Dependencia de los dispositivos a la temperatura

Tesis: la temperatura es un factor sumamente importante que puede alterar el

funcionamiento de los dispositivos

El reto de todo ingeniero esta en considerar todos las posibles variaciones del entorno que lo
rodea para así dar una solución estable y duradera al problema que está resolviendo.es muy
bien sabido que las condiciones del medio afectan en gran medida cualquier sistema
organizado en el espacio; sin embargo, si se tiene en cuenta estas alteraciones a la hora de dar
solución a las problemáticas, el sistema funcionaria sin verse alterado; este es el reto en todas
las ramas de la ingeniería.

En el caso de la ingeniería electrónica, uno de los problemas que más aqueja a los ingenieros
son las variaciones de temperatura, ya que la esta es un factor sumamente importante que
puede alterar el funcionamiento de los dispositivos. El aumento de temperatura podría dañar
dispositivos, sea cambiando sus propiedades físicas o, en el caso de un cambio de
temperatura abismal, quemarlos por completo.

Con la evolución de la ingeniería electrónica los transistores se han convertido en una pieza
clave para el desarrollo e innovación es por esto que muchos de los dispositivos electrónicos
de la actualidad llevan miles de transistores en su interior; sin embargo, los transistores son
dispositivos frágiles a los cambios de temperatura, es por esta razón que se deben tener e en
cuenta un rango de temperatura a la cual trabaje un dispositivo para asi tener plena certeza
que bajo ese rango se comportara de la manera deseada.

Tanto el MOSFET y del JFET, el aumento de temperatura genera un aumento de colisiones

entre los electrones y los huecos, lo que hace que se reduzca la movilidad de sus portadores y
por tanto se pierda eficiencia; además, el voltaje VTR también se ve afectado, por lo que los
ingenieros idearon la siguiente fórmula para calcular la variación de vth

En el caso del BJT, al igual que en otros dispositivos semiconductores, la temperatura afecta el
voltaje de barrera entre sus uniones, generando un desplazamiento de su grafica i-v hacia la
izquierda conforme aumenta la temperatura en la unión del dispositivo.por oytra parte
también se debe tener en cuenta que en polarización inversa de las uniones, la corriente is se
doblara cada 5 grados centígrados más de temperatura.