) e a razão de rejeição de
modo comum (RRMC).
• A impedância de entrada do AD (Zi) será definida pela
associação paralela de R4 e R5.
• A impedância de saída, do ponto de vista de uma carga

conectada entre as duas saídas, será:
• O ganho diferencial (de uma das saídas para o GND) é

dado por:
É importante lembrar-se de que é preciso considerar gm dos

transistores do par diferencial.
Supondo que a entrada E2 permaneça em 5V, que é a ten-
são em modo comum desse AD, e à entrada E1 sejam aplicados
esses mesmos 5V mais 5mV provenientes de uma fonte de sinal
externo, teremos, nas saídas, a seguinte variação de tensão:

O ganho em modo comum estará ligado aos resistores de

dreno do par diferencial e à impedância de saída do transistor
Q2 do espelho de corrente.
Vamos assumir para esse MOSFET yOS = 10uS, assim:
Agora, podemos determinar o ganho em modo comum:
Como aprendemos anteriormente, o ganho em modo co-

mum é indesejado e, nesse caso, devido às características da
fonte de corrente constante empregando MOSFETs, tivemos um
ganho em modo comum (Ac) virtualmente desprezível.
Nesse sentido, Boylestad e Nashelsky (2004, p. 441) afir-
mam que “[...] enquanto um Amplificador Diferencial produz
uma grande amplificação da diferença entre os níveis aplicados
em ambas as entradas, ele também deve fornecer uma pequena
amplificação do sinal comum a ambas as entradas–.
A razão de rejeição em modo comum será:

Nesse ponto, você deve ter percebido as diferenças mais

marcantes entre um AD construído com BJT e um AD construído
com MOSFET. Isso já nos dá um vislumbre de onde vale a pena
empregar um ou outro modelo.


COM MOSFET EM GRANDES SINAIS
No tópico anterior, simulamos uma condição de sinal de

entrada de 5mV para esse sinal e, com o ganho do nosso AD
(18,04v/v), tivemos uma variação de tensão nas saídas de 90,2mV.
Podemos considerar esse sinal de entrada como um pe-
queno sinal, pois os dois MOSFETs do par diferencial continua-
ram trabalhando na região de saturação.
Vejamos, agora, o que ocorreria se um sinal de 400mV (ob-
viamente com offset de 5V) fosse aplicado na entrada E1 (man-
tendo E2 em 5V) do AD da Figura 15.
Como sabemos, a tensão nas saídas S1 e S2 na ausência de
sinal diferencial, como calculamos, é 9,74V. A variação na tensão
de saída provocada por um sinal diferencial de 400mV seria:

Essa variação de tensão de 7,216V faria com que na saída

S1 tivéssemos:
Sem necessidade de uma análise mais detalhada, sabemos

que esse valor de tensão na saída S1 (2,524V) faria com que o
transistor Q2 saísse da região de saturação, pois VDS seria menor
que VGS – VTH.
Um sinal dessa amplitude (400mV) é considerado um gran-
de sinal para esse circuito, pois tiraria o par diferencial de um dos
limites do range de operação adequado.
Podemos deduzir que, em qualquer circuito amplificador,
o que inclui os ADs, temos uma faixa dinâmica de entrada admis-
sível e, se operarmos fora dela, o resultado é um sinal amplifica-
do, mas com distorções.
2.10. AMPLIFICADOR DIFERENCIAL COM MOSFET E CARGA

ATIVA
O conceito de AD construído com MOSFET e carga ativa é o

mesmo que vimos anteriormente com BJT. Os resistores de dre-
no são substituídos por um espelho de corrente construído com
transistores, nesse caso MOSFETs.
Nas equações do AD, substituímos, então, os resistores de
dreno do par diferencial por impedâncias de saída dos transisto-
res do espelho de corrente da carga ativa e, como sabemos, para
calcular a impedância de saída de um MOSTET, precisamos do
fator de admitância, que pode ser obtido pelo datasheet.

Figura 16 Amplificador Diferencial com MOSFET e carga Ativa.
A exemplo do que ocorreu com o circuito construído com

BJT, os transistores do espelho de corrente, que representam a
carga ativa, são canal P, enquanto que os transistores do par di-
ferencial são canal N. E agora também temos somente uma saída
(S).
Se construirmos um circuito como o ilustrado na Figura
16, com os mesmos componentes do AD anterior, substituindo
somente os resistores de dreno do par diferencial por uma carga
ativa construída com MOSFETs canal P, com admitância de 50uS,
teremos uma impedância dos transistores do espelho de corrente
de .

Para os MOSFETs do par diferencial, vamos assumir yOS =

10uS, assim:
Com os dados obtidos anteriormente, podemos determinar

os seguintes parâmetros.
• A impedância de entrada:
• A impedância de saída:
• O ganho diferencial:
É importante recordar que devemos considerar gm para os

transistores do par diferencial no cálculo do ganho Ad.

O ganho em modo comum estará ligado à impedância de

saída dos MOSFETs da carga ativa e à impedância de saída do
transistor Q2 do espelho de corrente constante.
A razão de rejeição em modo comum, será:
Chegamos ao final dos conteúdos desta unidade. Agora, é

essencial assistir ao vídeo complementar indicado a seguir.
Vídeo complementar ––––––––––––––––––––––––––––––––

Neste momento, é fundamental que você assista ao vídeo complementar.
• Para assistir ao vídeo pela Sala de Aula Virtual, clique no ícone Videoaula,
localizado na barra superior. Em seguida, selecione o nível de seu curso
(Graduação), a categoria (Disciplinar) e o tipo de vídeo (Complementar).
Por fim, clique no nome da disciplina para abrir a lista de vídeos.
• Para assistir ao vídeo pelo seu CD, clique no botão “Vídeos” e selecione:
Eletrônica e Laboratório de Eletrônica II – Vídeos Complementares –
Complementar 1.
––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

3. CONTEÚDO DIGITAL INTEGRADOR

O Conteúdo Digital Integrador representa uma condição
necessária e indispensável para você compreender integralmen-
te os conteúdos apresentados nesta unidade.
3.1. VANTAGEM DA AMPLIFICAÇÃO DIFERENCIAL DE SINAIS
Acerca dos Amplificadores Diferenciais, indicamos o ma-

terial didático do professor Nobuo Oki, que é bem abrangente,
explica as vantagens da amplificação diferencial de sinais e mos-
tra, com bastante detalhamento, as equações que envolvem os
Amplificadores Diferenciais com MOSFET.
• OKI, N. Amplificadores Diferenciais. Aula 8. 2013. Disponível
em: <http://www.feis.unesp.br/Home/departamentos/
engenhariaeletrica/pos-graduacao/aula_08-2013-26-03-
2013.pdf>. Acesso em: 23 ago. 2017.

DOR EMISSOR COMUM COM BJT
Sugerimos a leitura da apostila de professores da Univer-

sidade do Porto, que contém, de forma detalhada, a análise de
pequenos sinais de amplificadores transistorizados com BJTs e
FETs e o estudo dos ADs.
• FERREIRA, F. F; OLIVEIRA, P. de G.; TAVARES, V. G. Guia para
o estudo dos Amplificadores Diferenciais e multiandar.
[s.l.]: Universidade do Porto – Faculdade de Engenharia,
2004. Disponível em: <http://paginas.fe.up.pt/~fff/
eBook/ADM/ADM.html>. Acesso em: 23 ago. 2017.

3.3. AMPLIFICADOR DIFERENCIAL COM MOSFET EM PEQUE�

NOS SINAIS
O Prof. Seabra discorre em suas notas de aulas assuntos

como: valores de tensão em modo comum para que ADs com
MOSFETs operem no ponto quiescente desejado, tanto para os
MOSFETs do par diferencial, quanto para os MOSFETs do espelho
de corrente do circuito. Para saber sobre o assunto, acesse:
• SEABRA. Amplificadores Diferenciais com MOSFETs.
Aula 13. Engenharia de Sistemas Eletrônicos –
Escola Politécnica da Universidade de São Paulo.
Disponível em: <https://disciplinas.stoa.usp.br/
pluginfile.php/1746709/mod_resource/content/22/
PSI3322-A13.pdf>. Acesso em: 23 ago. 2017.
4. QUESTÕES AUTOAVALIATIVAS
A autoavaliação pode ser uma ferramenta importante para
você testar o seu desempenho. Se encontrar dificuldades em
responder às questões a seguir, você deverá revisar os conteú-
dos estudados para sanar as suas dúvidas.
1) Descreva resumidamente o que é um Amplificador Diferencial?
2) Qual é a importância desses circuitos?
3) Descreva as diferenças mais evidentes de um AD construído com BJT e um

AD construído com MOSFET.
4) O que representa a razão de rejeição em modo comum (RRMC)?
5) Com respeito à impedância de entrada, você daria preferência a um AD

construído com BJT ou MOSFET?

6) O que é um espelho de corrente? Como ele é construído?
7) O que podemos dizer a respeito da carga ativa?
8) Porque os circuitos espelho de corrente são importantes na elaboração de

CIs (Circuitos Integrados)?
5. CONSIDERAÇÕES
Com o estudo desta unidade, você adquiriu conceitos mui-
to importantes acerca da análise em pequenos sinais CA de am-
plificadores com BJT e MOSFETs. Evidentemente, vimos somente
um exemplo de amplificador com cada transistor, sendo eles:
emissor comum com BJT e divisor de tensão na base, e source
comum com MOSFET de intensificação com divisor de tensão
no gate. Contudo, esse conceito de análise pode ser empregado
para entender o comportamento de outras configurações de am-
plificadores com ambos transistores.
Ademais, essa análise nos possibilitou entender as equa-
ções que envolvem os Amplificadores Diferenciais e como surgi-
ram as equações que regem o comportamento desses ADs.
Podemos dizer que a capacidade de análise CA em peque-
nos sinais é um divisor de águas que marca o conhecimento de
um estudante iniciante em eletrônica e um profissional que já
passa a ter afinidade com circuitos e projetos.
Na próxima unidade, passaremos ao estudo dos Amplifica-
dores Operacionais com grau de detalhamento semelhante ao
desta unidade. Até lá!

6. E-REFERÊNCIAS
ALLDATASHEET.COM. BC547 Datasheet (PDF) – ON semiconductor. Disponível em:
<http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/11551/ONSEMI/BC547.html>.
Acesso em: 23 ago. 2017.
______. 2N4351 Datasheet (PDF) – calogic corporation. Disponível em: <http://pdf1.
alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/57101/CALOGIC/2N4351.html>. Acesso em: 23
ago. 2017.
______. 2N7000 Datasheet (PDF) – MOTOROLA. Disponível em: <http://pdf1.
alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/2842/MOTOROLA/2N7000.html> Acesso em:
25 mai. 2017.
BERTOLI, R. Â. Eletrônica (apostila). Campinas: Colégio Técnico de Campinas/Unicamp,
2000. Disponível em: <http://ppgel.net.br/uaisoccer/downloads/1272062682.pdf>.
Acesso em: 23 ago. 2017.
7. REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS
CRUZ, E. C. A.; CHOUERI JR., S. Eletrônica aplicada. São Paulo: Érica, 2007.

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ELETRÔNICA E LABORATÓRIO

Fazemos parte do Claretiano - Rede de Educação

Meu nome é Moisés Fernando Vincenso, sou licenciado

Reitor: Prof. Dr. Pe. Sérgio Ibanor Piva

CORPO TÉCNICO EDITORIAL DO MATERIAL DIDÁTICO MEDIACIONAL

Unidade 1 – AMPLIFICADORES DIFERENCIAIS

Unidade 2 – AMPLIFICADORES OPERACIONAIS (AOPS OU OPAMPS)

Unidade 3 – CIRCUITOS DE POTÊNCIA E ESTÁGIOS DE SAÍDA

Unidade 4 – CIRCUITOS PRÁTICOS E GERADORES DE FORMAS DE ONDA

8 © ELETRÔNICA E LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA II

Caro aluno, seja bem-vindo!

© ELETRÔNICA E LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA II 9

Em resumo, neste material, estudaremos conceitos mais

10 © ELETRÔNICA E LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA II

Na Unidade 2, retomaremos o estudo dos Amplificadores

© ELETRÔNICA E LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA II 11

Essas etapas de potência podem ser divididas em circuitos

12 © ELETRÔNICA E LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA II

Na configuração astável, trabalha como um gerador de

© ELETRÔNICA E LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA II 13

processar a diferença de tensão existente entre esses

14 © ELETRÔNICA E LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA II

mero de resistores, diodos, transistores e capacitores

© ELETRÔNICA E LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA II 15

3. ESQUEMA DOS CONCEITOS-CHAVE

Figura 1 Esquema de Conceitos-chave de Eletrônica e Laboratório de Eletrônica II.

16 © ELETRÔNICA E LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA II

© ELETRÔNICA E LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA II 17

Orientações para estudo da unidade

1) Para compreender a lógica operacional dos circuitos, são indispensáveis

3) É essencial relembrar as equações básicas que regem o comportamen-

4) Na Unidade 4 de Eletrônica e Laboratório de Eletrônica I, começamos a

20 © ELETRÔNICA E LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA II

2. CONTEÚDO BÁSICO DE REFERÊNCIA

© ELETRÔNICA E LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA II 21

2.1. VANTAGEM DA AMPLIFICAÇÃO DIFERENCIAL DE SINAIS

Um amplificador de uma única entrada, como, por exem-

Figura 1 Sinal de saída do amplificador com ruído de fonte.

22 © ELETRÔNICA E LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA II

Como a fonte de alimentação não é perfeita, temos um

Figura 2 Sinal das saídas do Amplificador Diferencial.

© ELETRÔNICA E LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA II 23

Para entender o que ocorre basta recordar que, na ausên-

24 © ELETRÔNICA E LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA II

Antes de realizar as questões autoavaliativas propostas

2.2. ANÁLISE CA PARA PEQUENOS SINAIS DE UM AMPLIFICA�

Antes de iniciar a análise dos Amplificadores Diferenciais

© ELETRÔNICA E LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA II 25

Figura 3 Amplificador emissor comum com divisor de tensão na base.

O circuito da Figura 3 foi dimensionado com as regras

26 © ELETRÔNICA E LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA II

De acordo com Boylestad e Nashelsky (2004, p. 275), “a

Figura 4 Amplificador emissor comum – Análise CA.

Podemos verificar que, do ponto de vista CA, a entrada de

• VT = Tensão térmica, aproximadamente 26mV a 25°C.

© ELETRÔNICA E LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA II 27

A impedância de saída do transistor (terminais coletor-

emissor) pode ser determinada por: , onde:

• VA = Tensão Early, dada pelo datasheet.

28 © ELETRÔNICA E LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA II

Figura 5 Amplificador emissor comum – Análise CA – Comportamento do BJT.

Para determinar a impedância de entrada do amplificador

A impedância de entrada do amplificador (Zi) será dada