DISEÑO DE AMPLIFICADOR RF

Presentado por:
Jose Luis Rincón Zapata
Darwin Rigoberto Mejía Chamorro
Anderson Ferney Burgos Truque

Presentado a:
Ing. Hermes Fabián Vargas Rosero

Circuitos Analógicos 3
Facultad de Ingeniería Electrónica y Telecomunicaciones
Universidad del Cauca
Popayán
2018
 Propuesta

Diseñar un amplificador RF con las características de potencia a la salida de 15 w y

que opere a una frecuencia de 105 MHz.

Sol./
En primera instancia se procede a investigar los parámetros S del transistor para la
etapa de amplificación, y dada la frecuencia de operación en la cual va a operar el
sistema, Para efectos prácticos de búsqueda de los parámetros S para estos
transistores de RF, se propuso trabajar con el transistor BLF244 debido a su alto
poder de ganancia, baja figura de ruido, fácil control de poder, buena estabilidad
térmica, soporte de la falta de coincidencia de carga completa, entre otros, aunque
lo principal se debe a que en este transistor MOSFET posee una tabla de
parámetros S más clara que la presente en el Mar4.
En donde la región de los parámetros de Scattering de nuestro interés se halla en
100 MHz por ser el valor más próximo al pedido en el ejercicio. Así, la matriz de los
parámetros S queda:

|𝑆| = [0.75 0.06]

2.88 0.78
Se hace necesario tener los parámetros S en forma rectangular por lo que se
emplea la expresión 𝑆 = |𝑆| ∗ cos(𝜑) + 𝑗|𝑆| ∗ sin⁡(𝜑):

−0.34 − 𝑗0.36 0.058 − 𝑗0.015

𝑆=[ ]
1.19 + 𝑗2.62 −0.55 − 𝑗0.55
𝑃
Para calcular Gp se tiene la expresión 𝐺𝑃 = 𝑃 𝐿 , y en el caso de Pin se tiene el voltaje
𝑖𝑛
y la corriente utilizados para obtener los valores de los parámetros S, por lo tanto:

𝑃𝐿 𝑃0 15
𝐺𝑃 = = = = 48
𝑃𝑖𝑛 𝑉𝐷𝑆 ∗ 𝐼𝐷 (12.5) ∗ (25 ∗ 10−3 )
Esta ganancia en decibeles queda de la forma:

𝐺𝑃 = 10 ∗ log(48) = 16.81⁡𝑑𝐵
Luego se procede a calcular ∆ con la ecuación:

∆= 𝑆11 ∗ 𝑆22 − 𝑆12 ∗ 𝑆21

∆= (0.75 ∗ 0.78)∡(−133.8° − 135.4°) − (0.06 ∗ 2.88)∡(−14.3° + 65.6°)
∆= 0.585∡(−269.2°) − 0.173∡(51.3°) = −8.17 ∗ 10−3 − 𝑗0.58 − 0.11 − 𝑗0.13
∆= 0.11817 − 𝑗0.71 = 0.72∡(−80.55°)
Para hallar el factor de Rollet necesario para garantizar la estabilidad incondicional
del sistema, se tiene la siguiente expresión:

1 − |𝑆11 |2 − |𝑆22 |2 + |∆|2 1 − (0.75)2 − (0.78)2 + (0.72)2

𝐾= =
2|𝑆12 ∗ 𝑆21 | 2 ∗ (0.06 ∗ 2.88)
 0.3475
𝐾= = 1.0055
0.3456
Ya que el valor del factor de Rollet es prácticamente 1, se indica que el círculo de
estabilidad es secante a la carta de Smith, en los cuales se tiene en cuenta el valor
de la magnitud de la expresión de 𝑆11 , y dado a que este valor es inferior a 1𝑆11 =
0.75, se tienen dos opciones en la cual un circulo incluye el origen de la carta y otro
que no lo incluye, pero en ambos casos, el exterior del circulo es estable debido al
valor de 𝑆11 .
Luego se procede a hallar los valores del radio y centro (origen) de las
circunferencias que son secantes a la carta de Smith:

∗
(𝑆11 − ∆𝑆22∗ )∗ (−0.34 − 𝑗0.36 − (0.72∡(−80.55°)) ∗ (−0.55 + 𝑗0.55))
𝑟𝑔 = =
|𝑆11 |2 − |∆|2 (0.75)2 − (0.72)2
∗
(−0.34 − 𝑗0.36 − 0.561∡(−125.55°)) (−0.34 − 𝑗0.36 + 0.32 + 𝑗0.45)∗
𝑟𝑔 = =
0.044 0.044
−0.02 − 𝑗0.09 0.092∡(77.47°)
𝑟𝑔 = = = 2.09∡(77.47°) = 0.453 + 𝑗2.04
0.044 0.044

𝑆12 ∗ 𝑆21 0.173

𝑅𝑔 = | | = | | = 3.931
|𝑆11 |2 − |∆|2 0.044
Los anteriores valores indican el radio y el centro del círculo de estabilidad de
entrada.

∗
(𝑆22 − ∆𝑆11∗ )∗ (−0.55 − 𝑗0.55 − (0.72∡(−80.55°)) ∗ (−0.34 + 𝑗0.36))
𝑟𝑐 = =
|𝑆22 |2 − |∆|2 (0.78)2 − (0.72)2

(−0.55 − 𝑗0.55 − 0.356∡(−127.19°)) (−0.55 − 𝑗0.55 + 0.21 + 𝑗0.28)

𝑟𝑐 = =
0.09 0.09
−0.34 − 𝑗0.27 0.434∡(30.46°)
𝑟𝑐 = = = 4.822∡(30.46°) = 4.156 + 𝑗2.444
0.09 0.09

𝑆12 ∗ 𝑆21 0.173

𝑅𝐶 = | 2 2
|=| | = 1.922
|𝑆22 | − |∆| 0.09
Los anteriores valores corresponden al radio y centro del círculo de estabilidad de
salida.

Dado a que la potencia en la salida es de 15 w, si trabajamos con una impedancia

de carga de 50Ω para que exista MTP (Máxima Transferencia de Potencia) la
impedancia 𝑍0 debe ser igual a 50 Ω, por lo que la ganancia 𝛾𝐿 es 0.