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Professor: Ivair José de Souza

1. SEMICONDUTORES

1.1 INTRODUÇÃO
O ÁTOMO é constituído de um núcleo onde ficam os prótons e os nêutrons.
Em torno do núcleo giram os elétrons distribuídos nas camadas K, L, M, N, O, P, Q.
No núcleo temos carga positiva devido aos prótons, enquanto que na eletrosfera temos carga
negativa que é devida aos elétrons.
Em um átomo neutro ou sem carga elétrica tem-se que o número de elétrons é igual ao
número de prótons. O átomo tende a ficar eletricamente neutro isto é; ficar com o número de
elétrons igual ao número de prótons e se tem excesso de elétrons tende a cedê-los e se tem
falta tende a recebê-los.
Quando o átomo recebe elétrons fica com carga negativa e é denominado de ÍON NEGATIVO
ou ÂNION e quando cede elétrons fica com carga positiva e é denominado de ION POSITIVO
ou CÁTION.

A unidade de medida para a carga elétrica é o coulomb (C).

1 coulomb equivale a 6,25 . 1018 elétrons.

Carga do elétron = 1 / 6,25 . 1018 = 1,6 . 10−19 C
Carga de um elétron é 1,6 . 10─19 coulomb
A carga do elétron é a unidade de carga elementar.

Alguns elementos químicos e a distribuição dos elétrons nas camadas.

Elemento Símbolo Número atômico K L M N O P Q

Boro B 5 2 3
Alumínio Al 13 2 8 3
Silício Si 14 2 8 4
Fósforo P 15 2 8 5
Gálio Ga 31 2 8 18 3
Germânio Ge 32 2 8 18 4
Índio In 49 2 8 18 18 3
Arsênio As 31 2 8 18 5
Antimônio Sb 51 2 8 18 18 5

São os elétrons da última camada que participam de fenômenos químicos e elétricos.

Elétron livre: Quando o elétron sai da última camada do átomo torna se livre e nos
condutores elétricos a corrente elétrica é um fluxo de elétrons livres.

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1.2 CONDUTOR, ISOLANTE E SEMICONDUTOR
Um bom condutor de corrente elétrica tem um número muito grande de elétrons livres e os
bons condutores como o ouro, a prata e o cobre têm resistência elétrica muito baixa.
Nos materiais isolantes, praticamente, não há elétrons livres e com isto não se tem nos
isolantes uma corrente elétrica. Os materiais isolantes como o vidro, o plástico e a louça têm
resistência elétrica muito alta.
Semicondutores possuem características elétricas entre os condutores e os isolantes.

1.3 SENTIDOS DA CORRENTE ELÉTRICA

Temos dois sentidos, o sentido eletrônico ou real e o convencional.

I) Sentido eletrônico ou real

É o sentido de movimento dos elétrons que é do potencial negativo para o potencial
positivo.

II) Sentido convencional

É o sentido de movimento das cargas positivas que é do potencial positivo para o
potencial negativo.

Normalmente, nos circuitos eletrônicos é adotado o sentido convencional para a

corrente.

1.4 ESTUDO DOS SEMICONDUTORES

Os materiais semicondutores mais utilizados são o silício (Si) e o germânio (Ge) e como seus
átomos se agrupam em uma estrutura ordenada são denominados de cristais.
O Si e o Ge são elementos tetravalentes isto é, possuem quatro elétrons na camada de
valência e cada átomo de Si ou de Ge completa quatro ligações covalentes com os quatro
átomos vizinhos.
Na ligação covalente, os átomos compartilham elétrons e o átomo fica estável quando tem oito
elétrons na última camada ou camada de valência.

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E é a energia necessária para passar o elétron da banda de valência para a banda de

condução. Para o germânio E = 0,72 e.V e para o silício E = 1,1 eV.
No germânio, o maior número de pares elétrons-lacuna se deve à menor energia para quebrar
ligações covalentes (0,72 elétron.volt).
1 e.V = 1,602 . 10−19 joule.
1 e.V é a energia adquirida por um elétron sob a ação de uma d.d.p (tensão) de 1 volt.

1.4.1 COMPORTAMENTO DO SEMICONDUTOR COM A TEMPERATURA

No zero absoluto (−273 ºC), o silício puro comporta como isolante visto que não há portadores
de carga isto é não se tem elétrons livres e lacunas.
Aumentando a temperatura aumenta o número de pares elétrons-lacuna e isto por que o calor
é uma energia suficiente para que elétrons saiam da camada de valência tornando-se livres.
O par elétron-lacuna é devido a que o elétron abandona a ligação covalente e com isto tem-se
um elétron livre e a lacuna sendo esta o “vazio ou buraco” deixado pelo elétron.
A lacuna comporta como carga positiva visto que é a ausência do elétron.
Os pares elétrons-lacuna dão origem à corrente de fuga nos dispositivos semicondutores
como o diodo, o transistor, etc. A corrente de fuga no silício é muito menor do que no
germânio e por isso, o silício é mais adequado para a construção dos dispositivos eletrônicos
como diodos, transistores e circuitos integrados (CIs).
A corrente de fuga no Si é muito baixa e por isto é desprezada na maioria das aplicações.

No semicondutor puro o número de elétrons livres é igual ao número de lacunas.

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O elétron e a lacuna movimentam em sentido contrário

Um elétron do átomo C ao preencher a lacuna do átomo D deixa uma lacuna no átomo C.
Agora, um elétron do átomo B preenche a lacuna no átomo C e deixa uma lacuna no átomo B.
Um elétron do átomo A preenche a lacuna no átomo B e deixa uma lacuna no átomo A.
Quando o elétron preenche a lacuna diz-se que houve uma recombinação.
Note que o movimento de lacunas se deve ao movimento de elétrons.

1.4.2 CORRENTE NO SEMICONDUTOR

No semicondutor a corrente é de elétrons e lacunas sendo que os elétrons movimentam do
potencial negativo para o potencial positivo e as lacunas movimentam do potencial positivo
para o potencial negativo.

1.4.3 DOPAGEM
Consiste em adicionar ao semicondutor (silício ou germânio) outros elementos químicos de
modo a tornar o número de elétrons livres diferente do número de lacunas.
A impureza adicionada é da ordem de um átomo de impureza para um milhão de átomos de
silício e a concentração depende do dispositivo semicondutor que se deseja obter.
Após a dopagem a resistência elétrica do semicondutor diminui consideravelmente..

1.4.4 DOPAGEM N
Adiciona-se elementos pentavalentes como Fósforo (P), Arsênio (As) e Antimônio (Sb).
Como estes elementos possuem cinco elétrons na camada de valência quatro elétrons
participam das ligações covalentes e o quinto elétron "sobra" tornando-se praticamente livre.
O átomo pentavalente doa um elétron que é considerado livre e após a dopagem N o
número de elétrons livres é muito maior do que o número de lacunas.
Os átomos doadores (P, As, Sb) se tornam Íons positivos ou cátions por que doam elétrons.

1.4.5 DOPAGEM P
Adiciona-se elementos trivalentes como Boro (B), Gálio (Ga), Índio (In) e Alumínio (Al).
Como estes elementos possuem três elétrons na camada de valência falta um elétron para
completar as quatro ligações covalentes. Três ligações covalentes são completadas e a quarta
ligação covalente incompleta é denominada de lacuna.
Os elementos trivalentes (B, Ga, In e Al) criam lacunas na rede cristalina e após a
dopagem P o número de lacunas é muito maior que o número de elétrons livres.

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Os átomos trivalentes da dopagem P são denominados de impurezas aceitadoras por que
criam lacunas que podem aceitar elétrons.
Após a dopagem P, os átomos trivalentes se tornam Íons negativos ou ânions.

Nos semicondutores, a corrente é de elétrons livres e lacunas.

Nos condutores elétricos a corrente é de elétrons livres.

A corrente predominante nos semicondutores é devida à dopagem e isto por que a

mesma contribui com portadores em maioria que são os elétrons da dopagem N e as
lacunas da dopagem P.

Os portadores em maioria são devidos à dopagem e os portadores em minoria (pares

elétrons-lacuna) são gerados termicamente (pelo aumento de temperatura).

O cristal semicondutor após a dopagem é denominado de semicondutor extrínseco e

antes de receber a dopagem é denominado de semicondutor intrínseco.

Semicondutor após a dopagem desprezando-se os portadores minoritários.

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1.5 JUNÇÃO PN

Íon negativo ou Ânion (átomo trivalente ).

Íon positivo ou Cátion (átomo pentavalente ).
– Elétron livre e é devido à dopagem N.
+ Lacuna e é devida à dopagem P.
A camada de depleção ou camada de íons é devida à recombinação de elétrons e lacunas na
junção.
Quando o elétron encontra a lacuna há a recombinação e o par elétron-lacuna deixa de
existir devido a que se completa a ligação covalente.
A camada de depleção dá origem a uma tensão que se denomina tensão da barreira de
potencial da junção. Diz-se barreira de potencial devido a que a camada de depleção barra
(impede) o movimento de elétrons e lacunas através da junção.
Para que elétrons e lacunas atravessem a junção (para ter corrente) é necessário aplicar uma
tensão externa de modo a polarizar a junção no sentido direto e vencer a barreira de
potencial.
A tensão da barreira de potencial é de 0,6V a 0,7V para diodos de silício e de 0,2V a 0,3V
para diodos de germânio.
Normalmente, considera-se 0,7V para diodos de Si e 0,3V para diodos de Ge.

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1.5.1 POLARIZAÇÃO DA JUNÇÃO PN
A junção PN pode ser polarizada de duas maneiras:
Polarização direta e polarização inversa.

I) Polarização direta.
Terá corrente por que elétrons e lacunas atravessam a junção PN.
O positivo da bateria repele as lacunas do lado P e atrai os elétrons do lado N.
O negativo da bateria repele os elétrons do lado N e atrai as lacunas do lado P.

Perde-se 0,7V para vencer a barreira de potencial da junção e o restante da tensão aplicada
fica no resistor R.
O resistor R limita a corrente na junção PN.

Para uma corrente constante, a tensão da barreira de potencial diminui 2mV a 3mV para cada
grau Celsius de aumento temperatura. Será considerado, neste curso, uma variação de ̶
2mV / °C para a tensão no diodo.
Se VD= 700mV a 25°C tem-se VD= 600mV a 75°C (considerando a mesma corrente).

II) Polarização inversa ou reversa.

Não terá corrente por que os portadores majoritários, elétrons do lado N e lacunas do lado P,
não atravessam a junção e também, a polarização reversa aumenta a camada de depleção.

]
O positivo da bateria atrai elétrons do lado N e o negativo atrai lacunas do lado P fazendo com
que elétrons e lacunas afastem da junção aumentando a camada de depleção. Como “não há
corrente” não terá, também, queda de tensão no resistor R.
VR= R.I sendo I= 0A tem-se VR=0V
A polarização inversa é também denominada de polarização reversa.

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Na realidade há uma corrente reversa muito pequena devido aos pares elétrons-lacuna que
são gerados termicamente e esta corrente reversa é denominada de corrente de saturação
(IS) e depende somente da temperatura.
A corrente reversa total no diodo também denominada de corrente de fuga é a soma da
corrente de saturação reversa e da corrente de fuga de superfície (IFS) a qual depende
diretamente da tensão inversa aplicada ao diodo.
IR = IS + IFS
A corrente de saturação reversa (IS) é originada pelos portadores minoritários que são
gerados pela energia térmica e a corrente de fuga superficial devido às “impurezas” na
superfície e imperfeiçoes na estrutura do cristal.
A corrente de fuga de superfície (IFS) circula na camada mais externa do cristal e isto por que
os átomos na superfície não possuem vizinhos para completar a ligação covalente e esta
“quebra de ligações covalentes” forma na superfície uma “camada de lacunas” que comporta
como um semicondutor tipo P permitindo a passagem de uma corrente muito pequena que
pode ser desprezada na prática.

Para um diodo polarizado inversamente tem-se que:

Mantendo a tensão constante e aumentando a temperatura, IS aumenta e IFS não altera.
Aumentando a tensão e mantendo a temperatura constante IS não altera e IFS aumenta.

A corrente de fuga ou corrente reversa (IR) é da ordem de nA (nanoampères) para o Si e da

ordem de µA (microampères) para o Ge e na maioria das aplicações é desprezada.
IR= IS + IFS

A corrente de saturação reversa (IS) dobra de valor para um aumento de 10°C na

temperatura ou aumenta 7% para cada grau Celsius de aumento de temperatura.
(IS dobra para cada 10°C e aumenta 7% por °C)

Exercício
̶9
1) Sendo a corrente de saturação reversa (IS) igual a 5nA (5.10 A) a uma temperatura
de 25°C determine IS a 85 °C e a 100 °C.
Resp. Is=.................... a 85°C
Is= ................... a 100 °C

2) Sabendo que num diodo de silício passa uma corrente reversa (IR) de 6µA a 20°C e
de 100µA a 80°C determine a corrente de saturação e a corrente de fuga superficial (IFS)
sendo que a tensão reversa aplicada se manteve constante.
IR = IS + IFS
Resp: IS=.................... a 20°C IS=.................... a 100°C
IFS=................... ... a 20°C IFS=.................... a 100°C

A luz é uma forma de energia e quando incide numa junção PN aumenta a

corrente de fuga e esta característica é utilizada pelo fotodiodo e o fototransistor.

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1.5.2 TENSÃO DE RUPTURA
Na polarização inversa passa uma corrente de fuga (muito pequena). Aumentando a tensão
inversa, a velocidade dos elétrons (portadores minoritários) aumenta. Estes elétrons em alta
velocidade chocam com outros elétrons da banda de valência do semicondutor liberando mais
elétrons, desfazendo ligações covalentes.
O processo é cumulativo e instantaneamente um grande número de elétrons e lacunas
atravessa a junção.
Tem-se então a ruptura por avalanche e a tensão inversa neste ponto é denominada de
tensão de ruptura ou tensão ZENER. (Breakdown Voltage).
O diodo retificador pode danificar se atingir a tensão de ruptura, no entanto, o diodo zener não
danifica quando atinge a ruptura e isto por que é projetado para operar nesta condição.

O fabricante fornece a tensão reversa máxima (VRM) e a corrente direta (IF) máxima que o
diodo suporta.

Alguns exemplos de diodos e valores de VRM e IF max.

Código IF max. VRM
1N4007 1A 1000 V
SKE1/08 1A 800 V
SKE2/04 2A 400 V
SK3/02 3A 200 V
1N5402 3A 200V
1N5408 3A 800V
1N4148 150 mA 75 V

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Datasheet do diodo retificador 1N4007

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1.6 DIODO SEMICONDUTOR DE JUNÇÃO
O diodo é uma junção PN.

A Anodo
K Catodo

1.6.1 POLARIZAÇÃO DO DIODO

Pode ser polarizado de duas maneiras: Polarização direta e polarização inversa

I) Polarização direta.
Neste caso tem-se corrente no diodo que é limitada pelo resistor R.
I = ( V – 0,7V ) / R
Fica uma tensão de 0,7V no diodo devido à tensão da barreira de potencial (0,7V para o
diodo de Si e 0,3V para o de Ge).

VR é a tensão no resistor e VD é a tensão no diodo.

O resistor R é calculado de modo que a corrente não ultrapasse o valor máximo de corrente
que o diodo suporta (IFmax). Rmin = (V – VD) / IFmax

No circuito acima, para se ter uma corrente de 20 mA, o resistor R deverá ser:
R= VR / I R = (V – 0,7V) / 20 mA
R = 4,3V / 20 mA = 215Ω.

II) Polarização inversa ou reversa.

Não se tem corrente por que o diodo comporta como uma chave aberta (I = 0A).
A tensão aplicada fica no diodo e não se tem queda de tensão no resistor.
VD= V e VR = 0V. (VR= R.I sendo I= 0A tem-se VR= 0V)
A tensão no resistor é nula por que não há corrente no mesmo.

I = 0A
VR = 0V
VD = 5V

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1.6.2 ANALOGIA DO DIODO COM UMA CHAVE (INTERRUPTOR)
I) Polarização direta: O diodo comporta como uma chave fechada.
O diodo conduz e a lâmpada acende.

O diodo, na polarização direta, não comporta exatamente como uma chave fechada devido à
tensão de 0,7V no mesmo, no entanto se a tensão de entrada for muito maior do que 0,7V a
tensão no diodo poderá ser desprezada.

II) Polarização inversa: O diodo comporta como uma chave aberta.

O diodo não conduz e a lâmpada apaga.

Curva característica do diodo semicondutor de junção.

A curva do diodo é obtida variando a tensão da fonte e medindo os valores de I e VD.

Curva característica dos diodos de germânio e de silício com polarização direta.

O diodo é um dispositivo não linear

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Professor: Ivair J. de Souza

Abaixo, tem-se o modelo matemático ou equação do diodo que também é denominada de

equação de Shockley a qual relaciona a corrente e a tensão no diodo (VD).

IS é a corrente de saturação em ampères (A)

I é a corrente no diodo em ampères (A)
VD é a tensão no diodo em volts (V)

n é o fator de idealidade ou coeficiente de emissão e seu valor depende do processo de

fabricação da junção PN sendo que no silício tem-se n= 1 para altos valores de corrente
(normalmente após o joelho da curva) e n= 2 para baixos valores de corrente. No Germânio
tem-se n=1.
VT é a tensão térmica.
̶ 23
k = 1,38. 10 .J/K (constante de Boltzmann)
̶ 19
q = 1,6. 10 C (carga do elétron)
T é a temperatura absoluta em Kelvin (K = °C + 273)

Exemplo:
1) Calcule a corrente de saturação num diodo de silício sendo a tensão no mesmo
700mV e a corrente igual a 100mA. Considere n=1 e a temperatura igual a 27°C ou 300K.

Solução:

Sendo n=1 e VD >> VT a equação de Shockley se resume a

700mV / 26mV ̶3 27 ̶3 9
100mA = IS ( e ) 100.10 = Is ( e ) 100.10 = Is . (532. 10 )
̶3
IS = 100.10 / 532. 10 9
̶ 15
188. 10 A (IS tem valor muito baixo por que é devida aos portadores minoritários).

2) Verifique através da equação do diodo que na polarização reversa para VD >> VT a

corrente no diodo é igual a IS. (Neste caso dê sinal negativo para VD para obter I = ̶ IS).

Na maioria das aplicações considera-se o diodo como IDEAL e com isto tem-se, na
polarização direta, uma resistência nula e na polarização reversa uma resistência
infinita. O diodo IDEAL com polarização direta comporta como uma chave fechada e
com polarização reversa comporta como chave aberta.
Na prática, o diodo REAL tem uma resistência direta muito baixa e uma resistência
reversa muito alta.
A principal característica do diodo é a de conduzir somente num sentido e por isto, é
denominado de dispositivo UNIDIRECIONAL.

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Exercícios:
Para os circuitos abaixo considere diodos de silício onde VF = 0,7V.
VF é a tensão no diodo com polarização direta.

1) a) Abaixo, calcule a corrente no circuito .

I =.................

b) Calcule o resistor R para se ter uma corrente de 8 mA no circuito.

R =.................

2) Abaixo, calcule a corrente nos diodos.

I =...................

3) Dê o valor da corrente e da tensão no ponto A.

I =................... VA =.....................

4) Abaixo, calcule o valor da corrente, da tensão no resistor R2 e VAB.

I =.................. VR2 =.................. VAB =................

5) Dê o valor da corrente no resistor R, da tensão ponto A e da tensão no diodo.

I =................. VA =................ VD =................

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6) Calcule os valores das correntes para o circuito abaixo.
I =................... I1 =................... I2 =...................

7) a) Dê os valores das correntes e descreva o funcionamento do circuito.

I =................... I1 =................... I2 =...................

b) Dê novamente os valores das correntes sendo V1 = 9V, V2 = 12V.

I =................... I1 =................... I2 =...................

8) No circuito abaixo, determine as correntes.

I =................... I1 =................... I2 =...................

9) a) Abaixo, dê os valores de VA e da corrente.

VA =............... I =................

b) Repita o exercício, invertendo o diodo D1.

VA =................ I =.................

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10) Abaixo, dê os valores de VA e da corrente no resistor R.
VA =................ I =.................

11) a) Abaixo calcule a corrente I, as tensões VR1 e VBC

I =................ VR1 =................. VBC =.................

b) Repita o exercício invertendo o diodo.

I =................ VR1 =................. VBC =.................

12) a) No circuito abaixo, determine as correntes I1, I2 e I3.

I1 =................... I2 =................... I3 =...................

b) Repita o exercício considerando R1= 1kΩ e R2= 2kΩ (Trocar R1 e R2).

I1 =................... I2 =................... I3 =...................

13) Abaixo, considere VF= 0,7V e preencha a tabela de acordo com o circuito.

Este circuito comporta como uma porta lógica OR onde S = A + B (S é igual a A ou B).

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14) Abaixo, considere VF= 0,7V e preencha a tabela de acordo com o circuito.

Este circuito comporta como uma porta lógica AND onde S = A . B (S é igual a A e B).

15) Abaixo, calcule as correntes.

I =................... I1 =................... I2 =...................

16) No circuito abaixo, calcule as correntes.

I =................... I1 =................... I2 =...................

17) a) Calcule as correntes no circuito abaixo.

I1 =................... I2 =................... I3 =...................

b) Qual o valor mínimo da tensão V1 que ainda mantém o diodo conduzindo?

V1min =...................

18) Abaixo calcule a corrente no resistor R sendo D1 diodo de Silício e D2 de Germânio.

I =................

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 18
As questões de 19 a 22 se referem à curva característica do diodo com polarização direta a qual é
mostrada na figura abaixo.

19) Sendo a tensão aplicada igual a 5V e R= 50Ω

Ω trace a reta de carga e determine os valores
de ID e VD para o ponto quiescente (ponto Q).
ID =.................. VD=.....................

A equação da reta de carga é: V= VD + R.I sendo R.I a tensão no resistor (VR).

I = (V – VD) / R
Para traçar a reta de carga deve-se obter os pontos P1 e P2 e para isto faz-se:
VD= 0V para obter o ponto P1 (considera o diodo em curto-circuito e se tem I = V / R).
VD= V para obter o ponto P2 (considera o diodo aberto e se tem I = 0A) ou fazer VD= 1V para obter o
ponto P2 (a graduação máxima no eixo x para VD é de 1V então I = ( V – 1V) / R.
A interseção da reta de carga com a curva do diodo fornece o ponto Q (ponto quiescente).

20) Sendo V= 5V determine o resistor R para se ter uma corrente de 20mA no diodo.
R =.................. R = ( V – VD) / I

21) Calcule a resistência estática ou resistência cc (resistência em corrente contínua) do diodo

para uma corrente de 20mA e para uma corrente de 85mA. (RD= VD / ID)
ID= 20mA RD=.................
ID= 85mA RD=.................
A resistência direta do diodo diminui com o aumento da corrente isto é a resistência direta varia
inversamente com a corrente.

22) Calcule a resistência dinâmica ou resistência ca do diodo para uma corrente de 20mA.
rd= 26mV / ID Equação válida para pequenas variações em torno do ponto de operação e
após o joelho da curva.
rd=....................
rd= 26mV / ID + rB onde rB é a resistência de corpo do diodo e como rB < 2Ω é desprezada na
maioria das aplicações. rB é a resistência de contato entre os terminais metálicos externos e o material
semicondutor.
A resistência dinâmica do diodo é a variação da tensão dividida pela variação da corrente no mesmo.

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 19
1.7 DIODO EMISSOR DE LUZ (LED)
O Diodo Emissor de Luz ou LED (Light Emitter Diode) é um diodo que emite luz quando
está conduzindo e deve ser polarizado no sentido direto.
A emissão de luz se deve à recombinação de elétrons e lacunas ao atravessarem a junção
PN. Quando a corrente circula no LED há a recombinação de elétrons e lacunas na junção PN
e esta recombinação dá origem à emissão de fótons. O comprimento de onda do fóton
determina a cor da luz e depende das dopagens P e N.
O LED de Arseneto de Gálio (GaAs) emite infravermelho e é utilizado em fotoacopladores,
alarmes, controle remoto, etc.
O LED de Fosfeto Arseneto de Gálio (GaAsP) emite a luz vermelha.
O LED emissor de luz visível é utilizado como indicador de circuito eletrônico ligado ou
desligado, sinalizador de painel elétrico, dispositivos de iluminação, etc.
O LED não deve ser polarizado inversamente visto que o mesmo tem uma baixa tensão de
ruptura que é de aproximadamente 5V.
Normalmente, a tensão no LED está entre 1,5V a 2,5V e considera-se um valor de VLED= 2V.
Deve-se ligar um resistor em série para limitar a corrente e normalmente é escolhido um valor
de corrente entre 5mA a 20mA.

Abaixo, tem-se o símbolo do LED e a ligação do resistor limitador de corrente.

Cálculo da corrente no LED: I = (V − 2V ) / R

I = 3V / 270Ω I = 11mA.

Para calcular o valor do resistor R faz-se R = (V – 2V) / I

Onde I é o valor da corrente e 2V a tensão direta no LED.
Para I = 5 mA tem-se R = 3V / 5 mA R = 600Ω
Ω

1) Sendo V = 12V, I = 10 mA, VLED = 2V calcule o valor do resistor R. Resp. R = 1kΩ

Ω

Abaixo, o LED está sendo utilizado em tensão alternada.

O diodo evita que uma tensão inversa seja aplicada no LED durante o semiciclo negativo da
tensão de entrada.

VCC é o valor médio da tensão retificada pelo diodo.

VCC = 0,45 . 127V VCC = 57V
Para I = 10mA tem-se R = 57V / 10mA R = 5,7kΩ
Ω

Direitos autorais: Ivair José de Souza

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