Diodos rectificadores (grandes corrientes)

Los diodos rectificadores son usados en fuentes de alimentación para convertir la corriente alterna
(AC) a corriente continua (DC), un proceso conocido como rectificación. También son usados en
circuitos en los cuales han de pasar grandes corrientes a través del diodo. Todos los diodos
rectificadores están hechos de silicio y por lo tanto tienen una caída de tensión directa de 0,7 V.

Diodo Zener

Un diodo zener es un semiconductor que se distingue por su capacidad de mantener un voltaje

constante en sus terminales cuando se encuentran polarizados inversamente, y por ello se
emplean como elementos de control, se les encuentra con capacidad de ½ watt hasta 50 watt y
para tensiones de 2.4 voltios hasta 200 voltios. Un diodo zener es un semiconductor que se
distingue por su capacidad de mantener un voltaje constante en sus terminales cuando se
encuentran polarizados inversamente, y por ello se emplean como elementos de controlDiodo
Emisor de luz (LED)

Es un diodo que entrega luz al aplicársele un determinado voltaje. Cuando esto sucede, ocurre
una recombinación de huecos y electrones cerca de la unión NP; si este se ha polarizado
directamente la luz que emiten puede ser roja, ámbar, amarilla, verde o azul dependiendo de su
composición.

Los LED’s deben ser protegidos mediante una resistencia en serie, para limitar la corriente a través
de este a un valor seguro, inferior a la IF máxima. También deben protegerse contra voltajes
inversos excesivos. Un voltaje inverso superior a 5V causa generalmente su destrucción inmediata
del LED.

Diodo schottky o de barrera

Son dispositivos que tienen una caída de voltaje directa (VF) muy pequeña, del orden de 0.3 V o
menos. Operan a muy altas velocidades y se utilizan en fuentes de potencia, circuitos de alta
frecuencia y sistemas digitales. Reciben también el nombre de diodos de recuperación rápida (Fast
recovery) o de portadores calientes.
El diodo de capaciada variable

Basa su funcionamiento en el fenómeno que hace que la anchura de la barrera de potencial en

una unión PN varíe en función de la tensión inversa aplicada entre sus extremos. Si aumentamos la
tensión, aumenta la anchura de la barrera, haciendo que disminuya la capacidad del diodo.
Haciendo esto obtenemos un condensador variable controlado por tensión.

De este modo se obtiene un condensador variable controlado por tensión. Los valores de
capacidad obtenidos van desde 1 a 500 pF. La tensión inversa mínima tiene que ser de 1 V. La
aplicación de estos diodos se encuentra, sobre todo, en sintonizadores de TV (Fig. 10), modulación
de frecuencia en transmisiones de FM y radio y en los osciladores controlados por voltaje (VCO).

Fotodiodos

Son dispositivos semiconductores construidos con una unión PN, sensible a la incidencia de la luz
visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polarizan inversamente, con lo que
producen una cierta circulación de corriente al ser excitados por la luz. El fotodiodo se puede
utilizar como dispositivo detector de luz, pues convierte la luz en electricidad y esta variación de
electricidad es la que se utiliza para informar que hubo un cambio en el nivel de iluminación sobre
el fotodiodo.

Diodo tunel
Es un diodo semiconductor que tiene una unión PN, en dicha unión se produce el efecto túnel
Se caracterizan tener en su curva una región de resistencia negativa donde la corriente
disminuye a medida que aumenta el voltaje. Esta última propiedad los hace muy útiles como
detectores, amplificadores, osciladores, multiplicadores, interruptores, etc., en aplicaciones de
alta frecuencia.

Produce un efecto túnel que en La mecánica cuántica nos dice que este efecto permite
que un electrón (o partícula cuántica) penetre y atraviese una zona que, en principio,
estaría prohibida. Con esto nos referimos a que el electrón no tiene suficiente energía
cinética (la que tiene debido a su velocidad, por hacer un análogo clásico) para atravesar
una zona, porque hay un potencial eléctrico, por ejemplo, que debería impedir su paso por
ahí.
Diodo pin
Es una estructura de tres capas, siendo así la intermedia un semiconductor intrínseco, y
las extremas, una de tipo P fuertemente dopada y otra de tipo N igual fuertemente
dopada. En pocas palabras esto quiere decir que es un diodo que presenta una región P
y N altamente conductoras junto a una zona intrínseca poco conductiva de ahí el nombre
de sus siglas (PIN).