UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

INFORME
TEMA:

MEDICIÓN DE CORRIENTE Y VOLTAJE

 CURSO: DISPOSITIVOS Y COMPONENTES
ELECTRÒNICOS

 DOCENTE: CONDOR FLAVIO

 INTEGRANTES:

GUERRA TIMOTEO ELIAS 1623136029

GAMARRA NIETO SANDRA D. 1623125028

BARZOLA YARINGAÑO LAURA 1623125701

DIONICIO MELCHOR GUSTAVO 1623125881

CABEZUDO HUACHACA AARON 1623125818

GIL SUAREZ VICENTE EDUARDO 1623115138

2018
 LABORATORIO Nº1

MEDICIÓN DE CORRIENTE Y VOLTAJE :

I. OBJETIVO: Comprobar las leyes de Kirchoff
II. MATERIALES:
 1 fuente de variable
 1 multimetro
 1 miliamperimetro
 3 resistencias : 39 Ω , 10 Ω , 15 Ω
 Un Protoboard
 Cables

III. Sea el circuito:

V1 V3
+ R1 - + - R3

39Ω 15Ω
+
I1 V3 I3
V1 I2 R2
12V 10Ω
-

 R1 = 39 Ω
 R2 = 10 Ω
 R3 = 15 Ω

Completar la tabla:

v V1 V2 V3 I1 I2 I3 V1 +V2 I1+ I2
5v 4.8 V 0.74V 0.72V 130mA 50mA 77mA 5.54V 180mA

9v 5.71V 1.17V 1.16V 190mA 80mA 120mA 6.88V 270mA

12v 10.21V 1.55V 1.54V 260mA 110mA 160mA 11.76V 370mA

IV. Presentación de Informe:
1. Utilizando el simulador Proteus. Determinar V1, V2, V3, I1, I2, I3 considerar
para esto los valores medidos de R1, R2, R3.

Para 𝑉 = 5𝑣

-4.32

-0.67
Volts

Volts
R1 R3
+111 +44.3
39 mA 15 mA

B1 R2
+4.99 5V +0.67 10
Volts Volts

+66.5
mA

Para 𝑉 = 9𝑣
-7.78

-1.20
Volts

Volts

R1 R3
+200 +79.8
39 mA 15 mA

B1 R2
+8.98 9V +1.20 10
Volts Volts
+120
mA
 Para 𝑉 = 12𝑣

-10.4

-1.60
Volts

Volts
R1 R3
+266 +106
39 mA 15 mA

B1 R2
+12.0 12V +1.60 10
Volts Volts

+160
mA

2. Determinar los valores de V1, V2, V3, I1, I2, I3 en forma matemática
considerando los valores medidos de R1, R2, R3.

Para 𝑉 = 5𝑣

𝐼1 = 𝐼2 + 𝐼3
Por la ley de ohm:
𝑉1 = 𝐼1 . 𝑅1
𝑉2 = 𝐼2 . 𝑅2
𝑉3 = 𝐼3 . 𝑅3
Para la malla (1) :
+5 − 𝑉1 − 𝑉2 = 0
+𝑉2 − 𝑉3 = 0
También sabemos:
5 − 39𝐼1 − 15𝐼2 = 0
15𝐼2 − 10𝐼3 = 0
𝐼1 − 𝐼2 − 𝐼3 = 0
Desarrollando:

5
𝐼1 = 39+6 = 111𝑚A 𝑉1 = 4,3𝑉 𝑅1 = 39Ω

45−39
𝐼2 = = 45𝑚A 𝑉2 = 0,7𝑉 𝑅2 = 15Ω
15 𝑥 9

𝐼3 = 0,111 − 0,045 = 66𝑚𝐴 𝑉3 = 0,7𝑉 𝑅3 = 10Ω

Para 𝑉 = 9𝑣

𝐼1 = 𝐼2 + 𝐼3
Por la ley de ohm:
𝑉1 = 𝐼1 . 𝑅1
𝑉2 = 𝐼2 . 𝑅2
𝑉3 = 𝐼3 . 𝑅3
Para la malla (1) :
+9 − 𝑉1 − 𝑉2 = 0
+𝑉2 − 𝑉3 = 0
También sabemos:
9 − 39𝐼1 − 15𝐼2 = 0
15𝐼2 − 10𝐼3 = 0
𝐼1 − 𝐼2 − 𝐼3 = 0

Desarrollando:
9
𝐼1 = 39+6 = 200𝑚A 𝑉1 = 7,8𝑉 𝑅1 = 39Ω

9−7,8
𝐼2 = = 80𝑚A 𝑉2 = 1,2𝑉 𝑅2 = 15Ω
15

𝐼3 = 0,2 − 0,08 = 120𝑚𝐴 𝑉3 = 1,2𝑉 𝑅3 = 10Ω

Para 𝑉 = 12𝑣

𝐼1 = 𝐼2 + 𝐼3
Por la ley de ohm:
𝑉1 = 𝐼1 . 𝑅1
𝑉2 = 𝐼2 . 𝑅2
𝑉3 = 𝐼3 . 𝑅3
Para la malla (1) :
+12 − 𝑉1 − 𝑉2 = 0
+𝑉2 − 𝑉3 = 0
También sabemos:
12 − 39𝐼1 − 15𝐼2 = 0
15𝐼2 − 10𝐼3 = 0
𝐼1 − 𝐼2 − 𝐼3 = 0

Desarrollando:

12
𝐼1 = 39+6 = 266𝑚A 𝑉1 = 10.37𝑉 𝑅1 = 39Ω

12
𝐼2 = 112.5 = 106𝑚A 𝑉2 = 1,59𝑉 𝑅2 = 15Ω

𝐼3 = 0.266 − 0.106 = 160𝑚𝐴 𝑉3 = 1.6𝑉 𝑅3 = 10Ω

 3. Realizar una tabla comparativa:
Realizando la comparación de los distintos valores para V = 5V

VALORES V1 V2 V3 I1 I2 I3 V1 +V2 I1+ I2

SIMULADOS 4.32V 0.67V 0.67V 111mA 66.5mA 44.3mA 4.99V 177.5mA

MEDIDOS 4.8V 0.74V 0.72V 130mA 50mA 70mA 5.54V 180mA

MATEMÁTICOS 4.3V 0.7V 0.7V 111mA 45mA 66mA 5V 156mA

Realizando la comparación de los distintos valores para V = 9V

VALORES V1 V2 V3 I1 I2 I3 V1 +V2 I1+ I2
SIMULADOS 7.78V 1.2V 1.2V 200mA 79.8mA 120mA 8.98V 279.8mA

MEDIDOS 5.71V 1.17V 1.16V 190mA 80mA 120mA 6.88V 270mA

MATEMÁTICOS 7.8V 1.2V 1.2V 200mA 80mA 120mA 9V 280mA

Realizando la comparación de los distintos valores para V = 12V

VALORES V1 V2 V3 I1 I2 I3 V1 +V2 I1+ I2

SIMULADOS 10.4V 1.6V 1.6V 266mA 106mA 160mA 12V 372mA

MEDIDOS 10.21V 1.55V 1.54V 260mA 110mA 160mA 11.76V 370mA

MATEMÁTICOS 10.37V 1.59V 1.6V 266mA 106mA 160mA 11.96V 372mA

4.Definicion de resistencia eléctrica, tipos, fabricación.

A. Resistencia Eléctrica
Es un material que ejerce toda oposición que encuentra la corriente a su paso por un circuito eléctrico
cerrado, atenuando o frenando el libre flujo de circulación de las cargas eléctricas o electrones.
Cualquier dispositivo o consumidor conectado a un circuito eléctrico representa en sí una carga,
resistencia u obstáculo para la circulación de la corriente eléctrica.

B. Tipos

Resistencias de hilo bobinado.- Fueron de los primeros tipos en fabricarse, y aún se utilizan cuando se
requieren potencias algo elevadas de disipación. Están constituidas por un hilo conductor bobinado en
forma de hélice o espiral (a modo de rosca de tornillo) sobre un sustrato cerámico.

Las aleaciones empleadas son las que se dan en la tabla, y se procura la mayor independencia posible de
la temperatura, es decir, que se mantenga el valor en ohmios independientemente de la temperatura.

resistividad relativa Coef. Temperatura

metal
(Cu = 1) a (20° C)
Aluminio 1.63 + 0.004
Cobre 1.00 + 0.0039
Constantan 28.45 ± 0.0000022
Karma 77.10 ± 0.0000002
Manganina 26.20 ± 0.0000002
Cromo-Níquel 65.00 ± 0.0004
Plata 0.94 + 0.0038

La resistencia de un conductor es proporcional a su longitud, a su resistividad específica (rho) e

inversamente proporcional a la sección recta del mismo. Su expresión es:
En el sistema internacional (SI) rho viene en ohmios·metro, L en metros y el área de la sección recta en
metros cuadrados. Dado que el cobre, aluminio y la plata tienen unas resistividades muy bajas, o lo que
es lo mismo, son buenos conductores, no se emplearán estos metales a no ser que se requieran unas
resistencias de valores muy bajos. La dependencia del valor de resistencia que ofrece un metal con
respecto a la temperatura a la que está sometido, lo indica el coeficiente de temperatura, y viene
expresado en grado centígrado elevado a la menos uno. Podemos calcular la resistencia de un material a
una temperatura dada si conocemos la resistencia que tiene a otra temperatura de referencia con la
expresión:

Los coeficientes de temperatura de las resistencias bobinadas son extremadamente pequeños. Las
resistencias típicas de carbón tienen un coeficiente de temperatura del orden de decenas de veces
mayor, lo que ocasiona que las resistencias bobinadas sean empleadas cuando se requiere estabilidad
térmica.

Un inconveniente de este tipo de resistencias es que al estar constituida de un arrollamiento de hilo

conductor, forma una bobina, y por tanto tiene cierta inducción, aunque su valor puede ser muy
pequeño, pero hay que tenerlo en cuenta si se trabaja con frecuencias elevadas de señal.

Por tanto, elegiremos este tipo de resistencia cuando 1) necesitemos potencias de algunos watios y
resistencias no muy elevadas 2) necesitemos gran estabilidad térmica 3) necesitemos gran estabilidad
del valor de la resistencia a lo largo del tiempo, pues prácticamente permanece inalterado su valor
durante mucho tiempo.

Resistencias de carbón prensado.- Estas fueron también de las primeras en fabricarse en los albores de
la electrónica. Están constituidas en su mayor parte por grafito en polvo, el cual se prensa hasta formar
un tubo como el de la figura.

Las patas de conexión se implementaban con hilo enrollado en los extremos del tubo de grafito, y
posteriormente se mejoró el sistema mediante un tubo hueco cerámico (figura inferior) en el que se
prensaba el grafito en el interior y finalmente se disponian unas bornas a presión con patillas de
conexión.

Las resistencias de este tipo son muy inestables con la temperatura, tienen unas tolerancias de
fabricación muy elevadas, en el mejor de los casos se consigue un 10% de tolerancia, incluso su valor
óhmico puede variar por el mero hecho de la soldadura, en el que se somete a elevadas temperaturas al
componente. Además tienen ruido térmico también elevado, lo que las hace poco apropiadas para
aplicaciones donde el ruido es un factor crítico, tales como amplificadores de micrófono, fono o donde
exista mucha ganancia. Estas resistencias son también muy sensibles al paso del tiempo, y variarán
ostensiblemente su valor con el transcurso del mismo.

Resistencias de película de carbón.- Este tipo es muy habitual hoy día, y es utilizado para valores de
hasta 2 watios. Se utiliza un tubo cerámico como sustrato sobre el que se deposita una película de
carbón tal como se aprecia en la figura.

Para obtener una resistencia más elevada se practica una hendidura hasta el sustrato en forma de
espiral, tal como muestra (b) con lo que se logra aumentar la longitud del camino eléctrico, lo que
equivale a aumentar la longitud del elemento resistivo.

Las conexiones externas se hacen mediante crimpado de cazoletas metálicas a las que se une hilos de
cobre bañados en estaño para facilitar la soldadura. Al conjunto completo se le baña de laca ignífuga y
aislante o incluso vitrificada para mejorar el aislamiento eléctrico. Se consiguen así resistencias con una
tolerancia del 5% o mejores, además tienen un ruido térmico inferior a las de carbón prensado,
ofreciendo también mayor estabilidad térmica y temporal que éstas.

Resistencias de película de óxido metálico.- Son muy similares a las de película de carbón en cuanto a
su modo de fabricación, pero son más parecidas, eléctricamente hablando a las de película metálica. Se
hacen igual que las de película de carbón, pero sustituyendo el carbón por una fina capa de óxido
metálico (estaño o latón). Estas resistencias son más caras que las de película metálica, y no son muy
habituales. Se utilizan en aplicaciones militares (muy exigentes) o donde se requiera gran fiabilidad,
porque la capa de óxido es muy resistente a daños mecánicos y a la corrosión en ambientes húmedos.
Resistencias de película metálica.- Este tipo de resistencia es el que mayoritariamente se fabrica hoy día,
con unas características de ruido y estabilidad mejoradas con respecto a todas las anteriores. Tienen un
coeficiente de temperatura muy pequeño, del orden de 50 ppm/°C (partes por millón y grado
Centígrado). También soportan mejor el paso del tiempo, permaneciendo su valor en ohmios durante
un mayor período de tiempo. Se fabrican este tipo de resistencias de hasta 2 watios de potencia, y con
tolerancias del 1% como tipo estándar.

Resistencias de metal vidriado.- Son similares a las de película metálica, pero sustituyendo la película
metálica por otra compuesta por vidrio con polvo metálico. Como principal característica cabe destacar
su mejor comportamiento ante sobrecargas de corriente, que puede soportar mejor por su inercia
térmica que le confiere el vidrio que contiene su composición. Como contrapartida, tiene un coeficiente
térmico peor, del orden de 150 a 250 ppm/°C. Se dispone de potencias de hasta 3 watios.
Se dispone de estas resistencias encapsuladas en chips tipo DIL (dual in line) o SIL (single in line).

Resistencias dependientes de la temperatura.- Aunque todas las resistencias, en mayor o menor grado,
dependen de la temperatura, existen unos dispositivos específicos que se fabrican expresamente para
ello, de modo que su valor en ohmios dependa "fuertemente" de la temperatura. Se les denomina
termistores y como cabía esperar, poseen unos coeficientes de temperatura muy elevados, ya sean
positivos o negativos. Coeficientes negativos implican que la resistencia del elemento disminuye según
sube la temperatura, y coeficientes positivos al contrario, aumentan su resistencia con el aumento de la
temperatura. El silicio, un material semiconductor, posee un coeficiente de temperatura negativo. A
mayor temperatura, menor resistencia. Esto ocasiona problemas, como el conocido efecto de
"avalancha térmica" que sufren algunos dispositivos semiconductores cuando se eleva su temperatura
lo suficiente, y que puede destruir el componente al aumentar su corriente hasta sobrepasar la
corriente máxima que puede soportar.

A los dispositivos con coeficiente de temperatura negativo se les denomina NTC (negative temperature
coefficient).
A los dispositivos con coeficiente de temperatura positivo se les denomina PTC (positive temperature
coefficient).
Una aplicación típica de un NTC es la protección de los filamentos de válvula, que son muy sensibles al
"golpe" de encendido o turn-on. Conectando un NTC en serie protege del golpe de encendido, puesto
que cuando el NTC está a temperatura ambiente (frío, mayor resistencia) limita la corriente máxima y va
aumentando la misma según aumenta la temperatura del NTC, que a su vez disminuye su resistencia
hasta la resistencia de régimen a la que haya sido diseñado. Hay que elegir correctamente la corriente
del dispositivo y la resistencia de régimen, así como la tensión que caerá en sus bornas para que el
diseño funcione correctamente.
 NTC PTC

C. FABRICACION:
Los materiales empleados para la fabricación de las resistencias son muy variados pero los más
comunes son aleaciones de cobre, níquel y zinc en diversas proporciones de cada uno lo que hará
variar la resistividad. Quien determinará un aumento de esta resistividad será el níquel, ya que si la
aleación lleva porcentaje anto de éste, la resistencia tendrá gran resistividad.

Las aleaciones de cobre níquel y níquel-hierro tiene una resistividad de 10 a 30 veces mayor que el
cobre y las aleaciones de níquel-cromo serán de 60 a 70 veces mayor que las de cobre y con un gran
comportamiento en temperaturas elevadas.

También se puede utilizar el carbono ya que su resistividad entre 400 y 2.400 veces la del cobre, por
este motivo se utiliza en las escobillas de los motores eléctricos.
5. Definición de Diodos, tipos, fabricación.
A. DEFINICION: Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la
circulación de la corriente eléctrica a través de él en un solo sentido, bloqueando el paso si la
corriente circula en sentido contrario. Esto hace que el diodo tenga dos posibles posiciones:
una a favor de la corriente (polarización directa) y otra en contra de la corriente (polarización
inversa).
B. TIPOS:
 DIODO DETECTOR O DE BAJA SEÑAL

Los diodos detectores también denominados diodos de señal o de contacto puntual, están hechos de
germanio y se caracterizan por poseer una unión PN muy diminuta. Esto le permite operar a muy altas
frecuencias y con señales pequeñas. Se emplea por ejemplo, en receptores de radio para separar la
componente de alta frecuencia (portadora) de la componente de baja frecuencia (información audible).
Esta operación se denomina detección

 DIODO RECTIFICADOR
Los diodos rectificadores son aquellos dispositivos semiconductores que solo conducen en
Polarización directa (arriba de 0.7 V) y en polarización inversa no conducen. Estas características son las
que permite a este tipo de diodo rectificar una señal.
Los hay de varias capacidades en cuanto al manejo de corriente y el voltaje en inverso que
Pueden soportar.

 DIODO ZÉNER
Un diodo zener es un semiconductor que se distingue por su capacidad de mantener un
voltaje constante en sus terminales cuando se encuentran polarizados inversamente, y por ello se
emplean como elementos de control, se les encuentra con capacidad de ½ watt hasta 50 watt y para
tensiones de 2.4 voltios hasta 200 voltios.
El diodo zener polarizado directamente se comporta como un diodo normal, su voltaje
permanece cerca de 0.6 a 0.7 V.
  DIODO VARACTOR
El diodo varactor también conocido como diodo varicap o diodo de sintonía. Es un
dispositivo semiconductor que trabaja polarizado inversamente y actúan como condensadores
variables controlados por voltaje. Esta característica los hace muy útiles como elementos de
sintonía en receptores de radio y televisión. Son también muy empleados en osciladores,
multiplicadores, amplificadores, generadores de FM y otros circuitos de alta frecuencia. Una
variante de los mismos son los diodos SNAP, empleados en aplicaciones de UHF y microondas.

 DIODO EMISOR DE LUZ (LED’s)

Es un diodo que entrega luz al aplicársele un determinado voltaje. Cuando esto sucede,
ocurre una recombinación de huecos y electrones cerca de la unión NP; si este se ha polarizado
directamente la luz que emiten puede ser roja, ámbar, amarilla, verde o azul dependiendo de su
composición.
Los LED’s se especifican por el color o longitud de onda de la luz emitida, la caída de
voltaje directa (VF), el máximo voltaje inverso (VR), la máxima corriente directa (IF) y la intensidad
luminosa. Típicamente VF es del orden de 4 V a 5 V. Se consiguen LED’s con valores de IF desde menos
de 20 mA hasta más de 100 mA e intensidades desde menos de 0.5 mcd (milicandelas) hasta más de
4000 mcd

 DIODO LÁSER
Los diodos láser, también conocidos como láseres de inyección o ILD’s. Son LED’s que
emiten una luz monocromática, generalmente roja o infrarroja, fuertemente concentrada, enfocada,
coherente y potente. Son muy utilizados en computadoras y sistemas de audio y video para leer discos
compactos (CD’s) que contienen datos, música, películas, etc., así como en sistemas de comunicaciones
para enviar información a través de cables de fibra óptica. También se emplean en marcadores
luminosos, lectores de códigos de barras y otras muchas aplicaciones.
  DIODO ESTABILIZADOR
Está formados por varios diodos en serie, cada uno de ellos produce una caída de tensión
correspondiente a su tensión umbral.
Trabajan en polarización directa y estabilizan tensiones de bajo valores similares a lo que hacen los
diodos Zéner.

 DIODO TÚNEL
Los diodos túnel, también conocidos como diodos Esaki. Se caracterizan por poseer una
zona de agotamiento extremadamente delgada y tener en su curva una región de resistencia
negativa donde la corriente disminuye a medida que aumenta el voltaje. Esta última propiedad los hace
muy útiles como detectores, amplificadores, osciladores, multiplicadores, interruptores, etc.,en
aplicaciones de alta frecuencia.

 DIODO PIN
Su nombre deriva de su formación P(material P), I(zona intrínseca)y N(material N)
Los diodos PIN se emplean principalmente como resistencias variables por voltaje y los diodos Gunn e
IMPATT como osciladores. También se disponen de diodos TRAPATT, BARITT, ILSA, etc.
Son dispositivos desarrollados para trabajar a frecuencias muy elevadas, donde la capacidad de
respuesta de los diodos comunes está limitada por su tiempo de tránsito, es decir el tiempo que tardan
los portadores de carga en atravesar la unión PN. Los más
conocidos son los diodos Gunn, PIN e IMPATT.
  DIODO BACKWARD
Son diodos de germanio que presentan en polarización inversa una zona de resistencia negativa similar
a las de los diodos túnel.

 DIODO SCHOTTKY
Los diodos Schottky también llamados diodos de recuperación rápida o de portadores
calientes, están hechos de silicio y se caracterizan por poseer una caída de voltaje directa muy
pequeña, del orden de 0.25 V o menos, y ser muy rápidos. Se emplean en fuentes de potencia,
sistemas digitales y equipos de alta frecuencia.

 FOTODIODOS
Los fotodiodos son diodos provistos de una ventana transparente cuya corriente inversa
puede ser controlada en un amplio rango regulando la cantidad de luz que pasa por la ventana e incide
sobre la unión PN. A mayor cantidad de luz incidente, mayor es la corriente inversa
producida por que se genera un mayor número de portadores minoritarios, y viceversa. Son muy
utilizados como sensores de luz en fotografía, sistemas de iluminación, contadores de objetos, sistemas
de seguridad, receptores de comunicaciones ópticas y otras aplicaciones.

C. FABRICACIÓN DE LOS DIODOS:

Un diodo de estado sólido se forma cuando se unen dos piezas de cristal semiconductor
compuestas por átomos de silicio (Si) puro, pero procesadas cada una de forma diferente.
atómica (lo que produce la aparición de “huecos”) y otra pieza negativa (N) con exceso de
electrones. “impurezas” diferentes, procedentes de átomos de elementos semiconductores
también diferentes.
Al final del proceso se obtiene una pieza de cristal de silicio positiva (P) con faltante de
electrones en su estructura
METODOS DE FABRICACION:
 Metodo De Aleación
Este método consiste esencialmente en fundir sobre un semiconductor una impureza
de tipo P o de tipo N. Si, por ejemplo, se hace fundir sobre una placa de germanio del
tipo N, calentada a 500 °C, una cierta cantidad de indio, este ultimo se funde, el
germanio se disuelve y las fases liquidas penetran en la placa paralelamente a las
superficies, hasta que la solución se satura, es decir, a una profundidad que depende
del peso del indio, del área en contacto y de la temperatura alcanzada, obteniéndose
así una región P.
 Metodo De Difusión
Este método consiste en difundir un vapor de tipo N o P sobre un monocristal de un
semiconductor determinado que contenga ya una impureza del tipo contrario a la que
se hace difundir.
Por ejemplo, si se coloca una placa de germanio de tipo N dentro de un recipiente en
el cual circula vapor de indio, se puede obtener una unión P-N por difusión de los
átomos de indio a través de la superficie de la placa de germanio, mayor será la
penetración del indio; por ejemplo, a 570 °C se puede tener una penetración de de 80
A en 100 seg. Y a 870°C se obtiene una penetración de de 8000 A en el mismo tiempo.

Metodo Epitaxial
Tomando el caso del germanio, este método consiste en evaporar dentro de una
atmósfera gaseosa yoduro de germanio (Gel2) y alguna impureza sobre un monocristal
de tipo P o tipo N. El yoduro de germanio se descompone sobre el monocristal de
germanio según la reacción reversible:
Gel2 Gel4 + Ge.
Evaporando en forma simultanea Gel2 y la impureza sobre el monocristal calentado a una
temperatura dada, se puede obtener una unión. La mayor ventaja de este método es que
permite la obtención de regiones muy delgadas de pureza controlada. Se puede emplear en
combinación con otras técnicas (de difusión y de aleación) para construir transistores con
aplicaciones en ultra alta frecuencia y circuitos integrados.