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4° B – ELECTRÓNICA
2010
E.E.T Nº 460 “Guillermo Lehmann”
Departamento de Electrónica
ELECTRÓNICA
2010 4º B – Electrónica 2
E.E.T Nº 460 “Guillermo Lehmann”
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1. INTRODUCCIÓN
El transistor de efecto e campo (FET) (por las siglas en inglés de Field Effect Transistor) es
un dispositivo de tres terminales que se utiliza para aplicaciones diversas que se asemejan, en
una gran proporción, a las de los transistores bipolares (BJT) (por las siglas en inglés de
Bipolar Junction Transistor). Aunque existen importantes diferencias entre los dos tipos de
dispositivos, también es cierto que tienen muchas similitudes.
La diferencia básica entre los dos tipos de transistores es el hecho de que el transistor BJT
es un dispositivo controlado por corriente, mientras que el transistor FET es un dispositivo
controlado por tensión. En otras palabras, la corriente de colector es una función directa del
nivel de la corriente de base. Para el FET la corriente de drenador es función de la tensión
compuerta-surtidor aplicada al circuito de entrada. En cada caso, la corriente del circuito de
salida está controlada por un parámetro del circuito de entrada, en un caso se trata de un nivel
de corriente y en el otro de una tensión aplicada.
De la misma manera que existen transistores bipolares npn y pnp, hay transistores de efecto
de campo de canal-n y canal-p. Sin embargo, es importante considerar que el transistor BJT es
un dispositivo bipolar; el prefijo bi indica que el nivel de conducción es una función de dos
portadores de carga, los electrones y los huecos. El FET es un dispositivo unipolar que
depende únicamente de la conducción o bien, de electrones (canal-n) o de huecos (canal-p).
El término “efecto de campo” merece cierta explicación. Es muy bien conocida la capacidad
de un imán permanente para atraer limaduras de metal hacia el imán sin la necesidad de un
contacto real. El campo magnético del imán permanente envuelve las limaduras y las atrae al
imán por medio de un esfuerzo por parte de las líneas de flujo magnético con objeto de que
sean lo más cortas posibles. Para el FET un campo eléctrico se establece mediante las cargas
presentes que controlarán la trayectoria de conducción del circuito de salida, sin la necesidad
de un contacto directo entre las cantidades controladoras y controladas.
Uno de los rasgos más importantes del FET es una gran impedancia de entrada, que va
desde 1 a varios cientos de mega-ohms excediendo por mucho los niveles típicos de
resistencia de entrada de las configuraciones con transistores bipolares, un punto muy
importante en el diseño de amplificadores lineales de C.A. Por otro lado, el transistor BJT tiene
una sensibilidad mucho más alta a los cambios en la señal aplicada; es decir, la variación en la
corriente de salida es obviamente mucho mayor para el BJT que la que produce en el FET para
el mismo cambio de voltaje aplicado. Por esta razón, las ganancias normales de tensión en C.A
para los amplificadores con transistores bipolares son mucho mayores que para los FET. En
general, los FET son más estables con respecto a las variaciones de temperatura que los
transistores bipolares y además, constructivamente son de un tamaño menor, lo cual los hace
mucho más útiles en la fabricación de circuitos integrados (C.I).
Fundamentalmente tenemos dos tipos de FET: el transistor de efecto de campo de unión
(JFET) (por las siglas en inglés de, Junction Field Effect Transistor) y el transistor de efecto de
campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) (por las siglas en inglés de, Metal-Oxide-
Semiconductor Field Effect Transistor). Los transistores JFET pueden ser de canal-n o de
canal-p; estos, se utilizan para amplificar señales de baja frecuencia y potencia (señales de
audiofrecuencia). La categoría MOSFET se desglosa en los tipos incremental o de
enriquecimiento y decremental o de empobrecimiento. Los MOSFET del tipo decremental
pueden ser de canal-n o canal-p; estos tienen aplicaciones limitadas en amplificadores de
radiofrecuencia, en sus etapas de entrada por su bajo nivel de ruido. Los MOSFET del tipo
incremental (canal-n o canal-p) se utilizan ampliamente en los sistemas digitales de alta
densidad de integración como memorias semiconductoras, microprocesadores,
microcontroladores, etc. También tiene gran aplicación como elemento discreto en aplicaciones
de potencia.
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aumenta la tensión aplicada, la corriente de drenador “ID” ira creciendo en forma lineal, de
acuerdo a la ley de ohm (región resistiva).
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Figura 2.4.- Características del JFET canal-n con VGS = -12 volt
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Normalmente para el JFET de canal-n, VGS toma valores negativos. Si tomara valores
positivos, modificaría la corriente de drenador, haciéndola mayor, pero tendríamos circulación
de corriente de puerta (para VGS > 0,5 V, figura 2.4) por lo que perderíamos una de las ventajas
de estos semiconductores que es la alta impedancia de entrada. Las características de salida
tensión-corriente del JFET de canal-p, son similares pero debemos cambiar las polaridades y
sentido de las tensiones y corrientes respectivamente.
En la figura 2.4 tenemos:
IDSS: corriente que circula entre drenador y surtidor para VGS = 0V.
Vp: tensión de contracción del canal para VGS = - Vp resulta ID = 0.
El limite entre la zona resistiva y la zona de saturación, esta dado para VDS = Vp.
ro
rd = 2
VGS
1 −
VP
Donde ro es la resistencia con VGS = 0V y rd es la resistencia en un nivel particular de
VGS .
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2
V
i D = I DSS ⋅ 1 − GS
VP
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Si ahora aplicamos una tensión negativa en el terminal de puerta, respecto al canal (a través
del terminal del sustrato unido a la fuente), se inducen cargas positivas en el canal, por debajo
del dióxido de silicio, en la zona que cubre el área metálica de la puerta (similar a la carga de
un condensador). Como en el canal los portadores mayoritarios que conducen la corriente, son
electrones, las cargas inducidas hacen el canal menos conductor y la corriente de drenaje se
hace menor, cuando VGS se hace más negativo. La redistribución de cargas en el canal
provoca un debilitamiento efectivo de los portadores mayoritarios. Si hacemos ahora a VGS
positivo, se inducen cargas negativas en el canal lo que produce un aumento de la
conductividad (enriquecimiento) y con ello un aumento en la corriente de drenador. Veamos las
características de transferencia y de salida tensión-corriente de este tipo de transistor:
Figura 3.3.- Características de drenador y transferencia para un MOSFET del tipo decremental
de canal-n
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El espaciamiento vertical (figura 3.3) entre las curvas de VGS = 0V y VGS = +1V es una clara
indicación de cuanto ha aumentado la corriente por el cambio en un volt en VGS. Debido al
rápido incremento, hay que tener en cuenta el valor máximo de la corriente de drenador ya que
puede excederse con un voltaje positivo en la entrada. Como se dijo antes, la aplicación de un
voltaje positivo en la compuerta ha “incrementado” el nivel de portadores libres en el canal
comparado con aquel encontrado con VGS = 0V. Por esta razón la región de voltajes positivos
de la entrada sobre el drenador o las características de transferencia es a menudo conocida
como la región incremental con la región entre el nivel de corte y de saturación de IDSS
denominada como la región de agotamiento.
Figura 3.4.- Símbolos gráficos para los MOSFET del tipo decremental de canal-n y canal-p
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Figura 3.6.- Características de drenador y transferencia para un MOSFET del tipo incremental
de canal-n
Figura 3.7.- Símbolos gráficos para los MOSFET del tipo incremental de canal-n y canal-p
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iD = K ⋅ (vGS − VT )
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velocidad de conmutación es muy alta y los tiempos de conmutación son del orden de los
nanosegundos.
Si no tiene señal de compuerta, un MOSFET incremental de canal-n se puede considerar
como dos diodos conectados espalda con espalda, o como un transistor NPN. La estructura de
la compuerta tiene capacidades parasitas Cgs respecto al surtidor y Cgd respecto al drenador. El
transistor NPN tiene una unión con polarización inversa, del drenador al surtidor, y forma una
capacidad Cds. La figura 3.8(a) muestra el circuito equivalente de un transistor bipolar parasito
en paralelo con el MOSFET. La región de base a emisor del transistor NPN se pone en corto
en el microcircuito, al metalizar el terminal del surtidor y la resistencia de la base al emisor,
resulta de un valor bajo por lo que se la desprecia. Por consiguiente, se puede considerar al
MOSFET con un diodo interno (figura b), por lo que las capacitancias parasitas dependen de
sus voltajes respectivos.
a) b)
Figura 3.8.- a) Modelo con capacidad bipolar. b) Modelo con diodo interno
4. EL TRANSISTOR IGBT
El transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo de compuerta
aislada. Tiene una estructura interna similar a la de un MOSFET, pero en el lado del drenador
(colector) tiene una juntura p-n, la cual inyecta portadores minoritarios en el canal cuando el
IGBT esta en estado de conducción y de esta manera se reduce considerablemente la
disipación de potencia. Debido a esta estructura, el IGBT exhibe una mezcla de propiedades
del MOSFET y el transistor bipolar. Estas son:
Con el MOSFET:
• Compuerta controlada por tensión.
• La capacidad de entrada debe ser cargada y descargada durante el encendido y el
apagado del dispositivo.
• Peligro de avería o daños debido a cargas electroestáticas.
Con el Bipolar:
• Tensión de saturación poco dependiente de la corriente de colector.
• La resistencia en estado de conducción no se incrementa con la temperatura, por lo
tanto tiene bajas pérdidas.
• Luego del apagado los portadores minoritarios necesitan un tiempo para la
recombinación, el cual resulta en una corriente inversa.
• No tiene diodo parásito.
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Debido a la capa adicional tipo p, el IGBT tiene en la zona entre el colector y el emisor una
estructura de cuatro capas, formando un tiristor parásito. Este tiristor puede dispararse a
corrientes altas de colector y en esta condición el IGBT no podría bloquearse por su
compuerta, no obstante este fenómeno se elimina constructivamente. Las dos estructuras que
existen son: a) de perforación (PT, punch through) y b) NPT (non punch through).
Como en un MOSFET incremental de canal-n, se hace positiva la compuerta respecto al
surtidor, los portadores “n” son atraídos al canal “p” cerca de la región de la compuerta,
produciendo una polarización directa de la base del transistor “npn”, lográndose el encendido.
Entonces, un IGBT se enciende con un voltaje positivo en la compuerta y se apaga cuando le
eliminamos el voltaje positivo aplicado en la compuerta. Dado que la activación y desactivación
se efectúa con una tensión eléctrica, el circuito de control asociado a la activación y
desactivación, resulta sencillo.
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