Práctica Número 1

POLARIZACION TRANSISTOR CON FET

Carlos Andrés Cuji Cáceres
ccujic@est.ups.edu.ec
Universidad Politécnica Salesiana - Sede Cuenca
Ingeniería Electrónica.

Abstract—Para esta práctica se realizará la polarización de un

FET, teniendo distintas forma de polarizarlo. Realizando las
polarizaciones. Con el FET se trabajara con los diferentes literales
a mencionar.

Index Terms— regulador de voltaje, fuente, voltaje, FET,

MOSFET.

I. INTRODUCCIÓN

E n la presente práctica se procederá a realizar la polarización de los distintos

circuitos con transistores FET, mediante cálculos se procederá a realizar
el diseño para que su funcionamiento se dé a la mitad de la recta de carga
es decir, su VCE sea la mitad de su voltaje de alimentación.
Figura 1. Transistor FET

II. OBJETIVOS
El transistor es un dispositivo semiconductor que permite el
control y la regulación de una corriente grande mediante una
1. Diseñar, calcular y comprobar el funcionamiento.
señal muy pequeña; existen algunos tipos de transistores pero
nos enfocaremos en los transistores bipolares los cuales pueden
a) Polarización con fuente de G y fuente gen D.S.
ser tipo NPN o PNP.
b) Auto polarización con resistencia S.
c) Polarización con divisor de voltaje.
A1. Ventajas.
d) Polarización con fuente doble positiva y
negativa (preferencia simétrica). Su impedancia de entrada es extremadamente alta (típicamente
100M Ω o más). Su consumo de potencia es mucho más
2. Diseñar, calcular y comprobar el funcionamiento pequeño que la del BJT. Su velocidad de conmutación es mucho
de la polarización MOOSFET.
mayor que la del BJT. Es menos ruidoso que el BJT, esto lo
a) Para los 2 objetivos el punto de trabajo debe
hace idóneo para amplificadores de alta fidelidad. Es afectado
estar a la salida al centro de carga
en menor grado por la temperatura.

III. MARCO TEÓRICO
A. Transistores:
Los transistores de efecto de campo o FET (Field Effect
Transistor) son particularmente interesantes en circuitos
integrados y pueden ser de dos tipos: transistor de efecto de
campo de unión o JFET y transistor de efecto de campo metal-
óxido semiconductor (MOSFET).
Son dispositivos controlados por tensión con una alta
impedancia de entrada Figura 1. Ambos dispositivos se utilizan
en circuitos digitales y analógicos como amplificador o como
conmutador.
A2. Desventajas.
Su ganancia de voltaje es mucho menor que en el BJT. Es
susceptible al daño en su manejo, sobre todo el MOSFET. Su
ancho de banda o respuesta en frecuencia es menor que en el
BJT.
B. Los transistores tienen tres zonas de trabajo, las
cuales son:
B1. Corte.
No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de
Colector y Emisor también es nula. La tensión entre Colector y
Emisor es la de la batería. El transistor, entre Colector y Emisor
se comporta como un interruptor abierto.
𝐼𝐵 = 𝐼𝐶 = 𝐼𝐶 = 0
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝑏𝑎𝑡
B2. Saturación.
Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un
incremento de la corriente de colector considerable. En este
caso el transistor entre Colector y Emisor se comporta como un
interruptor cerrado. De esta forma, se puede decir que la tensión
de la batería se encuentra en la carga conectada en el Colector.
B3. Activa.
Actúa como amplificador. Puede dejar pasar más o menos
corriente.
Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturación se dice que
trabaja en conmutación. En definitiva, como si fuera un
interruptor.
La ganancia (ß) de corriente es un parámetro también
importante para los transistores ya que relaciona la variación
que sufre la corriente de colector para una variación de la
corriente de base. Los fabricantes suelen especificarlo en sus
hojas de características, también aparece con la denominación
hFE. Se expresa de la siguiente manera:
𝐼𝐶
𝛽=
𝐼𝐵
C. Funcionamiento del Transistor:
Un transistor puede tener 3 estados posibles en su trabajo
dentro de un circuito:
- En activa: deja pasar más o menos corriente.
- En corte: no deja pasar la corriente.
- En saturación: deja pasar toda la corriente.
Figura 2. Estados del transistor BJT.
C1. Funcionamiento en corte.
Si no hay presión de agua en B (no pasa agua por su tubería),
la válvula está cerrada, no se abre la válvula y no se produce
un paso de fluido desde E (emisor) hacia C (colector). La
válvula está en reposo y no hace nada.
C2. Funcionamiento en activa.
Si llega (metemos) algo de presión de agua por la base B, se
abrirá la válvula en función de la presión que llegue,
comenzando a pasar agua desde E hacia C.
C3. Funcionamiento en saturación.
Si llega suficiente presión por B se abrirá totalmente la
válvula y todo el agua podrá pasar desde el emisor E hasta
el colector C (la máxima cantidad posible). Por mucho que
metamos más presión de agua por B la cantidad de agua que
pasa de E hacia C es siempre la misma, la máxima posible
que permita la tubería. Si metiéramos demasiada presión
por B podríamos incluso estropear la válvula.
D. TRANSISTOR MOSFET 640
Un transistor Mosfet tiene 3 patillas. El mosfet conduce
corriente eléctrica entre dos de sus patillas cuando
aplicamos tensión en la otra patilla. Es un interruptor que se
activa por tensión.
Figura 3. Transistor mosfet 640
Un transistor pnp o npn (basados en la unión pn) hace lo
mismo, pero la diferencia es que en los npn o pnp la
conducción se produce cuando le llega una pequeña
corriente a la base, en el mosfet es por tensión, se activa
cuando ponemos a una tensión mínima en la patilla del
transistor llamada Gate.
Figura 4. Diagrama de un Transistor Mosfet.
 IV. MATERIALES E INSTRUMENTOS
𝐼𝐷
𝑉𝑔𝑠 = (1 − √ )
Para el desarrollo de esta práctica utilizamos los siguientes 𝐼𝐷𝑆𝑆
materiales.

• Multímetro 5.2𝑚𝐴
𝑉𝑔𝑠 = 3.57 (1 − √ )
• Transistores FET 10.4𝑚𝐴
• Transistor Mosfet
𝑉𝑔𝑠 = −1.04𝑉 = 𝑉𝑝
• Resistencia
• Protoboard
• Cables “Bananas”
𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝐷𝑆 12 − 6
V. DESARROLLO DE LA PRACTICA 𝑅𝐷 = = = 1.14 𝐾Ω
𝐼𝐷 5.2𝑚𝐴

𝑉𝑅𝐷 = 5.97
1. Diseñar, calcular y comprobar el funcionamiento de
los siguientes circuitos de polarización del transistor
FET obteniendo las gráficas de las rectas de carga y
puntos de trabajo. B. Auto polarización con resistencia S.
Cálculos.

A. Polarización con fuente de G y fuente D.S.

Figura 6. Circuito de auto

Figura 5. Polarización con fuente doble.
polarización con resistencia S.

𝐼𝐷 = 5.2 𝑚𝐴
𝐼𝐷𝐷 = 14.4 𝑚𝐴
𝑉𝑃 = 3.57𝑉 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 10.4 𝑚𝐴

𝑉𝑝 = −3.57 𝑉 → 𝑉𝑔𝑠 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑜𝑟𝑡𝑒

𝑉𝐷𝐷 12
𝑉𝐷𝑆 = = = 6𝑉
2 6 𝐼𝐷𝐷
𝐼𝐷𝑆𝑆 𝐼𝐷 =
𝐼𝐷 = = 5.2𝑚𝐴 2
2
𝑉𝐷𝐷 = 12 𝑉
𝑉𝑔𝑠 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝑝 𝑉𝑔𝑠
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 = )
𝑉𝑝
𝐼𝐷 = 5.2𝑚𝐴
𝑉𝑔𝑠 = −1.04 𝑉
 2 𝐼𝐷
𝑉𝑔𝑠 𝑉𝑔𝑠 = 𝑉𝑝 (1 − √ )
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) 𝐼𝐷𝑆𝑆
𝑉𝑔𝑠 𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒
𝑉𝑔𝑠 = −1.04
1.04 2
𝐼𝐷 = 0.4 𝑚𝐴 (1 − )
3.57
2
𝑉𝑔𝑠
𝐼𝐷 = 5.2 𝑚𝐴 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝐷 (1 − )
𝑉𝑔𝑠 (𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒)
1.04 2
𝐼𝐷 = 10.4𝑚𝐴 (1 − )
3.57
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆
𝑉𝑅𝐷 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐷𝑆 𝐼𝐷 = 5.2𝑚𝐴
𝑉𝑆 = 1.04

𝑉𝑆 1.04 𝑅2
𝑅𝑆 = = 𝑉𝐺 = ( ) 𝑉𝐷𝐷
𝐼𝐷 5.2𝑚𝐴 𝑅1 + 𝑅2
𝑅𝑆 = 200 1𝑀
𝑉𝐺 = 𝑥 12
11𝑀
𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝑅𝐷 − 𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝑅𝑆 = 0
𝑉𝐺 = 1.09𝑉
𝑉𝑅𝐷 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝑅𝑆

12 − 6𝑉 − 1.04 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆
𝑅𝐷 = 𝑉𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑔𝑠
5.2𝑚𝐴
𝑉𝑆 = 1.09 − (−1.04)
𝑅𝐷 = 953.84Ω = 1𝐾 𝑉𝑆 = 2.13𝑉

𝑉𝑆 = 𝐼𝐷 𝑥 𝑅𝑆
C. Polarización con divisor de voltaje.
𝑉𝑆 2.13
𝑅𝑆 = =
𝐼𝐷 5.2𝑚𝐴

𝑅𝑆 = 409.7𝑉

𝑉𝑅𝑆 = 2.13

𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝑅𝐷 − 𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝑅𝑆 = 0

Figura 7. Polarización con divisor de voltaje. 𝑉𝑅𝐷 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝑅𝑆

12 − 6 − 2.13
𝑉𝐷𝐷 = 12𝑉 𝑅𝐷 =
5.2𝑚𝐴
𝐼𝐷𝑆𝑆 = 10.4𝑚𝐴 𝑅𝐷 = 744.2 = 760
𝑉𝑝 = −3.57
𝑉𝑅𝐷 = 3.87𝑉
𝑅1 = 10𝑀
𝑅2 = 1𝑀
12
𝑉𝐷𝑆 = =6
2

𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = (1 − )
𝑉𝑃
 a) Para los 2 objetivos el punto de trabajo debe estar
a la salida al centro de carga

D. Polarización con fuente doble positiva y negativa 𝑉𝐷𝐷 = 8𝑉

(preferencia simétrica). 𝐼𝐷(𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜) = 6𝑚𝐴 → 𝑚𝑒𝑑𝑖𝑑𝑜
VGS(𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑎) = 4𝑣 → 𝑚𝑒𝑑𝑖𝑑𝑜

𝑅𝐺 = 𝑀𝐺
𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐺𝑆
𝑉𝐷𝑆 = 4𝑉

𝐼𝐷 = 𝐾(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝐺𝑆 𝑢𝑚𝑏𝑟𝑎𝑙 )2

𝐼𝐶 𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜
𝑘=
(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝐺𝑆 𝑢𝑚𝑏𝑟𝑎𝑙)
6𝑚𝐴
𝑘=
(4 − 3)2
𝑘 = 6 𝑥10−3 𝐴/𝑉 2
Figura 8. Polarización con fuete doble.

𝐼𝐷𝑆𝑆 = 10.4𝑚𝐴
𝑉𝑝 = −3.57𝑉 TABLAS DE VALORES OBTENIDOS.

TABLA I
A. CIRCUITO CON POLARIZACIÓN CON GATE Y
𝑉𝑔𝑠 2 DRAIN-SOURCE.
𝐼𝑆 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) VALOR
𝑉𝑃
PARAMETRO VALOR
𝐼𝐷 CALCULADO MEDIDO
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑝 (1 − √ )
𝐼𝐷𝑆𝑆

𝑉𝑔𝑠 = −1.04𝑉 VRD 5.97V 5.9V

VDS 6V 6V
2
1.04 ID 5.2mA 5.1mA
𝐼𝐷 = 1.04𝑚𝐴 (1 − )
3.57
𝑖𝑑 = 5.2𝑚𝐴

𝑉𝑔𝑠 = 𝑉𝑆𝑆 − 𝐼𝐷𝑅𝑆

𝑉𝑆𝑆 − 𝑉𝐺𝑆 TABLA II
𝑅𝑆 = B. CIRCUITO CONFIGURACIÓN AUTO POLARIZACIÓN CON
𝐼𝐷
12 + 1.04 RESISTENCIA EN EL SOURCE.
𝑉𝑅𝑆 = = 2.5𝐾
5.2𝑚𝐴 VALOR
PARAMETRO VALOR
CALCULADO MEDIDO

𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 + 𝑉𝑆𝑆 − 𝐼𝐷(𝑅𝐷 + 𝑅𝑆)

𝑉𝐷𝐷 + 𝑉𝑆𝑆 − 𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝑅𝑆
𝑅𝐷 = VRD 4.96V 4.84V
𝐼𝐷
𝑅𝐷 = 953.8Ω VDS 6V 5.8V
𝑉𝑅𝐷 = 4.96
VRS 1.04V 1.3V
2. Diseñar, calcular y comprobar el funcionamiento de la ID 5.2mA 5.1mA
polarización MOOSFET.
 TABLA III VI. SIMULACOINES
C. CIRCUITO POLARIZACIÓN CON DIVISOR DE
VOLTAJE..
VALOR
PARAMETRO VALOR
CALCULADO MEDIDO

VRD 3.87V 3.8V

VDS 6V 5.5V

VRS 2.13V 2.5V

ID 5.2mA 5.1mA

TABLA IV Figura 9. Simulación polarización con

fuente de gate y drain-source
D. CIRCUITO SIMULACIÓN DE LA CONFIGURACIÓN
FUENTE DOBLE SIMÉTRICA.
VALOR
PARAMETRO VALOR
CALCULADO MEDIDO

VRD 4.96V 4.6V

VDS 6V 6.1V

ID 5.2mA 6mA

TABLA V
Figura 15: Simulación polarización
E. CIRCUITO DE LA POLARIZACIÓN DEL MOSFET.
con resistencia en el source.
VALOR
PARAMETRO VALOR
CALCULADO MEDIDO

VGS 4V 4.04V

VDS 4V 4.04V

ID 6mA 6.29mA

Figura 18: Simulación polarización con divisor de voltaje.

 Figura 19. Simulación de la fuente doble simétrica.

Figura 23. Polarización con divisor de voltaje.

Figura 20. Simulación polarización del mosfet.

GRAFICAS DE CORTES.

Figura 24. Configuración fuente doble simétrica.

VII. RECOMENDACIONES Y CONCLUCIONES

Figura 21. Polarización con fuente de gate y drain-source
El funcionamiento de un transistor BJT. Ya sea NPN o PNP,
depende de la polarización que se le aplica en sus terminales,
ya que una mala polarización podría funcionar evitar el correcto
funcionamiento del circuito y esto no permitirnos obtener los
resultados deseados.
Durante la práctica pudimos comprobar que la corriente del
colector luego de cierto voltaje se aproxima a la corriente del
emisor.
También se pudo demostrar que si se aplica un voltaje entre el
emisor y la base se puede obtener una ganancia de voltaje en el
colector y la base así se puede comprobar que este tipo de
dispositivos muy útiles como amplificadores.
Luego de terminar la práctica es muy importante recomendar
Figura 22. Polarización con resistencia en el source.
que para la realización de la misma es indispensable la medición
de 𝛽 para cada uno de los dispositivos BJT que pese a ser el
mismo tipo y de la misma fabrica este varia en su valor.

The operation of a BJT transistor . Either NPN or PNP ,

depending on the polarization is applied at its terminals , since
a bad polarization may run prevent proper operation of the
circuit and this does not allow obtaining the desired results.
During practice we found that the collector current after a
certain voltage approaches the emitter current .
It could also be shown that if a voltage between the emitter and
the base is applied can obtain a gain of voltage at the collector
and the base so you can check that such useful devices such as
amplifiers.
After finishing the practice it is very important to recommend
that the achievement of it is essential for measuring β each BJT
devices that despite being the same type and the same factory
that varies in value.

VIII. BIBLIOGRAFIA

[1]http://jorgemendozapua.blogspot.com/2007/09/polarizacion
-del-bjt.html
[2]http.//www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema6/
Paginas/Pagina6.htm
[3] http://www.electronicafacil.net/tutoriales/El-transistor.php
[4] http://www.areatecnologia.com/electronica/mosfet.html

IX. ANEXOS