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Proyecto Bimestral Amplificador en Emisor

Común y Emisor Común con Autoelevación
Pamela Condoy
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica, Escuela Politécnica Nacional
Quito, Ecuador

nancy.condoy@epn.edu.ec

 Y por lo tanto Zin=ZinT

Abstract— Este proyecto permitió conocer el funcionamiento más
detallado tanto del amplificador en emisor común y con
autoelevación, cumpliendo sus parámetros de ganancia como también Vb=Vin ; cuando CB esta en cortocircuito
de impedancia de entrada
Vc=Vb ; por seguidor emisor
Resumen— El emisor común presenta una elevada ganancia tanto Va=Vc ; C en cortoocircuito
en voltaje como en corriente y además permite controlas la
impedancia de entrada pudiendo esta también ser alta, además el
emisor común presenta desfase de 180 grados a su salida.
 En este circuito, la impedancia de entrada no
I. INTRODUCCIÓN depende de R1||R2, aun asi se suba los

E STE documento lleva acabo el desarrollo del amplificador

en emisor con y la autolevacion con emisor común, donde
se puede observar sus ondas de salida con su debido desfase 
niveles de ZinT
Los Vcc son mas bajos
de 180 grados  Se puede asumir el valor minimo de RC

II. DESARROLLO DE CONTENIDOS  Se puede asumir VE y no influye con la

impedancia de entrada
A. Dieseño de un Amplificador en Autoelvacion
Formulas a ocupar:
𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝑙
𝐴𝑣 =
𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1||(𝑅1||𝑅2)

𝑍𝑖𝑛 = 𝑍𝑖𝑛𝑇
= (𝛽 + 1)(𝑟𝑒
+ 𝑅𝐸1||(𝑅1||𝑅2))
𝑉𝑅𝐸 ≪ 𝑉𝐵𝐸

Condensadores
10
Figura1. Amplificador con Autoelevación en Emisor Común
𝐶=
2𝜋 ∗ 𝑓 ∗ 𝑅1||𝑅2)

𝑍𝑖𝑛 = 𝑍𝑖𝑛𝑇 = (𝛽 + 1)(𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1||(𝑅1||𝑅2)) 10

𝐶𝐵 =
2𝜋 ∗ 𝑓 ∗ 𝑍𝑖𝑛
10
Cuando: 𝐶𝐸 =
2𝜋 ∗ 𝑓 ∗ (𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1||(𝑅1||𝑅2)
𝑖3 = 0 𝑅3 → ∞ 10
𝐶𝐶 =
2𝜋 ∗ 𝑓 ∗ (𝑅𝐶||𝑅𝑙)
 2

𝐼𝐶
𝐼𝐵 = = 7.3𝑢𝐴
𝛽
𝐼1 = 11 ∗ 𝐼𝐵 = 80.3𝑢𝐴
𝐼2 = 10 ∗ 𝐼𝐵 = 73𝑢𝐴
𝑉𝐶𝐸 ≥ 𝑉𝑖𝑛𝑝 + 𝑉𝑜𝑝 ∗ 𝑉𝑠𝑎𝑡
B. Diseño Emisor Comun
𝑉𝐶𝐸 ≥ 0.12 + 1.2 + 2 ≥ 3.32 ≥ 3.5𝑉
𝑉𝐸 ≥ 1𝑉 + 𝑉𝑖𝑛𝑝
𝑉𝐸 ≥ 1𝑉 + 0.12 ≥ 1.12 ≥ 1.5𝑉
𝑉𝑐𝑐 ≥ 𝑉𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝐸 ≥ 11 ≥ 12𝑉
𝑉𝐸
𝑅𝐸 = = 2.05𝑘Ω
𝐼𝐸
𝑅𝐸2 = 𝑅𝐸 + 𝑅𝐸1 = 1.87𝑘 ≈ 1.8𝑘Ω
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐵
𝑅1 = = 122𝑘 ≈ 150𝑘Ω
𝐼1
𝑉𝐵
𝑅2 = = 30.14𝑘 ≈ 33𝑘Ω
𝐼2
𝑍𝑖𝑛 = (𝑅1||𝑅2)||(𝛽 + 1)(𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1)
Figura2. Amplificador Emisor Común
𝑍𝑖𝑛 = (27.05𝑘||(21.77𝑘)
DATOS
𝐴𝑣 = 10 𝑍𝑖𝑛 = 12.06𝑘
𝑉𝑜𝑝 = 1.2
𝑅𝑙 = 2.7𝑘
𝑍𝑖𝑛 ≥ 10𝑘 Condensadores
𝑓 = 1𝑘𝐻𝑧 10
𝛽 = 100 𝐶𝐵 = = 131.97𝑛𝐹
2𝜋 ∗ 1𝑘 ∗ 𝑍𝑖𝑛
10
𝐶𝐸 = = 7.84𝑢𝐹
𝑍𝑖𝑛 𝑅𝑙 2𝜋 ∗ 1𝑘 ∗ (𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1)
= 𝑟𝑒1 + 𝑅𝐸1 =
𝛽+1 𝐴𝑣 10
𝐶𝐶 = = 784.01𝑛𝐹
99.01 ≤ 𝑟𝑒1 + 𝑅𝐸1 ≤ 2.7𝑘 2𝜋 ∗ 1𝑘 ∗ (𝑅𝐶||𝑅𝑙)
2.7𝑘 − 99.01
𝑟𝑒1 + 𝑅𝐸1 = + 99.01
2
C. Diseño Emisor Común con Autoelevación
= 1.4𝑘
1
= 1.4𝑘
𝑅𝐶||𝑅𝑙
𝑅𝐶 = 8.2𝑘Ω
𝑅𝐶
𝑉𝑅𝐶 ≥ 𝑉𝑜𝑝 ∗ (1.2) ≥ 5.81𝑉
𝑅𝐶||𝑅𝑙
≅ 6𝑉
𝑉𝑅𝐶
𝐼𝐶 = = 0.73𝑚𝐴 ≈ 𝐼𝐸
𝑅𝐶
26𝑚𝑉
𝑟𝑒 = = 35.53
𝐼𝐸
𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝑙 Figura2. Amplificador con Autoelevación en Emisor Comun
𝐴𝑣 =
𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1 Puesto que su diseño también es con emisor común
𝑅𝐸1 = 180Ω los se conservan los mismos a excepción de:
 3

𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝑙 10
𝐴𝑣 = 𝐶𝐸 =
𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1||(𝑅1||𝑅2) 2𝜋 ∗ 1𝑘 ∗ (𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1||(𝑅1||𝑅2)
𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1||(𝑅1||𝑅2) = 203 = 7.84𝑢𝐹
𝑅𝐸1 = 168.47 ≈ 150Ω 10
𝐶𝐶 = = 784.01𝑛𝐹
𝑅𝐸2 = 𝑅𝐸 + 𝑅𝐸1 = 1.88𝑘 ≈ 1.8𝑘Ω 2𝜋 ∗ 1𝑘 ∗ (𝑅𝐶||𝑅𝑙)

0.1𝑉
𝑅3 = = 13.7𝑘 ≈ 15Ω
𝐼𝐵
III. CONCLUSIÓN
𝑍𝑖𝑛 = 𝑍𝑖𝑛𝑇 Se observe que tanto la onda de entrada como la onda de
= (𝛽 + 1)(𝑟𝑒 salida poseían un desfase de 180 grados.
Para realizar un diseño el cual posee un requerimiento de
+ 𝑅𝐸1||(𝑅1||𝑅2)) impedancia de entrada se debe tomar en cuenta ciertos
𝑍𝑖𝑛 = 𝑍𝑖𝑛𝑇 = (1019(214.34) parámetros como la ganancia, la impedancia de entrada y la
impedancia de salida
𝑍𝑖𝑛 = 𝑍𝑖𝑛𝑇 = 18.7𝑘

REFERENCES
Condensadores
[1] Apuntes, Ing. Fernando Carrera
10
𝐶= = 58.84𝑛𝐹
2𝜋 ∗ 1𝑘 ∗ 𝑅1||𝑅2)
10
𝐶𝐵 = = 85.11𝑛𝐹
2𝜋 ∗ 1𝑘 ∗ 𝑍𝑖𝑛