Sei sulla pagina 1di 146

Universidad, Ciencia y Tecnología

versión impresa ISSN 1316-4821


uct v.10 n.40 Puerto Ordaz sep. 2006

Nota Técnica
La prevención de la contaminación industrial como asignatura para la
formación ambiental universitaria
Reyes Gil, Rosa De Souza, Andrea Petersen, Jan
La Dra. Rosa Reyes Gil: Profesor Titular en el Dpto. de Biología de organismos,
Universidad Simón Bolívar, Apartado Postal 89000, Caracas, Telef. 0212-
9063046, correo electrónico rereyes@usb.ve.
Bach. Andrea De Souza y Jan Petersen: estudiantes de la Licenciatura en
Biología, Dpto. de Biología de Organismos de la misma Universidad, mismo
telefax, correos electrónicos andreadesousa@cantv.net. y janpetersen@cantv.net.
Respectivamente.
Resumen
Es generalmente aceptado que la actividad industrial es la principal responsable
de las emisiones atmosféricas, la producción de los desechos peligrosos, la
generación de efluentes líquidos, así como de producir contaminación térmica y
sónica. Siendo el hombre el principal modificador de su entorno, es necesario
generar en él una actitud responsable respecto al tema de la contaminación. El
curso “ Prevención de la Contaminación Industrial” , asignatura electiva
enmarcada en los programas de estudio de las diferentes carreras de la
Universidad Simón Bolívar, busca suministrar a los futuros profesionales, las
herramientas para entender y generar cambios en las políticas industriales de sus
futuros centros de trabajo en relación con el ambiente. Este trabajo tiene como
objetivo presentar el curso “ Prevención de la Contaminación Industrial” como
una propuesta a nivel universitario que conduce a la formación y sensibilización
del futuro profesional en el problema de contaminación generado por los procesos
industriales de los cuales formará parte en su futuro laboral. Incluye los principales
objetivos que se pretenden obtener con este curso, los contenidos programáticos
incluidos, así como las estrategias enseñanza-aprendizaje y de evaluación que se
aplican. De igual modo, se presentan dos casos de estudio desarrollados por dos
participantes del curso en su última edición del período abril-julio-2005.
Palabras clave: Contaminación Industrial/ Formación Ambiental/ Herramientas
para la Prevención/ Prevención de la Contaminación/ Procesos Industriales.
Prevention of industrial pollution as a course for environmental development
at university level
Abstract
It is generally accepted that the industrial activity is the main responsible for
atmospheric emissions, production of dangerous wastes, generation of liquid
effluents, as well as to produce thermal and sonic pollution. Man is the principal
modifier of his environment, and it is necessary to generate a responsible attitude
with respect to the environment. The course “ Prevention of Industrial Pollution” ,
an elective course in the curricula of various programs of Universidad Simón
Bolívar, seeks to offer to the future professionals the tools to understand and
generate changes in the environmental policies of their future work centers in
connection with the environment. The objective of this paper is to present the
course “ Prevention of Industrial Pollution” as a proposal at university level to lead
to the development and self-consciousness regarding the contamination problem
generated by the industrial processes that he will encounter in his professional
future. It includes the main objectives that are intended to cover in this course,
including the program contents, as well as the teaching-learning and assessment
strategies that are applied. Also included are two case studies by two participants
in the last issue of the course for the term April-July, 2005.
Keywords: Environmental Development/ Industrial Pollution/ Industrial Processes /
Pollution Prevention/ Prevention Tools.
Finalizado: 17/11/2005 Recibido: 10/01/2006 Aceptado: 27/01/2006
I. INTRODUCCIÓN
Durante la mayor parte de la historia de la humanidad, en la cual las sociedades
eran predominantemente rurales, la problemática ambiental se restringía a evitar
los riesgos naturales. Con la revolución industrial se inicia un cambio sustancial en
el tratamiento del ambiente, caracterizado por el aumento en la explotación de los
recursos no renovables y la generación de residuos contaminantes de distinta
naturaleza; todo ello aunado al incremento poblacional sostenido y al aumento de
las necesidades humanas [1, 2, 3, 4, 5, 6].
Se hizo evidente que el ser humano tiene el poder de transformar, de
innumerables maneras y a gran escala, todo cuanto lo rodea y, como
consecuencia, ha venido desarrollando técnicas de producción intensivas que no
consideran el impacto de estas actividades sobre el ambiente. En este contexto,
no es de extrañar que los problemas de contaminación sean más evidentes a
partir de la era industrial, momento a partir del cual se comenzaron a generar
grandes cantidades de desechos a velocidades superiores a las que los
ecosistemas son capaces de degradar. En efecto, está generalmente aceptado
que la actividad industrial es la principal responsable de las emisiones
atmosféricas, la producción de los desechos peligrosos, la generación de efluentes
líquidos, así como de producir contaminación térmica y sónica [7, 8, 9, 10].
Los graves problemas generados por la contaminación como consecuencia del
acelerado desarrollo industrial condujeron a que se cuestionara el modelo de
crecimiento imperante y sus implicaciones en la degradación del ambiente y la
afectación de los recursos naturales, generándose propuestas de diferente índole
para su control [11, 12, 13, 14, 15, 16]. Entre las principales herramientas que se
han propuesto para el control de la contaminación industrial y sus consecuencias
se pueden citar herramientas legales, educativas, económicas, gerenciales y
tecnológicas, entre otras [17, 18, 19, 20, 21, 22, 23].
Las medidas de alivio a la contaminación ambiental adoptadas tradicionalmente
por el sector industrial, consistentes en una serie de instalaciones de adición al
final de los procesos, han logrado mejoras relativamente rápidas. Sin embargo,
desde la mitad de los años setenta también han sido reconocidas las limitaciones
de estos métodos de “ fin de tubería” , y la única solución posible al problema de
los residuos ha sido la minimización de los mismos. Todo sistema de tratamiento
de los residuos debería, por lo tanto, preocuparse sobre todo de reducir las
cantidades de residuos producidos. Esto eliminaría la necesidad de tratar y
disponer estos materiales [24, 25, 26, 27, 28, 29, 30].
Siendo el hombre el principal modificador de su entorno, es necesario generar en
él una actitud responsable respecto al tema de la contaminación. Esta actitud
personal, comprometida con la salud ambiental, es de suma importancia y debe
propiciarse en el estudiante universitario de manera que pueda ser aplicada en su
campo de trabajo a nivel profesional, propiciando su participación como actor
activo en los procesos de cambio que se requieren con urgencia para la
conservación y protección del ambiente. Como resultado de estos planteamientos,
surgió la necesidad de ofrecer el curso “ Prevención de la Contaminación
Industrial” , el cual constituye una asignatura electiva enmarcada en los
programas de estudio de las diferentes carreras de la Universidad Simón Bolívar y
que busca suministrar a los futuros profesionales, las herramientas para entender
y generar cambios en las políticas industriales de sus futuros centros de trabajo en
relación con el medio ambiente.
Este trabajo tiene como objetivo presentar el curso “ Prevención de la
Contaminación Industrial” como una propuesta a nivel universitario que conduce
a la formación y sensibilización del futuro profesional en el problema de
contaminación generado por los procesos industriales de los cuales formará parte
en su futuro laboral. Este curso se dicta desde el año 2000, una vez al año con
una duración de doce (12) semanas durante el período lectivo abril-julio. A
continuación se presentan los principales objetivos terminales que se pretenden
obtener con este curso, los contenidos programáticos incluidos, así como las
estrategias enseñanza-aprendizaje y de evaluación que se aplican. De igual modo,
se presentan dos casos de estudio desarrollados por dos participantes del curso
en su última edición del período abril-julio-2005.
I. DESARROLLO
1. Objetivos Generales y Específicos
Al finalizar este curso el estudiante dispondrá de los conocimientos relacionados
con estrategias, técnicas y reglamentaciones que le permitirán identificar y
controlar puntos críticos en las actividades y procesos industriales de su
competencia, capaces de generar contaminación ambiental.
Para lograr este objetivo terminal se ejecutan las siguientes acciones:
1) Presentar y analizar los principales problemas ambientales generados por la
industria venezolana.
2) Proporcionar los principios básicos relacionados con la prevención de la
contaminación industrial, a saber: conceptos, técnicas, herramientas, incentivos y
barreras.
3) Describir las principales técnicas propuestas para la prevención de la
contaminación industrial.
4) Analizar diferentes casos de estudio en el quehacer industrial del país, en
función de los conocimientos adquiridos en clase.
2. Contenido Programático del Curso
El curso está formado por cuatro (4) unidades temáticas, a saber:
Unidad I: Impacto de las actividades industriales sobre
el ambiente (Referencias 1-6).
I.1. La Problemática Ambiental.
I.2. Principales problemas ambientales en las empresas Venezolanas.
I.2.1. Plaguicidas.
I.2.2. Contaminantes del Agua.
I.2.3. Contaminantes del Aire.
I.2.4. Desechos Sólidos.
I.2.5. Desechos Peligrosos.
I.2.6. Radiactividad.
I.2.7. Problemas ambientales globales.
Unidad II: Principios básicos en la Prevención de la Contaminación
Industrial (Referencias 17-23).
II.1. Conceptos y términos relacionados con la Prevención de la Contaminación
Industrial.
II.2. Clasificación de las Técnicas de Prevención de la Contaminación Industrial:
II.2.1. Administración de Inventarios.
II.2.2. Modificación del proceso de producción.
II.2.3. Reducción de volumen.
II.2.3. Recuperación.
II.3. Incentivos, barreras y estándares relacionados con la Prevención de la
Contaminación Industrial: Gerencia Ambiental.
Unidad III: Herramientas para la Prevención de la Contaminación
Industrial (Referencias 24-30).
III.1. Análisis del Ciclo de Vida del Producto.
III.2. Biotecnología para la Prevención.
III.3. Estudios de Impacto Ambiental.
III.4. Asesorías Ambientales.
III.5. Legislación Ambiental
III.6. Economía Ambiental
Unidad IV: Casos de Estudio: Elegir un proceso industrial de interés. Algunas de
las industrias que podrían ser analizadas son: de energía eléctrica, química, de
producción y refinación de petróleo, textil, de pulpa y papel, farmacéutica, de
desechos industriales, automotriz, metalmecánica, metalúrgica, y de transporte y
operaciones de petróleo, entre otras.
3. Estrategias de Enseñanza y Aprendizaje
El contenido del curso ha sido suministrado utilizando varios patrones de
enseñanza-aprendizaje, a través de: (a) Actividades de grupo, (b) Actividades de
equipo, y (c) Actividades individuales.
Estos patrones se combinaron con métodos y técnicas tales como:
1. Conferencias: actividad grupal conducida por el profesor o un invitado especial,
a fin de ofrecer una posición sólida y experta sobre los temas claves del curso.
2. Estudio de casos: desarrollados por equipos constituidos por los estudiantes del
curso, para profundizar sobre casos específicos de estudio en el país, utilizando
como base las conferencias previamente conducidas por el profesor o un invitado
experto.
4. Estrategias de Evaluación
La evaluación se curso ha consistido de una evaluación de entrada que busca
conocer las experticias y expectativas que traen los estudiantes al curso y una
evaluación del proceso a partir de evaluaciones individuales, grupales y continuas.
Evaluación de entrada:
1. Pre-diagnostico.
2. Formulación de expectativas de los participantes.
3. Diagnóstico.
Evaluación del proceso:
* Desempeño individual mediante dos exámenes parciales.
* Desempeño por equipo mediante la elaboración de un trabajo escrito y su
exposición oral, sobre casos de estudio específicos seleccionados al inicio del
trimestre.
* Retroalimentación continúa a través las intervenciones y participación de los
estudiantes.
5. Casos de Estudio
Esta actividad consiste en la elección por parte del estudiante o grupo de ellos, de
un proceso industrial de su interés. Se espera que se describa esquemáticamente
el proceso seleccionado, que se indiquen las partes del proceso que producen
daños ambientales y se propongan medidas que sean capaces de prevenir,
mitigar o corregir cada daño señalado en cada punto del proceso identificado.
Estas medidas deben provenir de la información adquirida en clase o de la
consulta de fuentes especializadas a través de la bibliografía disponible. A
continuación se presentan dos casos de estudio desarrollados por participantes
del curso en su última edición del período abril-julio-2005, los cuales fueron
expuestos oralmente y por escrito como trabajo final de la asignatura.
5.1. Prevención de la Contaminación en un Laboratorio de Terapia Celular.
La terapia celular, es una técnica cuyo objetivo es elaborar o utilizar de forma
sencilla un material celular capaz de reconstruir una parte de un órgano, que
previamente se había perdido de modo irreversible por la muerte del tejido, para
ello se utilizan células madre vivas que son trasplantadas en el organismo y que
por sus capacidades: pluripontencialidad y diferenciación, sirven de manera
eficiente con la reparación de órganos y tejidos dañados [31, 32].
Las células madre se obtienen desde cualquier embrión, pero además pueden
obtenerse desde algunos tejidos del ser humano adulto como, la médula, sangre
periférica y recientemente del músculo cardíaco.
Algunas aplicaciones de esta técnica se han realizado en la fabricación de retazos
de piel para el tratamiento de grandes quemaduras, en la sustitución del
transplante de cornea en pacientes sin posibilidad de la misma, y en los estudios
para atacar eficazmente las lesiones medulares, el Alz-Heimer, el Parkinson, la
Esclerosis múltiple y otros terribles trastornos neurodegenerativos. Una de las
aplicaciones más frecuentes es la llamada cardiomioplastia celular, técnica que
consiste en el cultivo de células madre obtenidas a partir de una biopsia de
músculo cardíaco del paciente con el objeto de reparar y rehabilitar la región
muerta a consecuencia del infarto [33].
Actualmente, esta técnica ha sido muy difundida y cada vez se escucha hablar
más de ella, parece un buen negocio y por este motivo es importante conocer en
qué consiste y más aún, cuánto daño puede causar al ambiente con el empleo de
materiales biológicos y sustancias químicas. De igual manera, es necesario estar
atentos con los efectos, producto de la utilización de materiales y equipos propios
de un laboratorio de esta índole.
Este trabajo se realizó en el marco de la asignatura “ Prevención de la
Contaminación Industrial” y tuvo como objetivo fundamental proponer medidas
para prevenir la contaminación generada en Laboratorios de Terapia Celular
(LTC). Para ello se describió el proceso involucrado, se evaluaron los posibles
puntos críticos capaces de generar contaminación, fueron señalados los efectos
de estos residuos o desechos sobre el ser humano y el ambiente en general y,
finalmente, se propusieron medidas preventivas y recomendaciones que evitaran o
disminuyeran la cantidad de contaminantes generados.
El proceso desarrollado en los LTC se resumen en 4 pasos o etapas principales
[33]: obtención y aislamiento de células madre, producción del implante celular
(cultivo), preservación de las células y finalmente implantación de las células en el
tejido u órgano dañado (ver Tabla I). Entre los principales contaminantes
generados podemos enunciar: desechos orgánicos y biológicos (células y tejidos),
desechos y residuos de sustancias químicas peligrosas, material descartable
(guantes, bata, cápsulas de vidrio, envases contenedores de células y tejidos),
residuos de papel, vidrio y plástico, desechos orgánicos (restos de comida), ruido,
y consumo de agua y energía. La Tabla II muestra los principales contaminantes
generados en el proceso y sus efectos sobre el ser humano y ambiente.
Tabla I. Etapas del proceso en un Laboratorio de Terapia Celular y posibles
fuentes de contaminación asociadas.
Tabla II. Principales contaminantes generados en el proceso y sus efectos
sobre el ser humano y ambiente.

Entre las principales medidas preventivas propuestas para encarar el problema de


contaminación en un Laboratorio de Terapia Celular se encuentran:
1)Capacitar al personal: informar sobre el uso correcto de las sustancias y
materiales a utilizar en el laboratorio.
2)Advertir con señales la presencia de sustancias peligrosas.
3) Mejorar los protocolos usados.
4) Usar medios de cultivos que permitan el mantenimiento de las células y tejidos
para así conservar intacto durante un largo periodo el valor biológico de las
proteínas contenidas en el material de extractos celulares, y para darles a los
laboratorios el tiempo necesario para efectuar los numerosos tests y controles
requeridos, con el fin de excluir cualquier posibilidad de presencia de agentes
patológicos o tóxicos que pudieran afectar al material, ya que los productos
biológicos y los tejidos celulares se desnaturalizan rápidamente por la acción de
las diferentes enzimas proteolíticas que descomponen la materia viva de las
células.
5) Disponer adecuadamente los desechos orgánicos, biológicos y químicos, según
lo estipulado en la Ley de cada País. En Venezuela, se cuenta con una la Ley N°
55 sobre Sustancias, Materiales y Desechos Peligrosos (34), cuyo objetivo es
“ regular la generación, uso, recolección, almacenamiento, transporte, tratamiento
y disposición final de las sustancias, materiales y desechos peligrosos, así como
cualquier otra operación que los involucre, con el fin de proteger la salud y el
ambiente” .
6) Utilizar plantas de emergencia para los sistema de refrigeración y las
incubadoras de cultivo celular, reguladores de voltaje para todos los equipos
eléctricos y sistemas UPS para aquellos equipos tipo computadoras, sistema de
aire acondicionado para todas las áreas, especialmente para el cuarto de cultivo,
extintores, duchas y lavaojos para que el personal se lave en caso de accidentes
con reactivos.
Después de evaluar los puntos críticos del proceso realizado en los LTC y
determinar los tipos de contaminantes generados y sus efectos, se puede decir
que éstos no son una amenaza ambiental en comparación a las industrias
petroleras, metalúrgicas, mineras, entre otras, porque no son generados en
grandes cantidades, pero en general estos lugares, constituyen un ambiente de
alto riesgo para los que laboran allí y en sus alrededores, ya que la impericia y el
desconocimiento en el manejo de equipos, sustancias y materiales del laboratorio,
podrían generar accidentes con consecuencias devastadoras a corto, mediano y
largo plazo, como intoxicaciones, explosiones, incendios y corrosión.
5.2.Prevención de la contaminación en un empresa de papel.
La palabra papel deriva de la palabra papiro y es una sustancia compuesta de
fibras entrelazadas en una malla compacta obtenida a partir de la introducción de
una suspensión de fibras de celulosa en una pantalla muy delgada. Un largo
número de aditivos son además agregados antes de que esta malla de celulosa
luzca como el papel con las propiedades conocidas. El papel incluye una amplia
gama de aplicaciones tales como de comunicación, culturales, educacionales,
artísticas, sanitarias y de almacenamiento y transporte (35).
Sin embargo, y a pesar de su utilidad, el proceso de manufactura del papel desde
el árbol hasta su forma final involucra una serie de eventos que pueden tener
significativos impactos ambientales.
En este proyecto se identificaron los principales pasos involucrados en el proceso
de obtención de papel, los procesos contaminantes asociados con su manufactura
y, por último, las principales medidas para la prevención, control y/o mitigación de
los daños producidos durante el proceso.
El proceso de obtención del papel incluye los siguientes pasos (35): 1) la
recolección de las fibras productoras mediante la deforestación de áreas
boscosas; 2) la obtención química de la pulpa mediante el tratamiento con
sustancias químicas como sulfitos, sulfitos modificados, sulfatos y soda; 3) el
blanqueamiento de la pulpa mediante el uso de agentes blanqueadores tales
como cloro, hipocloritos, dióxidos de cloro y peróxido de hidrógeno; 4) el
procesamiento de las fibras o refinamiento donde las fibras en suspensión de agua
son expuestas a cortado mecánico y esquilado en una cortadora y; 5) por último,
la fabricación del papel mediante una máquina fabricadora que incluye la
secuencia de formación de la hoja, compresión y secado.
Los impactos ambientales claves producidos por la industria papelera giran en
torno a los siguientes eventos:
 Tala de árboles, reducción de bosques fotosistetizadores y destrucción de
ecosistemas.
 Producción de ruido por el manejo de materiales en el proceso de
extracción de la madera, y tratamiento de la pulpa
 Emisiones a la atmósfera provenientes de la producción de energía, polvo y
uso químico.
 Uso de abundantes cantidades de agua
 Descargas de agua contaminada
 Desechos del proceso de descortezado y astillamiento
 Consumo de energía
Los impactos ambientales significativos en la manufactura de la pulpa y del papel
como producto final resultan del proceso de tratamiento de la pulpa y blanqueo de
la misma. En algunos procesos, son emitidos a la atmósfera compuestos
sulfurados y óxidos de nitrógeno y son descargados en aguas residuales
compuestos orgánicos o clorados, nutrientes y metales.
Los programas de prevención de la contaminación se deben enfocar en reducir las
descargas producidas por la industria y minimizar las emisiones aéreas. Algunos
lineamientos generales pueden incluir los siguientes:
1) El uso de procesos de extracción de pulpa eficientes desde el punto de vista
energético, siempre que sea posible. La aceptabilidad de productos menos
trabajados (como los papeles para revistas, etc.) debe ser impulsada.
2) Deben considerarse procesos termomecánicos como sustitución de los
procesos químicos. Además, pueden seguirse lineamientos generales apuntando
hacia la prevención de la contaminación, tales como:
 Minimizar la generación de efluentes a través de modificaciones en el
proceso y reciclaje de aguas de desecho
 Reducir el volumen de efluentes líquidos empleando la recuperación de
químicos de producción de pulpa reconcentrándolos en calderas y
empleando equipos de lavado y blanqueo más eficientes.
 Minimizar las descargas no planificadas de aguas de desecho causadas por
mal funcionamiento de los equipos, errores humanos y procedimientos de
mantenimiento deficientes. Esto puede lograrse entrenado operadores,
personal general y estableciendo mejores prácticas de trabajo
 Reducir las necesidades de blanqueo por el diseño de nuevos procesos,
evitando la descarga de compuestos clorados al ambiente.
 Minimizar las emisiones sulfurosas a la atmósfera empleando calderas de
recuperación Además de estos lineamientos generales, existen varias
herramientas biotecnológicas que pueden ser usadas para la reducir la
liberación de tóxicos como resultado de la producción del papel. Algunos de
ellos se describen a continuación (36):
1) Uso de hongos: Los tratamientos con hongos, en general, resultan en una
disminución general en los ácidos grasos totales y los ácidos resinosos presentes
en la madera. Los triglicéridos son prácticamente hidrolizados. El uso de hongos
resulta en una reducción del 37% en el uso de blanqueadores y un incremento del
1% en la brillantez del papel, además de mejorar las propiedades de resistencia.
2) Uso de enzimas: Enzimas como las lipasas pueden ser también usadas como
removedores de resinas. Estas enzimas catalizan la hidrólisis de triglicéridos, los
cuales han sido identificados como componentes de las resinas. Las Lipasas de
Pseudomonas sp., una bacteria muy común, han sido empleadas ocasionalmente
con resultados favorables.
3) Blanqueo de la pulpa con Xylanasas. El uso de Xylanasas en las diferentes
secuencias de blanqueamiento conduce consistentemente a una reducción de la
aplicación de sustancia químicas. Estas enzimas pueden ser agregadas al final del
tratamiento de producción de pulpa en lugares de almacenaje con condiciones
ajustadas de pH y temperatura, destinados a optimizar la acción de las enzimas.
El uso de Xylanasas reduce las descargas de compuestos clorados, al disminuirse
su uso y el de otros químicos como los peróxidos.
I. CONCLUSIONES
1) Los participantes del curso fueron capaces de seleccionar un proceso industrial
de su interés, describirlo secuencialmente e identificar los puntos susceptibles de
causar daños ambientales, sugiriendo luego las medidas preventivas necesarias
para enfrentarlos.
2) Con esta actividad los participantes lograron aplicar los conocimientos
adquiridos en el curso a un caso específico de análisis, no muy diferente a los que
se verán enfrentados en su quehacer profesional.
3) Las sucesivas ediciones del curso “ Prevención de la Contaminación
Industrial” , han formado ambientalmente a varios profesionales que actualmente
se desempeñan en el área empresarial y que cuentan con las herramientas,
legales, técnicas y gerenciales para enfrentar cualquier de los retos ambientales
derivados de los procesos en que trabajan.
II. REFERENCIAS
1. Miller, G. Ecología y Medio Ambiente. Grupo Editorial Iberoamérica S.A. de C.V.
Ciudad de México. 1994 867 pp. [ Links ]
2. Henry, J. & G. Heinke. Ingeniería Ambiental. Prentice Hall. México. 1996 778
pp. [ Links ]
3. Bifani, P. Medio ambiente y desarrollo sostenible. IEPALA Editorial. Madrid.
1999 593 pp. [ Links ]
4. Kiely, G. Ingeniería Ambiental. Fundamentos, entornos, tecnologías y sistemas
de gestión. Mc Graw-Hill Interamericana de España, S.A. Madrid. 1999 1331
pp. [ Links ]
5. Nebel, B. & R. Wright. Ciencias Ambientales. Prentice Hall Hispanoamericana
S.A. Ciudad de México. 1999 698 pp. [ Links ]
6. Morales, I. & R. Reyes. Mercurio y salud en odontología. Revista de Saúde
Pública Vol. 37, No. 2 (2003) pp 263- 265.BID-PNUD. Nuestra propia agenda
sobre Desarrollo y Medio Ambiente. BID/PNUD. Fondo de Cultura Económica.
México. 1991 102 pp [ Links ]
7. Seager, J. Atlas del Estado Medioambiental. Madrid. Ediciones Akal, S.A., 2002
129 pp. [ Links ]
8. Villegas, A.; Reyes, R. y L. Galván. Problemática ambiental en Venezuela y el
mundo. Universidad, Ciencia y Tecnología, Vol. 8, No. 30 2004 117-
125. [ Links ]
9. Clemente, A.; Souza, A.; Galván, L. y R. Reyes. Estrategias empresariales para
la conservación ambiental en el Sector Industrial. Universidad, Ciencia y
Tecnología, Vol. 9, No. 33 2005 pp 3-9. [ Links ]
10. Field, B. Economía Ambiental. Una Introducción. McGraw- Hill Interamericana,
S.A. Bogotá. 1995 587 pp. [ Links ]
11. Azqueta, D. & L. Pérez. Gestión de los espacios naturales. Mc. Graw-Hill
Interamericana de España, S.A. Madrid. 1996 237 pp. [ Links ]
12. Pearce, D. & R. Turner. Economía de los Recursos Naturales y del Medio
Ambiente. Celeste Ediciones. Madrid. 1995 448 pp. [ Links ]
13. Galván, L. & R. Reyes. Asignación de precio a los ecosistemas como bienes
ambientales únicos. Interciencia Vol. 24, No. 1 1999 pp 14-16. [ Links ]
14. Reyes, R. & L. Galván. Asignación de precios a los bienes ambientales como
instrumento de gestión tecnológica. Universidad, Ciencia y Tecnología Vol. 3, No.
9, 1999 pp 3-7. [ Links ]
15. Reyes, R.; Galván, L. y M. Aguiar. El precio de la contaminación como
herramienta económica e instrumento de política ambiental. Interciencia Vol. 30,
No. 7 (2005) pp 436-441. [ Links ]
16. Clements, R. Guía completa de las normas ISO 14000. Ediciones Gestión
2000. Barcelona. 1997 285 pp. [ Links ]
17. Venezuela. Ley Penal del Ambiente. Gaceta Oficial No. 4358 del 03-01-
1992. [ Links ]
18. Bernardes, R.; Tachizawa, T. y A. Barreiros. Gestão Ambiental. Markon Books
do Brasil Editora Ltda. Sao Paulo. 2000 206 pp. [ Links ]
19. Clemente, A.; Souza, A.; Galván, L. y R. Reyes. Propuesta metodológica para
la evaluación socio-ambiental de proyectos industriales y energéticos. Universidad,
Ciencia y Tecnología, Vol. 7, No. 28 2003 pp 239-245. [ Links ]
20. Marco, O. y R. Reyes. Tecnologías limpias aplicadas a la agricultura.
Interciencia Vol. 28, No. 5 2003 pp 252-258. [ Links ]
21. Mata, A.; Reyes, R. y R. Mijares. Clasificación y manejo de desechos
hospitalarios. Universidad, Ciencia y Tecnología, Vol. 7, No. 25 2003 pp 51-
57. [ Links ]
22. Mata, A.; Reyes, R. y R. Mijares. Manejo de desechos hospitalarios en un
hospital tipo IV de Caracas, Venezuela. Interciencia Vol. 29, No. 2 2004 pp 89-
93. [ Links ]
23. Hunt, D. & C. Johnson. Sistemas de Gestión Medioambiental. Mc Graw-Hill
Editores, S.A. Bogotá. 1996 318 pp. [ Links ]
24. Coronado, M. & R. Oropeza. Manual de prevención y minimización de la
contaminación industrial. Panorama Editorial, S.A. de C.V. México. 1998 183
pp. [ Links ]
25. Freeman, H. Manual de Prevención de la Contaminación Industrial. Mc Graw-
Hill Interamericana S.A. Ciudad de México. 1998 943 pp. [ Links ]
26. Roberts, H. & G. Robinson. ISO 14001 EMS. Manual de Sistema de Gestión
Medioambiental. Editorial Paraninfo. Barcelona 1999 425 pp. [ Links ]
27. Reyes, R.; Galván, L.; Guédez, C. & D. de Armas. 2002. La Gerencia
Ambiental en el sistema productivo venezolano. Universidad, Ciencia y Tecnología
Vol. 6, No. 23, 2002, pp 155-159. [ Links ]
28. Guédez, C.; de Armas, D.; Reyes, R. y L. Galván. Los sistemas de gestión
ambiental en la industria petrolera internacional. Interciencia Vol. 28, No. 9, (2003)
pp 528-533. [ Links ]
29. Villegas, A.; Reyes, R. y L. Galván. 2005. Gestión ambiental bajo ISO 14001
en Venezuela. Universidad, Ciencia y Tecnología, Vol.10, No.34. (2005) pp 63-
69.. [ Links ]
30. Santiago, A. Células madre, regalos de la vida, desde
http://www.minusval2000.com/investigacion/archivos
Investigacion/celulas_madre/regalosDeVida.html. Revisado en julio 2005.
. [ Links ]
32. Cuevas Pedro. Utilización de células troncales en la terapia celular de la
medicina regenerativa. Realidades y Fantasías, desde http: //www.andoc-
biosanitario.org/Cientifico/Pcuevas.htm. Revisado en julio 2005. [ Links ]
33. Universidad de Navarra, España. La Clínica Universitaria de la Universidad de
Navarra realiza el primer implante de células madre en España para regenerar un
corazón infartado desde . [ Links ]
34. Venezuela. Ley sobre sustancias, materiales y desechos peligrosos. Gaceta
Oficial No. 5554 Ext. del 23-12-2001. [ Links ]
35. Browning B.L. Analysis of paper. Marcel Dekker, Inc. New York. (1969) 375
pp. [ Links ]
36. Bajpai, P. y Kondo, R Biotechnology for Environmental Protection in the Pulp
and Paper Industry. Springer-Velag. Berlin, Alemania. (1999) 421
pp. [ Links ]^rND^sMorales^nI^rND^nR^sReyes^rND^sVillegas^nA^rND^sRey
es^nR^rND^nL^sGalván^rND^sClemente^nA^rND^sSouza^nA^rND^sGalván^nL^r
ND^nR^sReyes^rND^sGalván^nL^rND^nR^sReyes^rND^sReyes^nR^rND^nL^sGa
lván^rND^sReyes^nR^rND^sGalván^nL^rND^nM^sAguiar^rND^sClemente^nA^rN
D^sSouza^nA^rND^sGalván^nL^rND^nR^sReyes^rND^sMarco^nO^rND^nR^sRey
es^rND^sMata^nA^rND^sReyes^nR^rND^nR^sMijares^rND^sMata^nA^rND^sRey
es^nR^rND^nR^sMijares^rND^sReyes^nR^rND^sGalván^nL^rND^sGuédez^nC^rN
D^nD^sde Armas^rND^sGuédez^nC^rND^sde
Armas^nD^rND^sReyes^nR^rND^nL^sGalván^rND^sVillegas^nA^rND^sReyes^nR
^rND^nL^sGalván^rND^sMorales^nI^rND^nR^sReyes^rND^sVillegas^nA^rND^sRe
yes^nR^rND^nL^sGalván^rND^sClemente^nA^rND^sSouza^nA^rND^sGalván^nL^
rND^nR^sReyes^rND^sGalván^nL^rND^nR^sReyes^rND^sReyes^nR^rND^nL^sG
alván^rND^sReyes^nR^rND^sGalván^nL^rND^nM^sAguiar^rND^sClemente^nA^r
ND^sSouza^nA^rND^sGalván^nL^rND^nR^sReyes^rND^sMarco^nO^rND^nR^sRe
yes^rND^sMata^nA^rND^sReyes^nR^rND^nR^sMijares^rND^sMata^nA^rND^sRey
es^nR^rND^nR^sMijares^rND^sReyes^nR^rND^sGalván^nL^rND^sGuédez^nC^rN
D^nD^sde Armas^rND^sGuédez^nC^rND^sde
Armas^nD^rND^sReyes^nR^rND^nL^sGalván^rND^sVillegas^nA^rND^sReyes^nR
^rND^nL^sGalván^rND^1A01^sRamírez^nJuan^rND^1A02^sMoreno^nFranklin^rN
D^1A03^sMedina^nRubén^rND^1A01^sRamírez^nJuan^rND^1A02^sMoreno^nFra
nklin^rND^1A03^sMedina^nRubén^rND^1A01^sRam¡rez^nJuan^rND^1A02^sMore
no^nFranklin^rND^1A03^sMedina^nRub‚ n
Análisis de la serie temporal del balanceo en la marcha de pacientes con
parkinson
Ramírez, Juan Moreno, Franklin Medina, Rubén
Los autores desempeñan sus actividades en la Universidad de Los Andes (ULA),
Mérida, Venezuela.
Ing. Juan M. Ramírez: Profesor Instructor en el Dpto. de Electrónica y
Comunicaciones, Escuela de Eléctrica, Facultad de Ingeniería, telef. 58-274-
2402906, fax 58-274-2402907, correo electrónico juanra@ula.ve.
MSc. Franklin Moreno: Profesor Asistente en la Cátedra de Embriología de la
Facultad de Medicina, telef. 58-274-2403130, correo electrónico fmoreno@ula.ve.
Dr. Rubén Medina: Profesor Titular en el Grupo de Ingeniería Biomédica, Facultad
de Ingeniería, telef. 58-274-2402906, fax 58-274-2402907, correo electrónico
rmedina@ula.ve.
Resumen
La marcha en los pacientes afectados por la enfermedad de Parkinson se
caracteriza por un desequilibrio corporal marcado, con inestabilidad de los
movimientos e incremento de la variabilidad entre pasos. Este trabajo propone una
metodología para definir nuevos parámetros que discriminen pacientes con
Parkinson respecto a personas sanas, a partir del análisis de señales procedentes
de la marcha, específicamente a partir de las Series Temporales de Intervalos de
Balanceo (STIB). Los parámetros de discriminación analizados a partir de las
series STIB son: el coeficiente de variación, la potencia espectral y los promedios
temporales de los espectrogramas de Fourier. Tales parámetros se evaluaron
usando las series STIB de 15 pacientes con Parkinson y de 15 sujetos sanos. Al
realizar el correspondiente análisis estadístico mediante la prueba T-Student, se
obtuvieron para los tres parámetros definidos diferencias estadísticamente
significativas entre pacientes con Parkinson y sujetos de control (p<0.01). El
procedimiento propuesto puede ser utilizado en la detección temprana de
alteraciones en la marcha, y podría ser compatible con el diagnóstico precoz del
Parkinson. Sin embargo, este estudio no discrimina entre las diversas
enfermedades que afectan la marcha, recomendándose que el método propuesto
esté acompañado de los procedimientos clínicos de diagnóstico.
Palabras Clave: Coeficiente de Variación/ Enfermedad del Parkinson/
Espectrograma de Fourier/ Potencia Espectral/ Prueba T de Student.
Analysis of swing time series in the gait of parkinson patients
Abstract
The gait of patients affected by Parkinson disease is characterized by a marked
corporal unbalance, with instability of movements and an increase in the variability
between steps. This article proposes a methodology to define new parameters, for
Parkinson disease discrimination, extracted from the Time Series of Swing Interval
(TSSI). The analyzed discrimination parameters are: the coefficient of variation, the
power spectrum and the temporal averages of the Fourier Spectrogram. These
parameters were evaluated using the TSSI of 15 Parkinson patients and 15 healthy
persons. The statistical analysis, using the T-Student test, shows significant
statistical differences between Parkinson patients and control subjects (p < 0.01).
The proposed procedure could be used for early detection of alterations of the gait,
and could be compatible with the premature diagnosis of Parkinson disease.
However, this analysis does not discriminate between different neuro-degenerative
diseases, thus, the proposed method should be complemented with other
diagnosis clinical procedures.
Keywords: Coefficient of Variation/ Fourier Spectrogram/ Parkinson Disease/
Power Spectrum/ TStudent Test.
Finalizado: 10/03/2005 Recibido: 08/04/2005 Aceptado: 02/05/2006
I. INTRODUCCIÓN.
El Parkinson es una enfermedad caracterizada por movimientos temblorosos
involuntarios, con disminución de la fuerza muscular, propensión a inclinar el
tronco hacia adelante y a provocar en la marcha la transición hacia la carrera [1].
Esta enfermedad no afecta los sentidos ni el intelecto. Además, el Parkinson es un
trastorno que se presenta en edades medias o avanzadas de la vida, desplegando
una progresión gradual y una evolución prolongada.
La dinámica de la marcha es uno de los parámetros que se estudia actualmente
en los pacientes con Parkinson, en quienes se observa con frecuencia una
disminución de la longitud de la zancada, una postura encorvada, una reducción
del balanceo de las manos y una disminución en la velocidad de la marcha [2] [3]
[4]. En algunos pacientes, la variabilidad del tiempo de duración de los pasos y la
incapacidad para regular la marcha, han sido utilizadas para predecir futuras fallas
en la evolución de la enfermedad. Además, la variación del tiempo entre pasos y la
magnitud de las fluctuaciones de la duración del ciclo de la marcha, han sido
asociadas con múltiples factores entre los que podemos citar: la fuerza del
balanceo, el estado funcional y de salud mental del paciente [5] [6]. Es importante
destacar que el incremento de la variabilidad de la marcha es una manifestación
clara de la disminución en el control motor; deficiencia que aparentemente
aumenta el riesgo de fallas [7].
Recientemente, con el objeto de caracterizar la dinámica de la marcha en
personas que padecen enfermedades degenerativas, se han diseñado diversos
métodos de adquisición de señales procedentes de la caminata. Tales señales,
generalmente son tratadas con el fin de obtener secuencias que describan el
comportamiento de las diversas variables asociadas a la marcha. El análisis de
dichas secuencias ha permitido caracterizar distintas enfermedades que afectan la
marcha, entre las que se destacan: el Parkinson, el Huntington y la Esclerosis
Lateral Amiotrófica [8]. Sin embargo, las investigaciones previas de las secuencias
procedentes de la marcha, se han centrado en el procesamiento estadístico de las
señales en el dominio del tiempo.
Actualmente, está disponible en Internet una base de datos que contiene las
series temporales de diversos parámetros asociados con la caminata de pacientes
con Parkinson y de individuos sanos [9]. De forma más precisa, en dicha base de
datos están incluidas las series temporales de los intervalos de balanceo (STIB)
de pacientes con Parkinson y de sujetos sanos, donde dichas series, son vectores
que contienen en cada elemento el valor del intervalo de tiempo que permanece
uno de los pies sin contacto con el piso, en cada paso durante la caminata.
Este trabajo desarrolla un análisis estadístico, espectral y espectrotemporal de las
series STIB, con el objeto de definir nuevos parámetros que discriminen las
personas sanas con respecto a los pacientes con Parkinson. Este estudio aplica la
Trasformada Discreta de Fourier (DFT) y la Transformada Discreta de Fourier de
período corto (DSTFT) para obtener el espectro y el mapa espectro-temporal de
las series STIB, respectivamente. Además, a partir del espectro y del mapa
espectro-temporal de las series STIB se analizan las variables que puedan
discriminar estadísticamente los pacientes con Parkinson con respecto de los
individuos sanos.
La estructura del presente trabajo es la siguiente. En la Sección 1, se describen
las operaciones estadísticas y de procesamiento de señales implementadas en la
presente investigación. Específicamente, las operaciones a considerar son: el
coeficiente de variación, la densidad de potencia espectral, la potencia espectral,
el espectrograma de Fourier y la prueba estadística TStudent. En la Sección 2, se
estudian los métodos de procesamiento aplicados sobre las series STIB.
Seguidamente, en la Sección 3, se presentan los resultados de la aplicación de las
técnicas de procesamiento previamente descritas, y en la Sección 4 se expone la
discusión a partir del análisis de los resultados. Finalmente, en la Sección III, se
muestran las conclusiones de la presente investigación.
II. DESARROLLO
1. Técnicas estadísticas y de procesamiento de las señales
Antes de presentar una descripción detallada de la metodología aplicada, se
describen brevemente las técnicas estadísticas y de procesamiento de señales
implementadas en esta investigación.
A. Coeficiente de Variación
El coeficiente de variación es una medida de la variabilidad de una población con
respecto a su valor promedio y está definido como la relación porcentual existente
entre la desviación estándar (SD) y el promedio (E) de la señal en estudio (x) [10],
en otras palabras:

B. Densidad de Potencia Espectral


La densidad de potencia espectral es una función que estima la magnitud de las
diferentes componentes de frecuencia de las señales de interés. No obstante, para
la obtención de dicha función, se debe determinar previamente la Transformada
Discreta de Fourier (DFT). La definición matemática de la DFT se muestra a
continuación:

donde x(n) es la señal discreta en el dominio del tiempo de longitud N, y k


representa el tamaño de la DFT. Es de hacer notar que, en este trabajo, la DFT se
obtiene usando el algoritmo de Transformada Rápida de Fourier (FFT). A partir de
la estimación del espectro X(k) por medio de la DFT, se procede con la obtención
de la densidad de potencia espectral de la señal (PSD), definida como:
Como puede observarse en la Ecuación (3), la PSD es un estimado de la
distribución de la energía de la señal en un rango de frecuencias definido.
C. Potencia Espectral
La potencia espectral de señales continuas está definida por la integral de la
densidad de potencia espectral en un rango de frecuencias. Sin embargo, en este
trabajo, dado que las secuencias STIB son series discretas, se obtendrá la
magnitud de la potencia espectral usando el criterio la amplitud media cuadrática
[11]. Dicho criterio, estima la potencia espectral calculando el promedio de la PSD
en un rango de frecuencias definido, ver Ecuación (4), en donde M es la longitud
de la PSD en el rango de frecuencias de interés.

D. Espectrograma de Fourier
El Espectrograma de Fourier (FS) es una técnica usada para la representación
espectro-temporal de las señales. Dicha representación se obtiene a partir del
cálculo de la Transformada Discreta de Fourier de período corto (DSTFT) [12],
[13]. La definición matemática de la DSTFT es la siguiente:

donde x(m) es la señal a procesar, ω(nL - m) es una función ventana que


multiplica a la señal de interés, RN(k) es una secuencia rectangular de N puntos
definida por la Ecuación (6), n representa el número de períodos cortos o
segmentos de la señal y k es el tamaño de la DFT. Las funciones u(k) y u(k - n),
descritas en la Ecuación (6), son escalones unitarios centrados en cero y n,
respectivamente.

La DSTFT se construye multiplicando la señal de interés por una función de


ventana ω(m) de longitud L . Luego se obtiene la DFT de la señal resultante.
Posteriormente, la ventana se desplaza n posiciones a lo largo de la señal,
repitiéndose el proceso anteriormente descrito para obtener la representación
espectro-temporal de la señal x(n), que corresponde a una señal bidimensional
denotada por X(n, k). La DFT se implementa utilizando el algoritmo de FFT.
El cálculo del espectrograma de Fourier se describe en la Ecuación (7), en la que
se observa que esta operación provee la distribución espectro-temporal de la
energía de la señal.

Las variables más importantes en un espectrograma son la longitud de la función


ventana ω(m) y el solapamiento. La longitud de la ventana determina la resolución
en tiempo y en frecuencia del FS. Si la longitud de la ventana es corta, el FS
tendrá una buena localización en tiempo pero una pobre resolución en frecuencia.
En cambio, si la longitud de la ventana es larga, la resolución en frecuencia será
buena pero la localización en tiempo será pobre. El valor del solapamiento en el
cálculo del FS permite controlar las discontinuidades en el eje temporal de la
representación espectro-temporal. Resultados con menos discontinuidad en las
transiciones del mapa espectro-temporal son obtenidos al aplicar un mayor
solapamiento entre ventanas.
E. Prueba T de Student
La prueba de hipótesis t-Student valora las posibles diferencias estadísticas entre
los promedios de dos grupos de datos. El valor t de la prueba de hipótesis t-
Student se obtiene mediante la siguiente expresión:

En la Ecuación (8), μT y μC´ son los promedios de cada una de las poblaciones en
estudio; varT y varC son las varianzas de dichas poblaciones; y nT y nC son la
cantidad de muestras en cada población. Una vez calculado el valor de t -el cual
indica la diferencia entre los promedios de las dos poblaciones en estudio- se
busca en una tabla el nivel de significación (p) para apreciar el grado de
diferencias entre las dos poblaciones. El nivel de significación más usado para
concluir que dos poblaciones tienen diferencias estadísticamente significativas
entre sus muestras es el de p < 0.05.
2. Métodos
2.1. Descripción de los Datos
Las señales STIB son parte de una base de datos que registró diversos
parámetros de la marcha en 30 sujetos (15 pacientes diagnosticados con la
enfermedad de Parkinson y 15 individuos sanos). Esta base de datos está
disponible en www.physionet.org/physiobank. Las señales procedentes de los
pacientes con Parkinson son resultados de medidas realizadas a personas
tratadas en el Hospital General de Massachussets. Estos pacientes presentan un
promedio de edad de 66.8±10.9 años, y un promedio de tiempo transcurrido
después del diagnóstico inicial de la enfermedad de 32.0±10.3 meses. Los sujetos
sanos tienen un promedio de edad de 39.3 ± 18.5 años.
El experimento de la dinámica de la marcha fue realizado de manera idéntica en
los 30 sujetos. Tales sujetos fueron inducidos a caminar a paso normal durante 5
minutos a lo largo de un pasillo de 77 m de longitud. Con la finalidad de medir los
parámetros asociados a la marcha, se le colocó a cada zapato una plantilla
sensible a la presión, que enviaba la información a un pequeño grabador colocado
en los tobillos de los sujetos en estudio. Más detalladamente, la adquisición de los
datos se obtuvo con un sistema desarrollado por Hausdorff et al., y reportado en
[14], que proporciona estimados aproximados del inicio, finalización y fases de
postura de la secuencia de pasos durante la caminata. Los datos adquiridos se
procesaron, determinándose con ello el intervalo del balanceo, definido como el
tiempo que permanece uno de los pies sin contacto con el suelo durante cada
paso. Luego, se construyó cada secuencia STIB a partir de los valores de intervalo
de balaceo de cada individuo durante la caminata. Los procedimientos empleados
en el presente trabajo se implementaron sobre las series STIB obtenidas del pie
derecho de cada individuo.
Para eliminar los efectos en la señal producidos por el giro de la persona al final
del pasillo, se aplicó un filtro no lineal [10]. Este filtro elimina aquellos datos cuya
amplitud exceda 3 veces la desviación estándar (3*SD) alrededor del valor de
mediana de la señal y en el lugar del dato removido, se asigna el valor promedio
de la señal. En la Figura 1, se muestran las series STIB procedente de un sujeto
sano y de un paciente con Parkinson, después de aplicar el filtro no lineal.
Figura 1. (a) Serie STIB de un sujeto sano (b) Serie STIB de un paciente con
Parkinson
2.2. Procesamiento de las Series STIB
El procedimiento de tratamiento de las señales se inició con la obtención de los
coeficientes de variación de las series STIB de sujetos sanos y de pacientes con
Parkinson. Específicamente, dicha operación se realizó aplicando la Ecuación
(1) sobre las secuencias STIB procedentes de cada individuo. Es importante
resaltar que, desde el punto de vista de la marcha, el coeficiente de variación de
las series STIB es un parámetro de medición de la fluctuación de la velocidad de
la caminata, debido a que despliega la información de la variabilidad del tiempo de
balanceo con respecto al tiempo promedio de duración de cada paso [10].
Luego, se obtuvo la potencia espectral de las secuencias STIB. Para ello, se
calculó la DFT de las secuencias en estudio usando el siguiente procedimiento:
como primer paso, se extrajo el valor promedio de las series STIB con el fin de
estudiar los espectros generados por la variabilidad de las señales en estudio [15];
luego, se multiplicó cada serie por una función ventana de Blackman con el objeto
de suavizar los efectos oscilatorios producidos en el espectro por el truncaje de la
señal [15]; y, a partir de las secuencias resultantes, se determinaron los espectros
aplicando el algoritmo de transformada rápida de Fourier (FFT).
A partir del espectro X(k) se obtuvo la densidad de potencia espectral (PSD) de las
señales en estudio, (ver Ecuación 3). En la Figura 2, se despliegan las PSD de las
series STIB procedente de un sujeto sano y de un paciente con Parkinson.
Seguidamente se procedió a realizar el cálculo la potencia espectral (PS) de las
secuencias STIB procedentes de los pacientes con Parkinson y de los individuos
sanos para el rango de frecuencias (0 - 0.5Hz).

Figura 2. (a) PSD de la serie STIB de un sujeto sano (b) PSD de la serie STIB
de un paciente con Parkinson
A partir de las series STIB también se procedió con la obtención del
espectrograma de Fourier (FS). Específicamente, el FS de las señales STIB de los
sujetos en estudio se realizó con una ventana de observación de 32 muestras y un
solapamiento entre ventanas de 8 muestras. La función utilizada para la
multiplicación con la señal de interés fue una ventana de Blackman de 32
muestras. La elección del tipo de ventana se realizó con el fin de disminuir las
oscilaciones que produce la aplicación de la DFT a señales finitas. La
representación espectro-temporal del FS de un sujeto sano y de un paciente con
Parkinson se observa en la Figura 3.
Figura 3. (a) FS de la serie STIB de un sujeto sano (b) FS de la serie STIB de
un paciente con Parkinson
Con el fin de obtener un parámetro adicional de discriminación entre los pacientes
con Parkinson y los individuos sanos, se estimaron los promedios temporales de
los espectrogramas de Fourier de las secuencias STIB. La expresión matemática
para la determinación de los promedios temporales de cada espectrograma de
Fourier está definida por:

en donde N es la longitud del espectrograma de Fourier a lo largo del eje temporal,


y M es la longitud del espectrograma a lo largo del eje de la frecuencia. A partir de
la Ecuación (9) se puede observar que para cada espectrograma de Fourier se
obtiene M promedios temporales, en donde TM(ki) es el promedio del
espectrograma de Fourier a lo largo del eje temporal, a la frecuencia definida por
ki.
3. Resultados
Los primeros parámetros de discriminación considerados en este trabajo fueron el
coeficiente de variación y la potencia espectral. Dado que se obtiene un valor de
coeficiente de variación y un valor de potencia espectral por cada secuencia STIB,
se desplegó gráficamente las magnitudes de los parámetros mencionados. De
forma más precisa, en la Figura 4 se despliegan gráficamente los valores
porcentuales de los coeficientes de variación de las series STIB obtenidos de
pacientes con Parkinson y de sujetos sanos. En la Figura 4 se puede notar que los
coeficientes de variación obtenidos de las series STIB de pacientes con Parkinson
describen magnitudes mayores comparadas con los coeficientes de variación de
sujetos sanos.

Figura 4. Coeficientes de variación de los sujetos sanos y de los pacientes


con Parkinson
De la misma forma, en la Figura 5 se muestran gráficamente los resultados de las
potencias espectrales de las secuencias STIB procedentes de los pacientes con
Parkinson y de los sujetos sanos. En dicha gráfica se puede observar que las
potencias espectrales procedentes de las series de pacientes con Parkinson
describen amplitudes mayores comparadas con las potencias espectrales de los
individuos de control. Es importante destacar que a partir de una observación
detallada de la Figura 4 se pueden diferenciar las potencias espectrales de las
series STIB de los pacientes con Parkinson con respecto a las potencias
espectrales de las series STIB de los sujetos sanos.
Figura 5. Potencias Espectrales de los sujetos sanos y de los pacientes con
Parkinson
Con el fin de cuantificar las diferencias entre los pacientes con Parkinson y los
sujetos sanos a partir del coeficiente de variación y la potencia espectral, se
procedió a la aplicación de la prueba T-Student. Específicamente, se aplicó la
prueba T-Student entre los coeficientes de variación de las series STIB de los
pacientes con Parkinson y los coeficientes de variación de las series STIB de las
personas sanas. De forma similar, se aplicó la prueba TStudent entre las
potencias espectrales de las series STIB de los pacientes con Parkinson y las
potencias espectrales de las series STIB de los individuos sanos. En la Tabla I, se
despliegan los niveles de significación obtenidos para los coeficientes de variación
y para las potencias espectrales de pacientes con Parkinson con respecto a los
sujetos sanos. A partir de una examinación de la Tabla I, se puede observar que
existen diferencias estadísticamente significativas entre los grupos de estudiados.
Tabla I
Nivel de Significación (p) después de aplicar la Prueba t de Student a los
Coeficientes de Variación y las Potencias Espectrales de Pacientes con
Parkinson con respecto a Sujetos Sanos
En la Tabla II, se despliegan los resultados del análisis estadístico de los
promedios temporales de las series STIB para un rango de frecuencias entre
0.0938 y 0.500 Hz; considerando un incremento de 0.0375Hz. En dicha tabla, se
muestran los niveles de significación después de realizar la prueba t-Student a los
promedios temporales de ambos grupos, a cada una de las frecuencias. Al aplicar
el análisis estadístico por medio de la prueba T-Student, se observó que los
niveles de significación (p) de los promedios temporales de las señales STIB -
entre las frecuencias de 0.0938-0.500 Hz- presentan un valor menor a 0.01. Esto
demuestra que existen diferencias significativas entre los promedios temporales
de los espectrogramas de Fourier de los pacientes con Parkinson con respecto a
los promedios temporales de los espectrogramas de Fourier de los sujetos de
control.
Tabla II
Nivel de significación (p) despues de aplicar la prueba t de Student a los
Promedios Temporales de los espectrogramas de Fourier de Pacientes con
Parkinson con respecto a sujetos sanos, dentro de frecuencias (0.094-
0.500hz)
4. Discusión
Los porcentajes de los coeficientes de variación de las series STIB presentan
diferencias estadísticamente significativas (p = 0.00026) de los pacientes con
Parkinson en comparación con los sujetos sanos (ver Figura 4). Estos resultados
pudiesen ser debidos a que los sujetos afectados por la enfermedad del Parkinson
presentan mayores fluctuaciones en el tiempo de duración del balanceo en
comparación con las personas sanas. Tal comportamiento, evidencia una mayor
inestabilidad durante la marcha de personas que padecen la enfermedad del
Parkinson con respecto a individuos sanos.
Las potencias espectrales de las series STIB en el rango de frecuencias 0.0-0.5
Hz presentan diferencias estadísticamente significativas entre los dos grupos en
estudio (p = 0.0029). Tales diferencias pudiesen ser debidas a que en sujetos
sanos las variaciones entre balanceos consecutivos son mínimas durante toda la
caminata. Por el contrario, en los pacientes con Parkinson existen mayores
fluctuaciones entre balanceos consecutivos durante la caminata, evidenciando la
pérdida del control sobre la marcha en personas que padecen la enfermedad del
Parkinson.
III. CONCLUSIONES
1) El primer parámetro, el coeficiente de variación de las series STIB, permite la
discriminación entre pacientes con Parkinson y sujetos sanos (p = 0.00026).
2) El segundo parámetro que corresponde a la potencias espectral de las series
STIB, también permite diferenciar los grupos bajo estudio (p = 0.0029).
3) Los promedios temporales de los espectrogramas de Fourier de las señales
STIB en el intervalo de frecuencias comprendido entre 0.0938-0.500 Hz,
constituyen otro parámetro de discriminación entre los sujetos sanos y los
pacientes con la enfermedad de Parkinson (p < 0.01).
4) Los parámetros estudiados son útiles para evaluar la severidad de la
enfermedad del Parkinson en distintas fases y edades de los pacientes.
IV. REFERENCIAS
1. Isselbacher, K., et al., Principios de Medicina Interna de Harrison, 13ª edición,
Madrid, Editorial McGraw Hill, 1994, pp. 2620–2623. [ Links ]
2. Morris, M., et al., “ The Pathogenesis of Gait Hipokinesia in Parkinsons
Disease,” Brain, vol. 117, 1994, pp 1169–1181. [ Links ]
3. Ueno, E., et al., “ Gait Disorders in Parkinsinism. A Study with Floor Reaction
Forces and EMG,” Adv. Neurol., vol. 60, 1993, pp 414–418. [ Links ]
4. Morris, M., et al., “ Stride Length Regulation in Parkinsons Disease.
Normalization Strategies and Underlying Mechanisms,” Brain, vol. 119, 1996, pp
551–568. [ Links ]
5. Hausdorff, J., Rios, D., y Edelberg, H., “ Gait Variability and Fall Risk in
Community-Living Older Adults: a 1-Year Prospective Study,” Arch. Phys. Med.
Rehabil., vol. 82, 2001, pp 1050–1056. [ Links ]
6. Maki, B., “ Gait Changes in Older Adults: Predictors of Falls or Indicators of
Fear,” Journal. Amer. Geriatr. Soc., vol. 45, 1997, pp 313–320. [ Links ]
7. Joanna, D., et al., “ Gait Dynamics in Parkinsons Disease: Relationship to
Parkinsonian Features, Fall and Response to Levodopa,” Jour. Neurol. Sci., vol.
212, 2003, pp 47–53. [ Links ]
8. Hausdorff, J., et al., “ Gait Variability and Basal Ganglia Disorders: Stride-to-
Stride Variations of Gait Cycle Timing in Parkinsons Disease and Huntingtons
Disease,” Mov. Disord., vol. 13, 1998, pp 428–437. [ Links ]
9. PhysioBank: Physiologic Signal Archives for Biomedical Research, 2005 [online:
http://www.physionet.org/physiobank/database/gaitndd/]. [ Links ]
10. Hausdorff, J., et al., “ Dynamic Markers of Altered Gait Rhythm in Amiotropic
Lateral Sclerosis,” J. Appl. Physiol., vol. 88, 2000, pp 2045–2053. [ Links ]
11. Press, W.H, et al., “ Power Spectrum Estimation Using FFT” in Numerical
Recipes in C: The Art of Scientific Computing, Cambridge University Press, 1992,
pp 549-558. [ Links ]
12. Forbes, E., y Schaik, A. V., “ Fourier Transform and Wavelet Transform for the
Time-Frequency Analysis of Bat Echolocation Signals” , Chapter 2, Technical
Report of the University of Sydney, 2002, pp 5-11. [ Links ]
13. Lim, J., y Oppenheim, A., “ Short Time Fourier Transform,” en Advanced
Topics in Signal Processing, Editores: S. Nawab y T. F. Quatieri, Englewood Cliffs,
NJ Editorial Prentice- Hall., 1987, pp 289-337. [ Links ]
14. Hausdorff, J., et al., “ Footswitch System for Measurement of the Temporal
Parameters of Gait,” Journal on Biomechanic, 1995, vol. 28, pp. 347–
351. [ Links ]
15. Lander, P., et al., “ High-Resolution Electrocardiography” , Mount Kysco, NY,
Editorial Futura Publishing Co. Inc., 1992, chapter 5, pp 105-
128. [ Links ]^rND^sMorris^nM^rND^sUeno^nE^rND^sMorris^nM^rND^sHausd
orff^nJ^rND^sRios^nD^rND^sEdelberg^nH^rND^sMaki^nB^rND^sJoanna^nD^rND
^sHausdorff^nJ^rND^sHausdorff^nJ^rND^sHausdorff^nJ^rND^sMorris^nM^rND^sU
eno^nE^rND^sMorris^nM^rND^sHausdorff^nJ^rND^sRios^nD^rND^sEdelberg^nH^
rND^sMaki^nB^rND^sJoanna^nD^rND^sHausdorff^nJ^rND^sHausdorff^nJ^rND^s
Hausdorff^nJ^rND^1A01^nSonnia^sPavoni Oliver^rND^1A01^nHouari^sCobas
Gómez^rND^1A02^nÁngela^sZayas
Tamayo^rND^1A02^nEstrella^sÁlvarez^rND^1A03^nRolando^sContreras^rND^1A
04^nFabriciano^sRodríguez^rND^1A01^nSonnia^sPavoni
Oliver^rND^1A01^nHouari^sCobas Gómez^rND^1A02^nÁngela^sZayas
Tamayo^rND^1A02^nEstrella^sÁlvarez^rND^1A03^nRolando^sContreras^rND^1A
04^nFabriciano^sRodríguez^rND^1A01^nSonnia^sPavoni
Oliver^rND^1A01^nHouari^sCobas G¢mez^rND^1A02^nAngela^sZayas
Tamayo^rND^1A02^nEstrella^sAlvarez^rND^1A03^nRolando^sContreras^rND^1A
04^nFabriciano^sRodr¡guez
Evaluación de un sensor de capas delgadas para la detección voltamétrica
delcrecimiento de escherichia coli
Sonnia Pavoni Oliver, Houari Cobas Gómez, Ángela Zayas Tamayo, Estrella
Álvarez, Rolando Contreras, Fabriciano Rodríguez
MSc. Sonnia Pavoni Oliver y el Ing. Houari Cobas Gómez: Profesora Asistente y
Profesor Instructor respectivamente en el Centro de Investigaciones en
Microelectrónica (CIM), Km. 8, Antigua Carretera de Vento, Capdevila, Boyeros,
Ciudad de La Habana, Cuba, P.O. Box 8016, Habana 8, telef. y correo electrónico
(537) 2663047, sonnia.pavoni@electrica.cujae.edu.cu, (537) - 2663051,
hcobas@electrica.cujae.edu.cu. respectivamente.
Lic. Ángela Zayas Tamayo y la Ing. Estrella Álvarez: desempeñan sus actividades
en el Centro Nacional de Investigaciones Científicas (CNIC) Av. 25 esq. 158, Nº
15202, Cubanacán, Playa, Ciudad Habana, Cuba, telef. y correos electrónicos
(537) 2084792, angela.zayas@cnic.edu.cu. y (537) 2085238,
estrella.alvarez@cnic.edu.cu. respectivamente.
Dr. Fabriciano Rodríguez: Jefe del Grupo de Investigaciones en Biosensores en el
CIM, telef. (537) 2663047, correo electrónico
fabriciano.rodriguez@electrica.cujae.edu.cu.
Dr. Rolando Contreras Alarcón: Director del Grupo DIRAMIC en el CNIC, teléfono
(537) 2080959, correo electrónico rolando.contreras@cnic.edu.cu.
Resumen
Se reportan y discuten resultados experimentales de la detección voltamétrica del
crecimiento de la bacteria Escherichia coli, con un sensor compuesto por dos
electrodos de platino fabricado en tecnología de capas delgadas. Se utilizaron
muestras preparadas a partir de cepas de Escherichia coli ATCC 25922 en medio
de cultivo DIRAMIC Kit Diagnóstico. Los experimentos electroquímicos
consistieron en voltametría cíclica a 20 mV/s y voltametría de barrido lineal a 5
mV/s, 10 mV/s, 20 mV/s y 50 mV/s. Como resultado se observó un pico de
corriente anódica en los voltamogramas para las suspensiones que se
encontraban en las fases de crecimiento acelerado y exponencial. No se obtuvo
pico de corriente para las muestras en fase de latencia. El tiempo de detección del
primer pico de corriente anódica estuvo inversamente relacionado con la
concentración inicial de microorganismos.
Palabras clave: Crecimiento de bacterias/ Escherichia coli/ Sensor de capas
delgadas/ Voltametría cíclica/ Voltametría de barrido lineal.
Evaluation of a thin film sensor for the voltammetric detection of growth of
Escherichia coli
Summary
The experimental results of the voltammetric detection of Escherichia coli growth,
with a sensor composed of two platinum electrodes manufactured in thin film
technology, are reported and discussed. The samples were prepared starting from
the Escherichia coli ATCC 25922 strain in DIRAMIC Diagnostic Kit culture media.
The electrochemical experiments consisted of cyclic voltammetry at 20 mV/s and
linear sweep voltammetry at 5 mV/s, 10 mV/s, 20 mV/s and 50 mV/s.
Voltammograms of bacteria samples in acelerate and exponential growth phases
showed an anodic current peak. In the bacteria samples in plateau growth phase,
peak current was not observed. There was found an inverse relation between the
detection time of the first anodic current peak and the initial concentration of
microorganisms.
Key words: Bacteria Growth/ Cyclic Voltammetry/ Escherichia Coli/ Linear Sweep
Voltammetry/ Thin Film Layer Sensor.
Finalizado: 16/11/2005 Recibido: 06/12/2005 Aceptado: 06/03/2006
I. INTRODUCCIÓN
Las enfermedades infecciosas continúan siendo una de las principales causas de
morbilidad y mortalidad humanas, y la detección de microorganismos
responsables de estas enfermedades es uno de los propósitos fundamentales de
los laboratorios de microbiología. Como parte de los crecientes esfuerzos para
desarrollar nuevos procedimientos que permitan minimizar el tiempo del
diagnóstico microbiológico, se han investigado gran número de sensores y
biosensores que utilizan diversos mecanismos de transducción, como por ejemplo,
óptico, piezoeléctrico y electroquímico [1].
En particular, el uso de las técnicas electroquímicas en sensores y biosensores ha
sido prominente en la literatura y ha constituido la base de los biosensores con
más éxito comercial para la detección de diversos analitos. La mayoría de estos
dispositivos utilizan electrodos modificados, material biológico inmovilizado e
incluso, muchos se combinan con técnicas de reconocimiento molecular [1, 2]. Sin
embargo, en el terreno microbiológico, la aplicación directa de los mecanismos de
transducción electroquímica a cultivos microbianos, que resulta una alternativa
más económica, ha sido menos abordada.
Lógicamente, el éxito de las técnicas electroquímicas depende en gran medida de
las características de los electrodos empleados. El desarrollo de la tecnología de
la microelectrónica se extendió a la fabricación de sensores electroquímicos e hizo
posible la construcción de electrodos de muy pequeño tamaño, así como el
perfeccionamiento de los equipos de medición. Recientemente se reportó un chip
de capas delgadas con ocho sensores y su evaluación amperométrica para tareas
de secuenciado de proteínas [3]. Entre las características que presenta este
dispositivo se encuentran su facilidad de manipulación, la posibilidad de medir con
una instrumentación electrónica sencilla, así como su versatilidad para ser
utilizado en diversas aplicaciones compatibles con técnicas de alto nivel de
automatización. En el presente trabajo se analizó la extensión de la aplicación de
uno de los sensores de este chip para la detección voltamétrica del crecimiento de
la bacteria Escherichia coli, como una contribución a la necesidad de desarrollar
técnicas para la detección microbiológica.
II. DESARROLLO
1. Antecedentes
El comportamiento electroquímico de las células vivientes, así como la existencia
de una relación entre las poblaciones de células vivas y el comportamiento de un
electrodo, han sido abordados en diferentes publicaciones. Hasta la actualidad, la
mayoría de los métodos electroquímicos reportados para aplicaciones
microbiológicas han utilizado fundamentalmente aproximaciones impedimétricas y
conductimétricas, mientras que las técnicas de potencial variable (voltametrías
cíclica, de barrido lineal y de onda cuadrada) sólo han sido analizadas por un
número limitado de autores.
Pioneros en la detección microbiológica por métodos impedimétricos fueron Ur [4],
Richards [5], Cady [6] y sus colaboradores, quienes se basaron en el monitoreo de
la impedancia o de la conductancia de un cultivo, técnica que actualmente se
conoce como microbiología de impedancia y que constituye el principio de
funcionamiento de los sistemas comerciales más vendidos para la medición del
crecimiento bacteriano.
Wilkins y colaboradores, en la segunda mitad de la década del 70 [7, 8], también
fueron precursores de la detección microbiológica electroquímica. Ellos utilizaron
dos electrodos de platino para determinar potenciométricamente las variaciones
de voltaje debido al incremento del hidrógeno molecular producido por los
microorganismos. El tiempo transcurrido hasta el inicio del incremento en el voltaje
era una función del número de células en el inóculo.
Matsunaga y sus colaboradores [9-12] han sido líderes en la aplicación directa de
la voltametría a cultivos de células y han sido fuente de inspiración para trabajos
más recientes [13-15]. En sus ensayos de voltametría cíclica con soluciones de
levaduras y de bacterias, encontraron picos de oxidación a diferentes potenciales,
con la sugerencia de que este método podía servir para la identificación del
microorganismo en estudio. La técnica también ha resultado promisoria para la
clasificación de especies microbianas [9,15].
2. Materiales y Métodos
2.1 Microorganismo y medio de cultivo
Se utilizaron cepas estándar de Escherichia Coli ATCC 25922 y medio de cultivo
líquido DIRAMIC Kit Diagnóstico [16]. Como método de referencia para la
detección del crecimiento bacteriano, se midió la turbidez de las muestras con el
equipo para el Diagnóstico Rápido Microbiológico DIRAMIC [17]. Una curva de
crecimiento microbiano consta de seis fases [18]. Al inocular bacterias en un
medio de cultivo, inicialmente se transita por una fase de latencia en la que los
microorganismos se adaptan al nuevo ambiente y no hay crecimiento aparente de
las sustancias celulares. Luego ocurre la fase de aceleración positiva,
caracterizada por un incremento en la velocidad de crecimiento hasta alcanzar la
fase de crecimiento exponencial en la que esta velocidad es constante. La
detección electroquímica de las tres últimas fases (desaceleración o retardo,
estacionaria máxima y muerte) no se analizaron en este trabajo.
2.2. Sensor
Para realizar las mediciones electroquímicas se utilizó un sensor que forma parte
de un chip fabricado en tecnología de capas delgadas sobre substrato de vidrio
[3]. El chip contiene ocho estructuras sensoras independientes. En los
experimentos que se presentan en este trabajo se utilizó solamente uno de ellos,
que consta de dos electrodos de platino: un electrodo de trabajo en forma de disco
de 1000 μm de diámetro y un electrodo de pseudoreferencia que rodea al
electrodo de trabajo, con aproximadamente el doble del área de este último. Los
electrodos de platino se depositaron mediante pulverización catódica; para definir
el área activa de los electrodos se depositó nitruro de silicio mediante la técnica de
deposición química a partir de la fase de vapor (CVD); finalmente se añadió una
capa del polímero octadeciltriclorosilano que delimita una superficie hidrofóbica en
la región fuera de los electrodos y constituye una excelente barrera que permite
depositar y mantener sobre la superficie sensora una gota bien definida y
fácilmente reproducible. Este procedimiento para la aplicación de las muestras
tiene la ventaja de permitir una fácil manipulación, además de posibilitar los
análisis con pequeños volúmenes de analito y ser compatible con técnicas de alto
nivel de automatización.
2.3. Voltametría e instrumentación electroanalítica
Las técnicas voltamétricas incluyen las voltametrías cíclica y de barrido lineal. En
ambas se controla la diferencia de potencial entre los electrodos y se mide la
corriente. Se caracterizan porque el voltaje se cambia continuamente como una
función lineal con el tiempo. En la voltametría cíclica, la diferencia de potencial se
recorre desde un valor inicial hasta un valor final, y al llegar a éste el sentido del
barrido se invierte. Como resultado la forma de onda es triangular.
La voltametría de barrido lineal es una técnica más simple porque usa sólo medio
ciclo. En este caso el voltaje se recorre en una sola dirección, desde el valor inicial
hasta el final. Las curvas resultantes de corriente contra diferencia de potencial se
denominan voltamogramas. Como convención, se considerará que cuando se
incrementa positivamente la diferencia de potencial entre el electrodo de trabajo y
el de pseudoreferencia, se está en presencia de un barrido positivo, mientras que
en caso contrario el barrido será negativo.
Los experimentos se realizaron con un sistema de instrumentación controlado por
computadora mediante un programa en LabView. El sistema consta además de
una tarjeta de adquisición de datos National Instruments NI-DAQ 6014 de 16 bits,
una tarjeta de expansión CB-68LP y un circuito electrónico que opera como
potenciostato [19]. Los datos adquiridos se visualizaron en tiempo real en el
monitor de la computadora y también quedaron almacenados para un posterior
procesamiento.
2.4. Experimentos
A partir de un cultivo fresco (18-24 h) en placa con la cepa estándar del laboratorio
Escherichia Coli ATCC 25922, se tomaron de 3 a 4 colonias y se inocularon en 4,5
ml de medio de cultivo DIRAMIC Kit Diagnóstico de manera que se obtuviera una
turbidez de 0,5 McFarland. A partir de esta suspensión base se prepararon otras
de 1E+4 cél/ml, 1E+5 cél/ml, 1E+6 cél/ml y 1E+7 cél/ml, en el mismo medio de
cultivo. Las muestras se pusieron a incubar a 37 grados, con excepción de las que
se midieron en tiempo igual cero. Inmediatamente antes de efectuar la medición
electroquímica se sacó la muestra correspondiente de la incubadora y se
determinó su nivel de turbidez. Antes de aplicar una nueva gota de analito, el
sensor se enjuagó con alcohol y se introdujo en un baño ultrasónico con agua
desionizada durante 30 segundos. Para realizar cada medición se tomó una dosis
de 10 l de la muestra a analizar y se dispensó sobre la superficie del sensor. Las
mediciones electroquímicas consistieron en voltametría cíclica a 20 mV/s y barrido
lineal de voltaje a 5 mV/s, 10 mV/s, 20 mV/s y 50 mV/s.
3. Resultados
Al realizar la voltametría cíclica a 20 mV/s con E. Coli en medio cultivo DIRAMIC
Kit Diagnóstico, se obtuvieron diferencias en las respuestas electroquímicas según
el tiempo de incubación. En la Figura 1 se presentan los voltamogramas resultante
para dos muestras preparadas con una concentración inicial de 1E+5 cél/ml. La
primera (a) se midió inmediatamente después de su preparación, mientras que la
segunda (b) se incubó previamente durante 330 minutos para permitir el
crecimiento de los microorganismos. Para la suspensión incubada se obtuvo un
pico de corriente de 1,4 μA (1,19 μA con respecto a la línea de base) en 0,2 V
durante el barrido positivo, y un pico menor (- 75,2 nA con respecto a la línea de
base) en el barrido negativo, en 0,9 V. Para la muestra no incubada no hubo pico
en ninguno de los dos sentidos. Como los cambios más notables se observaron en
el barrido positivo, los siguientes experimentos se realizaron con voltametría de
barrido lineal desde 0 hasta 1V.

Fig. 1. Voltamogramas con muestras de concentraciones iniciales 1E+5


cél/ml de E. coli obtenidos con voltametría cíclica a 20 mV/s. a) Muestra sin
incubar. b) Muestra incubada durante 330 minutos y turbidez de 3,4
McFarland (la línea punteada indica la línea de base). Las flechas indican el
sentido del barrido.
En la Figura 2a se presentan los resultados de mediciones de voltametría de
barrido lineal realizadas con suspensiones de E. Coli en diferentes momentos del
crecimiento, preparadas inicialmente con una concentración de 1E+5 cél/ml. Como
puede observarse, las respuestas de corriente de las dos primeras muestras
tuvieron características similares a la presentada en la Figura 1a, mientras que a
partir de la tercera muestra, incubada durante 199 minutos y con una turbidez de
1,83 McFarland, ya empiezan a aparecer los picos de corriente, y estos son más
pronunciados con el aumento de la concentración de microorganismos. En
la Figura 2b se aprecia el incremento de la corriente pico con el aumento de la
velocidad de barrido en ensayos realizados con muestras de concentración inicial
1E+5 cél/ml y período de incubación de 341 minutos. Al realizar un ajuste por
regresión lineal de la variación de los valores de la corriente pico con respecto a la
raíz cuadrada de la velocidad de barrido, se obtuvo una relación lineal con un
coeficiente de correlación de 0,991. Además, puede notarse que con el aumento
de la velocidad, la diferencia de potencial correspondiente al pico de corriente se
desplazó en sentido positivo del eje.
Fig. 2. Curvas de barrido lineal de voltaje obtenidas con muestras de
Escherichia coli en medio de cultivo DIRAMIC Kit Diagnóstico. a)
Voltamogramas realizados a 20 mV/s con muestras de concentración inicial
de 1E+5 cél/ml, en diferentes momentos del crecimiento. b) Voltamogramas
obtenidos con diferentes velocidades de barrido, con muestras
de concentración inicial de 1E+5 cél/ml y tiempo de incubación de 341 min.
En la Figura 3 se han representado, con respecto al tiempo de incubación, los
valores de turbidez correspondientes a las muestras antes de ser medidas
electroquímicamente y los valores de corriente pico obtenidos con diferentes
velocidades de barrido. Nuevamente se aprecia como una tendencia (Fig. 3b), que
con el aumento de la velocidad de barrido aumentó el nivel del pico de corriente.
Sin embargo, es interesante observar que el tiempo a partir del cual comienzan a
manifestarse los picos de corriente resultó independiente de la velocidad de
barrido y que, además, estuvo relacionado con el comienzo de la fase de
crecimiento acelerado. Para las muestras tomadas entre las 2,7 h y las 5 h, se
observó que la intensidad de la corriente pico aumentó linealmente con el
incremento de la turbidez, pero esta razón de crecimiento cambió para las
mediciones tomadas próximas a la sexta hora. La intensidad del pico declinó para
5 mV/s, varió muy poco para 10 mV/s, mientras que aumentó para 20 mV/s y 50
mV/s.
Fig. 3. a) Valores de turbidez determinados con el equipo DIRAMIC. b)
Valores de corriente pico obtenidos en los voltamogramas realizados con
diferentes velocidades de barrido.
La Figura 4 muestra los resultados de mediciones realizadas con muestras de E.
Coli de concentraciones iniciales diferentes, inoculadas en medio de cultivo.
Puede analizarse que la aparición de los picos de corriente en los voltamogramas
está relacionada con la concentración inicial del microorganismo. A mayor
concentración inicial, se necesita menor tiempo de incubación para que se detecte
por primera el pico de corriente. La aparición del pico puede ser tomada como un
indicador del comienzo de la fase de crecimiento acelerado y el tiempo a partir de
su aparición (tiempo de detección) puede utilizarse para estimar la concentración
inicial.

Fig. 4. Mediciones realizadas con muestras de E. coli de concentraciones


iniciales diferentes, inoculadas en medio de cultivo DIRAMIC Kit
Diagnóstico. Concentraciones iniciales: --1E+4 cél/ml; -- 1E+5 cél/ml; -- 1E+6
cél/ml; -- 1E+7 cél/ml; -- 1E+8 cél/ml. a) Valores de corriente pico obtenidos
en voltamogramas con barridos de voltaje de 0 a +1 V a 20 mV/s. b) Valores
de turbidez determinados con el equipo DIRAMIC.
4. Discusión
La manifestación de un pico de corriente anódica en los voltamogramas
correspondientes a las fases de crecimiento acelerado y exponencial evidencia la
oxidación de especies electroactivas asociadas al crecimiento microbiológico. La
amplitud del pico aumentó linealmente con el incremento de la raíz cuadrada de la
velocidad de barrido, característica que revela condiciones de transferencia de
masa controlada por difusión. El corrimiento de la diferencia potencial
correspondiente a los picos de corriente con el aumento de la velocidad de barrido
de potencial, es un elemento que sustenta la irreversibilidad de este proceso. [21]
Algunos autores explican que el origen del pico de corriente observado en
voltamogramas de muestras microbiológicas está dado por la oxidación de
sustancias intracelulares y, en particular, responsabilizan a la coenzima A
presente en la pared celular como agente mediador en la transferencia electrónica
entre las células y los electrodos [9, 11]. Otros autores atribuyen sus resultados
voltamétricos a la oxidación de residuos metabólicos y a sustancias extracelulares
[15]. Si bien la determinación exacta de las sustancias responsables de la
oxidación es todavía un tema bajo investigación, los resultados obtenidos
confirman que la oxidación se debe a sustancias relacionadas con el crecimiento
microbiano y no con el número directo de células. Esto se puso en evidencia
cuando al medir suspensiones justo después de inocularles 1E+8 cél/ml de E. Coli
no se obtuvo voltamograma con pico, mientras que con 45 minutos de incubación
comenzó a observarse el pico de corriente.
Por otra parte, la irreversibilidad del sistema no necesariamente implica un
proceso de transferencia de electrones irreversible, sino que puede estar
determinada por reacciones químicas siguientes. Por ejemplo, se han reportado
métodos de esterilización [11,12] basados en la transferencia directa de electrones
entre el electrodo y las células microbianas, en los que se ha observado una
disminución de la actividad respiratoria y la subsiguiente muerte de la célula. En la
presente investigación se ha verificado que al realizar experimentos de voltametría
de barrido lineal de forma consecutiva con una misma muestra, el nivel del pico
disminuye para cada barrido, hasta que finalmente desaparece.
Los resultados de la Figura 3 muestran que entre las primeras 2,7 h y 5 h de
incubación, la amplitud del pico aumentó linealmente con el incremento de la
concentración, debido al aumento de la concentración de especies electroactivas.
Sin embargo, además de los procesos redox que ocurren en el electrodo, se debe
tener en cuenta la influencia de los cambios de impedancia que sufre el medio,
relacionados con el crecimiento del microorganismo. Estos efectos comenzaron a
manifestarse dos horas después del comienzo de la fase de crecimiento
acelerado, cuando la intensidad de la corriente correspondiente al pico disminuyó
para los barridos realizados a menor velocidad. Como las células vivas se mueven
alrededor del electrodo, ellas podrían adherirse y zafarse dinámicamente de su
superficie. De hecho, ha sido reportado que cuando las células se fijan a los
electrodos, bloquean el flujo de corriente en una forma pasiva y la impedancia
aumenta. Mientras mayor es el número de células pegadas, de mayor magnitud es
el incremento en la resistencia que ellas pueden causar [20]. Estas bacterias
adheridas actúan como resistores en serie con la resistencia del medio y provocan
un incremento de la impedancia, cuyo efecto resulta más notable para el barrido
más lento. Por esta falta de control sobre el sistema al medir muestras que han
sido sometidas a altos tiempos de incubación no se recomienda correlacionar
directamente los valores de corriente pico obtenidos para estos casos, con la
concentración de los microorganismos estudiados.
Para determinar la concentración inicial de bacterias en una muestra, es más
recomendable evaluar el tiempo de detección del pico de corriente. Se conoce que
cuando una célula se inocula en un medio fresco, inicialmente ocurre un período
de letargo durante el cual el microorganismo se adapta al nuevo ambiente y no
hay crecimiento aparente de las sustancias celulares. La duración del período de
letargo es una función de la historia previa. Los resultados presentados en
la Figura 4 confirman la relación inversamente proporcional existente entre el
tiempo de detección del pico de corriente y el fin de la fase de latencia.
Sobre la reusabilidad del sensor, es importante destacar que los dispositivos
investigados se han utilizado durante un año y no han sufrido deterioro.
III. CONCLUSIONES
1. Con el sensor de dos electrodos de platino de capas delgadas se obtuvieron
voltamogramas con pico de oxidación para muestras crecidas de Escherichia Coli
en medio de cultivo DIRAMIC Kit Diagnóstico, y voltamogramas sin pico para
muestras no crecidas.
2. La ausencia de los picos de corriente en los voltamogramas coincide con la fase
de latencia,
3. La aparición del pico se corresponde con el comienzo de la fase de crecimiento
acelerado y consecuentemente con la concentración inicial de la bacteria.
4. A mayor concentración inicial, más rápido se detecta por primera vez el pico de
corriente.
5. Este resultado permite identificar el comienzo de la fase de crecimiento
acelerado de E. Coli.
6. El empleo de este sensor y de este método resulta ventajoso porque se
disminuye considerablemente el volumen de la muestra y permite realizar análisis
rápidos con una instrumentación electrónica sencilla.
IV. REFERENCIAS
1. Deisingh, A. “ Biosensors for Microbial Detection” . Microbiologist, 2003, pp. 30-
33. [ Links ]
2. Bakker, E. “ Electrochemical Sensors” . Anal. Chem. Vol. 76, No. 12, 2004, pp.
3285-3298. [ Links ]
3. Pavoni, S. et al. “ Amperometric Microsensors for Screening of Protein Fractions
for Enzymatic Activities” . Proc. IX Workshop International Iberchip. La Habana,
March 2003, ISBN: 959-261-105-X, pp. 104-106. [ Links ]
4. Ur, A., Brown, D.F.J. “ Impedance Monitoring of Bacterial Activity” . J. Med.
Microbiol, Vol. 8, No. 1, 1975, pp. 19-28. [ Links ]
5. Richards, J.C. et al. “ Electronic Measurement of Bacterial Growth” . J. Phys,
Vol. 11, 1978, pp 560-568. [ Links ]
6. Cady, P. et al. “ Impedimetric Screening for Bacteria” . J. Clin. Microbiol., Vol. 7,
No.3, 1978, pp 273-278. [ Links ]
7. Wilkins, J.R. et al. “ Microbial Detection Method Based on Sensing Molecular
Hydrogen” . App. Microbiol. Vol. 27, No.5, 1974, pp 949-952. [ Links ]
8. Wilkins, J.R. “ Use of Platinum for the Electrochemical Detection of Bacteria” .
App. Environ. Microbiol. Vol. 36, No. 5, 1978, pp 683-687. [ Links ]
9. Matsunaga, T., Nakajima, T. “ Electrochemical Classification of Gram-Negative
and Gram-Positive Bacteria” . Applied and Environmental Microbiology, Vol. 50,
No 2, 1985, pp. 238- 242. [ Links ]
10. Nakamura, N. et al. “ Electrochemical Detection of Viable Bacteria in Urine and
Antibiotic Selection” . Biosensors and Bioelectronics, Vol. 6, No. 7, 1991, pp 575-
580. [ Links ]
11. Okochi, M., Matsunaga, T. “ Electrochemical Sterilization of Bacteria Using a
Graphite Modified with Adsorbed Ferrocene” . Electrochimica Acta, Vol. 42, No.
20-22, 1997, pp. 3247-3250. [ Links ]
12. Okochi, M. et al. “ Electrochemical Killing of Vibrio Alginolyticus Using
Ferrocene-Modified Electrode” . Electrochimica Acta Vol. 45, No. 18, 2000, pp.
2917-2921. [ Links ]
13. Subrahmanyam, S. et al. “ Cyclic Voltammetric Measurements of Growth of
Aspergillus Terreus” . Analytical Sciences, Vol. 17, No. 3, 2001, pp. 481-
484. [ Links ]
14. Vieira, M.J. et al. “ The Use of Cyclic Voltammetry to Detect Biofilms Formed
by Pseudomonas Fluorescens on Platinum Electrodes” . Biofouling, Vol. 19, No. 4,
2003, pp. 215-222. [ Links ]
15. Corton, E. et al. “ A Novel Electrochemical Method for the Identification of
Microorganisms” . Electroanalysis, Vol. 13, No. 12, 2001, pp. 999-
1002. [ Links ]
16. Contreras, R. et al. “ Juego para el Diagnóstico Microbiológico” . Oficina
Cubana de la Propiedad Industrial, Certificado de Autor de Invención CU 22708
A1, Cuba, 1997, 14 pp. [ Links ]
17. Contreras, R. et al. “ Equipo y Método para el Diagnóstico Rápido
Microbiológico” . Oficina Cubana de la Propiedad Industrial, Certificado de Autor
de Invención CU 22549 A1, Cuba, 1999, 32 pp. [ Links ]
18. Llop, A., et al. “ Microbiología y Parasitología Médicas” Tomo I, Capítulo 7, La
Habana, Editorial Ciencias Médicas, 2001, pp. 45-54. [ Links ]
19. Cobas, H. et al. “ Sistema Basado en la Instrumentación Virtual para
Mediciones Voltamétricas” . Proc. XI Workshop International Iberchip, Salvador de
Bahía, 2005, pp. 358-359. [ Links ]
20. Yang, L. et al. “ Interdigitated Microelectrode (IME) Impedance Sensor for the
Detection of Viable Salmonella typhimurium” . Biosensors and Bioelectronics, Vol.
19, No. , 2004, pp. 1139-1147. [ Links ]
21.Bard,A., Faulkner, L.R. “ Electrochemical Methods: Fundamentals and
Applications” . 2nd . New Jersey, Ed., John Wiley & Sons Inc., 2001, Chapter.6,
pp. 226-
260. [ Links ]^rND^sBakker^nE^rND^sUr^nA^rND^sBrown^nD.F.J^rND^sRich
ards^nJ.C^rND^sCady^nP^rND^sWilkins^nJ.R^rND^sWilkins^nJ.R^rND^sMatsuna
ga^nT^rND^sNakajima^nT^rND^sNakamura^nN^rND^sOkochi^nM^rND^sMatsuna
ga^nT^rND^sOkochi^nM^rND^sSubrahmanyam^nS^rND^sVieira^nM.J^rND^sCort
on^nE^rND^sYang^nL^rND^sBakker^nE^rND^sUr^nA^rND^sBrown^nD.F.J^rND^s
Richards^nJ.C^rND^sCady^nP^rND^sWilkins^nJ.R^rND^sWilkins^nJ.R^rND^sMat
sunaga^nT^rND^sNakajima^nT^rND^sNakamura^nN^rND^sOkochi^nM^rND^sMat
sunaga^nT^rND^sOkochi^nM^rND^sSubrahmanyam^nS^rND^sVieira^nM.J^rND^s
Corton^nE^rND^sYang^nL^rND^1A01^sAlmarza, V^nDaniel
E^rND^1A02^sMartínez, P^nAntonio^rND^1A01^sAlmarza, V^nDaniel
E^rND^1A02^sMartínez, P^nAntonio^rND^1A01^sAlmarza, V^nDaniel
e^rND^1A02^sMart¡nez, P^nAntonio
Nota técnica
Radiodifusión digital terrestre análisis del estándar DVB-T
Almarza, V., Daniel E. Martínez, P., Antonio
Ing. Daniel E. Almarza V.: Jefe de Transmisiones de DIRECTV™, Urb. Colinas de
los Caobos, Calle Bella Vista, Edif.. DIRECTV, Caracas 1050, Telef. 0212-
7097206, fax 0212-7938596, correo electrónico dalmarza@directvla.com.ve.
Ing. Antonio Martínez P.: Profesor Adscrito al Dpto. de Comunicaciones de la
Escuela de Ingeniería Eléctrica, Universidad Central de Venezuela, Ciudad
Universitaria, Los Chaguaramos, Caracas 1051, Telef. 0212-6053300, fax 0212-
6053105, correo electrónico martinan@ucv.ve.
Resumen
La radiodifusión digital terrestre de señales de televisión sigue en desarrollo. Uno
de los últimos sistemas de este tipo, Digital Video Broadcasting-Terrestrial (DVB-
T), ya se encuentra en operación en muchos países alrededor del mundo. En el
presente trabajo se analizan las características de esta tecnología. Se discute el
desarrollo de la televisión digital terrestre, el procesamiento de la señal de
televisión para su difusión en el dominio digital, los métodos de codificación de
estas señales así como las técnicas de multiplexaje y modulación empleadas. El
resultado de esta investigación documental –basada en la indagación exhaustiva,
sistemática y rigurosa de diferentes fuentes relacionadas con el tema– ofrece una
descripción de las capacidades de este sistema, presentándolo como una
alternativa robusta y flexible para las operadoras de televisión, que podrán
mantener, e incluso ampliar, el área de cobertura típica de un sistema analógico
empleando sólo una fracción de la potencia consumida actualmente.
Palabras clave: CODFM/ DVB-T/ MPEG/ QAM/ Radiodifusión/ Televisión digital.
Terrestrial digital broadcasting DVB-T standard analysis
Abstract
The terrestrial digital broadcasting of television signals continues to develop. One
of the last systems of this type, Digital Video Broadcasting-Terrestrial (DVB T), is
already operational in many countries around the world. The paper analyzes the
features of this technology. It includes the terrestrial digital television development,
television signal processing for digital broadcasting, codification methods of these
signals, as well as multiplexing and modulation techniques. The result of this
theoretical investigation –based on the rigorous, systematic, and exhaustive
research of different sources related to this topic– offers a description of system
capabilities, showing it as a flexible and robust alternative for television operators,
who will be able to match, and even improve on, the area coverage of the typical
analog system using only a fraction of the current power consumption..
Keywords: Broadcast/ COFDM/ Digital Television/ DVB-T/ MPEG/ QAM.
I. INTRODUCCIÓN.
El sistema Digital Video Broadcasting (DVB) define un conjunto de estándares que
permiten la interoperabilidad de los sistemas de difusión de video digital basados
en el estándar Motion Picture Experts Group 2 (MPEG-2) para varios medios de
transmisión incluyendo satélite, cable, radiodifusión terrestre, y microondas. Estos
estándares también cubren servicios interactivos utilizando diferentes tipos de
canal de retorno y prestando funcionalidades tales como el Service Information
(SI), entre muchas otras [1]. Los estándares DVB son desarrollados y mantenidos
por la Oficina del Proyecto DVB ubicada en Ginebra, Suiza. DVB es un consorcio
de unas 300 organizaciones pertenecientes a los sectores público y privado de la
industria de la televisión cuyo objetivo es establecer la estructura para la
introducción de los servicios de televisión digital basados en el esquema MPEG-2.
Dichos estándares son publicados por el European Telecommunications
Standards Institute (ETSI).
El presente trabajo ofrece una visión general del estado de desarrollo de la
especificación para Televisión Digital Terrestre (TDT) propuesta por DVB: DVB-
Terrestrial (DVB-T). En este sentido, se presenta un resumen técnico del
procesamiento de la señal en banda base, del método de transmisión y una breve
revisión de las características de una red para DVB-T. También se presenta una
descripción de la característica de recepción móvil que ofrece este sistema y,
finalmente, se presentan las conclusiones obtenidas como resultado de la
investigación.
II. DESARROLLO
1. Evolución de la Televisión Digital Terrestre.
DVB-T es el sistema de TDT más popular del mundo, aceptado en más países
que ningún otro. Ha sido exitosamente implantado en el Reino Unido, Alemania,
Suecia, Finlandia, España, Italia, Holanda, Suiza, Singapur y Australia. Asimismo,
se están realizando ensayos en China, Malasia, Tailandia, Vietnam, Ucrania,
Azerbaiyán, Croacia y Sudáfrica, entre otros [2].
Sin embargo, el futuro de la TDT es aún incierto. Si se considera la cantidad de
canales como el único factor de importancia, podría argumentarse que la TDT
tiene poca oportunidad al competir con la TV satelital y el cable. Sin embargo, la
TDT posee ciertas ventajas basadas en la posibilidad de recepción portátil y la
radiodifusión de programas regionales y/o locales. Los programas regionales
podrían ser recibidos con un servicio de televisión por cable, pero no a través
receptores portátiles. Además, existen áreas donde no es posible desarrollar redes
de cable.
Por otro lado, la transmisión satelital de programas regionales o locales no
siempre es económicamente factible, especialmente en países pequeños. En el
caso de los radiodifusores públicos que no contemplan implantar servicios de
televisión paga, la entrega satelital de su programación impondría un prohibitivo
costo adicional debido a la posible necesidad de cifrar programas en virtud de los
derechos para su transmisión [3].
Los países de América Latina (por razones de índole económica y política) han
sido esquivos a comprometerse con un calendario para su implantación y cada
uno la ve con grados de urgencia muy disímiles, algunos con franca indiferencia
(como Colombia), y otros (como México) con bastante premura. La decisión de
algunos países (como Venezuela) sobre el estándar de TDT que adoptarán,
depende en gran parte de lo que decida un gigante como Brasil, que está
analizando la factibilidad de utilizar un sistema propio o adoptar un híbrido entre el
europeo DVB-T y el japonés Integrated Services Digital Broadcasting (ISDB) [4].
2. Procesamiento de la Señal en Banda Base.
Todos los sistemas DVB son capaces de transportar cualquier tipo de datos que el
proveedor de servicio desee. Hace un poco más de diez años atrás, el proyecto
DVB publicó los requerimientos mínimos para la primera generación de
receptores. Estos requerimientos especificaban la utilización del estándar de video
MPEG-2 (“ Main Profile at Main Level'', MP@ML(1) ) y dos señales de audio
MPEG-1 Capa II [5]. Sin embargo, según McCann [6], un único códec no satisface
las necesidades de mercado para todas las aplicaciones DVB. Las directrices para
la codificación de audio y video en aplicaciones de radiodifusión basadas en el
flujo de transporte MPEG-2 han sido revisadas para agregar más opciones. La
última revisión del estándar agrega la opción de video Advanced Video Coding
(AVC(2)) como alternativa al MPEG-2 original. El rango de códecs para audio
también ha sido ampliado para ofrecer un total de cuatro opciones: MPEG-1 Capa
II, Audio Code 3 (AC-3), Digital Theater Systems (DTS) y High-Efficiency
Advanced Audio Coding (HE-AAC) [7].
Los nuevos algoritmos de codificación H.264/AVC ofrecen niveles comparables de
calidad de video MPEG-2 con una reducción en la demanda de la tasa de bit que
oscila en un factor de 2 a 3 [8]. Esta mejora de la eficiencia de codificación es
particularmente interesante al considerar aplicaciones que exigen altas tasas de
bits, tales como la Televisión de Alta Definición (High Definition Television, HDTV).
Por otro lado, existen actualmente millones de receptores de TV instalados que
proporcionan decodificación de “ teletexto” a través de los mecanismos de
televisión analógica. Se estima, además, que seguirán utilizándose durante cierta
cantidad de años en el futuro. Es por ello que DVB contempla un mecanismo que
proporciona la entrega de teletexto “ analógico” al receptor (abreviado como
DVB-TXT).
Además, DVB contempla la radiodifusión de programas de televisión utilizando su
sonido original ofreciendo –simultáneamente– el servicio de subtitulado
electrónico. También es posible añadir elementos gráficos a las imágenes
transmitidas (logotipos de la emisora, avisos publicitarios, íconos de información al
televidente, etc.) y servicios para la “ guía electrónica de programación”
(Electronic Program Guide, EPG).
3. Transmisión en DVB-T
Antes de que la señal banda base pueda ser transmitida, debe pasar por un
proceso de codificación de canal y modulación. Por otro lado, es necesario aplicar
un mecanismo de forward error correction (FEC) para que el receptor pueda
corregir errores producto del ruido u otras perturbaciones sufridas en la trayectoria
de transmisión. También debe incluirse algún método de sincronización.
3.1. Codificación de Canal
Para obtener un espectro de densidad de potencia “ plano” , los datos en la
interfaz de banda base se combinan con el flujo de bits de un generador de ruido
pseudo-aleatorio. El byte de sincronía de los paquetes del flujo de transporte es el
único que permanece invariable con el objeto de ofrecer un medio para la
sincronización.
La protección de error externa se obtiene con un código Reed- Solomon (255 239)
que significa que implica la adición de 16 bytes de corrección a los 239 de
información. Como los paquetes del flujo de transporte tienen sólo 188 B, los
primeros 51 se llevan a cero y no son transmitidos, de lo que resulta un código
Reed-Solomon (204 188).
El entrelazado externo no ofrece capacidad de corrección de errores, pero ordena
los bytes para facilitar la corrección de grandes ráfagas de error.
Un codificador convolucional con una tasa básica de 1/2 provee la codificación
interna. El alto nivel de redundancia se reduce por un mecanismo de “ perforado”
(puncturing). Esto significa que no todos los bits de salida calculados son
transmitidos. Si, por ejemplo, se deja de transmitir cada tercer bit, la tasa residual
de código es 3/4 en vez de 1/2. Hay especificadas tasas de codificación de 1/2,
2/3, 3/4, 5/6 y 7/8 [9].
Luego, para minimizar el efecto de los ecos producidos en el trayecto de
propagación, se aplica un entrelazado interno. Aquí se combinan 126 bits
sucesivos en un bloque dentro del cual son, entonces, entrelazados.
Posteriormente, el entrelazador de símbolos utiliza una secuencia pseudo-
aleatoria para cambiar el orden de dichos símbolos. El resultado en la señal es un
entrelazado en frecuencia dentro de cada símbolo DVB-T.
3.2. Modulación
DVB-T utiliza un esquema denominado multiplexaje por división de frecuencia
ortogonal codificado (Coded Orthogonal Frequency Division Multiplexing, COFDM)
que se caracteriza por la existencia de símbolos distribuidos en un gran número de
portadoras. De esta manera, cada portadora transporta una tasa de bits
moderada. Este esquema trabaja en dos modos denominados “ 2k” y “ 8k” ,
según el número de portadoras utilizadas (1705 y 6817, respectivamente).
En transmisiones de señales de radio frecuencia sin línea de vista, entre el
receptor y el transmisor ocurren reflexiones o absorciones de la señal, lo que
resulta en una degradación de la señal recibida, lo que se manifiesta por la
presencia de atenuación plana, atenuación selectiva en frecuencia o interferencia
intersimbólica.
En esta técnica COFDM, la ortogonalidad se logra haciendo coincidir los picos del
espectro de las subportadoras con los valores nulos (ceros) del espectro de las
otras subportadoras pertenecientes al mismo canal, obteniéndose como resultado
un perfecto alineamiento y espaciado de las señales portadoras, como lo muestran
las Figuras 1 y 2. Los sistemas multi-portadora son ideales en aquellos lugares
donde el espectro para radiodifusión terrestre se encuentre saturado.
Figura 1. Ortogonalidad de portadoras en OFDM.

Figura 2. Organización de la trama DVB-T.


En DVB-T, cada símbolo OFDM se combina en una trama de transmisión
compuesta por 68 símbolos consecutivos. Cuatro tramas de transmisión
consecutivas constituyen una súper-trama. El inicio de cada símbolo COFDM es
precedido por “ intervalo de guarda” cuyo propósito es incrementar la inmunidad
de la señal frente a ecos y reflexiones. El intervalo de guarda consiste en una
continuación cíclica de la parte útil del símbolo. Su longitud respecto a la longitud
de esta parte del símbolo (denominada “ tiempo útil” , TU) puede tomar cuatro
valores diferentes: 1/4, 1/8, 1/16 o 1/32, como se muestra en la Tabla I.
Tabla I. Parámetros escogidos para transmisión DVB-T no jerárquica.

Los datos pueden ser modulados utilizando Quadrature Phase Shift Keying
(QPSK), 16 o 64 Quadrature Amplitude Modulation (QAM) en diferentes
frecuencias portadoras dentro de la banda asignada. Para calcular los símbolos
OFDM se utiliza un algoritmo de transformada inversa rápida de Fourier (inverse
fast Fourier transform, IFFT). La Tabla II muestra la tasa de bits útil para cada tasa
de corrección de errores, tipo de modulación y todas las combinaciones de
intervalos de guarda disponibles. En ella se aprecia la flexibilidad del estándar
DVB-T: el mercado y los requerimientos de los usuarios de cada país determinan
la selección del conjunto más apropiado de parámetros entre una gran cantidad de
opciones.
Tabla II. Tasa útil de bits para cada tasa de corrección de errores,
cada constelación y para todas las combinaciones de intervalos de guarda.º

En el sistema DVB-T existe la opción de “ modulación jerárquica” . Con el uso de


esta variante, pueden transmitirse dos flujos de datos independientes sobre un
mismo canal de frecuencia de TV utilizando técnicas de modulación distintas [10].
Uno de los flujos, designado como de “ alta prioridad” (high priority, HP), presenta
gran protección contra ruido e interferencia; mientras que el segundo flujo, el de
“ baja prioridad” (low priority, LP), está mucho menos protegido. El flujo HP
permite la transmisión utilizando una relativamente baja tasa de bits, lo que
asegura la recepción incluso en aquellos casos donde se presente una pobre
relación portadora-ruido. Por otro lado, el flujo LP permite la transmisión utilizando
tasas considerablemente mayores, pero con requerimientos más fuertes en lo que
a la relación portadoraruido se refiere.
El flujo HP puede ser utilizado para la transmisión de un servicio que se considere
más importante que otros. Quizá una de las posibilidades más interesantes que
brinda la modulación jerárquica es su aplicación en sistemas para la prestación
simultánea de servicios móviles y fijos: Los servicios móviles requieren mayor
intensidad de campo que los fijos, por lo que se puede diseñar un sistema para
receptores móviles operando con el flujo HP y, a la vez, obtener muy buena
cobertura para los receptores fijos utilizando el flujo LP [11].
3.3. Transmisores en DVB-T
En principio, los transmisores de televisión digital utilizarían las mismas
infraestructuras actuales de transmisión para televisión analógica, con lo cual
podrían reutilizarse gran parte de los equipos disponibles en la actualidad. En
algunas situaciones se podría requerir una nueva antena; si se fuera a emplear la
antena existente, habría que tener en cuenta que las señales digitales tendrían
que ser combinadas en alta potencia con las señales analógicas actuales (al
menos durante la transición analógicodigital), o bien el conjunto debería pasarse
por un amplificador multicanal, lo cual conllevaría problemas de filtrado y de no
linealidades. Salta a la vista la importancia de prestar especial atención cuando se
piense en reutilizar recursos en las estaciones de transmisión.
4. Características de las Redes DVB-T
4.1. Redes Multi-Frecuencia
En las redes DVB-T se encuentra como parte de su conjunto los transmisores con
señales de programas independientes y con frecuencias de radio individuales.
Esto es lo que se conoce como redes multi-frecuencia (Multi-Frequency Networks,
MFN). Cuando se propone que un número de transmisores formen parte de una
red específica, son más los procesos administrativos que se llevan a cabo que los
técnicos. La cantidad de canales de radiofrecuencia necesarios para una red
específica depende de los objetivos de planificación (estudios de cobertura); de allí
la especificación del tipo de modulación asociado con la tasa de código aplicada
para una transmisión específica.
4.2. Redes de Frecuencia Única
En una red de este tipo todos los transmisores utilizan el mismo canal de radio
frecuencia, aprovechando las ventajas que ofrece COFDM.
Cada operador de un transmisor en una red de frecuencia única (Single Frequency
network, SFN) debe respetar una regla de oro: radiar al mismo tiempo, el mismo
bit y en la misma frecuencia.
En el lado demodulador se recibirán varias señales idénticas separadas por un
cierto retardo (que nunca será mayor a un intervalo de guarda).
En una red SFN, la transmisión debe estar sincronizada en tiempo y frecuencia de
manera muy cuidadosa. Dentro de las limitaciones que se pueden mencionar en lo
que es el dominio de la frecuencia de una red SFN, la más importante es
precisamente controlar ambos procesos de conversión ascendente de las señales
COFDM y, además, el procesamiento del reloj del modulador COFDM. En cuanto
al dominio del tiempo, la limitante más importante recae en los retardos
introducidos sobre la red de distribución, que deben ser igualados en la fuente
(multiplexor DVB) de cada antena transmisora que, a su vez, deberá radiar
símbolos COFDM idénticos en el mismo instante.
5. Recepción Móvil
A pesar de que DVB-T no fue originalmente concebido para la recepción móvil, su
desempeño ha sido tal que, hoy en día, esta característica constituye uno de los
servicios comerciales básicos en la oferta de la TDT. Pruebas operativas
realizadas en entornos reales han impulsado el desarrollo de una variedad de
técnicas para la optimización de su desempeño. Por ejemplo, la utilización de
receptores con diversidad de dos antenas ofrece una mejora de unos 5 dB en
hogares y una reducción del 50% de errores esperados en automóviles [2].
Ahora bien, la recepción móvil exige la consideración de una serie de factores: El
receptor debe “ perseguir” las variaciones en tiempo y en frecuencia. También
debe considerarse una correcta estimación de canal. Adicionalmente, el receptor
debe ser capaz de compensar distorsiones llamadas “ derrames FFT” (FFT
leakage) que se producen por la falta de ortogonalidad de las portadoras DVBT
que, a su vez, tienen su origen en la variación temporal del canal. La red debe
entregar suficiente intensidad de campo y una alta relación portadora-ruido en
gran cantidad de lugares para ofrecer cierta confiabilidad de servicio. De todo esto
se desprende que la recepción móvil demanda un receptor adecuado y un correcto
diseño de red.
III. CONCLUSIONES
1) Desde su concepción, en 1993, el Proyecto de DVB ha establecido, más allá de
toda duda, el valor y la viabilidad de la cooperación en el desarrollo de estándares
digitales abiertos de televisión.
2) Entre ellas, DVB-T describe un ambicioso y versátil sistema para la transmisión
terrestre de todo tipo de señales digitales.
3) El sistema está fundamentado en el uso eficiente del espectro mediante
técnicas avanzadas de modulación que minimizan las pérdidas de información en
la recepción cuando se encarga a un gran número de portadoras procesar, con
bajas tasas de bit, la información de entrada al modulador.
4) El resultado de la combinación de estas técnicas convierten a DVB-T en uno de
los sistemas de transmisión digital terrestre más robusto, sofisticado y flexible
disponible hoy en día.
Notas
(1) Combinación de perfil y nivel MPEG-2 que implica la utilización de formato de
croma 4:2:0; resolución de 720x576; caudal máximo de 15 Mbps y presencia de
tramas I, P y B.
(2) Título oficial del estándar desarrollado por el Joint Video Team (JVT) y
adoptado por la Unión Interna-cional de Telecomunicaciones como ITU-T H.264 y
por la Organización Internacional de Estándares como ISO/IEC MPEG4 Parte 10
(formalmente ISO/IEC 14496-10).
Agradecimiento
Los autores manifiestan su agradecimiento a la gerencia del Centro de
Transmisiones de DIRECTV™por permitir la utilización de recursos de dicha
empresa para la realización de esta investigación.
IV. REFERENCIAS
1. Wipro Technologies, Multimedia Home Platform, the Need for a Standard, Santa
Clara, Wipro Technologies, 2001. 11 pp. [ Links ]
2. DVB Project, DVB-T Terrestrial - the Latest Developments in the World’ s Most
Successful DTT Standard. Géneve, DVB Project Office, 2004. 2 pp. [ Links ]
3. Møller, L. G. Digital Terrestrial Television – the 8k System. EBU Technical
Review, 266, 1995. pp. 40-50. [ Links ]
4. Yances, G. Calendario incierto para la DTV en América latina, TV y Video,
11(7), 2006. pp. 8-10. [ Links ]
5. Wood, D. The DVB Project: Philosophy and Core System. Electronics &
Communication Engineering Journal, 9(1), 1997. pp. 5-10. [ Links ]
6. McCann, K. HDTV Options in DVB Systems – is There Life After MPEG-2? En:
ZetaCast (Ed.) IBC-2005, SMPTE, Amsterdam, 2005. 20 pp. [ Links ]
7. McCann, K. New Toolbox, DVB-Scene, 12, 2004. p. 5. [ Links ]
8. Poop, H. MPEG’ s Advanced Audio Codig (AAC). DVBScene, 12, 2004. p.
8. [ Links ]
9. Ladebusch, U. y Liss, C. Terrestrial DVB (DVB-T): A Broadcast Technology for
Stationary Portable and Mobile Use. Proceedings of the IEEE, 94 (1), 2006. pp.
183-193 [ Links ]
10. Schertz, A. y Weck, C. Hierarchical Modulation. DVB-Scene, 6, 2003. pp. 14-
15 [ Links ]
11. Nokes, C.R. y Mitchell, J.D. Potential Benefites of Hierarchical Modes of the
DVB-T Specification. En: IEE Colloquium Digest 1999/072. London, 6
pp. [ Links ]^rND^1A01^sMalobabic^nSlavica^rND^1A01^sOrtiz-
Conde^nAdelmo^rND^1A01^sGarcía Sánchez^nFrancisco
J^rND^1A01^sMuci^nJuan^rND^1A01^sMalobabic^nSlavica^rND^1A01^sOrtiz-
Conde^nAdelmo^rND^1A01^sGarcía Sánchez^nFrancisco
J^rND^1A01^sMuci^nJuan^rND^1A01^sMalobabic^nSlavica^rND^1A01^sOrtiz-
Conde^nAdelmo^rND^1A01^sGarc¡a S nchez^nFrancisco
J^rND^1A01^sMuci^nJuan
Modelado unidimensional del sistema óxido-silicio intrínseco-óxido
Malobabic, Slavica Ortiz-Conde, Adelmo García Sánchez, Francisco J. Muci,
Juan
Los autores del presente artículo desempeñan sus actividades en el Laboratorio
de Electrónica de Estado Sólido, Universidad Simón Bolívar, Caracas, Telf. 58-
212-9064010, fax 58-212-9064025.
Ing. Slavica Malobabic: estudiante de Maestría, correo electrónico
smalobabic@ieee.org.
Dr. Adelmo Ortiz – Conde y Dr. Francisco J. García Sánchez: Profesores Titulares,
correos electrónicos ortizc@ieee.org y fgarcia@ieee.org respectivamente.
MSc. Juan Muci: Profesor Asociado, correo electrónico jmuci@usb.ve.
Resumen
En este trabajo se presenta un modelo físico unidimensional para el sistema óxido
- silicio intrínseco - óxido basado en la solución del potencial versus la distancia.
Se demuestra que las dos soluciones anteriores aproximadas y analíticas, son
completamente equivalentes para los casos cuando el campo eléctrico se anula o
no dentro del semiconductor. Se presentan soluciones aproximadas asintóticas
que son comparadas con los resultados exactos obtenidos con cálculo numérico
iterativo. Se obtienen aproximaciones analíticas para los potenciales superficiales
en conducción fuerte y débil también. Los resultados muestran una exactitud
excelente de esta formulación.
Palabras clave: Modelado compacto de MOS/ MOSFET de una compuerta/
MOSFET con el cuerpo no dopado/ canal intrínseco/ SOI.
One-dimensional model of the undoped oxide-silicon-oxide system
Abstract
A physical model of the one-dimensional undoped oxide-silicon-oxide system is
presented based on the solution of its potential versus distance. It is proved that
both previous approximate analytical solutions, for the cases when the electric field
does and does not vanish inside the semiconductor, are completely equivalent.
Approximate asymptotic analytical solutions are presented and compared to exact
numerical results calculated by iteration. Analytic approximations for surface
potentials in strong- and weak-conduction are also obtained. The results attest to
the excellent accuracy of this formulation.
Keywords: - MOS compact modeling, Single MOSFET/ Undoped body MOS/
Intrinsic channel/ SOI.
Finalizado: 15/11/2005 Recibido: 14/12/2005 Aceptado: 01/03/2006
I. INTRODUCCIÓN
La miniaturización de la tecnología convencional MOSFET ha encontrado
limitaciones severas debido a los efectos de canal corto [1, 2]. Por otra parte, la
tecnología SOI (“ Silicon-On- Insulator·) presenta mayor inmunidad [3-7] a los
efectos de canal corto debido a que usa películas muy delgadas con fuerte
acoplamientos entre compuertas. Debido a esta ventaja comparativa, los
dispositivos SOI MOSFET han empezado a sustituir a los MOSFET
convencionales y la miniaturización se ha mantenido hasta el presente. La
tendencia de la miniaturización es conocida como Ley de Moore debido a que
Moore la pronosticó en 1965 [8]. La miniaturización de los MOSFET también ha
permitido que estos dispositivos incursionen exitosamente en el rango bajo de las
microondas [9-11] durante la última década. Dos aplicaciones recientes han
evidenciado la superioridad del dispositivo SOI con respecto al MOSFET
convencional: microprocesadores SOI con mas del 20% por ciento de mejora en la
velocidad [4, 12]; y amplificadores RF SOI con mayor eficiencia [11].
El sistema óxido-silicio intrínseco-óxido (OSO) es la estructura básica de la
tecnología SOI. Entre los dispositivos SOI MOSFET hay dispositivos con una
compuerta (SG), dos compuertas (DG), tres compuertas (TG) y compuerta
cilíndrica (GAA). Estos dispositivos avanzados MOSFET se están fabricando en
diferentes configuraciones incluyendo planar, vertical, FinFET, y varias otras
geometrías en tres dimensiones [11].
Para el modelado de los dispositivos MOSFET se requieren modelos físicos muy
precisos y compactos que a la vez sean eficientes computacionalmente [13]. Estos
requerimientos son mas fáciles de cumplir en el caso de los MOSFETs con cuerpo
no dopado o intrínsecos por la falta de la carga fija en el canal y aun más fácil en
el caso de los MOSFET de una compuerta (SG MOSFET) con el canal ultra
delgado. Para este propósito los autores han propuesto recientemente [14,15] el
modelo de la corriente en el drenador basada en el potencial para los DG
MOSFET en dimensiones nanometricas simétricos con cuerpo no dopado.
Previamente se habia propuesto una solución explicita y analítica para el potencial
superficial para dispositivos simétricos de doble compuerta [16,17].Este último
modelo es una extensión de la solución analítica para el potencial superficial de
SG MOSFET de bulto basada en función de Lambert [18].
La solución analítica aproximada para el potencial versus la distancia para el
sistema óxido silicio óxido en una dimensión fue propuesta por Taur [19,20] para el
dispositivo de doble compuerta simétrico. Para este caso en particular el campo se
anula en el medio de la película semiconductora. Shi and Wong [21] extendieron
este análisis para el caso en el que el campo eléctrico no desparece dentro de la
película semiconductora. En el análisis que sigue se mostrará que las dos
soluciones son equivalentes y se presentará su comportamiento asintótico usando
ecuaciones analíticas simples.
I. DESARROLLO
1. Modelado riguroso del potencial
Por simplicidad la formulación de distribución de la carga está basada en la
estadística de Maxwell-Boltzmann. Los efectos de confinamiento de mecánica
quántica no se consideran, aunque se podrían incorporar más adelante para
acomodar la solución para las películas de silicio menores de 5 nanometros donde
estos efectos comienzan a tener importancia.
La ecuación de Poisson en una dimensión a través del cuerpo de este dispositivo
se puede escribir como [22, 23]

donde ni es el potencial electrostático, is la densidad de la carga intrínseca, q es la


carga eléctrica del electrón, ß = q/kT es el inverso del voltaje térmico, es la
permitividad del silicio y x es la dirección a través del canal. Haciendo el cambio de
variable tradicional en la ecuación de Poisson se obtiene:

donde F es el campo eléctrico. Separando las variables, integrando (2) desde la


superficie superior hasta un punto arbitrario se obtiene:
Donde Fsi y sb son el campo eléctrico y el potencial electrostático evaluados en la
superficie superior.
El término -1 es una constante de integración arbitraria y fue escogido de manera
tal que el término dentro del paréntesis sea cero para . Como el lado derecho de
(3) depende solamente de la condición en la superficie superior y el lado izquierdo
de (3) puede ser evaluado en cualquier punto este lado debe ser constante. Esta
constante ha sido definida [23-25] para el dispositivo SOI general como:

Donde α está definida como el factor de interacción que representa el


acoplamiento de la carga entre las dos compuertas. Evaluando (4) en las
interfaces de compuerta superior e inferior:

Donde Fsb y sb son el campo eléctrico y el potencial electrostático evaluados en la


superficie inferior.
Las condiciones de frontera mixtas en las superficies de las compuertas superior e
inferior son respectivamente:

donde VGf y VGb son los voltajes de las compuertas superior e inferior que
incorporan el voltaje de banda plana, Cof=εox/tob y Cob=εox/tob son las capacitancias
por unidad de área de los óxidos de superior e inferior. Los potenciales
electrostáticos en las interfaces y los voltajes de los componentes se
ilustrarán gráficamente en la Figura 10 con resultados numéricos para un caso
particular.
Resolviendo en términos de campo eléctrico desde (4) e integrando desde un
punto arbitrario hasta un punto en la región superior se obtiene:

Aunque esta integral puede ser resuelta de forma rigurosa usando las integrales
elípticas, los autores prefieren evaluarlas numéricamente debido a complejidad y
en la Sección 3 se propondrá una buena aproximación.
Es conveniente normalizar previamente las ecuaciones para cálculos adicionales.
Normalizando la distancia con respecto al grueso del silicio tsi y los voltajes con
respecto a ß: xn=x/tSi, ψn=ßψ, ψsfn=ßψsf, ψsbn=ßψsb, VGfn=ß VGf y VGbn=ß VGb, se
reescribe (9):

Donde ψn=ßψ, αn≡α (ß tSi)2, K≡2q nitSi ß / CSi y CSi ≡ εs / tSi es la capacitancía del
silicio. La normalización de la combinación de (5) y (7) resulta en:

De la misma manera, para la superficie inferior usando (6) y (8):

Existen dos casos diferentes: a) el campo eléctrico se anula dentro de la película


de silicio en el punto donde el potencial de canal llega al
máximo ψn (xn=x0n)=ψon b) el campo eléctrico es siempre positivo dentro de la
película de silicio.
1.1. El campo eléctrico se anula
Usando (4) en ψn (xn=x0n)=ψon y el hecho de que el campo eléctrico es cero en
este punto se tiene:
Para este caso αn debe ser negativo para obtener un valor real de ψon . Evaluando
(10) en ψn=ψon y xn=x0n se obtiene:

lo que representa la distancia desde la superficie superior hasta el punto donde el


campo eléctrico es cero. De la misma forma se puede escribir la ecuación para la
distancia entre ese punto y la superficie inferior:

La sumatoria de las dos ecuaciones previas debe ser igual a uno:

Las ecuaciones (11)-(13) y (16) definen rigurosamente un sistema de tres


ecuaciones en tres variables: ψsf , ψsb y αn para este caso.
1.2. El campo eléctrico no se anula
Como el campo eléctrico no se anula , se puede integrar (10) directamente a
través de todo el silicio, ψ=ψsb:

Ecuaciones (11)-(12) y (17) definen rigurosamente un sistema de tres ecuaciones


con tres variables: ψsf, ψsb y αn para este caso.
2. Procedimiento riguroso numérico
En vez de resolver directamente el sistema de ecuaciones, es más conveniente
usar bisección, donde αn es la variable principal. El procedimiento es el siguiente:
a) dado un valor de αn, ψsfn se puede evaluar numéricamente de la solución
numérica (11); b) usando αn y (12) ψsbn se puede evaluar tambiénnuméricamente;
c) entonces, los valores previos de ψsfn, ψsbn y αn se usan en la integral en (16) o
(17), dependiendo del caso particular, y este valor se compara a 1. Esta iteración
se mantiene hasta que el valor de 1 se obtenga en la iteración con una
exactitud dada.
3. Modelado aproximado del potencial
Para dispositivos muy delgados una buena aproximación es ßψ >>1 . Por ende,
las ecuaciones (10)- (12) se simplifican:

La integración en (18) se puede hacer analíticamente y existen tres soluciones


dependiendo del valor de αn. Aunque estas soluciones parecen diferentes, se
demostrará que son equivalentes usando las identidades de las variables
complejas.
3.1. αn es negativo
Este caso es análogo al caso del MOSFET de doble compuerta presentado por
Taur [19,20]. La integración de (15):

Como el argumento de arcsin debería estar entre 0 y 1, se obtiene la siguiente


condición:
La gráfica de xn (ψn) siempre representará el punto en el cual el campo eléctrico se
anula y el potencial del canal llega a su extremo, ψ (xn=xn0)=ψon. Para el caso en
particular del DG MOSFET simétrico con las dos compuertas bajo el mismo
voltaje será el centro del semiconductor: xn0 = 0.5 . Como es el valor mínimo del
potencial, se puede obtener evaluando la condición anterior del lado derecho:

En general, hay dos casos: 1) el punto no existe dentro del semiconductor, 1 < xn0,
y el campo eléctrico no se anula; y 2) el punto existe dentro del semiconductor, 0
< xn0 < 1, y el campo eléctrico cambia del signo.
3.2. αn es negativo y x0n >1
Para este caso se puede evaluar (21) en ψn = ψsbn y xn0 debe ser 1:

La solución simultánea de (19), (20) y (24) permite obtener ψsfn, ψsbn,


y αn cuando αn < 0 y xn0 >1
3.3. αn es negativo y x0n <1
Para este caso, se puede obtener evaluando (21) en ψn = ψ 0 y usando (23):

De forma análoga, la región del semiconductor inferior, (1-x0n) se puede obtener


(21) en ψn = ψ 0 y reemplazando ψsfn con ψsbn:

Sumando las dos ecuaciones previas:


Observando la ecuación anterior se puede obtener el valor mínimo de αn. Como
valor máximo de arcsin es de π / 2 y el mínimo -π / 2 podemos calcular el valor
mínimo de αn :

Sustituyendo (28) en (23) se puede obtener el potencial máximo ψ 0 max.

Este mismo resultado fue ya obtenido en [19] para el MOSFET de doble


compuerta.
3.4. αn es positivo
La integración de (18), para αn positivo produce:

Evaluando la ecuación previa en ψn = ψsbn:


La solución simultánea de (19), (20) y (31) permite obtener
sψsfn, ψsbn, αn, y αn cuando es positivo.
3.5. αn es cero
La integración de (18), para αn igual a cero :

Este resultado se puede obtener evaluando los limites de dos soluciones previas,
(21) y (30) cuando αn = 0. Este caso es importante ya que describe al MOSFET
convencional no dopado y además permitirá obtener una buena aproximación para
el potencial en la siguiente sección.
4. Resultados
La Figura 1 ilustra las diferentes soluciones analíticas del potencial en función de
la posición para negativo, cero y positivo, dadas por las ecuaciones (21), (30) y
(32) respectivamente, para un dispositivo con un óxido superior de 2 nm, un óxido
inferior de 40 nm, y un espesor de silicio de 10 nm. En esta figura se varía el
voltaje de la compuerta inferiory se mantiene fijo el voltaje de la compuerta
superior en 2V. Para generar esta figura previamente se
resuelve ψsfn, ψsbn y αn para una polarización dada. El caso VGb=+ 5V y αn = -
29.44presenta un xn < 1, es decir existe un punto en la película donde se anula el
campo eléctrico. El caso VGb= -1V y αn = +18.96 no presenta ningún punto donde
se anule el campo eléctrico y la solución espacial se aproxima a una recta cerca
del óxido inferior. El caso VGb = -0.175V y αn= 0 corresponde al
MOSFET convencional no dopado.
Fig. 1 Soluciones analíticas del potencial en función de la posición
para αn negativo, cero y positivo, dadas por ecuaciones (21), (30) y (32)
respectivamente, para un dispositivo con un óxido superior de 2 nm, un
óxido inferior de 40 nm, y un espesor de silicio de 10 nm. En esta figura se
varía el voltaje de la compuerta inferior y se mantiene fijo el voltaje de la
compuerta superior en 2V.
Es importante destacar que las dos soluciones, (21) para αn < 0 y (30) para αn > 0,
son completamente equivalentes. Se puede demostrar eso usando la siguiente
identidad compleja:

donde i es el numero imaginario y Z es variable arbitraria. Cualquiera de estas dos


soluciones tiende a la solución (32) si se toma el límite de αn tendiendo a cero.
La Figura 2 compara la solución numérica rigurosa y la solución aproximada
versus el voltaje en la compuerta superior para el dispositivo previamente descrito
con un voltaje de la compuerta inferior de cero voltios.
Fig. 2 αn, potenciales campo eléctrico y carga (riguroso - símbolos y
aproximado - líneas) versus el voltaje de compuerta superior para el de óxido
superior de espesor de 2 nm, óxido inferior de 40 nm, espesor de silicio de
10 nm, y el voltaje en la compuerta inferior de cero voltios.
Se observa en esta figura que la solución aproximada es prácticamente la misma
que la solución rigurosa. En esta figura también se ve que αn = 0 cuando VGf= 0.54
V y ψsb = 0 y cuando VGf = 0.59 V. Como los dos campos eléctricos, el superior e
inferior ( Fsf y Fsb), son positivos el punto en el cual el campo eléctrico se anula (ψ(
x = x0 ) = ψ0) está fuera del semiconductor para VGf > 0.54 V. Para VGf < 0.54
V, αn es positiva y ψ0 escomplejo.
La Figura 3 muestra αn, potenciales, campo eléctrico y carga versus el voltaje de la
compuerta inferior para el dispositivo previo con VGf = 2V.
Fig. 3 αn aproximada, potenciales y campo eléctrico versus el voltaje de
compuerta inferior para el de óxido superior de espesor de 2 nm, óxido
inferior de 40 nm, espesor de silicio de 10 nm, y el voltaje en la compuerta de
2V.
En esta figura se observa que αn = 0 cuando VGb= -0.26 V, VGb = cuando Fsb =
0.50 V, y que VGb= 0 cuando = 0.50 V. Como para VGb > 0.50 V, Fsb < 0 y αn < 0 ,
el punto en el cual el campo eléctrico desparece (ψ ( x = x0) = ψ0 ) está dentro
del semiconductor. Para -0.26 V < VGb < 0.50 V, Fsb > 0 y αn < 0 , entonces el
punto en el cual el campo eléctrico desparece esta afuera del semiconductor. Para
< -0.26 V, αn > 0 y ψ0 es compleja.
En la Figura 4 se observa los potenciales y ψsb y ψsf versus el voltaje de compuerta
inferior para un óxido superior de espesor de 2 nm, óxido inferior de 40 nm,
espesor de silicio de 10 nm, y dos voltajes en la compuerta superior VGf = 0.5 V y
VGf = 2 V.

Fig. 4 potenciales versus el voltaje de compuerta superior para el de óxido


superior de espesor de 2 nm, óxido inferior de 40 nm, espesor de silicio de
10 nm, y dos voltajes en la compuerta superior de 2V y 0.5V.
La Figura 5 muestra αn versus el voltaje de compuerta de superior para varios
voltajes de la compuerta inferior y los mismos parámetros de la figura previa.

Fig. 5 αn versus el voltaje de compuerta superior para varios voltajes de la


compuerta inferior y los mismos parámetros de la figura previa.
La Figura 6 muestra αn versus el voltaje de compuerta superior para varios
espesores de silicio, y voltaje en la compuerta inferior de cero voltios.

Fig. 6 αn versus el voltaje de compuerta superior para varios espesores de


silicio del dispositivo anteriormente mencionado, y el voltaje en la
compuerta inferior de cero voltios.
La Figura 7 muestra αn versus el voltaje de compuerta superior para varios
espesores de óxido inferior, y el voltaje en la compuerta inferior de cero voltios.
Fig. 7 αn versus el voltaje de compuerta superior para varios espesores de
óxido inferior, y el voltaje en la compuerta inferior de cero voltios.
La Figura 8 muestra αn versus el voltaje de compuerta superior para varios
espesores de óxido superior, y el voltaje en la compuerta inferior de cero voltios.

Fig. 8 αn versus el voltaje de compuerta superior para varios espesores de


óxido superior, y el voltaje en la compuerta inferior de cero voltios.
La Figura 9 muestra las soluciones analíticas versus la distancia para varios αn,
espesor de silicio 20 nm y el resto de los parámetros iguales. El caso de VGb =
27.9V y αn = -37.71 está ilustrado también porque corresponde a dispositivo de
doble compuerta no simétrico en el cual las compuertas superior e inferior
producen el mismo nivel de inversión. El comportamiento asintótico de αn = 0,
presentado en (32), está mostrado con puntos y es muy cercano al caso de VGb =
0.0934 V y αn =0.003. En esta Figura se observa que la solución αn = 0 se
aproxima asintóticamente a todas las soluciones cerca de superficie
superior. También se puede ver que la solución de αn positivo se aproxima a una
línea recta cerca de la superficie inferior. Estecomportamiento se puede entender
notando que el argumento de arcsinh en (30) presenta un valor grande y la
siguiente aproximación se puede usar:

Fig. 9 Soluciones analíticas para espesor de silicio de 20 nm, varios voltajes


de la compuerta inferior, αncorrespondientes definidos por ecuaciones (21) y
(28) respectivamente. También está representado el comportamiento
asintótico de αn = 0 (líneas punteadas) y asíntotas para positivo (rayas).
Usando esta aproximación en (30) se obtiene la asíntota:

Las asíntotas para αn positivo están mostradas en la Fig. 9 usando líneas rayadas.
El comportamiento para αnnegativo esta definido por la función arcsin. Es
interesante destacar que arcsin se puede aproximar por [26]:

donde 0 < Z <1, a0 =1.5707288, a1 =-0.2121144, a2 = 0.0742610, y a3 =-


0.0187293.
4.1. Aproximación en inversión débil
En la Figura 10 se presentan dos diagramas de bandas a escala para el
dispositivo previamente descrito con VGf = 0.3V y VGf = 1V y VGb = 0. Para VGf =
0.3V el dispositivo se encuentra en conducción débil y se obtienen los siguientes
valores: ψsf = 0.286V, ψsb = 0.264V, αn = 0.703 , una caída de potencial en el óxido
superior Voxf=13.29mV , una caída de potencial en el óxido inferior Voxb= 0.264V.
De estos cálculos se obtienen las siguientes aproximaciones: ψsf ≈ ψsb ≈ VOxb ≈
VGf y VOxf ≈ 0.
Fig. 10 Potencial en el canal dentro del ancho del canal para dos voltajes en
la compuerta superior para dos polarizaciones de la compuerta, abajo de
voltaje de umbral (arriba), encima de voltaje de umbral (abajo) para
SOI MOSFET con cuerpo no dopado
Estas aproximaciones pueden obtenerse observando que en conducción débil se
cumple la siguiente aproximación:
Usando la ecuación (19) y la aproximación previa se obtiene:

El segundo término de la ecuación anterior, en este caso particular, es 0.507 y


desnormalizándolo da 13.2 mV. Por lo tanto, (38) conduce a ψsfn ≈ 0.287V que es
muy cercano al valor esperado de ψsf = 0.286V. Además se observa en (38)
que αn > 0 ya que ψsfn no puede ser un número complejo. Por lo tanto, conducción
débil siempre se cumplirá αn > 0. El campo eléctrico está dado por el denominador
de (18):

Con la suposición que se hizo para la inversión débil (37) se reescribe: (39):

de donde se puede afirmar que el campo eléctrico no tiene dependencia espacial y


además es pequeño.Integrando el campo eléctrico dentro del semiconductor:

Sustituyendo la relación (37) en (40) se obtiene:

dando en este caso particular un valor de ψsb = 0.265V que es muy cercano al
esperado de ψsb = 0.264V. Para calcular el voltaje en el óxido de frente se usará la
relación (7) rescrita como:
Usando la relación (43) y (38) se obtiene:

Esta aproximación conduce a 13.19 mV que es muy cercano al valor esperado de


13.29 mV. Reescribiendo a (8):

Usando la relación (41) se obtiene:

Esta aproximación conduce a 0.265V que es muy cercano al valor esperadote


0.264V.
4.2. Aproximación en conducción fuerte
Para el caso VGf = 1V, correspondiente a conducción fuerte, se obtienen los
siguientes valores: ψsf = 0.574V, ψsb = -0.442V, αn = -2.405, Voxf = 0.423V y Voxb =
0.442V. En este caso, la aproximación

Usando esta aproximación en (19) conduce a:

La solución de esta ecuación,


Ya fue obtenida [18] para el caso del transistor MOSFET convencional. Ahora se
consideran dos posibles casos para la interfaz inferior. Si la espalda está en
inversión débil y αn es positivo se puede usar la siguiente aproximación:

y la ecuación (20) conduce a:

Si la espalda está en inversión fuerte y αn es negativo ψsfn y imitará el


comportamiento de un transistor de doble compuerta simétrico.
III. CONCLUSIONES
1. Se ha presentado un modelo físico para sistema óxido-silicio-óxido no dopado.
2. Las dos soluciones analíticas previas aproximadas del potencial para los casos
cuando el campo eléctrico se anula o no dentro del semiconductor son
equivalentes.
3. Se han obtenido aproximaciones de los dos potenciales superficiales en función
de los voltajes aplicados para los casos de conducción fuerte y débil.
4. Las soluciones aproximadas analíticas fueron presentadas y comparadas a los
resultados exactos numéricos calculados por iteración.
5. Los resultados demuestran la excelente precisión de esta formulación.
IV. REFERENCIAS
1. Frank, D. J., Dennard, et al., “ Device Scaling Limits of Si MOSFETs and their
Application Dependencies,” Proceedings of the IEEE, vol. 89, March 2001. pp.
259 -288. [ Links ]
2. Doyle, B., et al., "Transistor Elements for 30nm Physical Gate Lengths and
Beyond," Intel Tech. J., vol. 06, May 2002. pp. 42-54, See also:
http://developer.intel.com/technology/itj/ [ Links ]
3. Fossum, J.G., Trivedi, V. P., and Wu, K., “ Extremely Scaled Fully Depleted SOI
CMOS” , IEEE Int SOI Conf. , Oct. 2002. pp. 135-136,. [ Links ]
4. Shahidi, G. G., "SOI Technology for the GHz Era," IBM J. Res. Dev., vol. 46,
March May 2002. pp. 121-131, See also:
http://researchweb.watson.ibm.com/journal/ [ Links ]
5. Colinge, J.-P., “ Novel Gate Concepts for MOS Devices” , 34th European Solid-
State Device Research Conference ESSDERC, Sept. 2004. pp. 45-
49. [ Links ]
6. Colinge, J.P., “ Multiple-Gate SOI MOSFETs,” Solid-State Electron., vol. 48,
2004. pp. 897-905, [ Links ]
7. Cristoloveanu, S., and Ferlet-Cavrois, V., “ Introduction to SOI MOSFETs:
Context, Radiation Effects, and Future Trends” , Int. J. High Speed Electron. Syst.,
vol. 14, June 2004. pp. 465-487. [ Links ]
8. Moore, G. E., "Cramming More Components onto Integrated Circuits,"
Electronics, vol. 38, April 1965. pp. 114-117, See also a reprinted version in
Proceedings of the IEEE, vol. 86, Jan. 1998. pp. 82-85 [ Links ]
9. Abidi, A. A., " RF CMOS Comes of Age," VLSI Technology Symp., June 2003.
pp. 549-561, [ Links ]
10. Liou, J.J., Schwierz, F., “ RF MOSFET: Recent Advances, Current Status and
Future Trends, Solid State Electron., vol. 47, Nov. 2003. pp. 1881-
1895, [ Links ]
11. Ortiz-Conde, A., and García Sánchez, F. J., “ Multi-Gate 3- D SOI MOSFETs
as the Mainstream Technology in High Speed CMOS Applications (Invited)” , The
11th IEEE International Symposium on Electron Devices for Microwave and
Optoelectronic Applications (EDMO), Orlando, USA, Nov. 2003. pp. 115-
121, [ Links ]
12. Park, S.B., et al., " A 0.25-μm, 600-MHz, 1.5-V, Fully Depleted SOI CMOS 64-
bit Microprocessor," IEEE J. Solid- State Cir., vol. 34, Nov 1999. pp. 1436-
1445, [ Links ]
13. Van Langevelde, R., Scholten, A.J., Klaassen, D.B.M., “ Recent
Enhancements of MOS Model 11,” Workshop on Compact Modeling, NSTI-
Nanotech 2004, Boston, Massachusetts, U.S.A., vol. 2, March 7-11, 2004. pp. 60-
65. [ Links ]
14. Ortiz-Conde, A., García Sánchez F. J., Muci, J., "Rigorous Analytic Solution for
the Drain Current of Undoped Symmetric Dual-Gate MOSFETs", Solid-State
Electronics, Vol.49, April 2005. pp. 640-647. [ Links ]
15. Ortiz-Conde, A., et al., “ Analytic Solution for the Drain Current of Undoped
Symmetric Dual-Gate MOSFETs", Workshop on Compact Modeling NSTI-
Nanotech 2005, Anaheim, California, U.S.A, May 2005. pp. 63-68. [ Links ]
16. Ortiz-Conde, A., García Sánchez, F. J., Malobabic, S., “ Analytic Solution of
the Channel Potential in Undoped Symmetric Dual-Gate MOSFETs” , IEEE Trans.
Electron Device, Vol. 52, July 2005. pp. 1669-1672. [ Links ]
17. Malobabic, S., Ortiz-Conde, A., García Sánchez, F. J., "Modeling the Undoped-
Body Symmetric Dual-Gate MOSFET", IEEE Int. Caracas Conf. on Cir. Dev. and
Sys., (República Dominicana), Nov. 2004. pp. 19-25 [ Links ]
18. Ortiz-Conde, A., García Sánchez, F.J., Guzmán, M., “ Exact Analytical Solution
of Channel Surface Potential as an Explicit Function of Gate Voltage in Undoped-
Body MOSFETs Using the Lambert W Function and a Threshold Voltage Definition
Therefrom,” Solid-State Electron., vol. 47, 2003. pp. 2667- 2674. [ Links ]
19. Y. Taur, “ An Analytical Solution to a Double-Gate MOSFET with Undoped
Body,” IEEE Electron Device Lett.,vol. 21, 2000. pp. 245–247. [ Links ]
20. Taur, Y., “ Analytic Solutions of Charge and Capacitance in Symmetric and
Asymmetric Double-Gate MOSFETs,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 48,
2001. pp. 2861-2869. [ Links ]
21. Shi, X., Wong, M., “ Analytical Solutions to the One- Dimensional Oxide-
Silicon-Oxide System,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 50, 2003. pp. 1793-
1800. [ Links ]
22. Ortiz-Conde, A., et al., “ The Non-Equilibrium Inversion Layer Charge of the
Thin-Film SOI MOSFET,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 36, 1989. pp. 1651-
1656. [ Links ]
23. Liou, J.J., Ortiz Conde, A., García Sánchez, F.J., Design and Analysis of
MOSFETs: Modeling, Simulation and Parameter Extraction, Boston, MA: Kluwer
Academic Publishers, 1998. pp 36-37. [ Links ]
24. Ortiz-Conde, A., et al., “ On the Charge-Sheet Model of the Thin-Film
MOSFET,” ISA Proc. Twentieth Annual Modeling and Simulation Conference,
Pittsburgh, PA, U.S.A., vol. 20, 1989. pp. 1341-1345. [ Links ]
25. Ortiz-Conde, A., et al., “ Long-Channel Silicon-On-Insulator MOSFET Theory,”
Solid-State Electron, vol. 35, 1992. pp. 1291-1298. [ Links ]
26. Abramowitz, M., Stegun, I. A., Handbook of Mathematical Functions, New
York, Dover Publications, 1972, p 81. [ Links ]^rND^sFrank^nD.
J^rND^sDennard^rND^sDoyle^nB^rND^sShahidi^nG.
G^rND^sColinge^nJ.P^rND^sCristoloveanu^nS^rND^sFerlet-
Cavrois^nV^rND^sMoore^nG.
E^rND^sLiou^nJ.J^rND^sSchwierz^nF^rND^sPark^nS.B^rND^sVan
Langevelde^nR^rND^sScholten^nA.J^rND^sKlaassen^nD.B.M^rND^sOrtiz-
Conde^nA^rND^sGarcía Sánchez^nF. J^rND^sMuci^nJ^rND^sOrtiz-
Conde^nA^rND^sGarcía Sánchez^nF.
J^rND^sMalobabic^nS^rND^sMalobabic^nS^rND^sOrtiz-Conde^nA^rND^sGarcía
Sánchez^nF. J^rND^sOrtiz-Conde^nA^rND^sGarcía
Sánchez^nF.J^rND^sGuzmán^nM^rND^nY^sTaur^rND^sTaur^nY^rND^sShi^nX^r
ND^sWong^nM^rND^sOrtiz-Conde^nA^rND^sOrtiz-Conde^nA^rND^sOrtiz-
Conde^nA^rND^sFrank^nD. J^rND^sDennard^rND^sDoyle^nB^rND^sShahidi^nG.
G^rND^sColinge^nJ.P^rND^sCristoloveanu^nS^rND^sFerlet-
Cavrois^nV^rND^sMoore^nG.
E^rND^sLiou^nJ.J^rND^sSchwierz^nF^rND^sPark^nS.B^rND^sVan
Langevelde^nR^rND^sScholten^nA.J^rND^sKlaassen^nD.B.M^rND^sOrtiz-
Conde^nA^rND^sGarcía Sánchez^nF. J^rND^sMuci^nJ^rND^sOrtiz-
Conde^nA^rND^sGarcía Sánchez^nF.
J^rND^sMalobabic^nS^rND^sMalobabic^nS^rND^sOrtiz-Conde^nA^rND^sGarcía
Sánchez^nF. J^rND^sOrtiz-Conde^nA^rND^sGarcía
Sánchez^nF.J^rND^sGuzmán^nM^rND^nY^sTaur^rND^sTaur^nY^rND^sShi^nX^r
ND^sWong^nM^rND^sOrtiz-Conde^nA^rND^sOrtiz-Conde^nA^rND^sOrtiz-
Conde^nA^rND^1A01^sGarcía Sánchez^nFrancisco J^rND^1A01^sOrtiz-
Conde^nAdelmo^rND^1A01^sMalobabic^nSlavica^rND^1A01^sGarcía
Sánchez^nFrancisco J^rND^1A01^sOrtiz-
Conde^nAdelmo^rND^1A01^sMalobabic^nSlavica^rND^1A01^sGarc¡a
S nchez^nFrancisco J^rND^1A01^sOrtiz-
Conde^nAdelmo^rND^1A01^sMalobabic^nSlavica
Aplicaciones de la función de Lambert en electrónica
García Sánchez, Francisco J. Ortiz-Conde, Adelmo Malobabic, Slavica
Los autores desempeñan sus actividades en el Dpto. de Electrónica de la
Universidad Simón Bolívar, Apartado Postal 89000, Caracas 1080, Venezuela,
telef-58-212-9064010, fax 58-212-9064025.
Dres. Francisco J. García Sánchez y Adelmo Ortiz-Conde: Profesores Titulares,
correos electrónicos fgarcia@ieee.org y ortizc@ieee.org respectivamente.
Ing. Slavica Malobabic: Estudiante de Maestría, correo electrónico
smalobabic@gmail.com.
Resumen
Se presenta una revisión del uso de la función de Lambert en aplicaciones de
electrónica. Primeramente se describe brevemente su definición y se mencionan
algunas de sus propiedades. Seguidamente se ofrecen ejemplos de cómo aplicar
esta función en la solución de algunas ecuaciones transcendentales que
involucran exponenciales. Las aplicaciones de esta función a la electrónica se
ilustran mediante ejemplos relativos a la solución de problemas de dispositivos
bipolares de juntura, modelado de celdas solares bajo iluminación, y modelos de
dispositivos MOSFET.
Palabras clave: Función de Lambert/ Junturas no ideales/ Celdas solares/
MOSFETs sin dopaje.
Applications of lambert’ s function in electronics
Abstract
A revision of the use of Lambert’ s function in electronics applications is
presented. Firstly, its definition is briefly described and some of its properties are
mentioned. Next, examples are worked out of how to apply this function to the
solution of some transcendental equations which contain exponentials.
Applications of this function to electronics are illustrated through examples dealing
with the solution of problems such as bipolar junction devices, modelling of
illuminated solar cells, and MOSFET device modelling.
Keywords: Lambert Function/ Non Ideal Junctions/ Solar Cells/ Undoped
MOSFETs.
Finalizado: 11/01/2006 Recibido: 23/02/2006 Aceptado: 13/06/2006
I. INTRODUCCIÓN.
Una gran variedad de problemas en la ciencia y la tecnología están descritos por
ecuaciones transcendentales que requieren ya sea de soluciones numéricas
iterativas o bien de soluciones analíticas aproximadas. La posibilidad de obtener
soluciones analíticas exactas de estas ecuaciones ofrece grandes ventajas desde
varios puntos de vista. Una solución analítica describe el comportamiento de la
variable de forma general, a diferencia de los resultados numéricos que dependen
de las condiciones iniciales. La solución analítica ayuda en el entendimiento
intuitivo del problema, facilita la deducción de su comportamiento cuando los
parámetros del problema varían, y simplifica el estudio de las perturbaciones.
También puede contribuir en la unificación de fenómenos diferentes, y hace que el
fenómeno en sí sea más manejable y fácil de entender. En general una solución
analítica se puede diferenciar e integrar analíticamente, lo que permite estudiar la
variabilidad del fenómeno.
Aunque ciertamente las soluciones numéricas iterativas pueden proveer
soluciones tan exactas como se requiera, la solución analítica, por no presentar
problemas de convergencia, produce resultados exactos de manera
computacionalmente eficiente. Al eliminar la necesidad de iteraciones numéricas,
la solución analítica posibilita la evaluación rápida de numerosos casos repetitivos,
lo que es de fundamental importancia en situaciones de simulación circuital, donde
un modelo se ha de utilizar miles, si no millones, de veces. Aún en los casos en
que se decida utilizar iteración numérica, las soluciones analíticas pueden ser
útiles para proveer valores iniciales de las soluciones, facilitando así los cálculos
iterativos complicados, dependientes del tiempo o multidimensionales.
Existe una clase de ecuaciones transcendentales, las del tipo lineal exponencial,
que son muy comunes en ciertos circuitos electrónicos y en el modelado de
dispositivos semiconductores. La función de Lambert (W) [1] permite obtener
soluciones cerradas y explícitas a estas ecuaciones transcendentales [2,3]. En
este trabajo se presentará una revisión de la utilidad de la función de Lambert,
empezando por una breve descripción de sus propiedades, seguida de algunos
ejemplos de soluciones a ecuaciones transcendentales, así como aplicaciones
típicas a problemas de electrónica. Las aplicaciones de esta función a la
electrónica se ilustran mediante ejemplos relativos a la solución de problemas de
junturas no ideales con resistencias parásitas en serie y en shunt, características
corriente voltaje de dispositivos fotovoltaicos bajo iluminación, y modelos de
dispositivos MOSFET.
I. DESARROLLO
1. La función de Lambert
La función de Lambert tiene sus orígenes en el trabajo de J. Lambert en el año
1758. Más tarde, en 1779, fue considerada por Euler cuando estudió la ecuación
trascendental de Lambert. Fue denominada “ W” después del trabajo hecho por
E. M. Wright en 1959 [4]. Desde entonces ha venido siendo utilizada
esporádicamente en algunas aplicaciones, pero en años recientes la cantidad y
diversidad de aplicaciones en las que se ha usado esta función ha ido
incrementándose considerablemente. Hasta la fecha se ha usado W en
aplicaciones generales tales como ciertos problemas de física [5],
electromagnetismo [6], mecánica estadística clásica [7], movimiento de proyectiles
[8], generación de ruido gausiano [9,10], solución de exponenciales infinitos [11],
solución de la ecuación de Schrödinger [12], etc. En el área de la electrónica se ha
empleado W en resolver problemas de diodos con resistencias en serie y en
paralelo [13,14], circuitos con transistores bipolares [15], celdas solares [16-18],
modelado del fenómeno de ruptura en óxidos delgados [19], diseño de consumo
mínimo en circuitos [20], y modelado de transistores de efecto de campo metal-
óxido-semiconductor (MOSFETs) [21-26].
La función de Lambert es una función elementalmente implícita, es decir, está
definida de forma implícita usando funciones elementales. Formalmente W se
define para cualquier z compleja como una función (compleja y de valores
múltiples) que es la solución a la ecuación trascendental quizás más simple que
exista, la ecuación lineal exponencial, representada por:
En la Figura 1.a se muestra z como el producto de W(z) por el exponencial de
W(z) en función de W(z). Intercambiando los ejes se obtiene la función de Lambert
W(z) en función de z que se muestra en la figura 1.b. Para argumentos reales x,
W(x) es real si x≥-e-1. Usando la definición de la función de Lambert x=W(x)eW(x)se
puede decir que si x=yey, entonces W(x)=y, o lo que es lo mismo,

Observando la Figura 1.b se puede ver que para valores del argumento x<0
existen o bien dos soluciones (-e-1≥x>0) o ninguna (x<-e-1). Para valores reales de
W los valores del argumento están limitados a . W tiene dos ramas reales: la rama
principal y la rama negativa [27]. La rama principal W 0 está definida como:

y la rama negativa W-1 está definida como:

Una de las características que hace atractivo el uso de expresiones basadas en la


función de Lambert es que es analíticamente diferenciable e integrable. La primera
y segunda derivadas están dadas por
Figura 1. (a) z = W exp(W) en función de W (línea continua), mostrando
también las funciones exp(W) y W (líneas quebradas), (b) W en función de z,
mostrando la rama principal (línea continua) y la rama negativa (línea
quebrada).
La integral indefinida de la función de Lambert es

La función de Lambert se puede representar mediante expansiones en series [28].


Por ejemplo la serie alrededor de z=0 es:

Igualmente existen representaciones asintóticas de W. La asíntota para z grande


es

Existe disponible software numérico libre bien comprobado, con precisión


numérica arbitraria, para las dos ramas reales de W. Por ejemplo, el Algoritmo 443
publicado en 1973 [29]. Más recientemente, en 1995, se publicó también el
Algoritmo 743 de la base de datos TOMS de la librería pública Netlib ( software,
escrito en FORTRAN, computa ambas ramas reales de W con la precisión
disponible en la plataforma utilizada [31]. También existen aproximaciones
eficientes [32]. Varios paquetes matemáticos simbólicos tales como: Maple®,
Macsyma® y Mathematica® contienen rutinas optimizadas para el cálculo y
manipulación de la función de Lambert, incluyendo su integración y diferenciación.
En el paquete Mathematica®. la función de Lambert se denomina con el nombre
de función “ ProdutLog” . Varias aproximaciones incorporan esquemas iterativos
para computar W con una precisión predefinida y usan aproximaciones a tramos
para generar suposiciones iniciales [33].
2. Ejemplos de soluciones usando W
A continuación se presentaran algunos ejemplos que ilustran el procedimiento
para resolver ecuaciones que contienen productos y cocientes de variables y sus
exponenciales o logaritmos. No pretende esto ser una descripción exhaustiva de
todos los casos en los que es posible usar W, sino que la intención es indicar la
mecánica general del procedimiento a seguir.
Ejemplo 1
Ecuación:

Rescribir la ecuación (15) tomado exponenciales:

Multiplicar por x:

Aplicar W a ambos lados:

Usar definición de W en la parte izquierda:

Solución:

Ejemplo 2
Ecuación:
Rescribir la ecuación (16):

Aplicar W a ambos lados:

Usar definición de W en la parte derecha:

Solución:

Ejemplo 3
Ecuación:

Rescribir la ecuación (21):

Aplicar a W a ambos lados:

Usar definición de W en la parte izquierda:

Solución:
La función de Wright
Se define como función de Wright [4,34] la solución a la ecuación (21), que se
representa como

donde ω (omega) es la función de Wright. Comparando las ecuaciones (25) y (26)


se puede establecer la equivalencia entre la función de Wright y la función de
Lambert:

Ejemplo 4
Ecuación:

Primer procedimiento:
Rescribir la ecuación (28):

Aplicar W a ambos lados:

Usar definición de W en la parte izquierda:

Solución:
Segundo procedimiento:
Rescribir la ecuación (28):

Reagrupar:

Aplicar W a ambos lados:

Usar definición de W en la parte derecha:

Solución:

Identidad:
Igualando las dos soluciones del ejemplo 5 se obtiene:

Lo que también se puede expresar en términos de la función de Wrigt:

Por tanto, en general se cumple la identidad:


Ejemplo 5
Ecuación:

Rescribir la ecuación (41):

Aplicar W a ambos lados:

Usar definición de W en la parte izquierda:

Solución:

La función “ glog” :
La función glog [35] es la solución a la ecuación (41) que se representa como

Comparando las ecuaciones (60) y (61) se puede establecer la equivalencia entre


la función de glog y la función de Lambert:

Ejemplo 6
Ecuación:
Tomar la raíz cuadrada:

Dividir entre 2:

Aplicar a W a ambos lados:

Usar definición de W en la parte izquierda:

Solución:

Otras ecuaciones tales como x=ey/y2, x=y , y= , etc., pueden resolverse


también usando la función de Lambert.
3. Aplicaciones
Se presentarán ahora varias aplicaciones típicas de la función de Lambert en la
solución de diversos problemas de electrónica.
Aunque no se cubrirán todas las posibilidades, se mostrarán algunas que
demuestran la solución explícita de circuitos típicos que comúnmente tienen que
resolverse mediante aproximaciones o expresiones aproximadas, mientras que
otras aplicaciones que se describen pertenecen al ámbito del modelado de
dispositivos electrónicos.
3.1 Ruptura irreversible en óxidos de compuerta ultra delgados
La continua miniaturización de los dispositivos MOS (Metal Óxido Semiconductor)
implica una disminución del margen de confiabilidad de la capacidad aislante de
los óxidos de la compuerta que los componen. Ante la posibilidad de que ocurra
ruptura eléctrica en óxidos muy delgados, se plantea la necesidad de modelar la
corriente que atraviesa el óxido después de su ruptura irreversible. Una
representación compacta de esa corriente post ruptura, que es adecuada para la
simulación en circuitos, viene dada por el siguiente modelo [19]:

donde I0, ω y RDB son parámetros que caracterizan el fenómeno de ruptura


irreversible en una primera aproximación. Esta ecuación equivale a una juntura PN
con una resistencia en serie. Rescribiendo la ecuación anterior,

Multiplicando ambos lados por y agrupando los términos:

Si ahora se aplica W a ambos lados y se usa la definición de W en la parte


izquierda de la ecuación, se tiene que

Resolviendo resulta la corriente de post ruptura a través del óxido:

3.2 Juntura no ideal


El caso anterior representa el ejemplo más sencillo de una juntura no ideal. Sin
embargo, en muchos casos ese modelo resulta ser insuficiente para caracterizar
una juntura real. En la Figura 2 se presenta un modelo circuital genérico de una
juntura no ideal, incluyendo sus elementos parásitos más comunes: una
conductancia en paralelo que representa la fuga a través de la juntura
propiamente dicha (Gp1), una resistencia en serie que da cuenta de la caída de
potencial desde la juntura hasta los contactos (Rs), y una segunda conductancia
en paralelo que representa la posibilidad de fuga en la periferia del dispositivo
(Gp2).

Figura 2. Modelo circuital genérico de una juntura no ideal incluyendo las


resistencias en serie y las conductancias en paralelo parásitas.
La ecuación de la corriente que correspondiente a esta configuración es:

donde I0, es la corriente de saturación inversa del diodo, n es el factor de idealidad


que caracteriza la calidad de la juntura, vth es el voltaje térmico =kT/q, k la
constante de Boltzmann, T la temperatura absoluta, y q la carga electrónica.
Nótese que esta ecuación no tiene la forma de una función explícita de una
variable en función de la otra y la única manera de resolverla exactamente es
mediante iteración numérica. Sin embargo, utilizando la función de Lambert es
posible hallar soluciones explícitas de esta ecuación. Siguiendo un procedimiento
similar al del ejemplo anterior, la solución de la corriente en función del voltaje
resulta ser [13]:

También es posible resolver el voltaje en función de la corriente:

donde:

Estas soluciones explícitas permiten el estudio directo de las características


corriente voltaje de junturas no ideales (diodos reales) y facilitan la extracción de
los parámetros intrínsecos y extrínsecos de sus modelos [17].
3.3 Celdas solares
Un caso ligeramente más complicado ocurre cuando se intenta modelar celdas
solares bajo condiciones de iluminación. En la Figura 3 se muestra un modelo
circuital de un dispositivo fotovoltaico genérico iluminado (celda solar), que incluye
la juntura (n, Io), una fuente de corriente fotogenerada (Iph), y la resistencia en
serie (Rs) y conductancia en paralelo (Gp) parásitas. La ecuación que describe
esta la corriente de la celda es:

De nuevo esta ecuación es implícita, pero usando W, se puede hallar la solución


explícita para la corriente: y para el voltaje es:

y para el voltaje es:

La naturaleza explícita de estas soluciones permite calcular inmediatamente la


corriente de cortocircuito y el voltaje a circuito abierto. Así mismo, es posible hallar
explícitamente el punto de potencia máxima calculando la derivada del producto
IV. Estas soluciones también facilitan la extracción de los parámetros del modelo
de la celda solar a partir de datos experimentales, como se verá a continuación.
Figura 3. Modelo circuital genérico de una celda solar iluminada.
3.4 Extracción de parámetros de modelos de celdas solares
Las técnicas comunes de extracción de parámetros del modelo de la celda solar
usando los datos I-V medidos bajo iluminación usualmente incluyen la
optimización numérica del error cuadrático en el eje vertical (corriente) o en el eje
horizontal (voltaje). La utilización de soluciones explícitas de la corriente y el
voltaje facilitan enormemente estos cálculos. Otros métodos están basados en el
uso de funciones auxiliares y otros operadores. Aquí se presentará otro método
basado en integración, por ser más inmune a los errores de medición debido a su
naturaleza de filtro pasa bajo y porque produce resultados algebraicos de fácil
manejo computacional [18]. El procedimiento ilustra la utilidad que ofrece la
posibilidad de integrar la función de Lambert.
Se define primeramente una función llamada Co-Contenido CC (I,V) de la
siguiente manera:

donde es la corriente de la celda en condiciones de cortocircuito (V=0).


Sustituyendo la solución para la corriente dada por la ecuación (67) en la ecuación
de CC e integrando con respecto a V resulta una larga expresión que contiene
términos con la función de Lambert y las variables I y V. Reemplazando los
términos que contienen la función de Lambert de V, usando la ecuación (68) y
después de manipulación y simplificación se obtiene la siguiente ecuación
algebraica:
donde los cinco coeficientes son funciones de los parámetros del modelo. La
extracción se hace calculando la función CC, definida por la ecuación (69), a partir
de los datos experimentalmentemedidos. Seguidamente se procede a ajustar esta
función de CC a los datos experimentales medidos mediante la ecuación
algebraica (70). Este proceso de ajuste bidimensional produce los valores de los
coeficientes de la ecuación (70), de los que se calculan los parámetros del modelo
Gp, Rs, Iph, n, y Io de la siguiente manera:

3.5 Fuente de corriente Widlar


La función de Lambert también es útil en la solución de problemas de circuitos
electrónicos con transistores bipolares de juntura. Para ilustrar su utilidad se
presentará el caso de la fuente de corriente de Widlar [15] cuyo diagrama circuital
básico se muestra en la Figura 4.
En esta fuente de corriente el transistor Q1 está conectado en configuración de
diodo. Se pretende establecer I2a partir de los valores de I1 y R2. La ecuación que
describe al circuito es:

Obviamente esta ecuación no expresa a 12 de manera explícita, pues esta


corriente aparece también dentro del argumento del logaritmo. La solución habría
que hallarla por iteración numérica o usando una aproximación, por ejemplo, los
primeros términos de una expansión en serie de Taylor del logaritmo. Se buscará
entonces una solución usando la función de Lambert. Tomando exponenciales en
ambos lados y multiplicando por 12 R2/vth se obtiene:
Figura 4. La fuente de Widlar
Si ahora se aplica la función de Lambert a ambos lados se tiene:
pero se sabe que

luego, finalmente la corriente I2 viene dada en forma explícita por

3.6 Modelado de dispositivos MOSFET


La descripción del potencial electrostático en la superficie del canal, en función de
los voltajes en los terminales de los transistores de efecto de campo tipo metal
óxido semiconductor (MOSFETs), resulta de principal importancia en la
elaboración de los modelos matemáticos que deben representar a estos
dispositivos en simulaciones circuitales. En dispositivos convencionales, en los
que el cuerpo del canal se encuentra significativamente dopado, la naturaleza de
la ecuación que relaciona el voltaje de la compuerta con el potencial superficial no
permite plantear una solución analítica explícita del potencial superficial, por lo que
debe calcularse mediante iteración numérica o usando soluciones analíticas
aproximadas o de validez limitada regionalmente. Los MOSFETs modernos son
cada día más de cuerpo ultra delgado que no se encuentra significativamente
dopado, es decir es intrínseco [21]. En esas condiciones la ecuación que relaciona
el voltaje de la compuerta con el potencial superficial se reduce a una ecuación
lineal exponencial como las anteriormente descritas.
Considérese un dispositivo de cuerpo intrínseco genérico de espesor tsi. La
ecuación para canal n es
donde VG es el voltaje en la compuerta, VFB el voltaje de bandaplana, el potencial
superficial, k la constante de Boltzmann, T la temperatura absoluta, ni la densidad
intrínseca de portadores, εs la permitividad del semiconductor, Co la capacitancia
del óxido, β=1/vth=q/kT el inverso del voltaje térmico, V el voltaje a lo largo del
canal (=0 en el surtidor, =VD en el drenador), y ψ0 el potencial en el medio
trasversal del canal. Considerando valores de potencial superficial ψs >> 1 β, la
ecuación tiene la siguiente solución explícita en base a la función de Lambert:

donde VGF=VG-VFB y tox y εox son el espesor y la permitividad del óxido,


respectivamente. Para espesores tsidel cuerpo del semiconductor muy
grandes, ψ0 tiende a cero y el término sin(ζ) tiende a uno, con lo que la ecuación
del el potencial superficial se reduce a

Esta forma cerrada y explícita de expresar el potencial superficial facilita


enormemente el planteamiento de modelos de MOSFETs modernos tipo SOI
(semiconductor-óxido-aislante) de cuerpo ultra delgado, en los que el cuerpo del
semiconductor no está dopado, tanto los de una compuerta como los de
compuertas múltiples [25]. También permite obtener expresiones analíticas
explícitas de la carga, la transconductancia, el voltaje de umbral, etc. [23,26].
4. Comparación de los tiempos de cómputo
Como ya se ha dicho, la utilización de la función de Lambert, además de brindar
una alternativa atractiva para la solución explícita exacta de ciertas ecuaciones del
tipo lineal exponencial, ofrece la posibilidad de mejorar significativamente la
eficiencia computacional, en comparación a las soluciones numéricas iterativas.
Para visualizar esta ventaja computacional, es conveniente comparar los tiempos
de cálculo requeridos, usando soluciones basadas en la función de Lambert con
los de soluciones analíticas aproximadas y soluciones numéricas iterativas. Para
esto se usará el caso del modelo de una juntura no ideal con una resistencia en
serie y una conductancia en paralelo, calculadas a diez dígitos significativos en
una misma plataforma computacional, usando el programa Maple®.
La Figura 5 muestra que la solución explícita exacta, basada en la función de
Lambert, requiere tiempos de CPU sólo ligeramente superiores a los de una
solución analítica aproximada, que por ende es inexacta y limitada en su alcance.
Se ve que la solución basada en la función de Lambert es casi dos órdenes de
magnitud más eficiente computacionalmente que la solución exacta mediante
iteración numérica.

Figura 5. Comparación de tiempos de cómputo de parámetros del modelo de


una juntura no ideal para solución iterativa, exacta y aproximada
III. CONCLUSIONES
1. El uso de la función de Lambert provee soluciones explícitas analíticas y elimina
la necesidad de iteraciones numéricas en problemas que incluyan ecuaciones
implícitas lineales exponenciales.
2. Las soluciones explícitas basadas en la función de Lambert hacen que el
fenómeno que se está describiendo sea más manejable y fácil de entender.
3. Estas soluciones explícitas se pueden evaluar y manipular fácilmente, lo que
permite resolver rápidamente numerosos casos repetidos, y facilita el estudio de
las perturbaciones.
4. La posibilidad de integración y diferenciación analítica de la función de Lambert
abre el camino para elaborar modelos de variabilidad del fenómeno descrito.
5. Adicionalmente, estas expresiones explícitas pueden usarse para obtener
suposiciones iniciales para cálculos complicados, iterativos, dependientes del
tiempo, o multi dimensionales.
6. Finalmente, la utilidad de la función de Lambert se ve potenciada en la
actualidad por la disponibilidad de paquetes computacionales simbólicos de uso
común, tales como Macsyma®, Mathematica®, Maple®, etc., que ya contienen
rutinas optimizadas para calcular y manipular la función de Lambert.
IV. REFERENCIAS
1. Corless, R.M., et al., “ On the Lambert W Function” . Advances in
Computational Mathematics, 5:4, pp. 329–359, 1996. [ Links ]
2. Gosper, R. W. Jr. "The Solutions of yey2=x and yey=x." ACM SIGSAM Bull. 32,
pp. 8-10, 1998. [ Links ]
3. Brian Hayes, “ Why W?” American Scientist, 93, March-April, p. 104,
2005. [ Links ]
4. Wright, E. M. "Solution of the Equation zez=α." Bull. Amer. Math. Soc. 65, pp.
89-93, 1959. [ Links ]
5. Valluri, S. R.; Jeffrey, D. J.; and Corless, R. M. "Some Applications of the
Lambert Function to Physics." Canad. J. Phys. 78, pp. 823-831, 2000. [ Links ]
6. Jenn, D.C., “ Applications of the Lambert W Function in Electromagnetics”
IEEE Antennas and Propagation Magazine, 44, pp. 139-142, 2002. [ Links ]
7. Jean-Michel Caillol, “ Some Applications of the Lambert W Function to Classical
Statistical Mechanics” , J. Phys. A: Math. Gen. 36, pp. 10431-10442,
2003. [ Links ]
8. Packel, E. and Yuen, D. "Projectile Motion with Resistance and the Lambert
Function." College Math. J., 35, pp. 337- 350, 2004. [ Links ]
9. Chapeau-Blondeau, F. Monir, A. “ Numerical Evaluation of the Lambert W
Function and Application to Generation of Generalized Gaussian Noise With
Exponent ½” , IEEE Trans. Signal Proc., 50; Part 9, pp. 2160-2165,
2002. [ Links ]
10. Barry, D. A., Li, L., Jeng, D.S. , “ Comments on ‘ Numerical Evaluation of the
Lambert Function and Application to Generation of Generalized Gaussian Noise
with Exponent ½’ ” IEEE Trans. on Signal Processing, 52, pp. 1456-1458,
2004. [ Links ]
11. I.N. Galidakis, “ On an Application of Lambert's W Function to Infinite
Exponentials” , Complex Variables, 49(11), pp. 759- 780, 2004. [ Links ]
12. Brian Wesley Williams, “ Exact Solutions of a Schrödinger Equation Based on
the Lambert Function” , Physics Letters A, 334(2-3), pp. 117-122,
2005. [ Links ]
13. Ortiz-Conde, A., García Sánchez, F.J., Muci, J., “ Exact Analytical Solutions of
the Forward Non-Ideal Diode Equation with Series and Shunt Parasitic
Resistances” Solid-State Electronics, 44, pp. 1861-1864, 2000. [ Links ]
14. Banwell, T. C. and Jayakumar, A. "Exact Analytical Solution for Current Flow
Through Diode with Series Resistance." Electronics Lett. 36, pp. 291-292,
2000. [ Links ]
15. Banwell, T.C., “ Bipolar Transistor Circuit Analysis Using the Lambert W-
Function” IEEE Trans. Circuits System - I: Fundamental Theory and Applications,
47, pp. 1621-1633, 2000. [ Links ]
16. A. Jain and A. Kapoor, “ Exact Analytical Solutions of the Parameters of Real
Solar Cells Using Lambert W Function” Solar Energy Materials and Solar Cells,
81, pp. 269-277, 2004. [ Links ]
17. Ortiz-Conde, A., García Sánchez, F.J., “ Extraction of Non- Ideal Junction
Model Parameters from the Explicit Analytic Solutions of its I–V Characteristics”
Solid-State Electronics 49, pp. 465–472, 2005. [ Links ]
18. [18] Ortiz-Conde, A., García Sánchez, F.J., Muci, J., “ New Method to Extract
the Model Parameters of Solar Cells from the Explicit Analytic Solutions of their
Illuminated I–V Characteristics” Solar Energy Materials & Solar Cells, 90, pp. 352–
361, 2006. [ Links ]
19. Miranda, E., Ortiz-Conde, A., García Sánchez, F.J., Farkas, E., “ Extraction of
Parameters and Simulation of the Hard Breakdown I-V Characteristics in Ultrathin
Gate Oxides” Proceedings of 12th IPFA 2005, Singapore, pp. 150-154,
2005. [ Links ]
20. Benton H. Calhoun, Alice Wang, and Anantha Chandrakasan, “ Modeling and
Sizing for Minimum Energy Operation in Subthreshold Circuits” IEEE Journal of
Solid-State Circuits, 40, pp. 1778-1886, 2005. [ Links ]
21. Ortiz-Conde, A., García Sánchez, F.J., "Exact Analytical Solution of Channel
Surface Potential as an Explicit Function of Gate Voltage in Undoped-Body
Mosfets Using The Lambert W Function and a Threshold Voltage Definition
Therefrom“ , Solid-State Electronics, 47, Pp. 2067-2074, 2003. [ Links ]
22. He J., et al., ” Charge-Based Core and the Model Architecture of BSIM5”
Proceedings of the Sixth International Symposium on Quality of Electronic Design
(ISQED'05), pp. 96-101, 2005. [ Links ]
23. García-Sánchez, F.J., Ortiz-Conde, A., Muci J., “ Subthreshold Behavior of
Undoped DG MOSFETs,” Proc of the 2005 IEEE International Conference on
Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC 2005), Hong Kong, pp. 75-80,
December 2005. [ Links ]
24. Giorgio Mugnaini and Giuseppe Iannaccone, “ Physics-Based Compact Model
of Nanoscale MOSFETs-Part I: Transition From Drift-Diffusion to Ballistic
Transport” IEEE Trans. Electron Devices, 52, pp. 1795-1801, 2005. [ Links ]
25. Ortiz-Conde, A., García Sánchez, F.J. , and Malobabic, S., “ Analytic Solution
of the Channel Potential in Undoped Symmetric Dual-Gate MOSFETs” , IEEE
Trans. Electron Devices, 52, pp. 1669-1672, 2005. [ Links ]
26. García Sánchez, F.J., Ortiz-Conde, A., Muci, J., “ Understanding Threshold
Voltage in Undoped-Body Mosfets: An Appraisal of Various Criteria”
Microelectronics Reliability, 46, pp. 731-742, 2006. [ Links ]
27. Jeffrey, D. J.; Hare, D. E. G.; and Corless, R. M. "Unwinding the Branches of
the Lambert W Function." Math. Scientist, 21, pp. 1-7, 1996. [ Links ]
28. Corless, R. M.; Jeffrey, D. J.; and Knuth, D. E. "A Sequence of Series for the
Lambert W Function." Proc. of the 1997 Intnl Symp. on Symbolic and Algebraic
Computation, Maui, Hawaii. New York: ACM Press, pp. 197-204,
1997. [ Links ]
29. Fritsch, F. N.; Shafer, R. E.; and Crowley, W. P. "Algorithm 443: Solution of the
Transcendental Equation wew=x." Comm. ACM ,16, pp. 123-124,
1973. [ Links ]
30. Barry, D. A., Barry, S. J., Culligan-Hensley, P. J., “ Algorithm 743: WAPR: a
FORTRAN Routine for Calculating Real Values of the W-Function,” ACM Trans.
Math. Softw., 21, pp. 172–181, 1995. [ Links ]
31. Barry, D. J., Culligen-Hensley, P. J.; and Barry S. J. "Real Values of the W-
Function,” ACM Trans. Math. Softw., 21, pp. 161-171, 1995. [ Links ]
32. D.A. Barry., et al., "Analytical Approximations for Real Values of the Lambert
W-function" Mathematics and Computers in Simulation, 53, pp. 95-103,
2000. [ Links ]
33. J.P. Body, "Global Approximations to the Principal Real-Valued Branch of The
Lambert W- Function," Appl. Math. Lett. 11 (6). Pp. 27-31, 1998. [ Links ]
34. Corless, R. M. and Jeffrey, D. J. "The Wright ω Function." Artificial Intelligence,
Automated Reasoning, and Symbolic Computation (Ed. J. Calmet, B. Benhamou,
O. Caprotti, L. Henocque and V. Sorge). Berlin: Springer-Verlag, pp. 76-89,
2002. [ Links ]
35. Kalman, D. "A Generalized Logarithm for Exponential-Linear Equations."
College Math. J., 32, pp. 2-14,
2001. [ Links ]^rND^sCorless^nR.M^rND^sGosper^nR. W.
Jr^rND^nBrian^sHayes^rND^sWright^nE. M^rND^sValluri^nS. R^rND^sJeffrey^nD.
J^rND^sCorless^nR. M^rND^sJenn^nD.C^rND^nJean-
Michel^sCaillol^rND^sPackel^nE^rND^sYuen^nD^rND^sChapeau-
Blondeau^nF^rND^sMonir^nA^rND^sBarry^nD.
A^rND^sLi^nL^rND^sJeng^nD.S^rND^nI.N^sGalidakis^rND^nBrian^sWesley
Williams^rND^sOrtiz-Conde^nA^rND^sGarcía
Sánchez^nF.J^rND^sMuci^nJ^rND^sBanwell^nT.
C^rND^sJayakumar^nA^rND^sBanwell^nT.C^rND^nA^sJain^rND^nA^sKapoor^rN
D^sOrtiz-Conde^nA^rND^sGarcía Sánchez^nF.J^rND^sOrtiz-
Conde^nA^rND^sGarcía Sánchez^nF.J^rND^sMuci^nJ^rND^nBenton
H^sCalhoun^rND^nAlice^sWang^rND^nAnantha^sChandrakasan^rND^sOrtiz-
Conde^nA^rND^sGarcía
Sánchez^nF.J^rND^sHe^nJ^rND^nGiorgio^sMugnaini^rND^nGiuseppe^sIannacco
ne^rND^sOrtiz-Conde^nA^rND^sGarcía
Sánchez^nF.J^rND^sMalobabic^nS^rND^sGarcía Sánchez^nF.J^rND^sOrtiz-
Conde^nA^rND^sMuci^nJ^rND^sJeffrey^nD. J^rND^sHare^nD. E.
G^rND^sCorless^nR. M^rND^sFritsch^nF. N^rND^sShafer^nR.
E^rND^sCrowley^nW. P^rND^sBarry^nD. A^rND^sBarry^nS. J^rND^sCulligan-
Hensley^nP. J^rND^sBarry^nD. J^rND^sCulligen-Hensley^nP. J^rND^sBarry^nS.
J^rND^nD.A^sBarry^rND^nJ.P^sBody^rND^sKalman^nD^rND^sCorless^nR.M^rN
D^sGosper^nR. W. Jr^rND^nBrian^sHayes^rND^sWright^nE. M^rND^sValluri^nS.
R^rND^sJeffrey^nD. J^rND^sCorless^nR. M^rND^sJenn^nD.C^rND^nJean-
Michel^sCaillol^rND^sPackel^nE^rND^sYuen^nD^rND^sChapeau-
Blondeau^nF^rND^sMonir^nA^rND^sBarry^nD.
A^rND^sLi^nL^rND^sJeng^nD.S^rND^nI.N^sGalidakis^rND^nBrian^sWesley
Williams^rND^sOrtiz-Conde^nA^rND^sGarcía
Sánchez^nF.J^rND^sMuci^nJ^rND^sBanwell^nT.
C^rND^sJayakumar^nA^rND^sBanwell^nT.C^rND^nA^sJain^rND^nA^sKapoor^rN
D^sOrtiz-Conde^nA^rND^sGarcía Sánchez^nF.J^rND^sOrtiz-
Conde^nA^rND^sGarcía Sánchez^nF.J^rND^sMuci^nJ^rND^nBenton
H^sCalhoun^rND^nAlice^sWang^rND^nAnantha^sChandrakasan^rND^sOrtiz-
Conde^nA^rND^sGarcía
Sánchez^nF.J^rND^sHe^nJ^rND^nGiorgio^sMugnaini^rND^nGiuseppe^sIannacco
ne^rND^sOrtiz-Conde^nA^rND^sGarcía
Sánchez^nF.J^rND^sMalobabic^nS^rND^sGarcía Sánchez^nF.J^rND^sOrtiz-
Conde^nA^rND^sMuci^nJ^rND^sJeffrey^nD. J^rND^sHare^nD. E.
G^rND^sCorless^nR. M^rND^sFritsch^nF. N^rND^sShafer^nR.
E^rND^sCrowley^nW. P^rND^sBarry^nD. A^rND^sBarry^nS. J^rND^sCulligan-
Hensley^nP. J^rND^sBarry^nD. J^rND^sCulligen-Hensley^nP. J^rND^sBarry^nS.
J^rND^nD.A^sBarry^rND^nJ.P^sBody^rND^sKalman^nD^rND^1A01^sAmigo
Vásquez^nJaime R^rND^1A01^sAmigo Vásquez^nJaime R^rND^1A01^sAmigo
V squez^nJaime R
Ahorro energético en viviendas de países con climas tropicales
Amigo Vásquez, Jaime R.
MSc. Jaime R. Amigo Vásquez: Profesor Titular en el Dpto. de Ingeniería
Mecánica de la UNEXPO, Vicerrectorado Puerto Ordaz, Final Calle china, Villa
Asia, Puerto Ordaz, Venezuela, Telefax 0286-9235831, correo electrónico
jamigov@yahoo.com.
Resumen
En este trabajo se presenta un método para tomar decisiones técnicas y
económicas que permitan ahorrar energía, sin pérdida del confort térmico, en
viviendas ubicadas en zonas de climas tropicales. Como prototipo fue elegida una
vivienda ubicada en Puerto Ordaz, Venezuela con las siguientes características:
Superficie construida 180 m2. Techo de madera machihembrada y tejas. Equipo
de aire acondicionado de 5 t. El diagnóstico fue realizado con un programa de
simulación energética para edificios con el cual fueron determinadas las cargas de
enfriamiento. Luego fueron evaluados los consumos de electricidad.
Posteriormente con la ayuda del mismo programa fue definida una readecuación,
que consistió en agregar al techo 140 mm de aislamiento térmico y una lámina de
yeso de 12 mm de espesor. Los resultados de la simulación indican que con esta
readecuación, el consumo de electricidad se reduce en 22.886,42 kW-h/año,
(48,97 %), mientras que las facturas por concepto de electricidad disminuyen en
2.586.165.46,22 Bs/año. El costo de la readecuación es Bs. 11.944.260,50 de
manera que la inversión inicial es recuperada en 4,62 años, siendo el período
simple de retorno de la inversión menor que el tiempo de vida de la readecuación
por lo que es económicamente viable.
Palabras Clave: Ahorro energético en viviendas/ Aislamiento térmico/ Clima
tropical/ Enfriamiento/ Simulación energética de edificios/ Trópico/ Viviendas.
Save energy in houses of countries with tropical climates
Abstract
This paper presents a method to make technical and economic decisions that will
allow to save power, without hindering thermal comfort, in houses located in areas
with a tropical climate. A house from Puerto Ordaz, Venezuela, was chosen as a
prototype with the following characteristics: Surface built: 180 m2. Dovetail wood
roof and tile, and a 5 t air conditioning unit. The diagnose was made with a power
simulation program for buildings to determine the cooling loads. Then the electricity
consumption was evaluated. Later on, the same program was used to achieve a
re-adaptation consisting in adding to the roof 140 mm of thermal isolation and a
12mm thick drywall plate. The results of the simulation indicate that with this re-
adaptation, it is possible to reduce in 22,886.42 kW-h/year (48.97%) the electricity
consumption, while the electrical bill decreased 2,586,165.46 Bs/year. The cost of
the re-adaptation is of Bs 11,944,260.50, so the initial investment is recovered in
4.62 years, being the simple return period of the investment less than the lifetime
of the readaptation. Therefore, the re-adaptation is economically viable.
Keywords: Cooling/ Energy Simulation in Buildings/ Houses/ Power Savings in
Houses/ Thermal Isolation/ Tropical Climate/ Tropic.
Finalizado: 05/10/2004 Recibido: 01/11/2004 Aceptado: 08/02/2006
I. INTRODUCCIÓN
Tradicionalmente los diseñadores de viviendas dedicaban grandes esfuerzos para
hacer las viviendas cada vez más estéticas, funcionales y que pudieran ser
comercializadas a precios asequibles. Rara vez figuraba en la lista de restricciones
de diseño los consumos de energía y poco énfasis se ponía en su rendimiento
energético, es decir, en la forma como la energía consumida era utilizada [1].
Después de la crisis energética de los años 70, en los países desarrollados se
realizaron significativas mejoras en el rendimiento energético de las viviendas
construidas. En los países de climas tropicales una parte importante del consumo
de energía de las viviendas es usada para enfriar sus espacios interiores [2]. En
consecuencia en este renglón pueden obtenerse ahorros energéticos importantes,
cuando se logra incrementar la eficiencia de la energía usada.
En Venezuela, la crisis energética de los años setenta no tuvo ningún efecto sobre
los precios de la energía [3] y en el Sector de la Construcción se continuaron
diseñando edificios con criterios de bajo rendimiento energético y por lo tanto, con
patrones de consumo de energía altos. Los diseñadores preferían reducir los
costos de construcción, especificando la parte envolvente de los edificios con
materiales de bajo aislamiento térmico y tener consumos energéticos mayores, tal
vez porque el consumo de electricidad era subsidiado por El Estado [4]. Esta
situación cambió en forma repentina, cuando a fines de la década de los 90 fue
eliminado el subsidio a la electricidad. En la actualidad los propietarios de
viviendas que usan equipos de aire acondicionado, tienen que pagar facturas con
montos altos por consumos de electricidad.
El propósito de este trabajo es diseñar una metodología para encontrar y evaluar
oportunidades de ahorro energético que al mismo tiempo establezca el confort
térmico en viviendas ubicadas en climas tropicales, construidas con la premisa
que la energía era un recurso abundante y se obtenía a precios asequibles.
Para cumplir con este propósito se trabajó con el concepto de “ readecuaciones”
(retrofitting), es decir, modificaciones de las viviendas existentes que sin mayores
cambios en su diseño conducen a reducciones del consumo energético [5]. Las
valoraciones fueron realizadas con un programa para simular el comportamiento
energético de edificios. De esta manera es posible proporcionar información
técnica y económica a los propietarios de viviendas, con el objeto de facilitar la
toma de decisiones respecto a los problemas que presentan sus viviendas, como
el manejo de la energía y el confort térmico de sus dependencias.
Existen numerosos estudios dirigidos a analizar estos aspectos para viviendas
ubicadas en climas fríos y algunos para climas tropicales, en ambos casos las
viviendas están ubicadas en países desarrollados, donde fueron concebidos la
mayoría de los programas de simulación energética de edificios. En este trabajo
se examina una forma para adaptar estos programas a viviendas ubicadas en
países en vías de desarrollo con climas tropicales.
En este se demuestra que realizando una inversión relativamente pequeña en las
viviendas (que se paga en corto tiempo con el ahorro energético logrado), se
pueden usar los equipos de aire acondicionado y obtener rebajas en los montos
de las facturas por consumo de electricidad. A partir de los resultados obtenidos
puede estudiarse la forma de implementar un programa de reducción del consumo
de electricidad en los hogares.
El estudio fue realizado aplicando una técnica de investigación virtual. (Cuasi-
experimental), que investiga posibles acciones de causa-efecto mediante la
aproximación a las condiciones de un experimento verdadero en un ambiente que
no permite el control o la manipulación de todas las variables importantes. La
ausencia en él de un grupo de control hace que Cambell y Stanley lo consideren
cuasi-experimental
Dos aspectos centrales son examinados en este artículo 1) La identificación de las
variables de entrada del programa de simulación energética usado, la validación
del modelo y el diagnóstico de la situación actual de una vivienda típica. 2) El
proceso de búsqueda de readecuaciones que conduzcan a mejoras del
rendimiento energético de la vivienda, la valoración de una de ellas y el
correspondiente análisis económico.
II. DESARROLLO
1 Definiciones de algunos términos usados
Dentro de un espacio acondicionado o zona, la ganancia de calor se define como
la energía que es transferida desde el exterior al espacio interior (cargas
externas), o generada en el interior del edificio mismo. (Cargas internas) La
ganancia de calor de una zona está influenciada fuertemente por el tiempo
atmosférico, básicamente porque se crea un efecto transitorio muy fuerte por la
variación horaria de la radiación solar. La carga de enfriamiento es la velocidad a
la cual la energía es removida desde la zona para mantener la temperatura y la
humedad a los valores de diseño.
La velocidad de extracción de calor es la rapidez a la cual la energía es
removida desde el espacio por el equipo de enfriamiento y deshumidificación. Esta
velocidad es igual a la carga de enfriamiento, cuando las condiciones del espacio
acondicionado son constantes y el equipo está operando. Por numerosas razones,
esta condición en la realidad no se presenta con frecuencia, porque durante la
mayor parte del tiempo la carga de enfriamiento está por debajo de los valores de
la carga de diseño.
Por edificio se entiende una serie de estructuras creados por el hombre para
resguardarse de las condiciones climáticas. Con relación al cálculo de las cargas
de enfriamiento, los edificios generalmente se clasifican en residenciales, cuando
las cargas principales provienen de las condiciones exteriores del edificio.
(Radiación solar, fugas de aire, ventilación, etc.) Las cargas internas provenientes
de sus ocupantes e iluminación son pequeñas en comparación con los edificios
comerciales o industriales y son habitados y acondicionados las 24 horas del día
(Viviendas unifamiliares, multifamiliares, apartamentos, etc.), y no residenciales,
cuando la mayoría de las componentes de la carga de enfriamiento varía dentro
de un amplio rango durante las 24 horas del día. (Edificios comerciales y públicos,
auditorios, pistas y estadios, hoteles, moteles y residencias, hospitales, etc.)[6]
2 El Modelo
Muchos de los componentes de la carga de enfriamiento varían en un amplio
rango de magnitudes durante el día. (Radiación solar sobre las superficies
exteriores, efecto de almacenamiento térmico sobre las superficies, etc.) Por esta
razón, las ganancias de calor externas deben ser tratadas en forma individual y
siempre como transferencias de calor no estacionarias [7]. Para formarse una idea
de la naturaleza del problema, se puede considerar que el calor conducido a
través de las paredes y del techo de un edificio es variable con la temperatura
exterior y también con la radiación solar entrante sobre las superficies exteriores.
La modelación matemática de la carga de enfriamiento, conduce a una ecuación
diferencial que se conoce como la ecuación de Fourier [8]

(Ecuación II.1)
Donde:t=temperatura local en el punto de la lámina, K q= tiempo,
Una ecuación diferencial no lineal, dependiente del tiempo en las condiciones de
frontera y de la superficie exterior, como es la ecuación de Fourier, es un
significativo obstáculo para obtener una solución. El método del balance de calor
permite la solución exacta de dicha ecuación [9], asegurando que todos los flujos
de energía de cada espacio acondicionado estén balanceados e involucra la
solución de un conjunto de ecuaciones de balances energéticos para el aire
encerrado en el recinto y también de las superficies interiores y exteriores de cada
pared, techo y piso. El método del balance de calor es impráctico cuando no se
tiene la velocidad de cálculo que poseen los computadores digitales.
3 Simulación energética
Puesto que la cantidad de energía que usa un edificio está directamente
relacionada con el clima, el uso dado al edificio y su forma geométrica, en la
práctica sólo es posible evaluar la eficiencia energética de los edificios a través de
programas de simulación. La mayoría de estos programas usan modelos
determinísticos basados en la comprensión de procesos físicos que gobiernan el
comportamiento del sistema y suponen que no existen influencias aleatorias. El
método del balance de calor y otros métodos aproximados desarrollados, son
utilizados para resolver modelos determinísticos que simulan el comportamiento
energético de los edificios. En la Fig.1 se presenta el diagrama de flujo para el
cálculo de un programa de simulación del tipo determinístico.
Fig.1 Diagrama de flujo de un modelo determínístico de edificio.
El programa inicia con los datos del clima, seguido de la descripción de los
sistemas del edificio que será modelado. Interesa por ejemplo su geometría,
ubicación geográfica, aislamiento de paredes, sistemas de enfriamiento. Las
principales bondades de estos programas son sus sólidos principios de ingeniería,
su amplia aceptación y el uso de códigos de simulación de uso público.
La característica más importante de estos programas de simulación es su
capacidad para manejar los distintos parámetros que son cruciales para una
evaluación precisa de la energía usada por los edificios. En la actualidad existen
varios programas de simulación energética que trabajan con el método del
balance de calor, los más conocidos son BLAST y EneryPlus [10].
4 Metodología.
El estudio fue realizado aplicando una técnica de investigación virtual (cuasi-
experimental). Las razones que se tuvieron para elegir esta técnica de
investigación fueron las siguientes: a) Mediante la simulación computarizada de un
proceso se manipularon y controlaron las variables independientes (causas) y
fueron observadas las variables dependientes (efectos) en busca de una variación.
b) El muestreo no es aleatorio, las muestras son seleccionadas en forma racional
y c) No hay grupos de contraste [11].
Para cubrir el alcance del trabajo se realizó una primera parte de diagnóstico, en la
que el objeto del estudio fue medir el comportamiento energético de una vivienda
elegida como típica de clima tropical. Atendiendo a lo expuesto, esta etapa fue
desarrollada como una investigación descriptiva, debido a que no se manipuló
ninguna de las variables.
A continuación y tomando como base los resultados del diagnóstico, se desarrolló
la segunda parte del trabajo que consistió en la simulación del comportamiento
energético de la vivienda, para encontrar readecuaciones que permitieran su
mejora energética. La simulación fue realizada usando un programa de simulación
energética de edificios denominado Right-Suite Commercial v.5.0.17 desarrollado
por la Corporación Wright, que fue calibrado previamente. A manera de ejemplo
fue desarrollada una readecuación, hasta obtener el monto de la inversión
necesaria para su ejecución y la cantidad de dinero ahorrado en energía eléctrica.
Finalmente se presenta el cálculo de su evaluación económica.
5 Calibración del modelo Los diseñadores de programas de simulación
energética, en su empeño por facilitar la búsqueda de información y acortar los
tiempos necesarios para ingresar los datos del programa, insertan una subrutina
con una base de datos del clima. Entonces el usuario despliega un menú para
seleccionar la ciudad donde está ubicado el edificio y el programa transfiere los
datos de dicha ciudad hacia los archivos que se están ejecutando.
La base de datos climatológicos usada por el programa Right- Suite Commercial,
es la que aparece en ASHRAE [12]. Dicha base contiene información del clima de
3.018 ciudades, la mayoría situadas en USA y otros países desarrollados. Con
relación a Venezuela, sólo se incluye la cuidad de Caracas. Habiéndose elegido a
Puerto Ordaz como la cuidad típica para realizar la simulación, por tener clima
tropical del tipo AW’ 1 [13] y estar ubicada en un país en desarrollo, su omisión de
la base de datos obliga a calibrar el programa para tener pronósticos confiables.
Puesto que el enfriamiento de un recinto se basa en la transferencia de calor entre
la superficie exterior de un serpentín enfriado y el aire atmosférico del recinto que
se va a enfriar (zona), para la calibración del programa Right-Suite Commercial se
consideró apropiado analizar el proceso de enfriamiento del aire con las
características de Example City (una ciudad con un clima de 4 estaciones en el
año), que aparece en la base climática del programa y compararlo con el proceso
de enfriamiento del aire en las condiciones tipificadas para Puerto Ordaz. La Fig.
2 muestra el esquema del serpentín de enfriamiento en contacto con el aire de la
zona.
Fig. 2 Esquema de serpentín para enfriar aire húmedo.
Como el aire atmosférico es una mezcla de aire y vapor de agua, la separación del
agua ocurre cuando el aire atmosférico es enfriado a una temperatura menor que
el punto de rocío. Se supone que el agua condensada es enfriada hasta la
temperatura de saturación t2 antes de ser drenada del sistema
Para las condiciones fronteras de la Fig. 2 las ecuaciones de conservación de la
energía en flujo estacionario y de balance de materiales son respectivamente:

Mientras que la ecuación de continuidad es:

(Ecuación II.4)
En la Tabla I se muestran las condiciones climáticas mensuales de Example City y
Puerto Ordaz. Para evaluar los procesos de enfriamiento de ambas ciudades, a
continuación se presenta el desarrollo del cálculo correspondiente al mes de julio.
Para Example City la temperatura de bulbo seco es 37,2 °C y una humedad
relativa del 37 %. El aire debe ser enfriado hasta las condiciones de diseño. (
punto de saturación a 10 °C) Para facilitar los cálculos se supone que a la zona
entra un flujo de 1 m3/s
Tabla I Temperatura y humedad relativa de Example City y Puerto Ordaz

La Carta micrométrica es una gráfica en la que se representan las propiedades


termodinámicas del aire húmedo y puede encontrarse en textos como [14].
Cuando son conocidas dos propiedades del aire húmedo, se puede definir un
punto sobre la Carta y éste representa un estado termodinámico del aire. Una vez
que se define un estado, pueden identificarse los valores de todas las otras
propiedades. (Véase la Fig. 3)

Fig. 3 Esquema que muestra la forma de trabajar con la Carta sicrométrica.


El estado termodinámico 1 corresponde al aire atmosférico de Example City y se
ubica en el punto formado por la intersección de t1 = 37,2 °C y humedad relativa
de 37 %. Desde dicho punto se obtiene h1 = 79 kJ/kg (aire seco), W1 = 16,0 g ( kg
de agua/kg de aire seco) y 0,9 m3 de aire húmedo/ kg de aire seco. El estado 2
que corresponde en las condiciones de diseño del recinto a enfriar, está ubicado
sobre la curva de saturación a 10 °C. Luego h2 = 30 kJ/kg (aire seco) y W2 = 7,6 g
( kg de agua/kg de aire seco).
De la Fig. 3 se obtienen los valores del volumen específico y las entalpías

El valor de la masa de agua condensada se determina por: (g. de agua/kg de aire


seco)

(Ecuación II-5)
Por otra parte, corresponde a la entalpía del agua que se condensa en las
condiciones establecidas en el punto 2, cuyo valor se determina por medio de las
Tablas de vapor [15]
Despejando de la Ecuación 4.1 y reemplazando se tiene:
1q2 = 53,997 kW
Para Puerto Ordaz, la temperatura de bulbo seco es 26,9°C y la humedad relativa
es 80%. En la Carta sicrométrica el proceso es representado por la línea de trazos
que va desde 1’ a 2. En este caso las condiciones del aire atmosférico se
designan con 1’ ; el punto 2 es igual en ambos procesos por cuanto se refiere a
las condiciones de diseño de la zona. Del diagrama sicrométrico fueron obtenidos
los siguientes valores:

Por lo tanto:

La comparación realizada entre los procesos de enfriamiento permite concluir que


a pesar de ser diferentes las condiciones del aire atmosférico para ambas
ciudades, la potencia requerida para enfriar el aire de Example City es 4,10 %
mayor que en el caso de Puerto Ordaz. Al escribir la Ecuación 4.1 en la forma: 1 q2
= ma (h1 - h2) - mwhw2, se observa que la entalpía del aire a la entrada del sistema
h1 tiene un valor predominante en el cálculo de la potencia, porque los otros
términos son función de las condiciones de diseño de la zona, que son los mismos
para ambas ciudades. Teniendo presente lo anterior, se puede concluir que la
carga térmica de un edificio, está influenciada en gran forma por los valores de la
entalpía del aire atmosférico del lugar.
Siguiendo el razonamiento señalado, fueron calculadas las entalpías del aire
atmosférico mes a mes para ambas ciudades. En la Fig. 4 se puede constatar que
durante los meses de junio, julio y agosto las entalpías del aire de ambas ciudades
son más parecidas que para el resto del año. En consecuencia y para efectos de
una pre-calibración del modelo, se tomó la decisión de considerar sólo el intervalo
que va de junio a agosto, como meses confiables para realizar predicciones con el
clima de Puerto Ordaz. Los pronósticos anuales serán realizados extrapolando a
todo el año los valores obtenidos en ese intervalo.

Fig. 4 Comparación de las entalpías del aire atmosférico de Puerto Ordaz y


Example City.
El clima de Puerto Ordaz se caracteriza por ser isoentálpico, debido a que durante
todo el año, presenta temperaturas y humedades relativas altas, En el caso de
Example City, que tiene un clima con 4 estaciones en el año, sólo en los meses
del verano los valores de entalpía del aire son similares a los de Puerto Ordaz.
6 El diagnóstico
Fue realizado con el programa pre-calibrado en la forma descrita. Como prototipo
fue elegida una vivienda de una planta ubicada en Puerto Ordaz, Venezuela con
las siguientes características: Vivienda bifamiliar de una planta, construida en el
año 1976. Los datos que se indican a continuación corresponden al espacio que
ocupa una familia y que para fines de este trabajo, será designado simplemente
como vivienda:
Superficie construida 180 m2. (L =17,1; A = 8,0 m) Techo de tejas de greda con
pendiente a dos aguas.
Superficie de la zona con aire acondicionado 136,8 m 2.
Orientación de la fachada mayor en la dirección NE, superficie total de esa
fachada 56,43m2. La pared común que separa los 2 viviendas está orientada en la
dirección SO y también tiene 56,43m2. El grupo familiar fue estimado en 8
personas y las actividades que desarrollan en su interior son del tipo moderado. La
potencia instalada para iluminación es 900W. En la zona con aire acondicionado
no hay motores ni artefactos eléctricos, sólo un equipo de TV. El equipo de aire
acondicionado tiene una capacidad de 5 t. En la Tabla II se muestran las
especificaciones técnicas más importantes de la vivienda.
Tabla II. Especificaciones técnicas de la vivienda típica

Para facilitar la entrada de datos (descripción del edificio: orientación, dimensiones


y detalles de construcción, además de todo lo relacionado con el aire
acondicionado), el programa Right-Suite Commercial posee un sistema de menús
para su elección. El programa obtiene los valores referentes a ganancias internas
de calor (nivel de ocupación, iluminación, etc.) a través de horarios en los que son
especificadas las fracciones de los valores de diseño usados cada hora por el
componente asociado.
El programa posee gran flexibilidad para emitir reportes con las evaluaciones de
las cargas térmicas, bien sea en forma global, por zonas, en forma horaria o
desagregada por superficies de transferencia (techo, ventanas, pisos, etc.),
siempre indicando el día y la hora en que ocurre la carga máxima. De los múltiples
reportes de salidas, en este trabajo fueron utilizados los referentes a cargas
térmicas de enfriamiento.
Usando uno de los reportes del programa fue elaborada la Tabla III. En ella se
presenta el perfil horario de la carga de enfriamiento para la vivienda, durante los
meses de junio, julio y agosto. Cabe destacar que la carga máxima de
enfriamiento es de 22,33 kW y ocurre en el mes de julio a las 1800 horas. Como
las cargas horarias corresponden a la potencia requerida para el enfriamiento de
la vivienda (kW), al multiplicar dicha carga por 1 hora se tiene la de demanda de
energía necesaria para enfriar la vivienda durante 1 hora. (kW-h) En consecuencia
las sumas de las columnas de la Tabla corresponden a la demanda diaria de
enfriamiento (kW-h /día) para cada uno de los meses. En la parte inferior izquierda
de la tabla se presenta el valor promedio de la demanda de enfriamiento para el
período considerado y es de 491,51 kWh por día. Considerando que el año tiene
365 días, se tiene una demanda de enfriamiento anual de 179.401,15 kW-h.
Tabla III. Cargas sensibles de vivienda sin modificar (kW)
El comportamiento de un equipo de aire acondicionado puede ser expresado
como la razón que existe entre la energía que sale y el trabajo que entra. El
trabajo que entra es el consumido por el compresor. (Cantidad de energía que se
paga a las empresas distribuidoras de electricidad). Esta razón es
llamada coeficiente de operaciones (COP) de un equipo de enfriamiento [16].
COP = Calor removido ( kW-h)/ Consumo de electricidad (kWh)
(Ecuación II-6)
En consecuencia, conociendo el valor del coeficiente de operaciones puede
determinarse el consumo de electricidad del equipo. De la documentación
entregada por el fabricante del equipo se obtuvo un valor de 4 para el COP que
está dentro del rango que tienen los equipos fabricados en la década de los 70.
Haciendo los reemplazos se obtiene un consumo anual de electricidad de
44.850,29 kW-h/año.
7 Comparación con la energía eléctrica medida.
Para tener mayor certeza que los pronósticos realizados con el programa de
simulación son apropiados, los valores obtenidos fueron comparados con los
obtenidos en forma experimental, mediante un medidor portátil de consumo
eléctrico, marca Amprobe, modelo LAW-78KWH-12, en las siguientes condiciones:
a.Equipo de aire acondicionado operando en forma continua:
Se colocó el termostato en 12 °C, de manera que el equipo no fuera capaz de
remover la carga de enfriamiento establecida. La prueba duró 24 horas y se
determinó un consumo promedio de 6,4 kW-h por hora, lo cual implica un
consumo máximo de 56.064 kW-h/año, valor superior al pronosticado por el
programa. (44.850,29 kW-h/año) Este valor se considera satisfactorio porque
presume que el equipo opera sin detenerse en todo el año, situación que no es
cierta.
b.Equipo de aire acondicionado operando en forma intermitente:
Se colocó el termostato en 24 °C. Fueron realizadas 3 mediciones con una
duración de 24 horas cada una. Las pruebas fueron realizadas los días 29 de
junio, 25 de julio y 27 de agosto de 2004. Atendiendo a la clasificación que
aparece en el Medidor de carga del programa de simulación, los resultados fueron
agrupados según la ocurrencia de las cargas de enfriamiento en: baja, mediana y
alta En la Tabla IV se muestran los valores promedios de las lecturas obtenidas.
Como resultado de estas pruebas experimentales se estima que el consumo
eléctrico anual es 43.318,20 kWh/año, que es ligeramente inferior (3,42%) al
consumo pronosticado por el modelo.
Tabla IV. Consumos de electricidad obtenidos con medidor de potencia
portátil marca Amprobe, modelo LAW-78KWH- 12,
(1) Valores promedio
Valores promedios
Teniendo en cuenta lo expuesto y considerando que el clima de Puerto Ordaz es
isoentálpico a lo largo del año, con valores de humedad relativa altos, una
temperatura media anual de 27,5 °C y un rango de variación de 5 °C, se considera
que la calibración del modelo es adecuada para simular el comportamiento
energético de la vivienda típica.
La Gaceta Oficial de la República Bolivariana de Venezuela N° 37415 de fecha 03
de abril de 2002, fija en 113,00 Bs/kW-h la tarifa para consumo residencial. Como
para la vivienda típica fue pronosticado un consumo de energía de 44.850,29 kWh/
año, los montos facturados por electricidad ascenderán a 5.068.082,77 Bs/año ó
2.357,25 US$/año. Si se considera la tasa de cambio vigente de 2.150 Bs./US$.
8 Búsqueda de readecuaciones.
Con el objeto de visualizar la ponderación que tiene cada uno de los componentes
del edificio en la carga de enfriamiento máxima (22,33 kW), en la Fig. 5 se muestra
dicha carga desagregada. Es interesante hacer notar que el flujo de calor
descendente que entra a los espacios acondicionados a través del techo produce
el 51% de carga la carga máxima de enfriamiento. Al ser esta carga
preponderante sobre las otras, la implementación de una readecuación en el techo
ofrece mayores oportunidades de ahorro energético..
Fig.5. Desglose en forma porcentual de la carga de enfriamiento máxima de
la vivienda típica sin modificar. Esta carga tiene un valor de 22,33 kW y
ocurre a las 18 horas del mes de julio. Es importante destacar que casi
la mitad de dicha carga, se produce a través del techo.
9 Definición y desarrollo de una readecuación
Con el objeto de presentar el método de análisis y valoración de las
readecuaciones, a continuación se presenta el desarrollo de una de ellas,
denominada “ Readecuación del techo: 140 mm” , que se muestra en la Fig. 6. La
readecuación consiste en rellenar con aislante térmico el espacio que queda entre
la madera machihembrada existente y la lámina de yeso que se va a
instalar. Como material aislante se usó lana mineral en forma de rollos, con un
espesor de 140 mm que cumple entre otros con los siguientes requerimientos:
Resistencia térmica elevada, expectativa de vida semejante a la vivienda (25
años), costos de instalación y mantenimiento relativamente bajos, emisiones de
contaminantes bajas.
Fig. 6 Esquema de la Readecuación propuesta para el techo. Inicialmente la
cubierta del techo estaba formada por las tejas, el manto asfáltico y la
madera machihembrada. Con la “ Readecuación del techo: 140 mm” , se
disminuye el coeficiente global de transferencia de calor “ U” desde 3,30
a 0,27 W(m2 °C)-1 y por lo tanto hay una disminución de la carga de
enfriamiento.
La simulación consistió en mantener constantes las variables de entrada, tal como
fueron introducidas en el diagnóstico, con excepción de aquellas inherentes al
techo, que fueron modificadas para reflejar su nueva configuración. Una vez
concluido el proceso de simulación de la Readecuación del techo: 140 mm, se
obtuvo una Tabla similar a la Tabla III con el nuevo perfil de carga diaria, en la que
la carga máxima de enfriamiento también ocurre en el mes de julio a las 18:00
horas y su valor es 11,80 kW. La demanda promedio de la carga de enfriamiento
resultó de 240,70 kWh/ día, lo que implica una demanda anual de enfriamiento de
87.855,50 kW-h. Todos estos valores son menores que los obtenidos en la etapa
de diagnóstico. En cuanto a los valores de los consumos eléctricos, también
fueron establecidos usando los criterios de la etapa de diagnóstico. En este caso
se obtuvo un consumo de 21.963,87 k, lo que representa un pago por facturas de
electricidad de 2.481.917,31 Bs/año o 1.154,38 US$/año.
El ahorro energético que se obtiene implementando la “ Readecuación del techo:
140 mm” viene dado por ( 44.850,29 - 21.963,87) es decir 22.886,42 kW-h/año.
Mientras que el ahorro monetario es (5.068.082,77 – 2.481.917,31), es decir
2.586.165,46 Bs/año. En ambos casos el ahorro llega al 48,97 %.
10 Costos asociados a la readecuación
Los costos de los materiales que se requieren para efectuar la Readecuación del
techo: 140 mm, fueron obtenidos de proveedores locales y los salarios fueron
sacados del Contrato Colectivo de la Construcción del Estado Bolívar. Para hacer
este análisis más universal y perdurable en el tiempo, ambos costos son
presentados en dólares americanos. La Tabla V muestra que la “ Readecuación
del techo: 140 mm” tiene un costo total de US$ 5.555,47 ó Bs. 11.944.260,50. El
tiempo de ejecución de las obras es de 8 días hábiles.
(1) Tipo de cambio considerado 1 US$ = 2.150 Bs.
Tabla V Costos asociados a la "Readecuación del techo: 140 mm"

11 Análisis Económico de la Readecuación


El método del período de retorno de la inversión es usado para evaluar
readecuaciones cuando los recursos son limitados y es importante conocer con
qué rapidez será recuperada la inversión. El período de retorno es calculado
simplemente como
12 .- Discusión de resultados
Se adquirió destreza para manejar un programa de simulación energética de
edificios.
La simulación demostró ser un método eficaz para buscar readecuaciones de
viviendas, que permitan mejorar su eficiencia energética y obtener importantes
ahorros energéticos.
A través de la simulación es posible determinar otras readecuaciones que
permitirán formar una cartera de proyectos, en la que todos los proyectos tendrán
por objetivo mejorar la eficiencia energética de la vivienda.
III CONCLUSIONES.
1. Los programas de simulación energética de edificios, pueden usarse para hacer
predicciones en viviendas ubicadas en ciudades con climas tropicales.
2. Aun cuando las ciudades con climas tropicales no aparezcan en la base de
datos climatológicos, los programas de simulación energéticas pueden ser
calibrados por un método experimental.
3. El costo de la readecuación es de US$ 5.555,47, el tiempo de ejecución es 8
días hábiles y la inversión se paga en 4,62 años.
4. La reducción del consumo de electricidad de 22.880,94 kWh por año estará
disponible para otros usos.
5. Siendo el período simple de retorno menor que el tiempo de vida de la
readecuación, la “ Readecuación del techo: 140 mm” es económicamente viable.
6. Los materiales utilizados en la readecuación se pueden obtener de proveedores
locales.
IV. REFERENCIAS
1. Steadman, P. “ Energía, medio ambiente y edificaciones” , Madrid. Blume
Ediciones, 1980, p.16. [ Links ]
2. Thumann, A. “ Handbook of energy audits” 5th Edition, Lilburn GA, The
Fairmont Press Inc. 1998, pp. 7 a 115. [ Links ]
3. MARNR. “ Balance ambiental de Venezuela” . Caracas, Centro de Información
y Estadísticas Ambiéntales de la Dirección Sectorial de Información Ambiental.
1995, pp. 145 y 146. [ Links ]
4. González, R. de Pacheco. “ El subsidio a la electricidad y sus efectos
distributivos, en gasto público y distribución del ingreso en Venezuela” . Caracas,
Ediciones IESA. p. 31. [ Links ]
5. Meckler, M. ” Retrofitting of building for energy conservation” . 2nd. Edition,
Lilburn GA, The Fairmont Press Inc. 2000, pp. 3 y 4. [ Links ]
6. ASHRAE. “ HVAC Applications” . I-P Edition, Atlanta, GA. American Society of
Heating, Refrigerating and Air- Conditioning Engineers, Inc. 1999, pp.1.1 y
7.13. [ Links ]
7. Mull,T. “ HVAC principles and applications manual” , New York, McGraw-Hill,
1998, p. 7.2. [ Links ]
8. Levermore, G. “ Building energy management systems” , 2nd Edition, London,
E&FN Spon, 2000, pp. 199 a 201. [ Links ]
9. ASHRAE “ Fundamental.” SI Edition, Atlanta, American Society of Heating,
Refrigerating and Air-Conditioning Engineers, Inc., 1997, pp. 30.3 a
30.8. [ Links ]
10. Amigo, J. “ Software de computación para auditorias energéticas” Ponencia
en Convención anual de AsoVAC. Capítulo Táchira. [Resumen]. En Acta científica
de Venezuela, Volumen 52. Suplemento N° 3-2001.p.349. [ Links ]
11. Rojas, R. de Narváez. “ Orientaciones prácticas para la elaboración de
informes de investigación” . Puerto Ordaz. UNEXPO, p.16. [ Links ]
12. ASHRAE. “ Fundamental” . SI Edition, Atlanta, American Society of Heating,
Refrigerating and Air-Conditioning Engineers, Inc., 1997, Tablas: 1B, 2B y 3B, pp.
26.7 a 26.53. [ Links ]
13. MARNR. “ Atlas de la vegetación de Venezuela” . Dirección general de
información e investigación del ambiente. 1985, p.19. [ Links ]
14. Haines, R. y Wilson, L. “ HVAC systems design handbook.” 3a. Ed., New
York, McGraw-Hill, 1998, p.482 [ Links ]
15. Keenan, J., Keyes, F., Hill y Moore, J. “ Steam tables” . (SI units), New York.
John Wiley & Sons. 1978. [ Links ]
16. McQuiston, F., Parker, J. y Spitler, J. ” Heating, ventilating, and air conditioning
analysis and design” . 5a Ed. Philadelphia, John Wiley & Sons, Inc. 2000, p.
574. [ Links ]^rND^sAmigo^nJ^rND^sAmigo^nJ^rED^nFederico^sGenolet^rED
^nFederico^sGenolet^rED^nFederico^sGenolet
EDITORIAL
Nuestros primeros diez años
Resulta difícil resumir una cuartilla diez años de la presencia de nuestra revista,
UCT, en el ámbito de las publicaciones académicas en Ciencia y Tecnología.
Sin embargo, haciendo una estricta sinopsis podríamos decir que en estos diez
años ininterrumpidos hemos publicado ciento noventa y un artículos arbitrados, así
como cuarenta y nueve Notas Técnicas, procedentes de universidades de
reconocido prestigio, de centros de investigación, de institutos universitarios, de
instituciones hospitalarias, en especialidades tan diversas como Metalúrgica,
Mecánica, Industrial, Eléctrica, Electrónica, Bioingeniería, Ambiente, Ciencia de la
Ingeniería, Mecatronica, Telecomunicaciones, Rural, Ferroviaria, Energética e
Hidráulica y áreas conexas.
Estos diez años nos han servido también para calibrar la calidad de nuestros
colaboradores, aquellos que durante tanto tiempo han sido nuestros fervientes
seguidores y aun continúan sometiendo a nuestra consideración, a veces
implacablemente exigente, del cumplimiento de nuestras Normas de Publicación.
no podríamos dejar de considerar en estos diez años la perseverancia de nuestros
árbitros, quienes con su pericia y conocimientos han puesto lo mejor de si para
orientar punto de vista y decidir diferencias científicas conceptuales .
Estos diez años han servido también para redefinir donde orientar la indización de
nuestros artículos. Actualmente UCT esta indizada en los siguientes índices
internacionales: Actualidad Iberoamericana, Aluminium Industry abstracts,
Corrosion abstracts, CSA Engineering Research Database, CSA Materials
Research Database with METADEX, CSA Recent References Related to
Technology, CSA Technology Research Database, Enviroment Abstracts,
LATINDEX, Mechanical & Transportation Enginering Abstracts, REVENCYT,
estando registrada además en el Ulrich´s International Periodicals Directoy.
No podríamos dejar de considerar, sin lugar a dudas, a los representantes de
instituciones que como FONACIT, FUDACITE Guayana y la misma UNEXPO, han
depositado su confianza en promocionar y sostener económicamente en estos
diez años la aparición regular de la revista.
A todos nuestros amigos Árbitros Colaboradores ,patrocinadores, deseamos
agradecer su interés en querer lograr la calidad académica que nuestra revista y
nuestra universidad merecen.
DR. Federico Genolet
Editor UCT
^rND^1A01^sReyes Gil^nRosa^rND^1A02^sBermúdez^nAlexis^rND^1A03^sDe
Abreu^nOrlando^rND^1A04^sAlvarado^nJosé^rND^1A05^sDominguez^nJosé^rND
^1A01^sReyes Gil^nRosa^rND^1A02^sBermúdez^nAlexis^rND^1A03^sDe
Abreu^nOrlando^rND^1A04^sAlvarado^nJosé^rND^1A05^sDominguez^nJosé^rND
^1A01^sReyes Gil^nRosa^rND^1A02^sBerm£dez^nAlexis^rND^1A03^sDe
Abreu^nOrlando^rND^1A04^sAlvarado^nJos‚ ^rND^1A05^sDominguez^nJos‚
Metales pesados en plantas provenientes de áreas afectadas por la minería
aurífera en la reserva forestal Imataca, Venezuela
Reyes Gil, Rosa Bermúdez, Alexis De Abreu, Orlando, Alvarado, José Dominguez,
José
Resumen: La Reserva Forestal Imataca ha sido explotada artesanalmente para la
extracción de oro de aluvión con la utilización de técnicas agresivas para el
ambiente, que incluyen la deforestación de grandes áreas boscosas y el uso de
mercurio. El objetivo de este trabajo fue determinar la contaminación por metales
pesados en plantas provenientes de esta reserva con el fin de evaluar su potencial
para labores de restauración. Se presentan los valores de mercurio, cadmio y
plomo encontrados en hojas de plantas extraídas de áreas de minería aurífera
abandonadas que se encuentran en diferentes estadios sucesionales del bosque
tropical que ocupa la reserva. El contenido de metales fue determinado por
espectrofotometría de absorción atómica, el mercurio con la técnica de vapor frío y
los contenidos de plomo y cadmio mediante atomización a la llama. La
concentración de estos últimos no superó el valor del límite de detección del
equipo. La concentración de mercurio en las hojas de las plantas colectadas se
encontró entre los 148,0 y 329,0 ppb. Los resultados indican que las mejores
especies para la reforestación que iniciarían el proceso sucesional, podrían ser las
cyperaceas y gramíneas que además son de fácil localización y práctico manejo.
Palabras clave: Deforestación/ Imataca/ Mercurio/ Reforestación/ Reserva
Forestal.
HEAVY METALS IN PLANTS OF GOLD MINING AREAS IN FOREST RESERVE
IMATACA, VENEZUELA
Abstract: The Forest Reserve Imataca has been used for gold extraction with
aggressive techniques for the environment as deforestation and mercury use. This
worh presents the levels of mercury, cadmium and lead in leaves plants of this
reserve, in areas with differents succesional stages, for to evaluate its potential for
workings of restauration. The metal content was determined by atomic absorption
spectrophotometry, mercury with cold steam technique and lead and cadmium by
flame atomization. Lead and cadmium leves are down of equipment detection.
Mercury levels in the leaves are between 148.0 and 329.0 ppb. The results indicate
that the best species for reforestation could be the cyperaceae and gramineae for
there down leves of mercury anf easy location and handling.
Key words: Deforestation/ Forest Reserve/ Mercury/ Imataca/ Reforestation.
La Dra. Rosa Reyes Gil es Profesora Titular en el Dpto. de Biología de
Organismos de la Universidad Simón Bolívar, Apdo. Postal 89000, Caracas,
Venezuela, correo electrónico rereyes@usb.ve. El MSc. Alexis Bermúdez es
Profesor Asociado en el Dpto. de Biología y Química de la Universidad de Los
Andes, Núcleo Universitario Rafael Rangel, Trujillo, Edo. Trujillo, Venezuela,
correo electrónico adjbermudez@cantv.net. El Lic. Orlando de Abreu desempeña
sus actividades en el Dpto. de Química de la Universidad Simón Bolívar. El Dr.
José Alvarado es Profesor Titular en el Dpto. de Química de la Universidad Simón
Bolívar, correo electrónico jalvar@usb.ve. El Lic. José Domínguez es Investigador
en Química Analítica, Universidad Simón Bolívar, correo electrónico
jrdomin@usb.ve.
Manuscrito finalizado en Caracas el 2006/05/16, recibido el 2006/06/19, en su
forma final (aceptado) el 2006/08/04.
1. INTRODUCCIÓN
La Reserva Forestal Imataca se encuentra ubicada en los Estados Bolívar y Delta
Amacuro, al sureste de Venezuela. Se caracteriza por ser un bosque tropical de
sabana de vital importancia para la salud global del planeta por albergar una gran
diversidad de especies. Además, durante las actividades de reforestación, los
bosques generan una alta concentración de oxígeno y representan un importante
reservorio de dióxido de carbono para el planeta aliviando el sobrecalentamiento
global.
En el año 1997 se decretó el Plan de Ordenamiento y Reglamento de Uso de la
Reserva Forestal Imataca, Estado Bolívar y Delta Amacuro (Decreto No. 1850,
Gaceta Oficial No. 36.215) que contempla la unidad denominada Zona de Manejo
Mixto (ZMM). En esta unidad, los usos permitidos, a saber, Forestal y Minero, se
encuentran en conflicto. En efecto, históricamente la Reserva Forestal Imataca ha
sido explotada artesanalmente para la extracción de oro de aluvión con la
utilización de técnicas altamente agresiva para el ambiente.
La minería de oro artesanal utiliza un proceso simple de extracción del metal
desde minas primarias o secundarias que poseen partículas de oro muy finas.
Específicamente en Brasil, Venezuela, Colombia, Bolivia, Guyana Francesa,
Ecuador y Perú, este proceso incluye la amalgamación del oro fino con mercurio,
con la finalidad de separarlo del sedimento [1].
Es ampliamente reseñado en la bibliografía que la extracción de oro de aluvión
trae consigo una alta tasa de deforestación, asociada con incremento en el
fenómeno de la erosión, desaparición de habitats para las especies vegetales y
animales allí presentes y la utilización del mercurio como elemento amalgamador
del metal [2]. El mercurio, aunque muy útil por sus propiedades físicas y químicas,
es muy tóxico para todos los seres vivos, incluyendo al hombre, ya que afecta al
sistema nervioso central y a los órganos depuradores [3, 4,5].
Esta situación es particularmente grave si se considera, por una parte, la
desaparición progresiva de áreas boscosas en el planeta y por otra, los efectos del
mercurio en la salud de los mineros artesanales y otros habitantes de la zona
minera. En este sentido, es necesario conocer el potencial florístico de las áreas
boscosas de la Reserva Forestal Imataca de manera de conocer las especies
vegetales presentes y analizar su idoneidad con el fin de proponer algunas
acciones que conduzcan a la restauración de las áreas mineras. Además, para
proponer un efectivo plan de reforestación, es necesario conocer el contenido de
metales pesados presentes en las plantas que serán utilizadas, con el fin de evitar
el paso de estos contaminantes a través de la cadena alimenticia, los ecosistemas
y, eventualmente, hasta el ser humano como uno de los consumidores finales. En
este trabajo se analiza la composición florística de la zona de estudio y las
concentraciones de plomo, cadmio y mercurio en las plantas seleccionadas, con el
fin de seleccionar aquellas con menor contenido de estos metales para asegurar
así, su idoneidad para reforestar las áreas desvastadas por la minería aurífera. En
tal sentido, los criterios utilizados para la selección de las plantas propuestas para
la reforestación fueron: 1) la presencia de las plantas en el bosque natural y, 2) el
que presenten bajos niveles de los metales analizados a fin de asegurar que no
tenga lugar la bio-disponibilidad y bio-transferencia de los mismos en las cadenas
tróficas.
A continuación se describirán los materiales y métodos empleados para tratar de
esclarecer los objetivos planteados en la investigación, los resultados y su
discusión, así como algunas conclusiones y recomendaciones que se desprenden
de los resultados obtenidos. Finalmente, se presentan las referencias
bibliográficas consultadas para la realización del presente trabajo.
II. DESARROLLO
1. Materiales y métodos
Área de estudio y material vegetal. Fueron colectadas varias especies de
plantas presentes dentro de la concesión minera a cargo de una empresa
canadiense ubicada en el sector de Las Cristinas, en la Reserva Forestal Imataca.
En función de los diferentes estadios sucesionales presentes en el área descrita,
fueron seleccionadas tres zonas de muestreo, a saber:
I. Zona Intervenida, recientemente abandonada que representaría un estadio de
sucesión inicial o Estadio 1;
II. Zona intervenida completamente abandonada, donde se había establecido
un estado intermedio de sucesión o estadio 2; y
III. Zona no intervenida, representando el estadio clímax del bosque o estadio
3.Se colectaron dos ejemplares de cada planta, uno de ellos fue preservado para
su identificación taxonómica y el otro fue dispuesto en bolsas plásticas y
transportadas en frío hasta el laboratorio de Espectroscopía Atómica de la
Universidad Simón Bolívar, donde fueron dispuestas para la determinación de los
metales pesados mercurio, plomo y cadmio. Análisis de metales pesados. Se
determinaron los valores de mercurio, cadmio y plomo en las hojas de las plantas
colectadas. Se pesaron 0,500 g de hojas trituradas y se sometieron a una
digestión ácida asistida por un horno de microondas doméstico modificado. Se
utilizaron las condiciones óptimas para la mayor extracción de los metales: 10 ml
de una solución ácida (7ml HNO3:3 ml H2O), durante un tiempo de 30 minutos.
Todas las muestras se analizaron por triplicado.
Las concentraciones de plomo y cadmio en los digeridos de cada muestra fueron
determinadas por la técnica de espectrofotometría de absorción atómica con
atomización a la llama [6]. Para ello se utilizó un Espectrofotómetro de Absorción
Atómica marca Perkin-Elmer, modelo 2380 y se emplearon lámparas de cátodo
hueco para cada elemento metálico (Pb y Cd), con líneas de 283,3 y 228,8 nm,
respectivamente, con llama de aire-acetileno y apertura del fotomultiplicador de
0,7 nm (7). Los límites de detección (ld) calculados para un estándar acuoso, de
baja concentración de plomo y cadmio, fueron 0,03 y 0,001 mg/l, respectivamente.
El porcentaje de agua en las hojas analizadas se calculó en un valor promedio del
76%.
La concentración de mercurio en los digeridos de cada muestra fue determinada
por espectrofotometría de absorción atómica con la técnica de vapor frío. En esta
técnica, el mercurio soluble presente en los digeridos es transformado en mercurio
vapor que es arrastrado por una corriente de nitrógeno hasta una celda de cuarzo,
donde es atravesada por un haz de luz proveniente de la lámpara de cátodo hueco
de mercurio que produce las líneas a las cuales absorben los átomos de este
analito. La línea empleada es de 253,6 nm que se fija en el selector de líneas del
espectrofotómetro con una apertura del fotomultiplicador de 0,7 nm (8). El límite de
detección de la técnica empleada fue de 0,001 microgramos/l (ppb).
2. Resultados y discusión
Los organismos autótrofos constituyen el primer eslabón de las cadenas
alimenticias y por ende de ellos dependen todos los animales que directamente o
indirectamente los consumen. Los metales pesados son capaces de acumularse
en los organismos vivos, incluyendo los autótrofos, transferirse a lo largo de la
cadena trófica vía ingesta y bioamplificar sus concentraciones de un nivel trófico al
siguiente [9, 10].
Las plantas analizadas en este trabajo y los niveles de mercurio encontrados en
sus hojas se muestran en la Tabla I. La descripción florística de las zonas
estudiadas indica que la zona I, recientemente abandonada, muestra una variedad
de especies pioneras (Cyperáceas y gramíneas), características del inicio
sucesional en cualquier ecosistema. En la zona II, abandonada varios meses
después de la actividad minera, se observan especies intermedias (solanáceas,
gramíneas, piperáceas) que podrían corresponder a un estado sucesional 2. Por el
contrario, en la zona III, no intervenida, se observa mayoritariamente la presencia
de especies arbóreas de gran tamaño (cecropiáceas, myrtáceas y
caelsalpináceas), propias del bosque tropical. De acuerdo con esta información,
quizás las mejores especies para la reforestación que iniciarían el proceso
sucesional, podrían ser las cyperáceas y gramíneas que además son de fácil
localización y práctico manejo.
TABLA I. CONCENTRACIÓN DE MERCURIO EN HOJAS DE PLANTAS
COLECTADAS EN TRES ZONAS DE LA RESERVA FORESTAL IMATACA,
ESTADO BOLÍVAR, VENEZUELA.
La técnica utilizada fue espectrofotometría de absorción atómica en vapor frío y los
análisis fueron realizados por triplicado (1 microgramo / kg = 1 ppb)
Otro factor a considerar para las labores de reforestación son las cantidades de
mercurio y otros metales pesados que estas plantas son capaces de acumular en
sus hojas, ya sea desde el suelo o desde el aire, y la posibilidad de que estos
elementos puedan ser transferidos y amplificados a los largo de las cadenas
tróficas (11, 12). No se han descrito funciones biológicas específicas para los
metales pesados analizados en este estudio. Por esta razón no se espera la
detección de estos elementos en las plantas estudiadas. Tales fueron los
resultados obtenidos en la determinación analítica de plomo y cadmio.
En efecto, los niveles de plomo y cadmio obtenidos se encuentran por debajo de
los límites de detección calculados 262 para el método utilizado. La imposibilidad
de cuantificar exactamente los contenidos de plomo y cadmio en las muestras
analizadas es una consecuencia de la baja capacidad de detección que posee la
absorción atómica a la llama para estos dos elementos.
Sin embargo, conocer con exactitud tales niveles de concentración no aportaría
mayor valor al presente estudio, ya que para los objetivos planteados son
suficientes los resultados obtenidos mediante atomización a la llama. Al demostrar
que los niveles de Pb y Cd en muestras de hojas de la Reserva Forestal de
Imataca están por debajo de 0,03 y 0,001 mg/l, respectivamente, se indica que no
hay contaminación apreciable en esa área debido a estos dos metales. En efecto,
se reseña que el nivel natural en plantas es inferior a 5 mg/l para el plomo y 0,01
mg/l para el cadmio, valores evidentemente superiores a los determinados en este
trabajo (13).
Los niveles de mercurio obtenidos en las hojas de las plantas analizadas se
encuentran en cantidades muy bajas (148,0 – 329,0 ppb), en el rango de
miligramos de mercurio por kilogramo de material vegetal. Los valores de mercurio
más altos fueron registrados en plantas provenientes de la zona I, recién
abandonada, probablemente como consecuencia de la utilización reciente de
mercurio para la amalgamación del oro. En la zona II se encuentran valores
intermedios, revelando que tal vez se esté dando un proceso de depuración o
expulsión del metal desde las plantas. Los valores más bajos se encuentran en la
zona no intervenida (III), donde no ha tenido lugar la explotación del oro. Los
valores presentes en las plantas quizá provengan del mercurio presente en el aire
como consecuencia de la volatilización del mercurio a altas temperaturas desde la
amalgama realizada por los mineros para la obtención del oro [2].
IV. CONCLUSIONES
1. Los niveles de plomo y cadmio obtenidos se encuentran por debajo de los
límites de detección calculados para el método utilizado.
2. Los niveles de mercurio obtenidos en las hojas de las plantas analizadas se
encuentran en cantidades muy bajas (148,0 – 329,0 ppb).
3. Las mejores especies para la reforestación que iniciarían el proceso sucesional,
podrían ser las cyperáceas y gramíneas que además son de fácil localización y
practico manejo.
4. Las plantas pertenecientes al grupo de las cyperáceas y cecropáceas
analizadas en este trabajo presentan los menores valores de mercurio, razón por
la cual podrían ser utilizadas para repoblar las zonas desvastadas por la minería
aurífera.
IV. REFERENCIAS
1) Malm, O. Mercury Pollution Due the Gold Mining in the Madeira Rivar Basin,
Brazil. Ambio , Vol.19, No.1.1990 Pp 11-15. [ Links ]
2) Reyes, R. et al. La educación ambiental para la pequeña minería aurífera en la
Reserva Forestal Imataca, Estado Bolívar, Venezuela. Universidad, Ciencia y
Tecnología, Vol.7, No.28. diciembre, 2003, pp 262-266. [ Links ]
3) Organización Mundial de la Salud (OMS) Criterios de salud ambiental. I:
Mercurio. Publicación Científica No. 362. Washington, USA. 1978, 179
pp. [ Links ]
4) Morales, I. y Reyes, R. Mercurio y Salud en Odontología. Revista de Saúde
Pública, Vol.37, No.2. 2003, pp 263-265. [ Links ]
5) Morales, I. et al. Diagnóstico de la contaminación por mercurio en el personal de
una Unidad Odontológica de Caracas, Venezuela. Acta Odontológica Venezolana,
Vol.45, No.3. 2007, en prensa. [ Links ]
6) Analytical Methods for Atomic Absorption Spectrophotometry. New York, Perkin-
Elmer Manual. 1982, 58 pp. [ Links ]
7) Skoog, D. y Larry, J. Análisis Instrumental. Barcelona, España. McGraw Hill,
1994, 342 pp. [ Links ]
8) Stockwell, P. Y Corns, W. The Role of Atomic Fluorescente Spectroscopy.
Analyst, Vol.123, No.1. 1998, pp 135-139. [ Links ]
9) Capó, M. Principios de Ecotoxicología. Madrid, McGraw Hill/Interamericana de
España S.A. 2002, 314 pp. [ Links ]
10) De Azevedo, F. y Da Mata, A. As bases toxicológicas da Ecotoxicologia. São
Paulo, RiMa Editores. 2003, 340 pp. [ Links ]
11) De Azevedo, F. Toxicologia do Mercúrio. São Paulo, RiMa Editora., 2003, 292
pp. [ Links ]
12) Moreno, D. Toxicología Ambiental. Evaluación de riesgo para la salud humana.
Madrid. McGraw Hill/Interamericana de España S.A. 2003, 370 pp. [ Links ]
13) Stocker, S. y Seager, S. Química Ambiental. Contaminación del aire y del
agua. Barcelona, España. Editorial Blume. 1981, 297 pp. [ Links ] Volumen
10, Nº 41, diciembre 2006 pp 259-262
^rND^sMalm^nO^rND^sReyes^nR^rND^sMorales^nI^rND^sReyes^nR^rND^sMora
les^nI^rND^sStockwell^nP^rND^sCorns^nW^rND^sMalm^nO^rND^sReyes^nR^rN
D^sMorales^nI^rND^sReyes^nR^rND^sMorales^nI^rND^sStockwell^nP^rND^sCor
ns^nW^rND^1A01^sAlcaide Orpí^nJosé^rND^1A01^sJaimez
Salgado^nEfrén^rND^1A01^sOlivera Acosta^nJorge^rND^1A01^sValdés
Hernández^nGertrudis^rND^1A02^sDíaz^nJosé Ramón^rND^1A02^sDe
Terán^nMira^rND^1A03^sSoto Torres^nJesús^rND^1A01^sAlcaide
Orpí^nJosé^rND^1A01^sJaimez Salgado^nEfrén^rND^1A01^sOlivera
Acosta^nJorge^rND^1A01^sValdés
Hernández^nGertrudis^rND^1A02^sDíaz^nJosé Ramón^rND^1A02^sDe
Terán^nMira^rND^1A03^sSoto Torres^nJesús^rND^1A01^sAlcaide
Orp¡^nJos‚ ^rND^1A01^sJaimez Salgado^nEfr‚ n^rND^1A01^sOlivera
Acosta^nJorge^rND^1A01^sVald‚ s
Hern ndez^nGertrudis^rND^1A02^sD¡az^nJos‚ Ram¢n^rND^1A02^sDe
Ter n^nMira^rND^1A03^sSoto Torres^nJes£s
Sistema de indicadores para la evaluación de la calidad ambiental del
municipio Bauta, la Habana, Cuba
Alcaide Orpí, José Jaimez Salgado, Efrén Olivera Acosta, Jorge Valdés
Hernández, Gertrudis Díaz, José Ramón De Terán, Mira Soto Torres, Jesús
El Ing. José Alcaide Orpí, el Lic. Efrén Jaimez Salgado, el Ing. Jorge Olivera
Acosta y la Ing. Gertrudis Valdés Hernández son Investigadores Auxiliares, en el
Instituto de Geofísica y Astronomía, La Coronela, La Lisa, Ciudad de La Habana,
Cuba, CP 11600. Teléfono: (537) 2714341, correos electrónicos alcaide@iga.cu,
ejaimez@iga.cu, yoyi@iga.cu, y gertrudis@iga.cu, respectivamente. El Lic. José
Ramón Díaz de Terán Mira es Profesor Titular del Departamento de Ciencias de la
Tierra y Física de la Materia Condensada, Facultad de Ciencias, Avenida de los
Castros S/N, Santander, Cantabria, España. Teléfono: (34) 942201505, correo
electrónico: diazjr@unican.es, El Dr. Jesús Soto Torres es Profesor Titular,
Catedrático de Física Médica. Departamento de Ciencias Médicas y Quirúrgicas,
Avenida Cardenal Herrera Oria, S/N 39011, Santander, Cantabria, España. Correo
Electrónico: sotoj@unican.es
Resumen. El objetivo principal de esta investigación, fue desarrollar y adaptar un
marco conceptual para la elaboración y uso de un conjunto de indicadores
ambientales que permitan la evaluación, el seguimiento de políticas ambientales y
la elaboración de propuestas de acciones y estrategias conducentes a un
desarrollo sostenible a escala municipal, tomando como caso de estudio el
territorio del Municipio Bauta. Para la ejecución de este trabajo se tomó el enfoque
metodológico novedoso propuesto en el proyecto ELANEM (Red Euro-
Latinoamericana de Monitorización y Evaluación Ambiental) aplicado por un
equipo multidisciplinario de diez universidades y centros de investigación
Europeos y Latinoamericanos dentro del programa INCO de la Unión Europea.
Como resultado de la investigación se elaboró un sistema de indicadores de
Presión, Estado y Respuesta (PER) para cada una de las cualidades del medio
abordada (Grado de Naturalidad, Fuente de recursos, Sumidero de residuos y
Soporte/servicio de actividades). Estos indicadores están basados en criterios de
selección fundados en la confiabilidad y disponibilidad de los datos, la relación con
los problemas y la utilidad para el usuario, obteniéndose una valoración
cuantificada de la calidad ambiental del territorio estudiado y la identificación de
las principales afectaciones del medio.
Palabras clave: Indicadores ambientales/ Evaluación ambiental/ Calidad
ambiental.
SYSTEM INDICATORS FOR THE EVALUATION OF THE ENVIRONMENTAL
QUALITY OF THE MUNICIPIO BAUTA, THE HAVANA, CUBA
Abstracts: As main objective of this study, we intended to develop and to adapt a
conceptual mark for the use and elaboration of an environmental indicators group,
which allow the evaluation, pursuit of environmental political, and actions
proposals, all of them conductive to strategies for sustainable development at
municipal scale, having for case of study the one belongs to territory of Bauta
Municipality. It was taken for this work execution, the novel methodological
proposed in the ELANEM project (Euro- Latin American Network on Environmental
Assessment and Monitoring), applied by a multidisciplinary team from ten
universities and European investigation, as well as Latin-Americans centers into
the INCO Program from the European Union. As result, was elaborated a system
of indicators of Pressure, State, and Answer (PER), for each one qualities of the
approached environment (Naturalness degree, source of resources, drain of
residuals, support system, and activities service), based on several selection view
points, as function of dependability and data existence relationships with some
environmental problems, and its utility for the user. It’ s obtained a quantified
valuation of the environmental quality from the studied territory and identification of
the main affectations of the Environment.
Key words: Environmental Indicators/ Environmental evaluation/ Environmental
quality.
Manuscrito finalizado en La Habana, Cuba el 2006/07/10, recibido el 2006/08/07,
en su forma final (aceptado) el 2006/10/23.

1.INTRODUCCIÓN
La segunda mitad del siglo XX se ha caracterizado por la existencia de
importantes cambios cualitativos y cuantitativos en la dinámica general de los
sistemas naturales. Durante este período de tiempo y por primera vez a lo largo de
la historia de la Tierra, la influencia de la especie humana ha sido igual o superior
a la de los agentes naturales, [1].
En la Conferencia sobre Desarrollo Humano en Estocolmo, Suecia, y más aún en
la Cumbre de Río en 1992, se establecieron un conjunto de recomendaciones
relativas al uso de criterios e indicadores para medir el avance de la compatibilidad
social, económica y ambiental de los países. Estos criterios e indicadores
representan una valiosa herramienta para el monitoreo, el seguimiento, la
evaluación de la gestión, la planificación ambiental y la medida del desarrollo
sostenible.
El objetivo principal de esta investigación fué desarrollar y adaptar un marco
conceptual para la elaboración y uso de un conjunto de indicadores ambientales
que permitieran la evaluación y seguimiento de la calidad ambiental. Este marco
conceptual debería servir como una herramienta para la evaluación de las políticas
ambientales y para ser utilizado en la toma de decisiones sobre la gestión del
territorio a nivel municipal, aplicándolo al caso del municipio Bauta, en La Habana,
Cuba.
Para lograr estos objetivos y con el fin de elaborar una herramienta útil para los
usuarios fue necesario partir de la identificación de los principales problemas que
afectan al municipio estudiado, partiendo de la actualización de los resultados
obtenidos por trabajos ejecutados con anterioridad en el territorio, [2].
Como modelo metodológico se utilizó el esquema de Presión - Estado - Respuesta
(P-E-R) desarrollado por la OCDE en 1993 [3].
Como resultado se identificó un sistema de indicadores ambientales para el
municipio Bauta que permitió identificar los principales elementos que expresan
cambios en la calidad medio ambiental del territorio estudiado, y que sin lugar a
dudas repercutirá en una mejor planificación territorial y permitirá a los encargados
de llevar las políticas ambientales del municipio, “ administrar” el Medio Ambiente
y sus Recursos Naturales, y velar por su desarrollo sostenible.
II. DESARROLLO
1. Materiales y métodos
Para el desarrollo de la investigación, se contó con los siguientes materiales
generales: una base cartográfica a escala 1:25 000, fotografías aéreas a
diferentes escalas, información disponible de los trabajos ejecutados con
anterioridad en el sector de estudio y la información aportada y actualizada de los
diferentes organismos e instituciones del territorio (Instituto de Planificación Física,
Recurso Hidráulico, Higiene y Epidemiología, Delegación del Ministerio de la
Agricultura, Estadística Municipal, Gobierno Municipal, etc.).
Inicialmente se observó y analizó la calidad y disponibilidad de datos para el
desarrollo y uso de los indicadores adecuados. Para lograrlo, se contactó con los
diferentes organismos e instituciones del territorio que pudieran completar y
conformar la información necesaria para la selección de un sistema de
indicadores. Esta selección debe, además, estar apoyada en una serie de criterios
basados en las características del territorio analizado, contando con la
confiabilidad de los datos, la relación con los problemas y prioridades en la unidad
de análisis y la utilidad para el usuario.
Como modelo metodológico se utilizó el esquema de Presión - Estado - Respuesta
(P-E-R) desarrollado por la OCDE en 1993 [3]. Este marco metodológico ha sido
ampliamente utilizado para la aplicación de indicadores ambientales y es,
probablemente, el más aceptado a escala mundial debido a su sencillez y facilidad
de uso y a la posibilidad de aplicación a diferentes niveles, escalas y actividades
humanas. El modelo P-E-R es un marco de organización de la información que es
utilizado como formato para estructurar los indicadores. Implica elaborar de
manera general una progresión causal de las acciones humanas que ocasionan
una presión sobre el medio ambiente y los recursos naturales, que llevan a un
cambio en el estado del medio ambiente y al que la sociedad responde con
medidas o acciones para reducir o prevenir el impacto, [4].
A la hora de analizar la calidad ambiental mediante el empleo del modelo P-E-R se
han considerado dos tipos: una “ calidad” de tipo ecocéntrico y otra de tipo
“ antropocéntrico” .
Desde el punto de vista ecocéntrico se considera que la calidad ambiental es
proporcional al grado de naturalidad del área que se analiza; esto es, cuanto
menor sea el grado de modificación de las características naturales del medio,
mayor será su calidad. La óptica antropocéntrica incluye la consideración de las
principales funciones que el medio físico desempeña en relación con los seres
humanos, como fuente de recursos, como sumidero de residuos generados por las
actividades humanas y como soporte de actividades y proveedor de servicios, [5].
Después de la selección del conjunto de indicadores, según el modelo descrito, se
pasó a una segunda fase, consistente en asignar a cada uno de los indicadores
seleccionados un valor mínimo y otro máximo. Para ello se recurrió a la consulta
de diversas fuentes, incluidas normas nacionales e internacionales, estadísticas
municipal y nacional y trabajos de diversa índole relacionados con la temática [6,
7, 8, 9, 10, 11, 12].
El siguiente paso consistió en la medición de los indicadores de cada una de las
unidades de investigación analizadas, que incluye información obtenida a partir de
resultados de análisis de laboratorios, cartografía de elementos del medio natural,
datos estadísticos del municipio, etc., seguido del cálculo según la expresión de
cada indicador. Así, la densidad de vías de comunicación se mide y expresa en
km lineales dividido por el total de km2 de la unidad analizada.
La etapa siguiente fue la normalización de los datos de los indicadores
ambientales seleccionados en correspondencia con la valoración de cada uno de
los indicadores, que no son expresados en %, en una escala nominal de 0 a 100
donde 0 corresponde a la peor situación posible con respecto al indicador en
cuestión y 100 a la mejor situación posible con respecto al indicador analizado.
La expresión que se utilizó para la normalización de los indicadores es:
Siendo: Vn el valor normalizado; Vmax el valor máximo en la zona de estudio;
Vmin el valor mínimo en la zona de estudio; Vcal el valor calculado.
El paso siguiente consistió en el cálculo de los índices de presión, estado y
respuesta, para cada una de las cuatro funciones citadas. Para este cálculo se
utiliza la expresión:

Siendo INp el índice de presión sobre la naturalidad; Vi los valores normalizados


de los indicadores de presión; n el número total de indicadores presión. De forma
similar se procedió para el cálculo de índices de estado y de respuesta, tanto para
la naturalidad como para las funciones fuente, sumidero y soporte-servicios.
Los índices de presión, estado y respuesta se integran en índices de cada una de
las funciones, de la forma:

Siendo IN el Índice de la función naturalidad; INp el índice de presión sobre la


naturalidad, INe el índice de estado sobre la naturalidad, INr el índice de respuesta
sobre la naturalidad.
De la misma manera se calcularon los índices para cada una de las funciones
estudiadas: IF: índice de la función fuente de recursos, IS: índice de la función
sumidero de residuos, ISS: índice de la función soporte - servicio.
Finalmente se calculó el índice de calidad ambiental (EQI), que se obtiene por
medio de la expresión:

Donde IN es el índice de naturalidad; IF el índice de fuente de recursos; IS el


índice de sumidero de residuos y ISS el índice de soporte/servicios.
La interpretación del valor final del índice de calidad ambiental, que estará
expresado en una escala cuyo valor máximo será cien y el mínimo cero, se hace
teniendo en cuenta que los valores más altos corresponden a la situación
ambiental más positiva. Para simplificar la valoración se ha realizado una
clasificación dividida en 5 clases, donde la clase 1 incluye valores desde 1 a 19,
calidad ambiental baja, la clase 2 de 20 a 39 con una valoración de
moderadamente baja, la 3 entre 40 y 59 con valoración de media o intermedia, la 4
entre 60 y 79 como moderadamente alta y la 5 entre 80 y 100 como de calidad
ambiental alta.
Esta clasificación de los resultados puede ser usada de referencia para hacer
cualquier valoración por separado de los índices de las funciones de naturalidad,
de fuente de recursos, de sumidero de residuos y de soporte de actividades y
servicios y puede ser utilizada para interpretar los valores de los índices
calculados para los indicadores de presión, estado y respuesta.
2. Resultados y discusión
Los indicadores seleccionados y posteriormente medidos según la metodología
expuesta, son agrupados y presentados para cada una de las funciones del medio
abordadas:
Cualidad: Grado de Naturalidad
Indicadores de Presión
• Densidad de vías de comunicación, expresado en km / total de km2 de la unidad
de análisis.
• Crecimiento de infraestructura poblacional, expresado en km2 / total de km2 de
la unidad de análisis.
Indicadores de Estado
• Grado de intervención sobre los cursos de aguas, expresado en número de
intervenciones por cada 10 km de longitud del río.
• Cobertura vegetal natural (Manglares y Bosques), expresado en km2 / total de
km2 de la unidad de análisis.
• Cursos fluviales contaminados, expresado en % de la longitud de cauce fluvial
contaminado.
Indicadores de Respuesta
• Territorio protegido, expresado en km2 protegido/ total de km2 de la unidad de
análisis.
Cualidad: Fuente de recursos
Indicadores de Presión
• Cantidad de explotaciones mineras, expresado en cantidad total de
explotaciones/ total de km2 de la unidad de análisis.
• Cantidad de “ granjas” , expresado en cantidad total (avícolas, porcinas y
vaquerías) / total de km2 de la unidad de análisis.
Indicadores de Estado
• Superficie afectada por explotaciones mineras, expresado en km2 afectados por
la actividad minera / total de km2 de la unidad de análisis.
• Masas forestales, expresado en km2 de masa forestal / total de km2 de la
unidad de análisis.
• Superficie de playas, expresado en km2 / total de habitantes en la unidad
analizada.
Indicadores de Respuesta
• Superficie protegida de suelos de alta a media productividad, expresado en km2
de suelos protegidos / total de km2 de suelos de alta a media productividad en la
unidad de análisis.
• Superficie restaurada de las actividades mineras, km2 restaurados/ total de km2
afectados por la extracción, expresado en %.
Cualidad: Sumidero de residuos
Indicadores de Presión
• Industrias potencialmente contaminantes, expresado en número total de
industrias / total de km2 de la unidad de análisis.
Indicadores de Estado
• Cantidad de industrias, expresado en número de industrias por cada 1000
habitantes.
Indicadores de Respuesta
• Actas de infracción por contaminación industrial, expresada en cantidad total de
actas o multas por infracción.
Cualidad: Soporte/ Servicios
Indicadores de Presión
• Densidad de población, expresado en cantidad de habitantes / total km2 de la
unidad analizada.
Indicadores de Estado
• Territorio sometido a peligros de inundación y construida, total de km2
construido en áreas de peligros de inundaciones / total de km2 de área sometida a
peligro de inundación en la unidad de análisis, expresado en %.
• Sitios de atractivo histórico-cultural-recreativo, expresado en número total de
sitios / total de km2 de la unidad de análisis.
Indicadores de Respuesta
• Gastos en medidas de mitigación de riesgos por inundación, expresado en $/
total de habitantes de la unidad analizada.
• Territorio con espacio natural protegido, expresado en km2 / total de km2 de la
unidad de análisis.
El análisis de los resultados de la medición de los indicadores puede ser discutido
de diversas formas, lo que es una de las cualidades o peculiaridades positivas del
modelo metodológico P-E-R utilizado. Por este motivo se propone hacer el análisis
tomando en consideración los siguientes datos:
- Índices para cada una de las funciones abordadas.
- Índices de los indicadores de presión, estado y respuesta promediados.
- Índice de calidad ambiental de la unidad analizada.
Los datos aportados por el índice de las funciones abordadas, Figura 1, indican
que los valores más bajos son los correspondientes a los indicadores de
naturalidad. Los resultados de las mediciones de los indicadores propuestos
expresan que la mayor afectación se obtiene en los valores obtenidos en los
indicadores relacionados con el recurso agua, tanto en la intervención de los
cursos fluviales como en la calidad de las aguas; en este último aspecto con una
valoración que incluye datos cualitativos (con datos de trabajos anteriores) y
cuantitativos.

Los valores obtenidos en los indicadores de la cualidad soporte-servicio son


medios con tendencia a bajos. La mayor influencia negativa en la disminución de
los valores se encuentra en los indicadores relacionados con el crecimiento
demográfico y también en la disminución de la superficie de playa, que ha sido el
recurso más afectado.
Al analizar los valores de los índices de PER promediados, Figura 2, se encuentra
que los indicadores de respuesta presentan los valores más bajos de todos los
obtenidos en el modelo, poniendo en evidencia la falta de actuación del hombre
para contrarrestar las presiones sobre del medio.
En el caso de los indicadores de estado, las mayores afectaciones negativas se
encuentran relacionadas con los problemas de contaminación de las aguas y de
disminución de la superficie de playa. En el caso de los indicadores de presión, las
mayores afectaciones son el incremento del número de granjas avícolas-
ganaderas-porcinas y el crecimiento de la población.
Finalmente, el cálculo del Índice de calidad ambiental arrojó un valor de 46.79, que
se incluye en el rango comprendido entre 40 y 59, con una valoración de la calidad
ambiental de la clase 3 intermedia. Este valor puede ser comparado con el
obtenido en épocas anteriores y confirma las evidencias de una tendencia
negativa de la calidad ambiental de los recursos del medio en el territorio
estudiado.
Un hecho llamativo en todo el análisis realizado es el relacionado con los valores
obtenidos para los indicadores de la cualidad de sumidero de residuos. En este
caso, los valores no reflejan los resultados que se esperaban, sino que muestran
cómo el medio ha sido capaz de soportar las cargas de contaminantes generadas.
Sin embargo, cabe señalar que las mayores afectaciones se ven reflejadas en los
indicadores del recurso agua, lo que podría producir un efecto sobre las aguas
subterráneas de las cuencas existentes en el territorio, como una consecuencia de
la saturación de la capacidad de asimilación de los contaminantes por parte del
medio receptor. Igualmente cabe señalar el escaso desarrollo industrial del
territorio, con un vertido pequeño de residuos industriales.
III. CONCLUSIONES
1. Los indicadores ambientales representan un valioso instrumento para
cuantificar, simplificar y sistematizar la información relacionada a los distintos
aspectos del medio ambiente.
2. Los valores más bajos se observan en los indicadores seleccionados de la
cualidad grado de naturalidad, expresándose las mayores afectaciones en los
elementos del recurso agua.
3. En las medias de los indicadores de respuesta de todas las cualidades
abordadas se obtienen las puntuaciones más bajas.
4. El hombre no ejecuta acciones suficientes para contrarrestar las presiones
ejercidas sobre el medio.
5. Los indicadores más afectados se relacionan, en este orden, con las aguas
(superficiales y subterráneas), el litoral, los suelos y la vegetación.
6. Los resultados encontrados proporcionan una imagen de la calidad ambiental
del municipio Bauta que concuerda, en general, con la percepción existente sobre
ella.
7. Los resultados obtenidos constituyen un valioso aporte ambiental, ya que por
primera vez se aplica en Cuba este procedimiento metodológico para cuantificar
indicadores ambientales como medida de la calidad ambiental.
8. Se ha dado así respuesta a la búsqueda de procedimientos que sirvan para
"medir" o al menos evaluar sobre bases cuantitativas la calidad ambiental de un
territorio.
9. Este procedimiento puede ayudar a una mejor gestión de los recursos naturales
y a constituir un instrumento de gran utilidad para cuantificar, simplificar y
sistematizar la información relacionada a los distintos aspectos del medio
ambiente.
10. Los resultados servirán para asesorar en la toma de decisiones relacionadas
con las políticas ambientales que se llevan a cabo en el municipio y para
establecer un programa de seguimiento de la calidad ambiental.
IV. REFERENCIAS
1) Cendrero, A. y otros. Medio Ambiente y desarrollo: Perspectivas ante la
Conferencia de Naciones Unidas en Río de Janeiro. Antes y después de Río-92 y
¿Que fue Río-92? 1992. pp.169 -187 [ Links ]
2) Alcaide, J.F. y otros. Evaluación ambiental integral del municipio Bauta,
Provincia La Habana, Cuba. Centro de información, Instituto de Geofísica y
Astronomía. 2001.98 pp. [ Links ]
3) OECD. Core Set of Indicators for Environmental Performance Reviews,
Environmental Monograph # 83, OCDE, Paris. 1993. 39pp. [ Links ]
4) Cendrero, A. Proyecto ELANEM, un aporte a la elaboración de indicadores de
calidad ambiental. V Congreso Latino-Americano de Ecología. Jujuy, Argentina.
2001. 21 [ Links ]pp.
5) SCOPE. Environmental Indicators: a Systematic Approach to Measuring and
Reporting on the Environment in the Context of Sustainable Development. In:
Indicators of Sustainable Development for Decision-Making. Eds. N. Gouzee, B.
Mazijn and S. Billharz, Federal Planning Office. Bruselas, 1995.
25pp. [ Links ]
6) EPA. A Conceptual Framework to Support the Development and Use of
Environmental Information for Decision-Making, Environmental Statistics and
Information Division, Office of Policy, Planning and Evaluation, EPA 230-R- 95-
012.1995. 26pp. [ Links ]
7) NORMA CUBANA NC 22-1999. Lugares de baño en costas y masas de aguas
interiores. Requisitos higiénicos sanitarios. 1999. 13 pp. [ Links ]
8) NORMA CUBANA NC XX-1999. Lugares de baño en costas y en masas de
aguas interiores. Requisitos higiénicos sanitarios. Oficina Nacional de
Normalización. 1999. 8 pp. [ Links ]
9) NORMA CUBANA NC 27-1999. Vertimiento de aguas residuales a las aguas
terrestres y al alcantarillado. Especificaciones. 1999. 16 pp. [ Links ]
10) NORMA CUBANA NC XX-2001. Vertimiento de aguas residuales a la zona
costera y aguas marinas. Especificaciones. 2001. 12 pp. [ Links ]
11) OECD. Key environmental indicators. OECD Environment Directorate. 2001.
36pp. [ Links ]
12) SALAS, L. Y OTROS. Indicadores medioambientales para el seguimiento de la
calidad ambiental en el litoral Cantábrico, España. II Reunión Internacional de
Medio Ambiente Siglo XXI. Universidad de Santa Clara, Cuba. 2001.
9pp. [ Links ]

Potrebbero piacerti anche