Amplificadores de Pequeno Sinal Com BJT

Eletrônica I
Circuito de
Amplificadores de
Pequenos Sinais
Capítulo 4 – Parte 2
Curso: Engenharia Elétrica Tema: Amplificadores com BJT
Disciplina: Eletrônica I Professor: Silvio Bottrel Guimarães
Amplificadores de Pequenos Sinais

1. Introdução
• Amplificador de pequenos sinais: Refere-se a amplificação de sinais de
pequenas amplitudes, limitados dentro dos parâmetros e curvas do
transistor em análise. Amplificadores de grandes sinais são examinados
em outros estudos.
• A base para a análise do transistor como amplificador de pequenos

sinais é o uso de circuitos equivalentes (modelos) que representem o
transistor no domínio AC senoidal.
• É de grande valia que amplificadores a transistor para pequenos sinais

possam ser considerados lineares, permitindo o uso do teorema da
superposição, e assim isolar a análise DC (polarização) da análise AC
(amplificação).

1
4. Amplificadores de Pequenos Sinais
Análise pela Polarização Análise pela Amplificação
Para o entendimento do funcionamento dos transistores

como amplificadores faremos uso de circuitos específicos
de modelagem que representam o componente sob as
condições de operação específica.


1.1. Notação para Grandezas DC e Grandezas AC
Notação para variáveis de corrente contínua (DC) e corrente alternada
(AC)
Corrente Contínua (DC): Variáveis escritas com letras maiúsculas,exemplo:

VCC , VCE , IB , IC , ou é indicado através de um índice que trata-se de um
parâmetro em corrente contínua, por ex. αDC e βDC = hFE .
Corrente Alternada (AC): Variáveis escritas com letras minúsculas, como:

vc , ve , vb , v2 , ic , ie , ib ou é indicado através de um índice que trata-se de
um parâmetro em corrente alternada , por ex. αca e βca = hfe .

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2. Modelagem do Transistor BJT
Modelo de Transistor: combinação de elementos de circuito que
aproximam melhor o funcionamento real do transistor sob condições de
operação específica.
Modelos de Transistor mais adotados:
• Modelo re do transistor (modelo de Ebers-Moll);
• Modelo com parâmetros híbridos (h) do transistor;
• Modelo exponencial (não-linear) em π ou T.
Modelo re : Derivado das condições do ponto de operação do transistor,
sendo os parâmetros determinados para qualquer ponto de operação na
região ativa da curva da saída do transistor.
Modelo híbrido: Modelo mais popular adotados pelos fabricantes para
aplicações em alta frequência, sendo os parâmetros híbridos definidos para
uma região particular de operação indicada nas folhas de dados.


2.1. Modelo DC e AC do Circuito a Transistor BJT
Vamos considerar o circuito abaixo para exemplificar a forma de obtenção
dos modelos DC e AC do amplificador.
Capacitor de
Acoplamento
Capacitor de
Acoplamento
Capacitor
de Desvio

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2.1.1. Capacitores de Acoplamento e By-pass
Capacitor de Acoplamento: Faz a passagem de sinal AC de um ponto a
outro do circuito ou entre circuitos, sem perda significativa do sinal e sem a
interferência do sinal DC. São projetados para apresentar uma reatância
bem pequena na frequência de operação do circuito, com isso não
promovendo atenuação apreciável do sinal. A reatância capacitiva XC precisa
ser bem menor que a resistência equivalente em série.
Capacitor de Desvio: Semelhante ao capacitor de acoplamento, exceto que
ele acopla um ponto qualquer do circuito a um ponto aterrado. O capacitor
de desvio não perturba a tensão DC porque ele fica aberto para DC. No
circuito apresentado sua função é aterrar o emissor para sinais AC e não
interferir na polarização.
OBS: A menos que se diga ao contrário, todos os capacitores de

acoplamento e de desvio são considerados estabilizados e obedecem a
regra XC menor ou igual a 0,1R (R = resistência equivalente em série).


2.1.2. Modelo DC de Polarização
Modelo DC do circuito exemplo
• Os capacitores são circuito aberto e a

fonte AC é removida.
• Os parâmetros básicos de polarização

são determinados como já discutido
anteriormente nos circuitos de
polarização dos transistores.

4
2.1.3. Modelo AC de Amplificação
O equivalente AC de um circuito é obtido por:

1. Fixando todas as fontes de tensão DC a zero e substituindo-as por um
curto circuito equivalente.
2. Substituindo todos os capacitores por um curto circuito equivalente.
3. Removendo todos os componentes em paralelo com o curto circuito

equivalente introduzidos nos passos 1 e 2.
4. Redesenhando o circuito numa forma mais conveniente e lógica, fazendo

inclusive a associação de resistores.


Modelo equivalente AC do circuito exemplo:
Circuito resultante de todas as

fontes de tensão DC a zero, e os
capacitores substituídos por um
curto circuito equivalente.

5
Modelo equivalente AC do circuito exemplo:
Circuito após remover todos os componentes em paralelo com o

curto circuito equivalente, e redesenhado numa forma mais
conveniente e lógica, com inclusive associação dos resistores.


2.2. Parâmetros AC de Amplificação
AV = Vo / Vi
Ai = Io / Ii
Zi = Vi / Ii
Z0 = Vo / I0
Grande parte do esforço necessário para o entendimento e compreensão

dos conteúdos propostos estará contido nas análise em determinar as
impedâncias de entrada (ZI) e saída (Z0), e os ganhos de corrente (AI) e
tensão (AV) .

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2.3. Modelo re do Transistor
O transistor, na forma como é polarizado como amplificador pode ser
substituído nas análises AC por meio do Modelo re do Transistor, em que
emprega um diodo e uma fonte controlada de corrente, conforme mostra a
figura abaixo considerando a configuração base comum e transistor npn.


2.3.1. Resistência AC do Diodo Emissor Base (re)
26mV
re =
IE

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3. Configuração de Amplificadores de Pequenos Sinais
• Temos três configurações padrões de circuitos amplificadores com BJT,
sendo elas: a configuração base comum (BC), configuração emissor
comum (EC) e a configuração coletor comum (CC). Variações podem
ocorrer porem dentro das três configurações padrões. A escolha de qual
configuração vai depender da aplicação e dos parâmetros AC que se
pretende obter.
Coletor Comum ou
Base Comum Emissor Comum Seguidor de Emissor


3.1. Configuração Base Comum (BC) de Amplificadores
• A configuração base comum é caracterizada por ter uma impedância de
entrada relativamente baixa, uma impedância de saída alta e um ganho de
corrente menor que 1. O ganho de tensão entretanto pode ser alto. Muito
utilizada em casamento de impedância e também em estágio de saída de
amplificadores de potência.

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3.1.1. Modelo DC do Circuito Amplificador Base Comum
• Os primeiros passos iniciam na determinação de IE e re onde para tal
utiliza-se o modelo DC.
• Pela malha de entrada:
− VEE + VBE + I E.RE = 0

VEE − VBE
IE =
RE
VCB = VCC − I C .RC
P = VCB I C
26mV
re =
IE

3.1.2. Modelo AC do Circuito Amplificador BC – Modelo re
26mV
re =
IE
• A impedância de saída do transistor r0 não é incluída na configuração BC
visto que seu valor está na faixa de megaohm, o que a faz ignorada quando
comparada com RC em paralelo que sempre é na ordem de kohm..

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3.1.3. Impedância de entrada do Transistor (ZT) em BC
• A impedância de entrada do transistor ZT pode ser definida como a tensão
na entrada do transistor pela corrente na entrada do transistor. A tensão de
entrada do transistor (vi) é o produto ie.re obtido no modelo re para AC.
vi ie .re
ZT = ZT = Z T = re
ie ie


3.1.4. Impedância de Entrada do Amplificador (Zin) em BC
Z in = RE // Z T Z in = RE // re
• A configuração base comum tem valores típicos de Zin na faixa de poucos
ohms até um máximo de cerca de 50Ω. re é a resistência AC do diodo
emissor, com equação própria dada por re = 26mV/IE.
• Na maioria ou em quase todas as aplicações RE >> re, assim:
Z in ≅ re
10
3.1.5. Resistência de Saída (r0) do Transistor em Base
Comum
A resistência de saída em BC é
determinada pela inclinação das retas
das curvas características de saída IC
x VCB para IE = constante.
Assumindo que as linhas sejam
perfeitamente horizontais resulta na
conclusão do alto valor de r0.
r0 ≅ ∞[Ω]
Medidas obtidas graficamente encontram para a resistência de saída em
BC valores entre 1MΩ a 2MΩ.


3.1.6. Impedância de Saída (Z0) do Amplificador em Base
Comum
Z 0 = RC // RL // r0
Como a resistência de saída r0 em BC assume valores entre 1MΩ a 2MΩ,
ela pode ser desconsiderada no cálculo de Z0, visto que RC e RL são na
maioria das vezes em kohm.
Z 0 = RC // RL
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3.1.7. Ganho de Tensão (AV) na configuração BC
O Ganho de tensão do amplificador é a relação entre a tensão de saída pela
tensão de entrada do transistor
rC = RC // RL
vo vo = −io rC io = −ic vo = −(−ic )rC = αie rC
AV =
vi
vo αie rC vo rC
AV = = AV = ≅
vi ie re vi re

3.1.8. Ganho de Corrente (Ai) na configuração BC
O Ganho de corrente é a relação entre a corrente de saída pela corrente de
entrada.
io io − ic − αie
Ai = io = −ic Ai = = =
ii ii ie ie
Ai = −α ≅ −1

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3.1.9. Exercício de Aplicação
Para o circuito da figura determine os
parâmetros AC do circuito, ou seja:
a) A resistência dinâmica entre
emissor e base (re);
b) As impedâncias de entrada e saída
do circuito amplificador;
c) Os ganhos de tensão e corrente do
circuito.


Solução Exercício de Aplicação
a) Inicialmente devemos calcular os
parâmetros DC de polarização como IE
e re.
− VEE + VBE + I E.RE = 0
5 − 0,7
IE = = 1,1mA
3,9k
26mV
re =
IE
26mV
re = re = 23,6Ω
1,1mA

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b) Por meio do modelo AC que faz uso do modelo re do
transistor calcula-se os parâmetros AC solicitados.
ZT = re = 23,6Ω
3900 x 23,6 Z 0 = RC // r0 ≅ RC
Z in = RE // re =
3900 + 23,6
Z in = 23,45Ω Z 0 = 3,6kΩ C

c) Os ganhos de tensão e corrente ficam como:
vo rC
AV = ≅ rC = RC // RL
vi re
Como RL = ∞ ⇒ rC = RC
Ai = −α ≅ −1
3,6k AV = 153,51
AV =
23,45
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3.1.10. Exercício Complementar
Para o circuito da figura determine os parâmetros AC do circuito, ou seja:
a) A resistência dinâmica entre emissor e base (re);
b) As impedâncias de entrada e saída do circuito amplificador;
c) Os ganhos de tensão e corrente do circuito.
d) A tensão v0 quando vi for 100µV


Solução Exercício Complementar
a) Inicialmente devemos calcular os parâmetros DC de polarização como
IE e re.
− VEE + I E.RE + VBE = 0
2 − 0,7
IE = = 1,3mA
1k
26mV
re =
IE
26mV
re = re = 20Ω
1,3mA

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b) Por meio do modelo AC que faz uso do modelo re do transistor calcula-
se os parâmetros AC solicitados.
Z T = re = 20Ω Z 0 = RC // RL // r0 = RC // RL
1000 x 20
Z in = RE // re = Z 0 = 5k // 5k
1000 + 20
Z in = 19,6Ω Z 0 = 2,5kΩ

c) Os ganhos de tensão e corrente ficam como:
rC = RC // RL = 5k // 5k = 2,5kΩ
Ai = −α ≅ −1
v r
AV = o ≅ C
vi re
2500
AV = AV = 75
20
16
d) A tensão de saída V0 fica como:
vo
AV =
vi
vo = AV .vi
AV = 75
vo = 75 x100 µV vo = 7,5mV


3.2. Configuração Emissor Comum (EC) de Circuito
Amplificador com Polarização Fixa
Para a configuração emissor comum os terminais de entrada são a base e
o emissor do transistor, sendo a saída obtida no coletor em relação ao
emissor. O emissor é comum à entrada e a saída.

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3.2.1. Modelo DC do Circuito Amplificador EC
• Os primeiros passos iniciam na determinação de IE e re onde para tal
utiliza-se o modelo DC do circuito em questão, aplicando a lei de Kirchoff
ao longo da malha de entrada.
− VCC + I B .RB + VBE = 0
VCC − VBE
IB =
RB
I E = β .I B
26mV
re =
IE


3.2.2. Modelo re Equivalente do Transistor para a
Configuração Emissor Comum - EC
Nesta configuração a corrente de base é a corrente de entrada, enquanto
que a corrente de saída é a corrente de coletor.
ic = βib
ie = ic + ib = βib + ib
ie = ( β + 1)ib
ie ≅ βib
26mV
re =
IE
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3.2.3. Impedância de Entrada do Transistor (ZT) em EC
A impedância de entrada é definida
pela relação:
vi vbe
ZT = =
ii ib
vi = vbe = ie .re = β .ib .re
β .ib .re
ZT =
ib
Z T ≅ β .re
Valores típicos de ZT definidos por β .re atingem uma faixa de poucas

centenas de ohms até kohms, com máximos de 6 a 7 kΩ.


3.2.4. Modelo AC do Transistor em EC
• Diante das análises anteriores podemos adotar qualquer um dos circuitos

acima na elaboração do circuito AC equivalente para a conexão emissor
comum.

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3.2.5. Impedância de Entrada do Amplificador (Zin ) em EC
Z in = RB // Z T
Z in = RB // β .re


3.2.6. Resistência de Saída do Transistor (rO)
A resistência de saída do transistor

está definida nas curvas de saída do
componente, através da inclinação
destas curvas.
Quanto maior o nível de inclinação
menor o nível da resistência de
saída r0.

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3.2.7. Impedância de Saída do Transistor (ZT)
Z T ≅ r0
Valores típicos de Z0 para EC estão

na faixa de 40 a 50kΩ.
Se a contribuição de r0 for ignorada a

impedância de saída do transistor é
definida por Z0 = ∞, que será uma
aproximação satisfatória por
enquanto.


3.2.8. Impedância de Saída do Amplificador (Z0)
A impedância de saída do amplificador é determinada nos terminais de
saída olhando-se para dentro do sistema e com o sinal aplicado na
entrada fixado em zero.
Z 0 = RC // r0 Z 0 ≅ RC r0 ≥10 RC
Valores típicos de Z0 para EC estão na faixa de 40 a 50kΩ.

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3.2.9. Ganho de Tensão (AV ) na configuração Emissor
Comum
v0 v0 = −i0 .( RC // r0 ) i0 = iC ie ≅ ic vi = ie .re
AV =
vi
− i ( R // r ) − i .( R // r ) ( RC // r0 )
AV = C C 0 ≅ e C 0 AV = −
ie .re ie .re re
− rC
rC = RC // r0 rC = RC ro≥10 RC
AV =
re

3.2.10. Ganho de Corrente Ai na configuração EC
O ganho de corrente é determinado aplicando-se o teorema da divisão de
corrente na entrada e saída.
ro
i0 = β .ib
r0 + RC
i0 ro
= β
ib r0 + RC
RB ib RB
ib = ii = Ai =
i0
β .re + RB ii β .re + RB ii

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3.2.10. Ganho de Corrente Ai na configuração EC
Diante dos valores das correntes na entrada e saída o ganho de corrente
ficará como:
i 0  i 0  i b   ro  RB 
Ai = =    =  β  
ii  ib  ii   r0 + RC  β .re + RB 
i0 β .RB .r0
Ai = =
ii (r0 + RC )(β .re + RB )
i0 β .R B . Ai =
i0
=β
Ai = = R B ≥10. β .re
ii (β .re + RB )
ro ≥10. RC
ii


3.2.11. Relação de fase na configuração EC
O sinal negativo na equação resultante do ganho de tensão relela um
deslocamento de fase de 180º que ocorre entre os sinais de entrada e
saída.

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3.2.12. Exercício de fixação:
Para o circuito da figura determine:a) resistência dinâmica de emissor re.
b) impedância de entrada do amplificador (ZIN) para r0 = ∞. c) A
impedância de saída do amplificador (Z0) para r0 = ∞. d) O ganho de
tensão (AV) para r0 = ∞. e) O ganho de corrente para r0 = ∞. f) repita o
exercício para r0 = 50kΩ.


Solução Exercício Fixação – Análise DC de Polarização
− VCC + I B .RB + VBE = 0
VCC −V BE 12 − 0,7
IB = IB = = 24,04 µA
RB 470k
I E = ( β + 1) I B = 101(24,04 µA)
I E ≅ 2,43mA
26mV 26mV
re = =
IE 2,43mA
re ≅ 10,70Ω
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Solução Exercício Fixação – Impedâncias de Entrada
a) Impedância de entrada b) a impedância de entrada do circuito Zin

do transistor ZT Z in = RB // Z T
Z T = β (re ) = 100(10,70) Z in = 470k // 1,07k
ZT = 1,07kΩ Z in ≅ 1,068kΩ


Solução Exercício Fixação – Impedâncias de saída
c) a impedância de saída do circuito Zout;
Z out = r0 // RC // RL
Como r0 = ∞ e RL também circuito aberto, tem-se:
Z out = RC Z out = 3,0kΩ

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Solução Exercício Fixação – Ganho de Tensão AV
vo
AV =
vi
d) Ganho de tensão AV
− rC − RC 3k AV = −280,37
AV = = =
re re 10,7


Solução Exercício Fixação – Ganho de Corrente Ai
De acordo como resolvido para o ganho de corrente na configuração
emissor comum levando-se em consideração as divisões de corrente no
circuito equivalente para AC, encontrou-se para o circuito:
r0 βRB
Ai =
(r0 + RC )(RB + βre )
Se r0 ≥ 10 R C e R B ≥ 10 βre , o que é frequente, como no xemplo, então :

r0 βRB
Ai = Ai = β = 100
(r0 )(RB )
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3.3. Configuração Emissor Comum (EC) e Polarização por
Divisão de Tensão


3.3.1. Modelo DC de Polarização da Configuração
Emissor Comum e Polarização por Divisão de Tensão

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3.3.2. Modelo AC da Configuração Emissor Comum (EC)
com Polarização por Divisão de Tensão
Obtido por meio do circuito resultante quando se faz a tensão VCC de

polarização igual zero e os capacitores são substituídos por curto circuito.


3.3.3. Impedância de Entrada e Saída na Configuração
Emissor Comum com Polarização por Divisão de Tensão
Impedância de Entrada Impedância de Saída

R' = R1 // R2
Z 0 = RC // r0
Z T = β .re
Z 0 ≅ RC
Z in = R ' // β .re r0 ≥10 RC

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3.3.4. Ganho de Tensão na Configuração Emissor Comum
com Polarização por Divisão de Tensão
v0
AV =
vi
v0 = −i0 .( RC // r0 )
i0 = iC iC ≅ βib
vi = ib .β re
− iC ( RC // r0 ) − iC .( RC // r0 )
AV = ≅
ib .β re iC .re
( RC // r0 ) − rC
AV = − AV = rC = RC // r0
re re ro≥1 0 RC


3.3.5. Ganho de Corrente Ai na configuração EC com
Polarização por divisor de tensão
Tal como para a polarização fixa, temos:
i0 β .R '.r0
Ai = =
ii (r0 + RC )(β .re + R ')
i0 β .R '. i0
Ai = = Ai = =β
ii (β .re + R ')
ro ≥10. RC R '≥10. β .re
ii

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3.3.6. Exercício de Aplicação 1
Para o circuito apresentado, determine:
a) as impedância de entrada do transistor ZT e do
circuito Zin;
b) b) a impedância de saída do circuito Zout;
c) c) o ganho de tensão AV;
d) e) o ganho de corrente Ai.
e) Considerar r0 = ∞


Solução Exercício Aplicação 1 – Análise DC de Polarização
Verificando a possibilidade em utilizar o modelo aproximado na solução
DC:
Testando a condicão : β .R E ≥ 10R 2
90 x1,5kΩ ≥ 10.8,2kΩ
135kΩ ≥ 82kΩ
Satisfeita a condição vamos usar a abordagem
aproximada, onde:
VCC
VB = R2
R1 + R2
VE = VB − VBE
V
IE = E
RE
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Solução Exercício Aplicação 1 – Análise DC de Polarização
VCC 22
VB = R2= 8,2k
R1 + R2 56k + 8,2k
VB = 2,81V
VE = VB − VBE = 2,81 − 0,7 = 2,11V
V 2,11
IE = E = = 1,41mA
RE 1,5k
26mV 26mV
re = =
IE 1,41mA
re = 18,44Ω

Solução Exercício Aplicação 1 – Impedâncias de Entrada
a) Impedância de entrada Impedância de entrada do circuito Zin

do transistor ZT Z in = RTH // Z T
ZT = β (re ) = 90(18,44) Z in = 7,15k // 1,65k
ZT = 1,65kΩ Z in ≅ 1,35kΩ

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Solução Exercício Aplicação 1 – Impedância de saída
b) Impedância de saída do transistor Z0 e do circuito Zout;
Z o = r0 // RC Z out = r0 // RC // RL
Z o ≅ RC Z out = 6,8k // 8,2k
Z o ≅ 6,8kΩ Z out = 3,71kΩ


Solução Exercício Aplicação 1 – Ganho de Tensão
Para o Ganho de tensão AV ,fica:
rC R // RL 3,71k AV = −201,19
AV = − =− C =
re re 18,44

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Solução Exercício Aplicação 1 – Ganho de Corrente Ai
r0 β RTH
Ai =
(r0 + RC )(RTH + βre )
Dado r0 = ∞, satisfaz a condição r0 ≥ 10 R C , assim :
r0 βRTH βRTH
Ai = ≅
(r0 )(RTH + βre ) (RTH + βre )
A condição R TH ≥ 10βre, (7,15k ≥ 10(1,66kΩ), não satisfaz, então :
βRTH 90(7,15k )
Ai ≅ = Ai ≅ 73,04
(RTH + βre ) 7,15k + 1,65k

3.4. Configuração Emissor Comum (EC) com Polarização
no Emissor Não Desviado (sem o capacitor de bypass)
O circuito inclui o resistor de emissor não

desviado por meio de capacitor bypass.

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3.4.1. Modelo DC de Polarização na Configuração Emissor
Comum e Polarização no Emissor
A análise neste caso será realizada sem o resistor r0 de coletor dado que
seus efeitos podem ser ignorados e a sua inclusão neste circuito torna a
análise mais complicada.
− VCC + I B RB + VBE + I E RE = o
I E = ( β + 1) I B
− VCC + I B RB + VBE + ( β + 1) I B RE = o
VCC − VBE
IB =
RB + ( β + 1) RE
26mV
I E ≅ I C = β .I B re =
IE

3.4.2. Modelo AC de Polarização na Configuração Emissor
A análise neste caso será realizada sem o resistor r0 de coletor dado que
seus efeitos podem ser ignorados e a sua inclusão neste circuito torna a
análise mais complicada.
A fonte de tensão DC é feita zero e os capacitores são substituídos por
curto circuito.
26mV
re =
IE

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3.4.3. Impedância de Entrada do Transistor e do Circuito na
Configuração EC e Polarização no Emissor
Vi
ZT =
ib
Vi = I b .β .re + I e .RE
Vi = I b .β .re + β .I b .RE
I b .β .re + β .I b .RE
ZT =
ib
Z IN = RB // β (re + RE )
Z T = β (re + RE )
Z 0 = RC
Z T = β .R E RE ≥10.re


3.4.4. Ganho de Tensão na Configuração Emissor Comum
e Polarização no Emissor
v0
AV =
vi
v0 = −i0 .( RC )
i0 = iC iC ≅ βib
vi = I b .β .re + β .I b .RE
V0 − β .I b ( RC ) AV = −
RC
AV ≅ −
RC
AV = ≅
Vi I b .β .re + β .I b .RE re + RE RE

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3.4.5. Ganho de Corrente na Configuração Emissor
RB
Ib = Ii
Z T + RB
Ib RB
= I 0 = β .I b
I i Z T + RB
I0
=β  I b  I 0   RB 
Ib    =  (β )
I I
 i  b   T Z + RB 
I0
Ai = I0 RB RB
Ii =β Ai = β
Ii Z T + RB Z T + RB

3.4.6. Variação da Configuração Emissor Comum com
Polarização no Emissor
O circuito mostra uma configuração que

utiliza parte da resistência de polarização
desviada do domínio AC.

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3.4.7. Exercício de Fixação
Para o circuito apresentado, determine:
a) as impedância de entrada do transistor Zi e do
circuito Zin;
b) a impedância de saída do circuito Zout;
c) o ganho de tensão AV;
d) o ganho de corrente Ai.
e) qual a tensão vO de saída quando a
entrada vi for um sinal AC
de 100mV.
Considerar r0 = ∞


Solução Exercício Fixação – Análise DC de Polarização
VCC − VBE 20 − 0,7

IB = =
RB + ( β + 1) RE 470k + (121)0,56k
I B = 35,89µA
I E = ( β + 1) I b = 121(35,89 µA) = 4,34mA
26mV 26mV
re = =
IE 4,34mA
re = 5,99Ω

37
Solução Exercício Fixação – Impedâncias de Entrada
Impedância de entrada do
transistor ZT
Z T = β ( re + RE )
ZT = 120(5,99 + 560)
ZT = 67,29kΩ
circuito Zin
Z in = RB // Z T
Z in = 470k // 67,29k Z in ≅ 59,34kΩ


Solução Exercício Fixação – Impedâncias de Saída
Impedância de saída do
transistor Z0
Z 0 = r0 // RC ≅ RC
Z 0 = 2,2kΩ
circuito Zout
Z out ≅ RC // RL
Z out ≅ 1,1kΩ
38
Solução Exercício Fixação – Ganho de Tensão AV
Ganho do circuito
completo:
rc
AV = −
re + RE
1,1k
AV = −
5,99 + 560
AV = −1,94
2,2k .2,2k
rc = Rc // RL = rc = 1,1kΩ
2,2k + 2,2k


Solução Exercício Fixação – Ganho de Corrente Ai
r0 βRB
Ai =
(r0 + RC )(RB + β ( re + RE ) )
βRB
Ai =
RB + β ( re + RE )
120.470k
Ai =
(470k + 120(5,99 + 560) )
Ai = 104,84
39
Solução Exercício Fixação – Cálculo da Tensão V0
v0
AV = −
vi
v0 = − AV .vi
v0 = −( −1,94).100mV
v0 = 194mV


3.4.8. Exercício Complementar
Considere o mesmo circuito do exercício de fixação anterior, porém com
capacitor de desvio no emissor como mostrado.
Neste novo circuito, determine:
a) as impedância de entrada do transistor
ZT e do circuito Zin;
b) a impedância de saída do circuito Zout;
c) o ganho de tensão AV;
d) o ganho de corrente Ai.
e) qual a tensão vO de saída
quando na entrada vi for um
sinal AC de 10mV.
Considerar r0 = ∞

40
Solução Exercício Complementar – Análise DC de
Polarização
VCC − VBE 20 − 0,7
IB = =
RB + ( β + 1) RE 470k + (121)0,56k
I B = 35,89µA
I E = ( β + 1) I b = 121(35,89 µA) = 4,34mA
26mV 26mV
re = =
IE 4,34mA
re = 5,99Ω A Análise DC é a mesma


Solução Exercício Complementar – Impedâncias de Entrada
transistor ZT
Z T = β (re )
ZT = 120(5,99)
ZT = 718,8Ω
circuito Zin
Z in = RB // Z T
Z in = 470k // 718,8k Z in ≅ 717,70Ω

41
Solução Exercício Complementar – Impedância de Saída
transistor Z0
Z 0 = r0 // RC ≅ RC
Z 0 = 2,2kΩ
circuito Zout
Z out ≅ RC // RL
As impedância de saída não se alta Z out ≅ 1,1kΩ


Solução Exercício Complementar – Ganho de Tensão AV
Ganho do circuito
completo:
rc
AV = −
re
1,1k
AV = −
5,99
AV = −183,64
2,2k .2,2k rc = 1,1kΩ
rc = Rc // RL =
2,2k + 2,2k

42
Solução Exercício Complementar – Ganho de Corrente Ai
r0 β RB
Ai =
(r0 + RC )(RB + β ( re ) )
β RB
Ai =
RB + β ( re )
120.470k
Ai =
(470k + 120(5,99) )
Ai = 119,82


Solução Exercício Complementar – tensão de Saída V0
v0
AV = −
vi
v0 = − AV .vi
v0 = −( −183,64).10mV
v0 ≅ 1,83V

43
3.4.9. Exercício de Fixação 2
Determine no circuito, utilizando o

modelo aproximado de re :
a)Ganho de tensão AV .
b)Impedância de entrada Zi ; ZIN.
c)Impedância de saída ZOUT.
Dado: β cc = β ca = 150


Solução Exercício Fixação 2 – Modelo DC de Polarização
R1.R 2
RTH =
R1 + R2
VCC
ETH = R2
R1 + R2
VTH −V BE
IE =
R
RE + TH
β

44
Solução Exercício Fixação 2 – Modelo DC de Polarização
R1. R 2 10k .2,2k

RTH = = ≅ 1,8kΩ
R1 + R2 10k + 2,2k
VCC 10
ETH = R2= 2,2k = 1,8V
R1 + R2 10k + 2,2k
ETH −V BE 1,8 − 0,7

IE = = ≅ 1,16mA
RTH + 1,8k
RE + 940
150
β
26mV 26mV
re = = = 22,41Ω
IE 1,16mA


Solução Exercício Fixação 2 – Modelo re do Transistor
rC = RC // RL
RC .R L
rC =
RC + RL
3,6k .1,5k
rC = = 1,05kΩ
3,6k + 1,5k
r ' e = re + rE
R .R r ' e = 22,41 + 120
RTH = 1 2 ≅ 1,8kΩ
R1 + R2 r ' e = 142,41

45
Solução Exercício Fixação 2 – Ganho de Tensão AV
v0
AV =
vi
v0 = −iC .rC
vi = ie ( re + rE )
− iC .rC − ie .rC
AV = ≅
ie ( re + rE ) ie ( re + rE )
− rC 1,05k
AV = =−
re + rE 22,41 + 120
RTH ≅ 1,8kΩ rC ≅ 1,05kΩ
AV = −7,37


Solução Exercício Fixação 2 – Impedância de Entrada ZIN
vi ie ( re + rE )
ZT = =
RTH ≅ 1,8kΩ ii ib
i (r + r )
ZT = e e E
ie
β
Z T = β ( re + rE )
ZT = 150(22,41 + 120)
Z in = R1 // R2 // Z i = 1,8k // 21,36k
ZT ≅ 21,36kΩ
Z in = 1,66kΩ

46
Solução Exercício Fixação 2 – Impedância de Saída Z0
rC = RC // RL
RC .R L
rC =
RC + RL
rC ≅ 1,05kΩ
ZOUT ≅ rC = 1,05k
RTH ≅ 1,8kΩ


3.5. Configuração Coletor Comum (CC) ou Seguidor de
Emissor
A tensão de saída é levemente menor que a
tensão de entrada devido a queda de tensão
entre base e emissor, mas em geral a
aproximação AV ≅ 1 é adequada. Vo e
Vi tem ambos as mesma fases, isto é,
atingem valores de pico positivo e negativo
nos mesmos instantes. O fato de V0 seguir a
amplitude de Vi com a mesma fase conduziu
para a terminologia Seguidor de Emissor.
A configuração apresenta alta impedância
de entrada, devido a contribuição de RE e
baixa impedância de saída, motivo que a faz
ser usada nos circuitos de casamento de
impedâncias.

47
3.5.1. Configuração Coletor Comum (CC) – Modelo DC de
Polarização
VCC
VTH = R2
R1 + R2
VE = VTH − VBE
VE
IE =
RE
26mV
re =
IE


3.5.2. Configuração Coletor Comum (CC) – Ganho de
Tensão AV
v0
AV =
vi
ie .RE
AV =
ie ( RE + re )
vi = ie (re + RE )
RE
AV =
v0 = ie .re ( RE + re )
AV ≅ 1

48
3.5.3. Configuração Coletor Comum (CC) – Impedância de
Entrada ZT e ZIN
vi = ie (re + RE ) ie ≅ β .ib
vi
ZT =
ib
β .i (r + RE )
ZT = b e = β .( re + RE )
ib
Como RE >> re ⇒ ZT = β .RE
Z in = β .RE // R1 // R2
Como β .RE >> R1 // R2, temos:
Z in = R1 // R2

Saída Z0
Aplicando o teorema de Thevenin na

figura acima, a tensão thevenin é vi. A
resistência thevenin é RS//R1//R2. A figura
ao lado mostra o circuito equivalente AC

49
Saída Z0
ie .r 'e +ie .RE − vi + ib ( RS // R1 // R2 ) = 0
iC ie
Como: ib = ≅ Obtem-se:
β β
vi
ie ≅
( RS // R1 // R2 )
RE + r ' e +
β
( RS // R1 // R2 )
Z SAÍDA( EMISSOR) ≅ r 'e +
β

Saída Z0
( RS // R1 // R2 )
Z SAÍDA( EMISSOR) ≅ r 'e +
( RS // R1 // R2 ) β
r 'e +
β Thevenizando:
 ( R // R1 // R2 ) 
Z 0 ≅ RE //  r 'e + S 
 β 
Como RE é suficientemente grande
 ( R // R1 // R2 ) 
Z 0 ≅  r 'e + S 
 β 

50
3.5.5. Configuração Coletor Comum (CC) – Exercício de
Aplicação 1
Determine no circuito, utilizando o

modelo aproximado de re :
a)Impedância de entrada ZIN.
b)Impedância de saída.
c)A tensão de saída CA
Dado: β cc = β ca = 100


Solução Exercício de Aplicação 1 – Impedâncias de Entrada
a) Impedância de entrada,
ZIN
Z in = R1 // R2
Z in = 10k // 10k
Z in = 5kΩ
Z T = β .(re + RE )

51
Solução Exercício de Aplicação 1 – Impedâncias de Saída
b) Impedância de Saída, Z0.
 ( R // R1 // R2 ) 
Z 0 ≅  r 'e + S 
 β 
26mV 26mV
re = = = 26Ω
IE 1mA
VE 5 − 0,7  2093 
IE = = Z 0 ≅  26 + 
RE 4,3k  100 
I E = 1mA Z 0 ≅ 46,93Ω

Solução Exercício de Aplicação 1 – Tensão V0
c) Tensão de Saída, v0 .
100mV
vi = . 5k
8,6k
vi = 58,1mV
Como AV ≅ 1, temos que:

100mV
vi = ( R1 // R2 )
RS + ( R1 // R2 ) v0 = 58,1mV

52
3.5.6. Configuração Coletor Comum (CC) – Exercício de
Aplicação 2
Considere o circuito apresentado e

determine: a) as impedância de
entrada do transistor Zi e do circuito
Zin; b) a impedância de saída do
circuito Zout; c) o ganho de tensão
AV; d) o ganho de corrente Ai.
Considerar r0 = ∞


Solução Exercício de Aplicação 2 – Equivalente DC
VCC − VBE 12 − 0,7

IB = =
RB + ( β + 1) RE 220k + (101)3,3k
I B = 20,42 µA
I E = ( β + 1) I b = 101( 20,42 µA) = 2,062mA
26mV 26mV
re = =
IE 2,062mA
re = 12,61Ω

53
Solução Exercício de Aplicação 2 – Impedâncias de Entrada
transistor ZT
Z T ≅ β (re + RE )
ZT = 100(12,61 + 3,3k )
ZT = 331,26kΩ
circuito Zin
Z in = RB // Z T
Z in = 220k // 331,26k
Z in ≅ 132,21kΩ

Solução Exercício de Aplicação 2 – Impedâncias de Saída
Z 0 = RE // re Z 0 = 12,56Ω

54
Solução Exercício de Aplicação 2 – Ganho de Tensão Av
v0 RE
AV = =
vi re + RE
3,3k
AV =
12,61 + 3,3k
AV = 0,996 ≅ 1


Solução Exercício de Aplicação 2 – Ganho de Corrente Ai
βRB
Ai = −
RB + β ( re + RE )
100 x 220k
Ai = −
220k + 100(12,61 + 3,3k )
Ai = −39,90

55

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− VCC + I B .RB + VBE = 0

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