Laboratorio N°1:

Amplificador Multietapa
(Informe Previo)
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica U.N.I.
Laboratorio de Electrónica II (EE442M)
Esteban Raúl Adauto Serrano
Adauto2597@gmail.com

Resumen – Los amplificadores multietapa son circuitos Segundo: La tensión en la juntura base-emisor no deberá
electrónicos formados por varios transistores (BJT o FET), que exceder los 26mV (constante térmica) para evitar distorsiones
pueden ser acoplados en forma directa o mediante capacitores. en la señal de salida.
Las configuraciones clásicas son el par Darlington (alta
impedancia de entrada e incremento de la ganancia de corriente),
2. Para la primera etapa Q1-Q2 del circuito en estudio,
el par diferencial (Relación de rechazo en modo común elevada), el
amplificador cascode (alta impedancia de salida). Todas estas
escriba la ecuación dIc2⁄dT, tal que IC2=f (ICBO, VBE) y
etapas amplificadoras pueden ser integradas y encapsuladas en un considerando que los BJT son de silicio.
chip semiconductor llamado Circuito Integrado (CI). En el CI las Sabemos que:
𝜕𝐼𝑐 𝜕𝐼𝑐 𝜕𝐼𝑐
polarizaciones de las etapas se hacen usando fuentes de corriente, 𝑑𝐼𝑐 = 𝑑𝐼𝑐𝑏𝑜 + 𝑑𝑉𝑏𝑒 + 𝑑𝛽
𝜕𝐼𝐶𝐵𝑂 𝜕𝑉𝑏𝑒 𝜕𝛽
debido a la mayor facilidad de construcción (a través de
transistores). Dada la condición que:
IC2=f(ICBO,VBE)
Objetivos – Diseñas, simular, implementar y analizar, la Luego
ganancia y respuesta en frecuencia de un amplificador. 𝑑𝐼𝐶2 𝑑𝐼𝑐2 𝑑𝐼𝑐𝑏𝑜 𝑑𝐼𝑐2 𝑑𝑉𝑏𝑒
= +
𝑑𝑇 𝑑𝐼𝑐𝑏𝑜 𝑑𝑇 𝑑𝑉𝑏𝑒 𝑑𝑇
I. INTRODUCCION De Q2 sabemos que:
IC2=(B+1)ICBO+BIB
Un amplificador se describe como un circuito capaz de Derivando respecto a Ic2:
procesar las señales de acuerdo a la naturaleza de su aplicación. 𝜕𝐼𝑐𝑏𝑜 𝜕𝐼𝑏2
1 = (𝛽 + 1) +𝛽
𝜕𝐼𝑐2 𝜕𝐼𝑐2
El amplificador sabrá extraer la información de toda señal, de
Entonces:
tal manera que permita mantener o mejorar la prestación del 𝜕𝐼𝑐2 1+𝛽
sistema que genera la señal (sensor o transductor usado para la 𝑆= = 𝜕𝐼𝑏2
𝜕𝐼𝑐𝑏𝑜 1−𝛽
𝜕𝐼𝑐2
aplicación). 𝜕𝐼𝑐2 1+𝛽
𝑆= = 𝑅7+𝑅8
Se llama amplificador multietapa a los circuitos o sistemas que 𝜕𝐼𝑐𝑏𝑜 1+
𝑅𝑏+𝑅7+𝑅8
tienen múltiples transistores y además pueden ser conectados En la malla que pasa por la base y el emisor de Q2 tenemos
entre sí Zin, Zout o ancho de banda. Las aplicaciones pueden que:
ser tanto de cc. Como de ca. Vb=Ib2Rb+(Ic2+Ib2)(R7+R8)
Derivando respecto a Ic2 y despejando se tendrá:
II. INFORME PREVIO 𝜕𝐼𝑐2 −𝛽
𝑆´ = =
𝜕𝑉𝑏𝑒 𝑅𝐵+(𝑅7+𝑅8)(1+𝛽)

1. Detallar las condiciones para los que un bjt y/o fet puede Donde S y S´ representan los factores de estabilidad de
operar en baja frecuencia. Ic2respecto a los parámetros Icbo y Vbe respectivamente.
Finalmente reemplazando (1) y (2) en tendremos el índice de
Para que un BJT o FET opere a frecuencias bajas debe cumplir variación de Ic2 con respecto a T:
ciertas condiciones:
Primero: estos dispositivos deben trabajar en su zona linear, lo
que quiere decir que deben estar correctamente polarizados.
𝜕𝐼𝐶2 1+𝛽 𝑑𝐼𝑐𝑏𝑜
=( )
𝜕𝑇 𝑅7 + 𝑅8 𝑑𝑇
1+( )
𝑅𝐵 + 𝑅7 + 𝑅8
−𝛽 𝑑𝑉𝑏𝑒
+( )
𝑅𝐵 + (𝑅7 + 𝑅8)(1 + 𝛽) 𝑑𝑇

3. Fundamente las razones por los que se diseña la

ganancia y otros parámetros de un amplificador
independiente del hfe, hie , etc., del BJT por ejemplo.

Es conveniente que, al realizar el diseño de un circuito

amplificador, la función de ganancia no sea dependiente de
términos como hfe, hie, etc., ya que estos términos son
variables ante los cambios de temperatura, y en un
momento dado podemos obtener valores óptimos de
amplificación y luego resultados muy pobres.
Es mejor que términos como la ganancia sean funciones
constantes dependientes de los resistores, para obtener
resultados fiables.

4. Diseñe un circuito amplificador ARGOS 1 bajo las

siguientes premisas:
- Fuente de operación DC 12v
- Elementos activos 2N2222A
- Señal de prueba 1kHz 10mv, resistencia 10kΩ
- Corrientes ICQ mayores o iguales a 1mA
- Frecuencia de corte fi = 100Hz y fs = 5kHz
- Ganancia a frecuencias medias ≈ 350

ARGOS 1
5. Simular el circuito y graficar los principales 6. Comprobar que las junturas Base – Emisor trabajan
parámetros del amplificador en el régimen lineal y de mínima distorsión armónica,
basado en los diagramas de bode del circuito ARGOS
1 obtenidos de la simulación.

Se observa que los transistores están polarizados

linealmente.

7. Presente los diagramas de bode obtenidos de la

simulación.

V2 vs V1:

Respuesta del Amplificador ARGOS 1 a una onda de

prueba de 1kHz.
V6 vs V1: V15 vs V12:

V7 vs V6: V16 vs V12:

V9 vs V1:
V16 vs V1:

V12 vs V9:

8. Implementación

Equipo y Material Básico

 1 Osciloscopio
 1 Generador de Señales
 1 Multímetro digital
 1 Fuente DC
Lista de Componentes:
 Transistores:
Q1, Q2, Q3, Q4 2N2222A
  Resistencias
R1, RL 10 KΩ
R2 100 KΩ
R3, R9 68 KΩ
R4, R8 2.2 KΩ
R5, R11 3.9 KΩ
R6, R13 3.3 KΩ
R7, R14 100 Ω
R9 68 KΩ
R10 22 KΩ
R12 1.5 KΩ
R15 680 Ω
 Capacitores
C1, C4 0.22 µF
C2, C5 47 µF
C3 0.15 µF
C6 1.8 nF
C7 1.2 nF

9. Bibliografía

[1] Rashid, Muhammad H, “Circuitos Microelectrónicos”,

México D.F. Internacional Thomson Editores , 2000.
[2] Kunst Zurich. Amplificadores diferenciales. [En línea].
http://www.slideshare.net/Volta/tema-7amplificador-diferencial-
presentation