tema 1. Estructura Cristalina. Tema 4. Fonones. Vibraciones de la red.

2
Ecuación de movimiento: m ddtu2n = p Cp (un+p − un ), soluciones:
P
Posicion de un punto de la red: ~r= n1~a1 + n2~a2 + n3~a3 • Volumen
de la celda unidad: V = ~a · ~b × ~c • Distancia entre planos (SC,
  ModosPnormales: un (x, t) = u0 ei(kx−ωt) • Relación de dispersión:
BCC, FCC): dhkl = √ a • Red Ortorrómbica: ω 2 = p 2Cp m 1
[1 − cos kpa] • Interacción a primeros vecinos, p = 1 •
h2 +k2 +l2 x = sa con s = 0, 1, ... • un+1 = un (x + q
a) •
1
dhkl = r • Estructuras cristalinas simples. i) NaCl d 2 us
m dt2 = C(us+1 + us−1 − 2us ) ⇒ ω = 4C
 
h2
+ k2 + l 2
2 2
m
1 
sin ka
2
•
ba2 c p a
(FCC). Cl: 000, 12 12 0, 12 0 12 , 0 12 12 • Na: 12 12 12 , 00 12 , 0 12 0, 21 00 • ii) CsCl ωmax = ω(k = ±π/a) = 4C1 /m • 1 Zona de Brillouin:
(SC) Cs: 000 • Cl: 21 12 12 • iii) hcp: Factor de empaquetamiento: −π ≤ ka ≤ π • Condición de Bragg: kmax = ±k/a q • Velocidad de
c/a = (8/3)1/2 • iv) Estructura diamante (FCC). 000, 12 12 12 • v) ZnS ~ C1 a2 
dω
 
ka 
grupo: vg = (1D), vg = ∇~ ω(k) (3D). vg =
dk k cos
m
•
2
(2FCC). Zn: 000, 0 12 12 , 12 0 12 , 12 12 0 • S: 14 14 14 , 14 34 34 , 34 14 34 , 34 34 14 • Aproximación de onda larga: ka  1 ⇒ sin ka ' ka . Ası́ pues,
3 3 2 2
Volúmenes celdas primitivas: i) SC: V = a ii) BCC: V = a /2 iii) 2 C1 2 2
ω = m k a • Dos átomos por celda primitiva: Ecuaciones de
FCC: V = a3 /4 • Coefiiente de dilatación lineal: L0 = L0 (1 + α∆T ) 2
movimiento: m1 ddtu2s = C(vs + vs−1 − 2us ),
2
m2 ddtv2s = C(us+1 + us − 2vs ). Soluciones (modos normales):
tema 2. Difracción. us = u0 eiska e−iωt , vs =rv0 eiska e−iωt • Relación de dispersión:
   2
2
ω± = C mm11+m 2
±C m1 +m2
− m14m2 sin2 ka . ω+ → Rama
Ley de Bragg: 2d sin θ = nλ, intensidad máxima n = 1 • Red Real → m2 m1 m2 2

a, Red Recı́proca → 2π/a • Número de electrones en la red óptica, ω− → Rama acústica. • Aproximación de onda larga
(ka  1): ω+2
' 2C mm11+m2 2
. ω− ' 2(m1C+m2 ) k2 a2 • kmax = ± πa ⇒
P
periódica: n(~r) = G nG exp(−iG ~ · ~r) con m2

1
R
~ ω+2
= 2C/m1 . ω− 2
= 2C/m2 • Fonones: E = (n + 1/2)~ω • p ~ = ~~k •
nG = Vc c dV n(~r) exp(−iG · ~r) • Vector de la red recı́proca:
Scattering de P un fonón: ~k0 = ~k + ~kf onón + G~ • Energı́a total de los
G = h~b1 + k~b2 + l~b3 con ~b1 = 2π ~a2 ×~a3 , ~b2 = 2π ~a3 ×~a1 ,
a1 ·~
~ a2 ×~
a3 a1 ·~
~ a2 ×~
a3
P
fonones: U = k p hnk,p i ~ωk,p • Número medio de fonones:
~b3 = 2π ~a1 ×~a2 • ~bi · ~aj = 2πδij • Amplitud de Scattering: 1
• CV = ∂U
P R
a ·~
~ a ×~a hni = e~ω/kB T −1 • U = p dωDp (ω) e~ω/k~ω •
P 1R 2 3 ~ ~
~ ~
B T −1 ∂T
F = G dV ng ei(G−∆k)~r • Condición   de difracción: ∆k = G, si Densidad de
estados: (1D) Un estado permitido por cada
~ ~ 2 ~
elástica ⇒ 2kG = G • dhkl = 2π/ G. Si ∆k = G ⇒ ~ ~ intervalo 2π • D(ω) = L dk
= dN • (2D) 1 estado por área
   L π dω dω
2π 2π L2 dk
FG = NPc dV n(~r)e−iG·~r =P
R ~
N SG , con SG ≡ Factor de Esctructura • • D(ω) = 2π k dω • (3D) 1 estado por volumen
 Lx   Ly   
n(~r) = j=1 nj (~r − ~rj ) = sj=1 nj (~
s
ρ) ⇒ 2π 2π 2π
• D(ω) = 2π V 2 dk
2 k dω • Modelo de Debye:
Lx Ly Lz
P R
SG = j dV nj (~r − ~rj ) exp(−iG ~ · ~r)= V ω2
R ωD
Dispersion lineal ω = vk ⇒ D(ω) = 2π 2 v3 • N = 0 D(ω)dω ⇒
~ rj ) dvnj (~ ~ ·ρ
P R
j exp(−iG · ~ ρ) exp(−iG ~) • Factor atómico de forma: 3 2 3
Freciencia de Debye (frecuencia máx.): RωD = 6πV v N • kD = ωD /v •
~ ~ · ~r) y también
R P
fj = dV nj (~ ρ) exp(−iG · ρ ~) ⇒ SG = j fj exp(−iG Energı́a térmica (1 polarización): Up = dωD(ω)f (ω)Eω •
P
SG = j fj exp{−i(hn1 + kn2 + ln3 ) • Anillos de difracción:  3 R
xD 3
U = Up × 3 ⇒ U = 9N kB T θTD dx exx−1 con x = β~ω,
dhkl = λ/2 ⇒ sin θmax = π/2, aparecen anillos para dhkl ≥ λ/2 •  2
0
 3 R
xD 4 x
Factor atómico de forma, distribución esférica de carga: θD = xD T = k~B v 6π • CV = 9N kB θTD dx (exx −1)
e
2 • Ley
R∞ R∞ V 0
fj = 4π 0 drr2 nj (r) sinGrGr • 0 dxxn e−ax = Γ(n+1) •
an+1 T 3 de Debye: i) Altas temperaturas: kB T  ~ω ⇒ x  1 •
Γ(n + 1) = nΓ(n) = n! • BCC: SG,BCC = fBCC 1 + (−1)h+k+l •


h+k k+l h+l

U = 3N kB T , CV = 3N kB • ii) Bajas temperaturas:
FCC: SG,F CC = fF CC 1 + (−1) + (−1) + (−1) • kB T  ~ω ⇒ x  1 • U = 9N kB T 4 15θπ4 12π 4 N kB 3
∗ 3 • CV = 5 θ3
T •
Intensidad de difracción: I = SG · SG D D
Modelo de Einstein: U = 3N e~ω/k~ω
B T −1
•
3N kB (~ω/kB T )2 ~ω/kB T
CV = (e~ω/kB T −1)2
e • i) Altas temperaturas: CV ' 3N kB •
tema 3. Enlace Cristalino.  3
− ~ω
ii) Bajas temp.: CV ' 3N kB k~ω
BT
e kB T • θE = ~ω
kB
E
•
UT = Uatrac + Urepuls • Potenciales repulsivos: i) Potencial de Expansión térmica: hxi = 4c 3g 2 3 4
2 kB T , con U (x) = cx − gx − f x •
Lenard-Jones: UR = B/R12 • ii) Potencial de Born-Mayer: 1
Conductividad térmica: K = 3 Cvl con C = CV /V , v = velocidad
0
UR = λ exp(−R/ρ) • Cristales inertes (Van der Waals): media, y l = recorrido libre medio.
Potencial de interacción de una pareja de átomos:
Uij = B/Rij 12
− A/Rij 6
= 4 (σ/Rij )12 − (σ/Rij )6 , con
σ = (B/A)1/6 ≡ parámetro de distancia;  = A2 /4B ≡ parámetro de Tema 5. Gas de electrones libres de Fermi.
energı́a • Energı́a total: ~2 nπ 2
Niveles de energı́a (1D): ψn = A sin 2πn


hP
12
i L
• n = 2m L
•
− j6=i (σ/Rij )6 → Rij = ρij R. R ≡
P
UT = 2N  (σ/R ij ) 2
Nπ

2
j6=i Energı́a de Fermi: F = 2m 2L , con 2nF = N • Distribución de
~
distancia entre vecinos más próximos •  1
Fermi-Dirac: f (E) = e(−µ)/k . A T = 0K ⇒ µ = F • Gas
B T −1
UT (R) = 2N  A12 (σ/R)12 − A6 (σ/R)6 ≡ Energı́a total de ~
interacción o Energı́a de Cohesión. • FCC: A12 = 12.13188, de Electrones libres (3D): ψk (~r) = eik~r , con
2 2
 2 1/3
A6 = 14.45392. HCP: A12 = 12.13229, A6 = 14.4589 • Parámetro de k
kx = 0, ±2π/L, ±4π/L... • k = ~2m •p~ = ~~k • kF = 3πV N •
k  1/6
red: dUdRT (R)
= 0 ⇒ R0 = 2 AA12 6
σ • Cristales iónicos: Energı́a de Fermi: F = 2m
2
~
kF •Velocidad de Fermi:
R=R0
±Q2
 2 1/3
2m 3/2
P
Interacción electrostática: Uelec = j6=i 4π0 Rij (SI), 3π N V


vF = m ~
V
• Densidad de estados: N () = 3π2 ~2
•
2
Uelec = j6=i ±Q 2m 3/2 1/2
P
(CGS) • Energı́a total: dN V 3N


Rij D() = d = 2π2 ~2  = 2 • Capacidad calorı́fica de un gas
h i d d
R∞
Q2 P ±1 −R/ρ de electrones: Ce− = dT hU i = dT dD()f () ⇒
con α = i6=j P±1
P
UT otal (R) = N − 4π 0R j6=i Pij + zλe ij
≡ 0
α
P 1 Ce− ' 13 π 2 2
3N 2
k B T ⇒ Capacidad calorı́fica experimental:
Constante de Madelung, tb R = j rij ⇒ F
2 C = γT (e− libres)+αT 3 (Debye) • Ley de Ohm:
UT OT (R) = − N Q α
4π0 R
+ zN λe−R/ρ • Energı́a de Cohesión: ~ = m d~v = ~ dk = −e(E
F ~ + ~v ∧ B)
~ • Desplazamiento de la esfera de
2 dt dt
NQ α
U (R0 ) = − 4π 0 R0
[1 − ρ/R0 ] • N a + P I → N a+ + e− • Fermi: δ~k = −e ~
E
t • Densidad de corriente: ~j = nq~v = σ E ~ •
~
− −
e + Cl → Cl +hAE • N a + i Cl → N aCl + Ecohesión • Cristal iónico
2
Conductividad eléctrica: σ = nem τ , con τ ≡ tiempo medio entre
2
lineal: UT ot = N RAN − αq R
• Cristales covalentes: choques. • Resistividad eléctrica: ρ = 1/σ • Recorrido libre medio:
Singlete-Enlazante. Triplete-Antienlazante. • Cristales Metálicos. l = vF τ • Resisitividad experimental: ρ = ρf onón + ρdef ectos •
1
 2

Movimiento en un CEM: Ecuación de movimiento:

d
+ τ1 δ~k = F
~ tb: m d + 1 ~v = −e(E ~ + ~v ∧ B).
~ Soluciones:



~ dt dt τ
eτ eτ −eτ
vx = − m E x − ω c τ vy , vy = − m E y − ω c τ vx , vz = m E z •
eB
Frecuencia de ciclotrón: ωc = mc • Efecto Hall: Campo Hall:
eBτ E 1
Ey = −ωc τ Ex = − m Ex • Coeficiente Hall: RH = jxyB = − ne •
B Ey
Resistencia Hall: ρH = − ne = jx
• Conductividad térmica en
 2
π 2 nkB T τ 2
metales: K = 3m
• Número de Lorenz: σk = π3 keB T ,
2
L= k
σT
= 2.44 × 10−8 K 2J·C 2

Tema 6. Bandas de energı́a.

Potencial periódico. Modelo de e− cuasilibres. Gap en

k = ±π/a = ± 1G 2
• Ondas en 1a zona de Brillouin: ψ+ = 2 cos πx a
,
ψ− = 2i sin a • Magnitud del gap de Energı́a: U (x) = U cos 2πx
πx
a
•
R1
Eg = 0 dxU (x) |ψ+ |2 − |ψ− |2 = U • Funciones de Bloch.

~
ψ~k (~r) = u~k (~r)eik~r con u~k (~r) = u~k (~r + T~ ) • Modelo de
Kronig-Penney. Potencial periódico (PP): función escalón.
Condiciones de contorno periódicas. Aprox: funciones δ • Ecuación
−
de
h 2 ondas del i e en un PP. Ec. deP Schrödinger:
p iGx
2m
+ U (x) ψ(x) = ψ(x) • U (x) = G UG e •
P ikx 2πn
ψ(x) = k C(k)e con k = L , L longitud del cristal. • Ecuación
de ondas (Fourier) (Ecuación central):
(λk − )C(k) + G UG C(k − G) = 0 con λk = ~2 k2 /2m •
P

ψk (x) = G C(k − G)ei(k−g)x • uk (x) ≡ G C(k − G)e−iGx

P P

Invariante bajo traslaciones de cristal T • ~k ≡ Momento cristalino del

e− : ~k + ~ q = ~k0 + G ~ • Energı́a del e− libre:
(kx , ky , kz ) = (~2 /2m)(~k + G) ~ 2 • Solución aprox. en la frontera:
2
k = ± 12 G ⇒  = λ ± U = 2m ~
( 12 G)2 ± U ⇒
1/2
 = 2 (λk−G + λk ) ± 4 (λk−G − λk )2 + U 2
1
• No de orbitales en
1
o
una banda. 2N con N = n de celdas primitivas de parámetro a.

Tema 7. Cristales semiconductores.

Gap. Transiciones directas: Eg = ~ωg • Transiciones indirectas:

Eg = ~ω − ~Ω • Ecuaciones de movimiento. Velodidad de grupo:
vg = dω
dk
= ~1 dk
d
• ~v = ~1 ∇~k (~k) • Fuerza externa aplicada sobre el e− :
F
~
~ = ~ dk • Campo magnético: ~ d~k = −e~v × B ~ • huecos: ~kh = −K~e •
dt dt
~
h (~kh ) = −e (~ke ) • ~vh = ~ve • mh = −me • ~ ddt
kh ~ + ~vh × B)
= e(E ~ •
2 2
1 1 d ~ 1 1 d ~k


Masa efectiva: m∗ = ~2 dk2 • m∗ µν = ~2 dkµ dkν • Frecuencia de
eB
ciclotrón: ωc = m∗