Eletrônica analógica

Prof. Leonardo Alves Dias

 Ementa
2
leonardoalves@fiepb.org.br

 Conceitos e princípios da eletrônica analógica

 Semicondutores
 Diodos
 Circuitos retificadores e sistemas de retificação CA-CC
 Transistor Bipolar de Junção (TBJ)
 Transistores aplicados como chave e amplificador
 Transistor de efeito de campo (FET), MOSFET e IGBT
 Dispositivos fotoelétricos
 Amplificador Operacional
 Sensores eletrônicos
 Conceitos e princípios
3
 Circuito eletrônico: circuitos e/ou dispositivos que processam
sinais analógicos, ou seja, grandezas físicas variáveis ou não,
oscilatórias em diferentes frequências.

 Sinal: algo que expressa uma informação de um fenômeno no

tempo, por exemplo, sinal que representa a temperatura do ar,
pressão, vazão, etc.

 Para eletrônica, os sinais precisam ser convertidos em sinais

elétricos (sinal de tensão ou corrente) para serem processados.
A conversão de para sinal elétrico é feita por transdutores.

 Transdutor: dispositivo que converte um tipo de energia em

outro.
 Sinais na forma elétrica
4

São representados em forma de tensão ou corrente.

Forma de Thévenin Forma de Norton

5
 Sinais
 Analógicos: sinais que variam de forma contínua no tempo com
6 diferentes valores de amplitude.

 Digital: sequência de valores discretos representando o valor de

sinal em cada instante de tempo (amostragem)
 Sinal no domínio do tempo
7
 Sinal senoidal: Vs t = 𝑉𝑝 ∗ 𝑠𝑒𝑛 𝑤𝑡

 Frequência angular
𝑤 = 2𝜋𝑓(𝑟𝑎𝑑/𝑠)
1
em que, 𝑓 = (𝐻𝑧)
𝑇
 Período (T): intervalo de tempo de repetição de uma onda periódica.
1
𝑇 = (𝑠)
𝑓
 Sinal no domínio da frequência
8
 Espectro de frequência: representação de um sinal no
domínio da frequência
 Obtido a partir da série de Fourier e transformada de Fourier
 Soma de sinais senoidais de diferentes frequências e amplitudes
 Exercitando
9

 Determine as frequências 𝑓 e 𝑤 de um sinal senoidal com

período de 1ms.
1 1
𝑓 = = −3 = 1𝐾𝐻𝑧
𝑇 10

𝑤 = 2𝜋103 𝑟𝑎𝑑/𝑠

 Qual o período T caracterizado pelas frequências: 60Hz, 10−3Hz e

1MHz?
1
𝑇=
𝑓
16,6𝑚𝑠/1000𝑠/1𝜇𝑠
 Semicondutores
 Apresentam características intermediárias entre materiais condutores e
materiais isolantes.
10
ρ (Ωm) σ (Sm)
Prata Cerâmica
Cobre Borracha
Ouro ⋮
⋮ Silício
Germânio Germânio
Silício ⋮
⋮ Ouro
Borracha Cobre
Cerâmica Prata

 ρ é a resistividade elétrica do material condutor em relação a

temperatura (Ωm): oposição que um determinado material apresenta
para um fluxo de corrente elétrica.
 σ é a condutividade elétrica do material condutor em relação a
temperatura (Sm): facilidade com o qual um material é capaz de
conduzir corrente elétrica.
 Semicondutores
11  Principais semicondutores: Si (Silício) e Ge (Germânio)
 Agrupados em:
 Intrínsecos: material semicondutor refinado para reduzir o
número de impurezas a um nível muito baixo, essencialmente
com o máximo grau de pureza.

Silício: estável com 8 elétrons na

camada de valência
 Semicondutores
 Extrínsecos: material semicondutor obtido pela adição de
12 impurezas dentro de sua estrutura através do processo de
dopagem.

Tipo “N” Tipo “P”

(Portador majoritário: elétrons) (Portador majoritário: lacunas)

 Dopagem: processo de adição de impurezas em um

semicondutor.
 Elétrons livres: elétrons que “perderam ligação” com o átomo.
 Semicondutores
13
 Reação ao calor

 Condutores: aumento da resistência do material quando há um

aumento de temperatura pois o número de portadores não
aumentam significativamente (material de coeficiente de
temperatura positivo).

 Semicondutores: Já os materiais semicondutores exibem um

aumento do nível de condutividade mediante a aplicação de
calor. À medida que a temperatura sobe, um numero crescente
de elétrons de valência absorve energia térmica suficiente para
quebrar a ligação covalente e contribuir com o número de
portadores livres (material de coeficiente de temperatura
negativo).
 Semicondutores
 Níveis de Energia (Teoria das bandas de energia):
14

 Banda: termo empregado referente a quantidade de energia

que um elétron possui.
 Banda de valência: banda onde os elétrons são possíveis
candidatos a participar da corrente elétrica (camada de
valência)
 Banda de condução: banda onde os elétrons estão aptos a
participar da corrente elétrica.
 Banda proibida: energia que um elétron precisa receber para
‘saltar’ da banda de valência para banda de condução.
 Semicondutores
15  Fluxo de cargas

 Fluxo convencional: fluxo das lacunas

 Fluxo real: fluxo dos elétrons
 Diodo
16  Dispositivo semicondutor criado a partir da junção do
material semicondutor do tipo P com o tipo N.
 Diodo
 Diodo ideal:
17
 Apresenta sentido unidirecional para a corrente;
 Apresenta uma corrente infinita quando a tensão é maior ou
igual a zero ( 𝑉𝑑 ≥ 0 → 𝐼𝑑 → ∞ ). Funciona como uma chave
fechada;

𝑉𝑑

𝐼𝑑

 Apresenta uma resistência infinita quando a tensão é menor

que zero (𝑉𝑑 < 0 → 𝐼𝑑 = 0). Funciona como uma chave aberta;

𝑉𝑑
𝐼𝑑
 Diodo
18

 Região de depleção: recombinação de lacunas e elétrons,

resultando na falta de elétrons livres (barreira de potencial).
 A corrente quando não há polarização é igual a zero.
 Polarização: aplicação de uma tensão externa através dos
terminais do dispositivo.
 Diodo
 Polarização reversa (𝑉𝑑 < 0V)
19

 Aumento de cargas na região de depleção, consequentemente

aumento da região de depleção.
 Fluxo de portadores majoritários reduzidos a zero.
 A corrente existente sob condição de polarização reversa é
chamada de corrente de saturação reversa (𝐼𝑆 )
 Diodo
 Polarização direta (𝑉𝑑 > 0V; Si = 0,7V; Ge = 0,3V)
20

 Força a recombinação de cargas na região de depleção,

consequentemente reduzindo a região de depleção.
 Fluxo de portadores majoritários intensificados através da junção.
 Diodo
21
 Proteção de equipamentos e circuitos – contra corrente
reversa.

 Transformar corrente alternada em corrente contínua –

Retificação.

 Alguns tipos, capazes de emitir luz – LEDs

 Forçar queda de tensão

22
 Equação de Shockley

23
𝑉𝐷
ൗ𝑛𝑉
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑇 −1
Em que, 𝐼𝑆 é a corrente de saturação reversa.
𝑉𝐷 é a tensão de polarização direta aplicada ao diodo.
𝑛 é um fator de idealidade, que é função das condições de operação e construção
física (normalmente 1 ou 2).
𝑉𝑇 é a tensão térmica.

 Tensão térmica (𝑉𝑇 ):

𝑘𝑇𝐾
𝑉𝑇 =
𝑞
em que, 𝑘 é a constante de Boltzmann = 1,38𝑥10−23 𝐽/𝐾
𝑇𝐾 é a temperatura absoluta em kelvin = 273 + 𝑡𝑒𝑚𝑝𝑒𝑟𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎 𝑒𝑚 °𝐶
q é a magnitude de carga eletrônica = 1,6𝑥10−19 𝐶
 Região de ruptura
24
 Tensão de pico reversa (PIV):
 Potencial máximo de polarização reversa que
pode ser aplicado antes de entrar na região de
ruptura

 Ao aumentar a tensão em polarização

reversa, o campo elétrico pode liberar
elétrons de suas ligações covalentes (efeito
zener) e causando um aumento na
velocidade dos portadores minoritários
responsáveis pela corrente de saturação
reversa que, junto a sua energia cinética,
liberam portadores adicionais por meio de
colisões com a estrutura atômica estável
(ionização de impacto), quebrando ligações
covalentes, auxiliando no estabelecimento
de uma alta corrente de avalanche.
 Efeito da temperatura (Si)
25

Polarização direta: A cada

grau centígrado
aumentado, a curva
desloca-se para esquerda
em 2,5mV, o inverso
acontece no redução da
temperatura.

Polarização reversa: A
corrente reversa dobra a
cada elevação de 10° C
 Diodo como chave
26

𝑉𝑑 ≥ 0V → R = 0Ω
0𝑉
𝑅= = 0Ω
10𝑚𝐴

𝑉𝑑 < 0V → R = ∞Ω
−20𝑉
𝑅= = ∞Ω
0𝐴
 Níveis de resistência
27

Resistência CC ou estática:

𝑉𝐷
𝑅𝐷 =
𝐼𝐷

Quanto maior a corrente que passa

por um diodo, menor a resistência.
 Níveis de resistência
28

Q: quiescente
Resistência CA média:
Resistência CA ou dinâmica:

∆𝑉𝐷
∆𝑉𝐷 𝑟𝐷 = ቤ
𝑟𝐷 = ∆𝐼𝐷 𝑝𝑡. 𝑎 𝑝𝑡.
∆𝐼𝐷
 Exercitando
29

 Determine os níveis de resistência

do diodo para as seguintes
correntes (CC):
 A)𝐼𝐷 = 2𝑚𝐴
 B) 𝐼𝐷 = 20𝑚𝐴
 C) 𝑉𝐷 = −10𝑉
 Exercitando  Determine os níveis de resistência
30 do diodo para as seguintes
correntes (CA):
 A)𝐼𝐷 = 2𝑚𝐴
 B) 𝐼𝐷 = 25𝑚𝐴

A)

B)
 Circuitos equivalentes de diodo
31

 Combinação de elementos adequadamente escolhidos para melhor representar as

características reais de um dispositivo em determinada região de operação.

 Objetiva simplificar as análises através da utilização de técnicas tradicionais.

 Modelos: ideal, simplificado, linear por partes.

32 Circuito equivalente ideal
 A queda de tensão pode ser desprezada em casos que é muito pequena em relação
a tensão aplicada.
 Representação feita com um diodo ideal utilizado para indicar o sentido de corrente
permitido.
 Circuito equivalente simplificado
33
 Normalmente a resistência por ser pequena pode ser desprezada, logo pode-se
considerar 𝑟𝑎𝑣 = Ω.
 𝑉𝐾 : bateria para especificar que a tensão através do diodo precisa ser maior que a sua
tensão limiar.
 Diodo ideal utilizado para indicar o sentido de corrente permitido.
 Circuito equivalente linear por partes
34  Uma melhor aproximação ao comportamento real de um diodo.

 𝑟𝑎𝑣 : resistência do material semicondutor (resistência de corpo).

 𝑉𝐾 : bateria para especificar que a tensão através do diodo precisa
ser maior que a sua tensão limiar.
 Diodo ideal utilizado para indicar o sentido de corrente permitido.

∆𝑉𝐷 0,8𝑉 − 0,7𝑉 0,1𝑉

𝑟𝐷 = ቤ = = = 10Ω
∆𝐼𝐷 𝑝𝑡. 𝑎 𝑝𝑡. 10𝑚𝐴 − 0𝑚𝐴 10𝑚𝐴
35
 Análise de circuitos
36
 Análise de circuitos
37

 Logo, se a tensão 𝑉𝑅 = 0𝑉,

𝑉𝐷 = 𝐸(LKT)
 Análise de circuitos
38
 Determine 𝑉𝐷 , 𝑉𝑅 𝑒 𝐼𝐷 :

 Repita o procedimento com o diodo invertido

 Diodo Zener
39
 Se polarizado diretamente funciona como
um diodo normal.
 Se polarizado inversamente funciona na
região zener (ruptura).
 Utilizado como Regulador de tensão pois
para uma grande variação de corrente
mantem uma tensão praticamente
constante.
 A corrente máxima suportada pode ser
obtida através da tensão zener e da
potência dissipada pelo dispositivo.

𝑃𝐷𝑚á𝑥 = 𝑉𝑍 ∗ 𝐼𝑍𝑚á𝑥
 Diodo Zener
40
Circuito equivalente ideal x aproximado ao real
 Diodo zener
41

 Enquanto 𝑉 < 𝑉𝑧, o diodo zener não conduz. Logo, a tensão de saída (𝑉𝑠𝑎í𝑑𝑎) é a tensão de
entrada (𝑉).
𝑉𝑠𝑎í𝑑𝑎 = 𝑉
 Como o diodo zener não atingiu a ruptura, não há passagem de corrente.
𝐼 = 0𝐴 > 𝑉𝑅 = 0𝑉

 Quando 𝑉 ≥ 𝑉𝑧, o diodo conduz, pois a tensão de ruptura é atingida. Logo a tensão de
saída (𝑉𝑠𝑎í𝑑𝑎) é a tensão no diodo zener (𝑉𝑧).
𝑉𝑠𝑎í𝑑𝑎 = 𝑉𝑍
𝑉𝑅 − 𝑉𝑍
𝐼= , 𝑒𝑚 𝑞𝑢𝑒 𝑉𝑅 = 𝑉 − 𝑉𝑍
𝑅
 Análise com diodo zener
42 Tensão de alimentação fixa e carga fixa
Regulador zener básico (Tensão de alimentação e carga fixa):
1. Determine o estado do diodo zener removendo-o do circuito e calculando
a tensão através do circuito aberto resultante.
 Aplicando a regra do divisor de tensão tem-se:

𝑅𝐿
𝑉 = 𝑉𝐿 = ∗ 𝑉𝑖
𝑅 + 𝑅𝐿

 Se 𝑉 ≥ 𝑉𝑍 , o diodo zener está ligado e o modelo equivalente apropriado

pode ser utilizado.
 Se 𝑉 < 𝑉𝑍 , o diodo zener está desligado e o circuito pode ser considerado
aberto.

2. Substitua o diodo pelo equivalente apropriado.

 Análise com diodo zener
43
Tensão de alimentação fixa e carga fixa
 Como tensões através de elementos em paralelos devem ser as mesmas,
pode-se concluir que
𝑉𝐿 = 𝑉𝑍
 A corrente pode ser obtida através da LKC:
𝐼𝑅 = 𝐼𝑍 + 𝐼𝐿
𝐼𝑧 = 𝐼𝑅 − 𝐼𝐿
 Em que,
𝑉𝐿
𝐼𝐿 =
𝑅𝐿
𝑉𝑅 𝑉𝑖 − 𝑉𝐿
𝐼𝑅 = =
𝑅 𝑅
 A potência dissipada é
𝑃𝑧 = 𝑉𝑍 ∗ 𝐼𝑍
 Conclusão: Quando a tensão de entrada aplicada for maior ou igual que a
tensão zener, o diodo estará ligado. Logo, por mais que o valor de tensão
da entrada aumente, o valor do diodo permanecerá o mesmo
 Exercitando
44 1. Para o circuito mostrado na figura ao lado, determine
𝑉𝐿 , 𝑉𝑅 , 𝐼𝑍 𝑒 𝑃𝑍 .
 Seguindo o passo 1 de análise, o circuito deverá ficar:

𝑅𝐿 ∗ 𝑉𝑖 1,2𝑘Ω ∗ 16𝑉
𝑉= = = 8,73𝑉
𝑅 + 𝑅𝐿 1𝑘Ω + 1,2𝑘Ω

 Como 𝑉 < 𝑉𝑍 , o diodo está desligado

𝑉𝐿 = 𝑉 = 8,73𝑉
𝑉𝑅 = 𝑉𝑖 − 𝑉𝐿 = 16𝑉 − 8,73𝑉 = 7,27𝑉
 Exercitando
45 1. Para o circuito mostrado na figura ao lado, determine
𝑉𝐿 , 𝑉𝑅 , 𝐼𝑍 𝑒 𝑃𝑍 , considerando RL=3kΩ.

𝑅𝐿 ∗ 𝑉𝑖 3𝑘Ω ∗ 16𝑉
𝑉= = = 12𝑉
𝑅 + 𝑅𝐿 1𝑘Ω + 3𝑘Ω

 Como 𝑉 > 𝑉𝑍 , o diodo está ligado. Logo, pode-se substituir como

visto na figura ao lado. Logo,

𝑉𝐿 = 𝑉𝑍 = 10𝑉
𝑉𝑅 = 𝑉𝑖 − 𝑉𝑍 = 16𝑉 − 10𝑉 = 6𝑉
𝑉𝐿 10𝑉
𝐼𝐿 = = = 3,33𝑚𝐴
𝑅𝐿 3𝑘Ω
𝑉𝑅 𝑉𝑖 − 𝑉𝑍 16𝑉 − 10𝑉
𝐼𝑅 = = = = 6𝑚𝐴
𝑅 𝑅 1𝑘Ω

Portanto, 𝐼𝑧 = 𝐼𝑅 − 𝐼𝐿 = 6𝑚𝐴 − 3,33𝑚𝐴 = 2,67𝑚𝐴

𝑃𝑧 = 10𝑉 ∗ 2,67𝑚𝐴 = 26,7𝑚𝑉
 Análise com diodo zener
46
Tensão de alimentação fixa e carga variável
 Devido a tensão limiar do diodo zener (𝑉𝑍 ), a resistência (𝑅𝐿 ) precisa ter uma faixa específica
de valores para garantir que o diodo zener esteja ligado. Pequenos valores de 𝑅𝐿 , fará com
que a tensão de carga 𝑉𝐿 seja menor que 𝑉𝑍 , portanto, o diodo estará desligado.
 Assim, a resistência de carga mínima (𝑹𝑳𝒎í𝒏 ) pode ser obtida por:

𝑉𝑍
𝑅𝐿𝑚í𝑛 =𝑅∗
𝑉𝑖 − 𝑉𝑍

 Qualquer valor de resistência maior ou igual a 𝑅𝐿𝑚í𝑛 garantirá que o diodo zener esteja ligado.
Permite ainda, obter a máxima corrente na carga (𝑰𝑳𝒎á𝒙 ):

𝑉𝐿 𝑉𝑍
𝐼𝐿𝑚á𝑥 = =
𝑅𝐿 𝑅𝐿𝑚í𝑛
 Análise com diodo zener
47
Tensão de alimentação fixa e carga variável
 A tensão e a corrente no resistor 𝑅 e a corrente no diodo zener, quando o diodo está ligado,
continuam fixos em:
𝑉𝑅 = 𝑉𝑖 − 𝑉𝑍
𝑉𝑅 𝑉𝑖 − 𝑉𝑍
𝐼𝑅 = =
𝑅 𝑅
𝐼𝑧 = 𝐼𝑅 − 𝐼𝐿

 Logo, considerando que 𝐼𝑅 seja fixo, um 𝐼𝐿𝑚á𝑥 define o 𝐼𝑧𝑚𝑖𝑛 , enquanto que 𝐼𝐿𝑚𝑖𝑛 define o 𝐼𝑧𝑚á𝑥 .
 Assim, lembrando que na folha de dados (datasheet) é especificado o máximo de corrente
que o diodo zener suporta, então a corrente mínima na carga (𝑰𝑳𝒎í𝒏 ) é:

𝐼𝐿𝑚í𝑛 = 𝐼𝑅 − 𝐼𝑍𝑚á𝑥

 E a resistência máxima na carga (𝑹𝑳𝒎á𝒙 ):

𝑉𝑍
𝑅𝐿𝑚á𝑥 =
𝐼𝐿𝑚𝑖𝑛
 Exercitando
48 1. Para o circuito mostrado na figura ao lado, determine a faixa de
valores de 𝑅𝐿 𝑒 𝐼𝐿 que manterá 𝑉𝑍 em 10V, e especifique a potência
do diodo.
 O valor de RL que ligará o diodo zener é:
𝑉𝑍 10𝑉 10𝑉
𝑅𝐿𝑚í𝑛 = 𝑅 ∗ = 1𝑘Ω ∗ = 1𝑘Ω ∗ = 250Ω
𝑉𝑖 − 𝑉𝑍 50𝑉 − 10𝑉 40𝑉

 A tensão através do resistor R é, portanto,

𝑉𝑅 = 𝑉𝑖 − 𝑉𝑍 = 50𝑉 − 10𝑉 = 40𝑉
𝑉𝑅 40𝑉
𝐼𝑅 = = = 40𝑚𝐴
𝑅 1𝑘Ω

 O valor mínimo de corrente na carga,

𝐼𝐿𝑚í𝑛 = 𝐼𝑅 − 𝐼𝑍𝑚á𝑥 = 40𝑚𝐴 − 32𝑚𝐴 𝑑𝑎𝑡𝑎𝑠ℎ𝑒𝑒𝑡 = 8𝑚𝐴

 Os valores máximos para um funcionamento dentro dos limites

especificados em datasheet é:
𝑉𝑍 10𝑉
𝑅𝐿𝑚á𝑥 = = = 1,25𝑘Ω
𝐼𝐿𝑚𝑖𝑛 8𝑚𝐴
𝑃𝐷𝑚á𝑥 = 10𝑉 ∗ 32𝑚𝐴 = 320𝑚𝑊
 Análise com diodo zener
49
Tensão de alimentação variável e carga fixa
 Para valores de resistência de carga (𝑅𝐿 ) fixa, a tensão de entrada deve ser
grande suficiente para ligar o diodo zener. A tensão de entrada mínima
(𝑽𝒊𝒎𝒊𝒏 ) que liga o diodo, é:
𝑅𝐿
𝑉𝐿 = 𝑉𝑍 = ∗ 𝑉𝑖
𝑅 + 𝑅𝐿
𝑅 + 𝑅𝐿 ∗ 𝑉𝑍
𝑉𝑖𝑚𝑖𝑛 =
𝑅𝐿
 O valor máximo de Vi é limitado pela corrente máxima no diodo zener
(𝐼𝑍𝑚á𝑥 ), como 𝐼𝑍𝑚á𝑥 = 𝐼𝑅 − 𝐼𝐿 ,

𝐼𝑅𝑚á𝑥 = 𝐼𝑍𝑚á𝑥 + 𝐼𝐿
 Dado que, IL é fixo em VZ/RL, e 𝐼𝑍𝑚á𝑥 é o valor máximo de IZ, a tensão de
entrada máxima Vi é definida por:
𝑉𝑖𝑚á𝑥 = 𝑉𝑅𝑚á𝑥 + 𝑉𝑍
𝑉𝑖𝑚á𝑥 = 𝐼𝑅𝑚á𝑥 ∗ 𝑅 + 𝑉𝑍
 Exercitando
50 1. Determine a faixa de valores de tensão de entrada que manterão o
diodo zener ligado.
𝑅 + 𝑅𝐿 ∗ 𝑉𝑍 1200Ω + 220Ω ∗ 20𝑉
𝑉𝑖𝑚𝑖𝑛 = = = 23,67𝑉
𝑅𝐿 1200Ω
𝑉𝐿 𝑉𝑍 20𝑉
𝐼𝐿 = = = = 16,67𝑚𝐴
𝑅𝐿 𝑅𝐿 1,2𝑘Ω

𝐼𝑅𝑚á𝑥 = 𝐼𝑍𝑚á𝑥 + 𝐼𝐿 = 60𝑚𝐴 + 16,67𝑚𝐴 = 76,67𝑚𝐴

𝑉𝑖𝑚á𝑥 = 𝐼𝑅𝑚á𝑥 ∗ 𝑅 + 𝑉𝑍 = 76,67𝑚𝐴 ∗ 220Ω + 20𝑉 = 16,87𝑉 + 20𝑉 = 36,87𝑉

 Diodo zener como regulador de tensão
51

 Mesmo havendo variações na tensão de entrada (V) ou na corrente na carga (IL),

dentro dos limites de operação do zener, a tensão na carga (RL) sempre será a
tensão do diodo zener (Vz) pois está em paralelo.
 Diodo zener como regulador de tensão
52

 O resistor R deve ser dimensionado para limitar a corrente no circuito, buscando

evitar que a corrente do diodo zener ultrapasse o valor máximo (ao retirar a carga
RL) sem deixar de oferecer um valor mínimo para manter o diodo na região de
ruptura, para que assim o diodo funcione dentro das especificações como
regulador.

𝑉𝑚á𝑥 −𝑉𝑍
𝐼 ≤ 𝐼𝑍𝑚á𝑥 𝑅𝑚í𝑛 =
𝐼𝑍𝑚á𝑥

𝑉𝑚á𝑥 −𝑉𝑍
𝐼 ≥ 𝐼𝑍𝑚𝑖𝑛 + 𝐼𝐿 𝑅𝑚á𝑥 =
(𝐼𝑍𝑚𝑖𝑛 +𝐼𝐿 )
 Exercitando
53
1. Sintetiza com suas palavras o que é região de depleção em um diodo e o que
acontece a mesma quando o diodo é polarizado diretamente e reversamente.
2. Calcule a corrente 𝐼𝐷 no diodo D1.
A) B)
 Exercitando
54
3. Calcule a tensão 𝑉𝐷 no diodo D1 para uma corrente 𝐼𝐷 = 5𝑚𝐴.

4. Conceitue: Camada de valência; Processo de dopagem; cargas livres em um

semicondutor do tipo P e N;
5. Explique o que acontece no comportamento da curva de um diodo ao aumentar a
temperatura ambiente.
 Exercitando
55 6. Determine 𝑉𝐷 e 𝐼𝐷 .
A)𝑉𝐿𝐼𝑀𝐼𝐴𝑅(𝑅𝐸𝐷) = 1,8𝑉 B)

C) Determine 𝑉0 , 𝐼𝐷1 , 𝐼𝐷2 𝑒 𝐼1

 Exercitando
56

7. Sendo a tensão zener 𝑉𝑍 = 10𝑉, 𝑅 = 220Ω, 𝑅𝐿 = 800Ω, determine as tensões e as correntes

para o circuito com uma tensão de entrada V=18V e V=25V.
Tensões do circuito Correntes do circuito
Entrada Em RL Em R I IL IZ
18V
25V

8. Sendo V=25V, calcule as tensões e as correntes para 𝑅𝐿 = 800Ω, 𝑅𝐿 = 500Ω;

Tensões do circuito Correntes do circuito
Resistor Em RL Em R I IL IZ
RL=800Ω
RL=500Ω
 Exercitando
57
9. Sendo V = 25V, 𝑉𝑍 = 10𝑉, 𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 = 100𝑚𝐴, 𝐼𝑍𝑚𝑖𝑛 = 10𝑚𝐴, 𝐼𝐿 = 20𝑚𝐴, calcule o valor mínimo
e máximo do resistor limiar R.
10. Sendo 𝑅 = 220Ω, 𝑉𝑍 = 10𝑉, 𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 = 100𝑚𝐴, 𝐼𝑍𝑚𝑖𝑛 = 10𝑚𝐴, 𝐼𝐿 = 20𝑚𝐴, calcule o valor mínimo
e máximo da tensão de entrada V.

11. Determine o valor de Rz para: 𝑉𝑍1 = 12𝑉 𝑐𝑜𝑚 𝐼𝑍1 = 10𝑚𝐴 𝑒 𝑉𝑍2 = 12,6𝑉 𝑐𝑜𝑚 𝐼𝑍2 = 40𝑚𝐴.
12. Sendo 𝑉𝑍1 = 12𝑉 𝑐𝑜𝑚 𝐼𝑍1 = 10𝑚𝐴 𝑒 𝑅𝑍 = 20Ω, calcule 𝑉𝑍2 para 𝐼𝑍2 = 50𝑚𝐴.
 Revisão sinal alternado
58
 Valor de pico: amplitude do sinal no eixo vertical.
 Valor de pico a pico: valor correspondente entre o pico superior (amplitude positiva) e
pico inferior (amplitude negativa).
𝑉𝑝 − 𝑝 = 𝑉𝑝 − −𝑉𝑝 = 2𝑉𝑝

 Período: ciclo de um sinal.

1
𝑇 = 𝑠 (𝑐𝑖𝑐𝑙𝑜)
𝑓

 Frequência: número de ciclos por segundo

1
𝑓 = 𝐻𝑧 (𝑋𝑐𝑖𝑐𝑙𝑜𝑠/𝑠)
𝑇

 Valor instantâneo: é o valor que uma grandeza assume num dado instante de tempo. Ex.:
Tensão V num dado instante de tempo t, pode ser encontrado por:
𝑉 𝑡 = 𝑉𝑝 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡)
 Valor médio
59
 O valor médio de uma função é o valor líquido da variação de uma grandeza física
no tempo.
 O valor médio não representa o trabalho realizado, mas a média aritmética.

2𝑥1 + (−2𝑥1) 0
𝑉𝑚é𝑑𝑖𝑜 = = =0
2 2

 Para uma função periódica contínua:

𝑇
1
𝑉𝑚𝑒𝑑 = න 𝑉 𝑡 𝑑𝑡 = 0
𝑇
0
 Valor eficaz (root mean square – RMS)
60

 É chamado de corrente/tensão alternada eficaz o valor de corrente/tensão alternada

que ao dissipar potência, é equivalente a uma corrente/tensão contínua que dissipe
esta mesma potência.

𝑉𝑝
𝑉𝑅𝑀𝑆 = ≅ 0,707𝑉𝑝
2

 Exemplo: suponha que a tensão numa tomada de alimentação seja de 120𝑉𝑅𝑀𝑆 . Qual
deve ser a tensão de pico?

𝑉𝑅𝑀𝑆 120
= 𝑉𝑝 → 𝑉𝑝 = ≅ 170V
0,707 0,707
 Entrada alternada em diodos
61

 O diodo vai depender da

polaridade da tensão.

 De 0 a T/2:
𝑉𝐷 = 𝑉𝑚 (𝑡𝑒𝑛𝑠ã𝑜 𝑑𝑒 𝑝𝑖𝑐𝑜)

 De T/2 a T:
𝑉𝐷 = −𝑉𝑖 (𝑡𝑒𝑛𝑠ã𝑜 𝑑𝑒 𝑝𝑖𝑐𝑜)
62 Retificador

 Retificar é converter um sinal alternado (AC) em sinal contínuo (CC).

 Noções básicas de transformador
63
 Devido a tensão na rede ser muito alta para a maioria dos dispositivos eletrônicos,
um transformador é encontrado na maioria desses para baixar a tensão a níveis mais
compatíveis com os dispositivos, por exemplo diodos e transistores.

𝑁1: 𝑁2

𝑉2 𝑁2
=
𝑉1 𝑁1
 Noções básicas de transformador
64
 Transformador elevador: a tensão no secundário é maior que a tensão no primário,
devido ao maior número de espiras no secundário em relação ao primário.
𝑁2
>1
𝑁1

 Exemplo:
𝑁2 300
= = 3, 𝑙𝑜𝑔𝑜 𝑎 𝑡𝑒𝑛𝑠ã𝑜 𝑛𝑜 𝑠𝑒𝑐𝑢𝑛𝑑á𝑟𝑖𝑜 𝑠𝑒𝑟á 3𝑥 𝑚𝑎𝑖𝑜𝑟
𝑁1 100

 Transformador abaixador: a tensão no secundário é menor que a tensão no primário,

devido ao menor número de espiras no secundário em relação ao primário.
𝑁2
<1
𝑁1
 Exemplo,

𝑁2 50
= = 0,5, 𝑙𝑜𝑔𝑜 𝑎 𝑡𝑒𝑛𝑠ã𝑜 𝑛𝑜 𝑠𝑒𝑐𝑢𝑛𝑑á𝑟𝑖𝑜 𝑠𝑒𝑟á 𝑚𝑒𝑡𝑎𝑑𝑒 𝑑𝑎 𝑡𝑒𝑛𝑠ã𝑜 𝑛𝑜 𝑝𝑟𝑖𝑚á𝑟𝑖𝑜
𝑁1 100
 Noções básicas de transformador
65
 Efeito sobre a corrente: diante da tensão induzida no secundário, considerando a
carga acoplada neste, tem-se uma corrente. Considerando um transformador ideal
(sem perdas de potência no enrolamento nem no núcleo), a potência é dada por:
𝑃2 = 𝑃1
𝑉2 ∗ 𝐼2 = 𝑉1 ∗ 𝐼1
𝐼1 𝑉2
=
𝐼2 𝑉1
 Considerando a relação de espiras
𝐼1 𝑉2 𝑁2
= =
𝐼2 𝑉1 𝑁1
 Logo,
𝑁2
𝐼1 = ∗ 𝐼2
𝑁1
𝑁1
𝐼2 = ∗ 𝐼1
𝑁2
 Conclui-se então que, no transformador elevador, a tensão no secundário é maior
mas a corrente é menor. Enquanto no transformador abaixador, a tensão no
secundário é menor mas a corrente é maior. A frequência não é alterada.
 Exercitando
66
 Um transformador abaixador tem uma relação de espiras de 5:1. Se a tensão no
primário é de 120Vrms, qual será a tensão no secundário?

𝑉2 𝑁2 𝑁2 1 120𝑉
= → 𝑉2 = 𝑉1 → 𝑉2 = ∗ 120𝑉 = = 24𝑉
𝑉1 𝑁1 𝑁1 5 5

 Suponha que um transformador abaixador tem uma relação de espiras de 5:1. Se a

corrente no secundário é de 1A, qual será a corrente no primário?

𝑁2 1 1𝐴
𝐼1 = ∗ 𝐼2 → 𝐼1 = ∗ 1𝐴 = = 0,2𝐴
𝑁1 5 5

Logo, para um transformador abaixador com 120V e 0,2A no primário com uma relação
de espiras 5:1, tem-se 24V e 1A no secundário.
 Retificador de meia onda
67  Retificação de meia onda: processo de remoção da metade do sinal de entrada.

𝐷1𝑜𝑛: 𝑉𝑜𝑢𝑡 = 𝑉𝑖𝑛 − 𝑉𝐷,𝑜𝑛 , 𝐷1 𝑜𝑓𝑓: 𝑉𝑜𝑢𝑡 = 0𝑉

𝑉𝑖𝑛 ≤ −𝑉𝐷,𝑜𝑛 : 𝐷1 𝑜𝑛, 𝑉𝑖𝑛 > −𝑉𝐷,𝑜𝑛 : 𝐷1 𝑜𝑓𝑓 𝑒 𝑉𝑜𝑢𝑡 = 0𝑉

68

 Período e frequência
são as mesmas da
entrada do circuito.
 Retificador de meia onda
69

 A parte do sinal removido não pode ter valor de tensão que ultrapasse o valor de PIV
(Tensão de pico reversa) do diodo, evitando entrar na região de ruptura
(Dimensionamento: folga de 50%).
𝑃𝐼𝑉 ≥ −𝑉𝑝
A tensão no diodo, no semiciclo positivo é 0 (ideal) e ou 0,7 (silício), enquanto que no
semiciclo negativo é –Vp.
 Retificador de meia onda
70  O valor médio CC é obtido então por:
𝑉𝑝 𝑉𝐶𝐶
𝑉𝐶𝐶 = = 0,318 ∗ 𝑉𝑝 , 𝐼𝐶𝐶 =
𝜋 𝑅
 Levando em consideração, a queda de tensão do diodo, o valor médio CC pode ser
aproximado por
𝑉𝐶𝐶 = 0,318 ∗ (𝑉𝑝 −𝑉𝐾 )

𝑉𝑜 = 𝑉𝑖 − 𝑉𝐾
 Tensão eficaz:
𝑉𝑝 𝑉𝑅𝑀𝑆
𝑉𝑅𝑀𝑆 = , 𝐼𝑅𝑀𝑆 =
2 𝑅
 Retificador de meia onda
71
 Exercitando
72  Esboce a tensão de saída V0 e determine o valor CC de saída para o circuito da
Figura abaixo (considere o diodo ideal).

𝑉𝐶𝐶 = −0,318 ∗ 𝑉𝑝 = −0,318 ∗ 20𝑉 = −6,36𝑉

 Exercitando
73  Esboce a tensão de saída V0 e determine o valor CC de saída para o circuito da
Figura abaixo (considere o diodo de silício).

𝑉𝐶𝐶 = −0,318 ∗ 𝑉𝑝 = −0,318 ∗ 20𝑉 − 0,7𝑉 = −0,318 ∗ 19,3𝑉 − 6,14𝑉

Logo, houve uma queda de 0,22V no nível CC (3,5%)
 Exercitando
74  E se a tensão de pico for aumentada para 200V? Compare com as questões
anteriores.

Diodo ideal:
𝑉𝐶𝐶 = −0,318 ∗ 𝑉𝑝 = −0,318 ∗ 200𝑉 = −63,6𝑉
Diodo de silício:
𝑉𝐶𝐶 = −0,318 ∗ 𝑉𝑝 = −0,318 ∗ 200𝑉 − 0,7𝑉 = −0,318 ∗ 199,3𝑉 − 63,38𝑉

Logo, houve uma queda de 0,22V no nível CC, algo que em um

osciloscópio comum, talvez não seja perceptível