Limpieza de Muestras

Tecnología de Semiconductores
Dr. Maurio Pacio Castillo
Olga Lucero Illescas Sánchez
Sonia Patricia Cerón García
Ana Karen Sánchez Hernández
April 4, 2018

1 Introducción
Obleas de Silicio
En microelectrónica, una oblea es una fina lámina de material semiconductor, por ejemplo el cristal de silicio, sobre la que se
construyen microcircuitos mediante técnicas de dopado (Por difusión o implantación de iones), grabado químico y deposición de
varios materiales. Las obleas tienen una importancia clave en la fabricación de dispositivos semiconductores como los circuitos
integrados. Se fabrican en varios diámetros que van desde 1 pulgada (25,4 mm) hasta 11,8 pulgadas (300 mm) y gruesos del
orden de medio milímetro. Generalmente se obtienen mediante el corte de grandes cilíndros de material semiconductor (lingotes)
utilizando discos de diamante, para después ser pulidas por una de sus caras.
Los lingotes se fabrican con silicio de gran pureza (99,9999 % de silicio), formando un sólo cristal. Uno de los procesos más utilizados
para fabricar los lingotes es el del químico polaco Jan Czochralski. En este proceso, el lingote cilíndrico de silicio monocristalino
de alta pureza se forma estirando de una semilla de cristal sumergida en silicio fundido.

Limpieza de Sustratos ∗ Pinzas de teflón.

∗ Pinzas metálicas.
La necesidad de que la superficie exterior de la oblea se encuentre
∗ Parrilla.
libre de partículas y contaminación exige una limpieza frecuente.
∗ Ban̂o ultrasónico.
Los métodos de limpieza principales son:
∗ Bureta 10 y 100 mL.
Lavado con agua desionizada y detergente.
∗ Agua desionizada.
Disolvente: alcohol isopropílico (IPA), acetona, etanol, terpenos.
∗ Xileno.
Ácido: fluorhídrico (HF), sulfúrico (H2 SO4 ) y peróxido de
∗ Cetona.
hidrógeno (H2 O2 ), clorhídrico (HCl), nítrico (HN O3 ) y mezclas
∗ Ácido fluorhídrico 40%
Hidróxido de amonio (N H4 OH)
∗ Hidróxido de amonio 30%
∗ Alcohol isopropílico
2 Objetivos ∗ Alcohol clorhídrico 36.5-38%

∗ Conocer los procesos de limpieza de obleas de silicio.

∗ Identificar los modos de limpieza dependiendo los posibles 3 Procedimiento
residuos (orgánicos o inorgánicos) que pudieran existir en las
superficies de los sustratos. Corte de la oblea.
∗ Uso de materiales, equipo y reactivos. Para la realización de la limpieza se requirió fragmentos de la
oblea de silicio, por lo cual sin tocar la oblea y únicamente ma-
nipulándola con pinzas metálicas o una hoja de papel, con el
Materiales
cortador de punta diamante se ejerce presión sobre cualquier
∗ Obleas de Silicio (100) esquina de la oblea para provocar la ruptura de acuerdo a su
∗ Lápiz de punta de diamante. orientación.
∗ Vaso precipitado 50 mL.

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 Figure 1: Fragmentos de obleas ocupadas en la limpieza.

Eliminación de óxido nativo de la superficie.

Para eliminar el óxido nativo de la oblea de silicio, se prepara Eliminación de compuests orgánicos en la
una solución de HF al 10%: supericie de las obleas

V1 C1 = V2 C2 Se utiliza una solución de xileno, acetona y alcohol

(20mL)(40%)
V2 = 10% = 8mL isopropílico con proporción (1:1:1) . Se limpian las obleas con
xileno bajo vibración ultrasónica durante 5 minutos. Se enjuaga
Una vez disuelto el HF, se agrega gota a gota en con metanol.
agua y se sumergen las obleas.

Figure 2: Proceso de eliminación.

Eliminación de compuestos orgánicos con

soluciones básicas Eliminación de compuestos inorgánicos con
soluciones ácidas.
Preparación de solución de RCA-I: Se mezcla H2 O, Solución RCA 2 con H2 O, H2 O2 y HCl, con proporción (6:1:1).
H2 O2 y HCl, proporción (5:1:1). Se sumergen las obleas en el RCA II a 80◦ C durante 20 min.
◦
Las obleas se sumergen en el RCA-1 a 80 C durante 20 min. Se retiran las obleas y se sumergen en agua para eliminar el ex-
Una vez pasado el tiempo se retiran las obleas y se sumergen en ceso de la solución RCA II, por último se limpian con alcohol
agua para quitar el exceso de la solución RCA I. isopropílico.

2
Figure 3: Procedimiento esquemático de la práctica de limpieza de sustrato.

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4 Resultados
Se obtuvieron los cortes de oblea de silicio (100) libres de grasas, óxido nativo y otros residuos.

5 Discusión y Conclusiones
El proceso de limpieza es necesario si se desea depositar algún compuesto en sustratos de silicio, ya que estos no se encuentran
exentos de residuos contaminantes como son las grasas, el cual es importante eliminar ya que al realizar caracterizaciones eléctri-
cas, ópticas y estructurales,las mediciones obtenidas estarían con inconrrectas.Por último es necesario recordar que al realizar esta
práctica se debe tener mucho cuidado con el manejo de reactivo, esto para evitar algún riesgo físico en el proceso.

6 Referencia
W. Kern and D.A Pountien, RCA Rev. 31 (1970) 187-206
David G. Baldwin, James R. Rubin y Afsaneh Gerami.Microelectrónica y Semiconductores:
Fabricación de Semiconductores de Silicio. Tomo III.